「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

An ultraviolet light 5 generated by rebinding electrons injected from the n-type transparent electrode layer 1 and holes injected from the p-type electrode layer 3 at the light emitting layer 2 is taken out from the optical device to the outside without being absorbed by the n-type transparent electrode layer 1.例文帳に追加

ｎ型透明電極層１から注入された電子とｐ型電極層３から注入された正孔が発光層２で再結合して生成された紫外光５がｎ型透明電極層１で吸収されることなく、光デバイスの外部に取り出すことができる。 - 特許庁

An optical modulator includes: a p-InP clad layer 22; an n-InP clad layer 23; and a multiple quantum well 40 sandwiched between the p-InP clad layer 22 and the n-InP clad layer and having a plurality of well layers 1 and a plurality of barrier layers 2 alternately laminated.例文帳に追加

光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。 - 特許庁

In the formula, A: adhesion (N/25 mm) between the polishing layer and the adhesion layer, and B: adhesion (N/25 mm) between the polishing layer and the adhesion layer after they are pasted and immersed into polishing slurry for 24 hours under room temperature.例文帳に追加

粘着力保持率Ｘ（％）＝Ｂ／Ａ×１００ ……（１）（ここで、Ａ：研磨層と接着層との間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）。Ｂ：研磨層と接着層とを貼り合わせたのち、研磨スラリーに室温下２４時間浸漬した後の研磨層と接着層との間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）） - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes: an n-type semiconductor layer including a nitride semiconductor whose c plane is a principal plane; a p-type semiconductor layer including a nitride semiconductor; and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The organic semiconductor device provided with a p-type organic semiconductor layer pinched between a source electrode and a drain electrode is equipped with an n-type organic semiconductor layer, interposed at a middle point in the p-type organic semiconductor layer and a gate electrode embedded in the n-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたｐ型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、ｐ型有機半導体層の中間に介在されたｎ型有機半導体層と、ｎ型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

On the semiconductor or the semiconductor insulator substrate, the undoped AlN layer and the n-type AlN layer are formed by epitaxial growth and then the n-type AlN layer which has extremely superior electric conductivity because of the less-defect undoped AlN layer is obtained, so that a Schttoky barrier height and an insulation breakdown voltage can be greatly increased.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

In the example shown on Fig. 1, the depletion layer 15 intrudes into the auto-doping layer 13b but does not reach an N+ type silicon substrate 2 under avalanche breakdown voltage and a part of an epitaxial layer 13 exists between the depletion layer 15 and the N+ type silicon substrate 2.例文帳に追加

また、図１に示す例の場合、空乏層１５は、オートドーピング層１３ｂ内に侵入しているが、アバランシェ降伏電圧下において空乏層１５はＮ^+型シリコン基板２には到達せず、空乏層１５とＮ^+型シリコン基板２との間にエピタキシャル層１３の一部が介在する。 - 特許庁

An electrode 17 to be connected with the P-type layer 12 as well as an electrode 18 to be connected with the channel stopper layer 14 are formed on the insulating film 16, and a high-concentration N+-type layer 19 as well as an electrode 20 to be connected with the layer 19 are formed on the rear surface of the N-type substrate 11.例文帳に追加

絶縁膜１６上にＰ型層１２と接続される電極１７、チャネルストッパ層１４と接続される電極１８が形成されＮ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９及びこのＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

The organic semiconductor device, provided with the n-type organic semiconductor layer pinched between the source electrode and the drain electrode, is equipped with the p-type organic semiconductor layer interposed at a middle point in the n-type organic semiconductor layer and the gate electrode embedded in the p-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたｎ型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、ｎ型有機半導体層の中間に介在されたｐ型有機半導体層と、ｐ型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加

そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

A P+type contact layer 14 formed in a P type base layer 9 directly under the bottom face of a N+type source layer 13 is exposed to a recess 16 that penetrates the N+type source layer 13 that is exposed to at least a part of the bottom face of the contact opening 25 in the contact opening 25.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層１３の底面の直下のＰ型ベース層９内に形成されたＰ＋型コンタクト層１４を、コンタクト用開口２５の内の少なくとも一部の該コンタクト用開口２５の底面に露出するＮ＋型ソース層１３を貫通するくぼみ部１６に露出させる。 - 特許庁

A gate electrode 50 is formed on the n-type AlGaAs layer 54c in a recess 47 where the contact layer 46 is partially removed, and the bottom of the gate electrode 50 is brought into Schottky contact with the non-doped AlGaAs layer 45b as buried in the n-type AlGaAs layer 45c.例文帳に追加

コンタクト層４６を一部除去したリセス４７内でｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ｃ上にはゲート電極５０が形成されており、ゲート電極５０の底面はｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ｃに埋め込まれてノンドープＡｌＧａＡｓ層４５ｂにショットキー接触する。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

Energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the Fermi energy level of the conductive layer is about 2 eV or lower, and energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the HOMO energy level of the p-type organic layer is about 1 eV or lower.例文帳に追加

ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位とｐ型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差は、約１ｅＶ以下である。 - 特許庁

A second photoresist pattern 110 is formed, and a part of the n^+-GaAs layer 109 and the n-GaAs layer 102 are subjected to wet etching to form a gate recess 111, and furthermore, a second compound semiconductor layer 103 and a third compound semiconductor layer 104 are formed.例文帳に追加

次に、第２のフォトレジストパターン１１０を形成し、ｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９およびｎ−ＧａＡｓ層１０２の一部をウェットエッチングしてゲートリセス１１１を形成し、さらに第２の化合物半導体層１０３および第３の化合物半導体層１０４を形成する。 - 特許庁

The light emitting element body A has the light emitting part 2 which is formed of an n-type GaN layer 2a and a p-type GaN layer 2b on one surface of a substrate 1 of sapphire and electrodes 3a and 3b which are respectively formed on the n-type GaN layer 2a and the p-type GaN layer 2b.例文帳に追加

発光素子本体Ａは、サファイア基板からなる基板１の一表面側にｎ形ＧａＮ層２ａとｐ形ＧａＮ層２ｂとからなる発光部２が形成され、ｎ形ＧａＮ層２ａおよびｐ形ＧａＮ層２ｂそれぞれに電極３ａ，３ｂが形成されている。 - 特許庁

An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ｐ型半導体層３、４を形成し、ｐ型半導体層上に、ｎ型半導体層５を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、ｎ型半導体層を除去し、ｐ型半導体層を露出させて、電極パターンを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

In order to fabricate the surface emitting laser 1 which can be controlled with high accuracy in its oscillation wavelength, there are formed a lower DBR layer 13, an active layer 14, and a first upper DBR layer (upper reflecting layer) 15A on an n-type GaAs substrate 12 on one surface of which an n electrode 11 is formed.例文帳に追加

高精度に発振波長を制御できる面発光レーザ１を作製するため片面にｎ電極１１が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１２上に、下部ＤＢＲ層１３、活性層１４および第１の上部ＤＢＲ層（上部反射層）１５Ａを形成する。 - 特許庁

The cap layer 9 includes a first InGaP layer 9A which is un-doped and has a natural superlattice structure or in which n-type carriers are injected, and a second InGaP layer 9B which has the natural superlattice structure and in which n-type carriers are injected, in that order when viewed from the Schottky layer 8 side.例文帳に追加

キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

By this configuration, a punch-through voltage V_PT of the P-type well 8 disposed between the deep N-type base layer 32 and the N-type epitaxial layer 3 can be set to be lower than an operation voltage V_t1 of a parasitic lateral bipolar transistor 42 composed of the source layer 12, the P-type well 8 and the drain layer 13.例文帳に追加

これにより、ディープＮ型ベース層３２とＮ型エピタキシャル層３との間に配置されたＰ型ウェル８のパンチスルー電圧Ｖ_ＰＴを、ソース層１２、Ｐ型ウェル８及びドレイン層１３からなる寄生横バイポーラトランジスタ４２の動作電圧Ｖ_ｔ１よりも低くする。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

In the felt for the bag filter in which a supporting layer is composed of a glass fiber and a filter layer contains a polyimide fiber, the solubility of the felt to a mixed soln. of N,N-dimethylformamide(DMF), tetrahydrofuran(THF), lithium bromide(LiBr) and phosphoric acid (H3PO4) is kept in 90-99.0%.例文帳に追加

支持層がガラス繊維からなり、ろ過層がポリイミド繊維を含むバグフィルター用フェルトであって、該フェルトのN,N−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（THF）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）及び燐酸（Ｈ_3ＰＯ_4）の混合溶液に対する溶解度が９０〜９９．０％である耐久性に優れるバグフィルター用ポリイミドフェルト。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

With respect to a block LNDB of an N-dimensional (N is an integer of 2 or more) layered structure, address operation for an N-layer data block in a source area or a destination area is executed based on a start address SA, a data length DL, N offsets L(i)-offset and N block numbers L(i)-n.例文帳に追加

Ｎ次元（Ｎは２以上の整数）の階層構造のブロックＬＮＤＢについて、第０階層のＬ０ＤＢから順に、スタートアドレスＳＡと、データ長ＤＬと、Ｎ個のオフセットＬ（ｉ）−ｏｆｆｓｅｔと、Ｎ個のブロック個数Ｌ（ｉ）−ｎとに基づいて、ソース領域またはディスティネーション領域におけるＮ階層データブロックのためのアドレス演算を実行する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1A is configured with a base part 10 including: an n type GaAs substrate 11; an n type DBR layer 12; and an electrode 15, and a mesa part 20 including: an MQW active layer 21; a p type DBR layer 22; and electrodes 25.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１１、ｎ型ＤＢＲ層１２、及び電極１５を有するベース部１０と、ＭＱＷ活性層２１、ｐ型ＤＢＲ層２２及び電極２５を有するメサ部２０とによって半導体発光素子１Ａを構成する。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

When the radius of the strand 12 in the outermost layer is set as r, the radius of the inner layer is set as d, and a natural number obtained by dividing 360° by 2θ (θ is sin^-1(r/d+r))is set as n, the number of the strands 12 disposed in the outermost layer is n-1.例文帳に追加

最外層の素線１２の半径をｒとし、内層の半径をｄとし、３６０°を２θ（θは、ｓｉｎ^−１（ｒ／ｄ＋ｒ））で割った自然数をｎとした場合、最外層に配置される素線１２の数はｎー１である。 - 特許庁

Two InGaP spacer layers 14, 16 for preventing the diffusion of In atoms, contained in the i-InGaAs channel layer 5 to the n-AlGaAs carrier supply layer sides, are inserted between the i-InGaAs channel layer and the n-AlGaAs carrier supply layers 3, 7.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層３、７の間に、チャネル層のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのＩｎＧａＰスペーサ層１４、１６を挿入する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a trap layer 13 which has a plurality of quantum dots (quantum boxes) 13a of i-InAs and which is formed between a buffer layer 12 of i-InAlAss and an n-type barrier layer 15 of n- InAlAs.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層１２とｎ−ＩｎＡｌＡｓからなるｎ型障壁層１５との間に形成された、ｉ−ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット（量子箱）１３ａにより構成されるトラップ層１３を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser element 101 includes an n-type GaAs substrate 1 as a semiconductor substrate, and an n-type AlGaInP first clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type AlGaInP second clad layer 6 which are formed thereupon in order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０１は、半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１と、その上側に順に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６とを備える。 - 特許庁

An n-side electrode 1 is formed on the n-side reflection prevention layer 2; and a p electrode 5, a reflection film 7, and a pad electrode 8 are formed under the p-side Bragg reflection layer 4, and they are bonded to a supporting substrate 10 by means of a conductive bonding layer 9.例文帳に追加

ｎ側反射防止層２の上には、ｎ電極１が形成され、ｐ側ブラッグ反射層４の下側には、ｐ電極５、反射膜７、パッド電極８が形成され、導電性接合層９を介して支持基板１０に接合されている。 - 特許庁

The semiconductor device has the series diode group formed by connecting a diode including a P type semiconductor substrate 1 as an anode and an N type buried layer 2 as a cathode, and a diode including a P+ type conductive layer 8 as an anode and an N type epitaxial layer 5 as a cathode to each other in series by an electrode AC1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１をアノード、Ｎ型埋め込み層２をカソードとするダイオードと、Ｐ＋型導電層８をアノード、Ｎ型エピタキシャル層５をカソードとするダイオードを電極ＡＣ１で直列接続し直列ダイオード群を形成する。 - 特許庁

A plurality of p-type impurity regions are disposed with equal spacing on the surface of an n-type semiconductor layer, and a first metal layer is provided to form an ohmic contact with the p-type impurity regions on the entire surface and to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層表面に複数のｐ型不純物領域と等距離で離間して配置し、全面にｐ型不純物領域とオーミック接合を形成し、ｎ型半導体層とショットキー接合を形成する第１金属層を設ける。 - 特許庁

The p-side bonding layer 310 and the n-side bonding layer 410 are each formed of a mixture layer of TaN and Pt, and the p-side bonding pad electrode 320 and the n-side bonding pad electrode 420 are configured of a laminated structure composed of Pt and Au.例文帳に追加

ｐ側接合層３１０およびｎ側接合層４１０はＴａＮとＰｔとの混在層で構成され、ｐ側ボンディングパッド電極３２０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０はＰｔとＡｕとの積層構造で構成される。 - 特許庁

The light emitting device contains an n-type β-Ga_2O_3 substrate or n-type (AlGa)_2O_3 substrate, an interface control layer formed on the substrate, and a light emitter arranged with an AlGaN semiconductor layer formed on the interface control layer.例文帳に追加

ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 - 特許庁

A mesa shape lamination unit 15, having a side surface or a wall surface 16 which is extended over an n-type GaN layer 6, a p-type GaN layer 7 and another n-type GaN layer 8, is formed on a nitride semiconductor lamination structural unit 5 in this field effect transistor.例文帳に追加

この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a laser diode of a nitride semiconductor in which a ridge structure is formed by an n-type layer, instead of a ridge structure of a p-type layer which is high in resistance in comparison with the n-type layer, and has a difficulty of ohmmic contact formation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ-タイプ層に比べて抵抗が大きく、オーミックコンタクト形成の難しさを持っているｐ-タイプ層のリッジ構造の代わりに、ｎ-タイプ層にリッジ構造を製作する窒化物半導体のレーザダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for preventing accumulation of holes in a p-type nitride semiconductor layer by setting the threshold voltage at a low level in a transistor which is provided, in the surface layer of the p-type nitride semiconductor layer, with an n-type source region and an n-type drain region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の表層部にｎ型のソース領域とｎ型のドレイン領域が設けられているトランジスタにおいて、しきい値が低く、ｐ型窒化物半導体層内にホールが蓄積されない技術を提供する。 - 特許庁

The respective end surfaces of the N-type GaN layer 6, the P-type GaN layer 7, and the N-type GaN layer 8 are defined as exposure surfaces 61, 71, 81 to be respectively exposed along a direction in parallel with the main surface 2A of the GaN film 2.例文帳に追加

また、Ｎ型ＧａＮ層６、Ｐ型ＧａＮ層７およびＮ型ＧａＮ層８の各端面は、それぞれＧａＮ膜２の主面２Ａに平行な方向に沿って露出する露出面６１、露出面７１および露出面８１となっている。 - 特許庁

A multi-collector type npn transistor Tr1 included in the IIL element comprises an n-type emitter layer Tr1E, p-type base layer Tr1B, and n-type collector layer Tr1C which are formed vertically in this order from the rear face to the front face side of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ＩＩＬ素子に含まれたマルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、半導体基板１０１の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にＮ型エミッタ層Ｔｒ１Ｅ、Ｐ型ベース層Ｔｒ１Ｂ、Ｎ型コレクタ層Ｔｒ１Ｃを備える。 - 特許庁

A collector layer 12 composed of n-type gallium nitride, a base layer 13 composed of p-type silicon germanium, and an emitter layer 14 composed of n-type gallium nitride are successively formed on a semiconductor substrate 11 composed of p-type silicon according to selective growth process.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１１上には、ｎ型窒化ガリウムからなるコレクタ層１２、ｐ型シリコンゲルマニウムからなるベース層１３、及びｎ型窒化ガリウムからなるエミッタ層１４が、選択成長法により順次形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity.例文帳に追加

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。 - 特許庁