「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

The n-type layer 3 comprises, for example, a p-type dopant, such as Mg as well as an n-type dopant like Si, while the p-type layer 5 comprises, for example, an n-type dopant such as Si as well as p-type dopant such as Mg.例文帳に追加

このｎ形層３が、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントだけでなく、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントを含有しており、また、ｐ形層５も、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントだけでなく、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントを含有している。 - 特許庁

Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁

A channel region between an n^+ source region 6a and an n^- expansion drain region 2 is constructed from a (p) epitaxial layer 21 of uniform density to incur discontinuous density distribution in the vicinity of a pn junction between the n^- expansion drain region 2 and the (p) epitaxial layer 21.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域６ａとｎ^-拡張ドレイン領域２との間のチャネル領域を、均一な濃度のｐエピタキシャル層２１で構成し、ｎ^-拡張ドレイン領域２とｐエピタキシャル層２１とのｐｎ接合付近に不連続な濃度分布を生じさせる。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

The recesses 21 and 22 reach the n-type clad layer 11 and are opened outside in a traveling direction of light.例文帳に追加

凹部２１、２２は、ｎ型クラッド層１１まで達し、且つ、光の進行方向の外側が開口されている。 - 特許庁

The n-type guard ring 5 and the p-type diffused layer 6 are reverse biased to form a capacitor 7.例文帳に追加

さらに、Ｎ型ガードリング５とＰ型拡散層６とが逆バイアスされてコンデンサ７を形成している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light-emitting element and a nitride semiconductor light-emitting element capable of suppressing deterioration in contact properties of an n-side electrode caused by heating to suppress voltage reduction even when a high-reflectance Al layer is used for the n-side electrode and used for a contact layer with an n-type conductive layer.例文帳に追加

反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The millimeter-wave oscillator has a thin film Gunn diode component 1 formed of a first n+ layer, an n layer, and a second n+ layer of thin film semiconductor successively stacked, mounted on the resonator substrate on which a resonator made up of metal layers (a signal electrode 3 and a ground electrode 4) is formed on an upper face of a dielectric substrate 2.例文帳に追加

誘電体基板２の上面に金属層から成る共振器（信号電極３および接地電極４）が形成された共振器基板上に、薄膜半導体の第１のｎ＋型層，ｎ型層および第２のｎ＋型層を順次積層して成る薄膜ガンダイオード素子１を搭載して成るミリ波発振器である。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

A recess 15 is formed in an N-type semiconductor layer 12, and then a trench oxide film 16 is formed in the recess 15.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２に凹部１５を形成し、凹部１５内にトレンチ酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

To provide a device for inspecting defects, which can inspect a pattern of a top layer with a high S/N ratio.例文帳に追加

最上層のパターンの検査を、高いＳ／Ｎ比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, since selection of GaAs is possible, the etching automatically stops at the n-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

また、ＧaＡsに対して選択性があるため、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２でエッチングが自動的に停止する。 - 特許庁

A gate electrode is formed as to partly the inside of the recessed part and the surface of the n-GaAs layer.例文帳に追加

リセス部内及びｎ−ＧａＡｓ層の表面の一部を覆うように、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

As shown in a left part of Figure, a p^--type semiconductor is used for a substrate (1) and then an n^+-layer (3) is formed by doping.例文帳に追加

図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。 - 特許庁

Regions 7 and 9 having an MOSFET 8 and an LDMOS 10 formed therein are provided in an n-type silicon layer 2 of an SOI substrate 1.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のｎ形シリコン層２にはＭＯＳＦＥＴ８，ＬＤＭＯＳ１０が形成された領域７，９を設ける。 - 特許庁

The light emission layer 12 consists of, for example, an n-type Zn_1-xCd_xO(0≤x≤0.7, especially 0.07<x≤0.7).例文帳に追加

発光層１２は、例えば、ｎ型Ｚｎ_1-xＣｄ_xＯ（０≦ｘ≦０．７，特に０．０７＜ｘ≦０．７）である。 - 特許庁

An n-side conductive layer 13n_2 is comprised of a heat-curing resin paste that can become cured at low temperature.例文帳に追加

ｎ側導電層１３ｎ_２は、低温で硬化可能な熱硬化型樹脂ペーストによって構成される。 - 特許庁

A p-type RESURF layer 18 is formed on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型リサーフ層１８はＮ型不純物領域１内の基板５０上面に形成されている。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

This enables the n-type channel layer 5 to be formed to have a constant film thickness and a constant concentration.例文帳に追加

これにより、ｎ型チャネル層５を一定の膜厚かつ一定の濃度で形成することが可能となる。 - 特許庁

Further, an anode electrode 16 is arranged so as to contact the second surface 12B of the n-type layer 12.例文帳に追加

さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 - 特許庁

A DC power supply 11 applies a reverse bias voltage between the P pocket 7 and the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加

直流電源１１は、Ｐポケット７とＮ^+拡散層８との間に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has an N-type semiconductor layer 3 laminated on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１では、Ｐ型の半導体基板２上に、Ｎ型の半導体層３が積層されている。 - 特許庁

A mask layer 15 is formed on a part of a SiC substrate 11, and N, as an impurity, is implanted.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１の上の一部にマスク層１５を形成し、不純物としてＮを注入する。 - 特許庁

(γ): The self-adhesive layer is subjected to corona discharge treatment and 0.01-0.2 N/25 mm in adhesion strength.例文帳に追加

（ハ）：自己粘着層は、コロナ放電処理が施され、かつ粘着強度が０．０１〜０．２Ｎ／２５ｍｍである。 - 特許庁

The semiconductor adhesive film has a peeling force of 15-50 N/m for peeling the adhesive layer from the peel base.例文帳に追加

剥離基材と接着剤層の剥離力が１５〜５０Ｎ／ｍである前記の半導体用接着フィルム。 - 特許庁

STRUCTURE HAVING METAL LAYER FOR DIE BONDING PROVIDED ON N-TYPE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体およびその製造方法 - 特許庁

The n-type low-density semiconductor layer 34a suppresses spreading of a space charge region in a turn-off state.例文帳に追加

ｎ型低濃度半導体層３４ａは、ターンオフ時に空間電荷領域の広がりを抑制する。 - 特許庁

A reflecting layer 12 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 constituted of (n)-type GaAs.例文帳に追加

たとえばｎ形のＧａＡｓからなる半導体基板１の表面に反射層１２が設けられている。 - 特許庁

Then, the emboss-patterned surface 15a of the n-type layer 15 is subjected to wet etching, to thereby form numerous etched pits 19.例文帳に追加

次に、ｎ型層１５表面１５ａをウェットエッチングして多数のエッチピット１９を形成する。 - 特許庁

An n^+ dope layer 52 containing doped phosphor is formed on the substrate 51 which has subjected to the treatment.例文帳に追加

当該処理がなされた被処理基板５１には、リンがドープされたｎ^＋型ドープ層５２が形成される。 - 特許庁

Thus, the recording sensitivity of the recording layer is raised, and the C/N ratio of one of reliable characteristics is improved.例文帳に追加

これにより、記録層の記録感度が高まり、信頼特性の一つであるＣ／Ｎ比が向上する。 - 特許庁

(2) In the heat developable photosensitive material (1), the photosensitive layer further contains a fog restrainer of the formula R1-(S)m-(SO2)n-R2.例文帳に追加

前記 において、感光層がＲ_1−（Ｓ）_m−（ＳＯ_2）_n−Ｒ_2で表されるカブリ抑制剤を含有する。 - 特許庁

FULLY INTEGRATED FLOATING POWER SUPPLY FOR HIGH VOLTAGE TECHNOLOGY INCLUDING BIASING ON N-EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

Ｎ−エピタキシャル層にバイアスをかけることを含む高電圧技術のための、完全集積化フローティング電源 - 特許庁

An n-type defect layer being a lattice defect is formed by the proton irradiation and the low-temperature annealing processing.例文帳に追加

プロトン照射とその低温アニール処理により格子欠陥であるｎ型欠陥層を形成できる。 - 特許庁

Moreover, a polycrystal silicon film 7a and a silicide film 8a are also provided on the n-type diffusing layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを設ける。 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁

An irregular part 22 is then formed on a surface 7 exposed to the hole H1 of an n^+ embedded layer 6.例文帳に追加

次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

The N-type electrode 22b is connected to a low voltage-side power line 12b by the solder layer 30.例文帳に追加

Ｎ型電極２２ｂは、半田層３０によって、低電圧側電源線１２ｂに接続されている。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor in which a barrier film and an n-type Si semiconductor layer have a high adhesion strength.例文帳に追加

バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

The n-th conductive layer is formed so that a contact hole as the contact pattern CPTN is filled up.例文帳に追加

第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 - 特許庁