「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor light-emitting device includes a light-emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む。 - 特許庁

An N type source region 8 is formed on the side of the trench 5 in the top layer of the body region 4.例文帳に追加

ボディ領域４の表層部には、トレンチ５の側方に、Ｎ型のソース領域８が形成されている。 - 特許庁

N-type semiconductor layers 3 and 13 are interposed between the plugs 9 and 19 and a p-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

プラグ９，１９とｐ型の半導体層２との間には、ｎ型の半導体層３，１３が介在する。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor in which a barrier film and an n-type Si semiconductor layer have a high adhesion strength.例文帳に追加

バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

An N^--type channel layer 8 is formed on a surface of an inner wall of the trench 7 with epitaxial growth.例文帳に追加

そして、このトレンチ７内壁の表面上にエピタキシャル成長にてＮ^-型チャネル層８を形成する。 - 特許庁

After an N-type epitaxial layer is formed on a P-type substrate 11, an island region is isolatedly formed.例文帳に追加

Ｐ型基板１１の上にＮ型エピタキシャル層１５を形成し、分離して島領域２１を形成する。 - 特許庁

FULLY INTEGRATED FLOATING POWER SUPPLY FOR HIGH VOLTAGE TECHNOLOGY INCLUDING BIASING ON N-EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

Ｎ−エピタキシャル層にバイアスをかけることを含む高電圧技術のための、完全集積化フローティング電源 - 特許庁

An n-type defect layer being a lattice defect is formed by the proton irradiation and the low-temperature annealing processing.例文帳に追加

プロトン照射とその低温アニール処理により格子欠陥であるｎ型欠陥層を形成できる。 - 特許庁

Moreover, a polycrystal silicon film 7a and a silicide film 8a are also provided on the n-type diffusing layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを設ける。 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁

The gate (24) is provided between the source (13) and the drain (17) and on an n-conductive-type channel layer (18).例文帳に追加

このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。 - 特許庁

After fabricated, the dual dopant contact layer includes a plurality of p-type and n-type dopants.例文帳に追加

このデュアルドーパント接触層は、製作された後に、複数のｐ型及びｎ型ドーパントを有している。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an N type epitaxial layer 2 is deposited on a P type substrate 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の基板１上にＮ型のエピタキシャル層２が堆積されている。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the n-type semiconductor layer 8 of the semiconductor substrate 2 is cut and removed to thin the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

続いて、半導体基板２のｎ型半導体層８を切削除去し、半導体基板２を薄くする。 - 特許庁

A groove 10 is formed so that its tip may reach the comparatively shallow site of an N^- epitaxial layer 18.例文帳に追加

溝１０をその先端がＮ^−エピタキシャル層１８の比較的浅い部位に達するように形成する。 - 特許庁

Further, the X-ray photoelectric converter 10 having the under coating layer described above is also high in an S/N ratio.例文帳に追加

また、上記のような下引き層３を有するＸ線光電変換器１０はＳ／Ｎ比も高い。 - 特許庁

An n-type ZnO-based semiconductor layer 2 and an aluminum oxide film 3 are sequentially formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。 - 特許庁

The reinforcing layer is formed at the tension 50 N or more of the splicing yarn and vulcanized by steam vulcanization or continuous vulcanization.例文帳に追加

補強糸のテンション５０Ｎ以上で補強層を形成し、蒸気加硫または連続加硫により加硫する。 - 特許庁

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11.例文帳に追加

第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。 - 特許庁

First, a photovoltaic cell 1 provided with an n-type semiconductor layer 3 and a semiconductor substrate 2 is formed.例文帳に追加

まず、ｎ型半導体層３および半導体基板２を含む太陽電池セル１が形成される。 - 特許庁

Moreover, a polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 11a are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上に多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜１１ａを形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 8a are formed on the n-type diffused layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを形成する。 - 特許庁

Entire electric double-layer capacitors 10-1 to 10-n are charged by a DC power source 26.例文帳に追加

直流電源２６により電気二重層キャパシタ１０−１〜１０−ｎ全体の充電を行う。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁

The conductive layer contains a compound expressed by general formula of MO_3S-(CF_2)_n-SO_3M, (wherein M represents H, Na, K or NH_4; and n is a specified positive integer).例文帳に追加

一般式（１−ａ） ＭＯ_３Ｓ−（ＣＦ_２）_ｎ−ＳＯ_３Ｍ〔Ｍ：Ｈ，Ｎａ，Ｋ，ＮＨ_４ ｎ：特定の正の整数〕 - 特許庁

Opposite sides of each n^+ type buffer layer 2 of each IGBT serve as virtual electrodes 11a, 11b, 12a and 12b and one virtual electrode 11b in the n^+ type buffer layer 2 of a cell 1 is connected with one virtual electrode 12a in the n^+ type buffer layer 2 of a cell 2 through a resistor 13.例文帳に追加

各ＩＧＢＴの各ｎ^+型バッファ層２の両側を仮想電極１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂとし、セル１のｎ^+型バッファ層２に備えられた一方の仮想電極１１ｂとセル２のｎ^+型バッファ層２に備えられた一方の仮想電極１２ａとが抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

The concentration gradient (a) of impurities is set to the lebel between 1E18 and 1E19 in a boundary between an n^--layer 12 and a p^+-layer 13.例文帳に追加

Ｎ^−層１２とＰ^＋層１３との境界面において、不純物の濃度勾配ａを、１Ｅ１８から１Ｅ１９の範囲にしている。 - 特許庁

As a result, the plane orientation of a heterointerface 19 between the p-GaN layer 1 and the n-AlGaN layer 2 is determined to be (1-101) or (11-20).例文帳に追加

これにより、ｐ−ＧａＮ層１とｎ−ＡｌＧａＮ層２とのヘテロ界面１９の面方位は、（１−１０１）又は（１１−２０）となる。 - 特許庁

To keep a distance between an active layer 104 and an n-type current blocking layer 112 constant in a buried type semiconductor laser 100.例文帳に追加

埋め込み型の半導体レーザ１００において、活性層１０４とｎ型電流ブロック層１１２との間の距離を一定に保つこと。 - 特許庁

Then, a plurality of n type regions 15 are formed within the silicon layer 14 in a mutually separated fashion to be exposed at the top face of the silicon layer 14.例文帳に追加

そして、シリコン層１４内に、シリコン層１４の上面に露出するように、複数のｎ型領域１５を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

A channel region is formed in the surface layer of an N-type silicon substrate 1, and a source area is formed in the surface layer of the channel region.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１の表層部にチャネル領域が形成されるとともに、チャネル領域の表層部にソース領域が形成されている。 - 特許庁

Additionally, in order to realize the difference in a concentration, Zn is used as the dopant material in the P-type clad layer 2, and Te is used as the dopant material in the N-type clad layer 4.例文帳に追加

さらに、この濃度差を実現するため、Ｐ型クラッド層２の添加材をＺｎとし、Ｎ型クラッド層４の添加材をＴｅとする。 - 特許庁

In each cell region 24, a level difference exists between the interlayer insulating film 22 and the n+ semiconductor layer 14 and p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

各セル領域２４において層間絶縁膜２２とｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２との間に段差が存在する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is formed on the upper part of a region 2c left between divided trenches 2a of an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうち分割されたトレンチ２ａ同士の間に残されている領域２ｃの上部に層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 71 or an etching stop layer 74 is removed from the peripheral section 90 of the second substrate 31 other than the laser oscillation parts 60, 70.例文帳に追加

第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除する。 - 特許庁

A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加

ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁

The revetment sheet wall 21 consists of non-liquefied layer below liquefaction layer and is installed to reach a bearing ground 15 with value N of 10 or higher.例文帳に追加

護岸矢板壁２１は、液状化層より下層の非液状化層からなり、Ｎ値が１０以上である支持地盤１５まで打設されている。 - 特許庁

On an n-type InP substrate 1, a multilayered structure consisting of an InGaAs light absorption layer 2 and an InP window layer 5 is formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２およびＩｎＰ窓層５を含む積層構造が形成されている。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 1 includes an n-type DBR layer 12 to a p-type contact layer 17, stacked in this order, on a substrate 11.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１は基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２〜ｐ型コンタクト層１７をこの順に積層したものである。 - 特許庁

A heat oxidation film 1 and a deposition film 2 are successively formed in the n-channel type MOS transistor, and their laminated layer is a gate insulating layer 14.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタでは、熱酸化膜１と堆積膜２が順に形成され、これらの積層膜がゲート絶縁層１４となる。 - 特許庁

Thereby, a decoupling capacitance C1 connected parallelly with the power source is formed between the P^+-type silicon layer and the N^+-type silicon layer 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

A protecting layer 14 mainly composed of Si-O-N is formed at least on a heating part 12a of the heating resistor layer 12.例文帳に追加

そして、発熱抵抗体層１２の少なくとも発熱部１２ａ上に、Ｓｉ−Ｏ−Ｎを主成分とする保護層１４が形成される。 - 特許庁