「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

So, such SiC semiconductor device can be provided as no voltage drop by the amount of band offset between the n^+-type Si substrate 1 and the n-type SiC substrate 2 occurs, with the use of a semiconductor substrate where no n^+-type SiC substrate 1 is removed from n-type SiC layer 2.例文帳に追加

これにより、Ｎ^+型ＳｉＣ基板１がＮ型ＳｉＣ層２から除去されていない半導体基板を用いつつ、Ｎ^+型Ｓｉ基板１とＮ型ＳｉＣ層２とのバンドオフセット分の電圧降下が生じないＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。 - 特許庁

When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加

ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。 - 特許庁

In a surface layer in a fourth n region 5 as a first n region 2 as a drain drift region, a low-ON resistance region of high density connected a second n region 3 as a source region and a third n region 4 as a drain region is formed thin and long.例文帳に追加

ドレインドリフト領域である第１ｎ領域２の表面層に、ソース領域である第２ｎ領域３と、ドレイン領域である第３ｎ領域４とに接続する高濃度の低オン抵抗領域である第４ｎ領域５を細長形状に形成する。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁

An instantaneous subsidence amount and a consolidation subsidence amount of the first layer are calculated by using a thickness of the specified first layer, and the instantaneous and consolidation subsidence amounts of each layer are calculated by using thickness of each of the specified layers up to the specified n-th layer except the first layer are calculated.例文帳に追加

特定した第一層の層厚を用いて第一層の即時沈下量、圧密沈下量を計算し、第一層を除く特定した第ｎ層までの層について層厚を用いて層毎に即時沈下量、圧密沈下量を計算する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁

After forming such a trench (groove) 5 as to reach a drift layer 2 on a silicon-carbide substrate comprising a substrate 1, the drift layer 2, a first gate layer 3, and a source layer 4, an n-type channel layer 6 is formed on the surface of the inner wall of the trench 5.例文帳に追加

基板１およびドリフト層２、そして第１のゲート層３、並びにソース層４からなる炭化珪素基板に、ドリフト層２に達するようなトレンチ（溝）５を形成した後、このトレンチ５の内壁面にＮ型のチャネル層６を形成する。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

ＳｉＣのマイグレーションによってｐ型リサーフ層２１のうち凹部２０の下方に位置するｎ^-型ドリフト層２の表層部と、ｐ型リサーフ層２１のうちｐ型ベース領域３の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the superjunction region in an n-type epitaxial layer 13 comprising a plurality of n-type epitaxial layers 13X formed on an n+-type semiconductor substrate 12 by providing an n-type pillar region 15 and a p-type pillar region 14 alternately along a top surface of the n+-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ＋型半導体基板１２上に形成された複数のｎ型エピタキシャル層１３Ｘからなるｎ型エピタキシャル層１３内に、ｎ型ピラー領域１５とｐ型ピラー領域１４とをｎ＋型半導体基板１２の上面に沿って交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

A pair of p^+-type contact layers 4 is provided on the channel layer 3 at both the sides of a p-type channel region 3a, and an n^+-type contact layer 4 is provided at a lower side of the channel layer 3.例文帳に追加

ｐ型のチャネル領域３ａの両側のチャネル層３上に一対のｐ^+型コンタクト層４が設けられ、チャネル層３の下側にｎ^+型コンタクト層４が設けられている。 - 特許庁

In an upper pillar layer SJ2, an upper p-type pillar layer 15 and an upper n-type pillar layer 16 are formed alternately with a lateral period B that is smaller than the period A (B<A).例文帳に追加

一方上部ピラー層ＳＪ２は、上部ｐ型ピラー層１５と、上部ｎ型ピラー層１６とを周期Ａよりも小さい横方向の周期Ｂ（Ｂ＜Ａ）で交互に形成してなる。 - 特許庁

By using the insulating film 17 as a mask, the p-type InP cladding layer 12 and the n-type InP cladding layer 16 are etched without exposing the active layer 15 so as to form a stripe structure 18.例文帳に追加

絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずにｐ型ＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１６をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。 - 特許庁

At a border part between an upper-side cell and a lower-side cell, a semiconductor layer whose refractive index is lower than other semiconductor layer of the lower-side cell, for example an n-type crystallite silicon layer of refractive index 2.5-3, is provided.例文帳に追加

上側セルと下側セルとの境界部に下側セルの他の半導体層より低屈折率の半導体層、例えば、屈折率が２．５〜３のｎ型の微結晶シリコン層を設ける。 - 特許庁

An n-side reflection prevention layer 2 and a p-side Bragg reflection layer 4 are formed in such a manner as to pinch an MQW active layer 3 as a light emitting area, and they have a double hetero structure.例文帳に追加

発光領域としてのＭＱＷ活性層３を挟むようにしてｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

In a first region 10A, a pn junction section 14 is composed of an n-type layer 12 and a p-type layer 13, and a p-side electrode 21 is formed on the p-type layer 13.例文帳に追加

第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。 - 特許庁

This photoelectric conversion device is formed by laminating an n-type layer composed of a ZnO needle crystal 13 and a p-type layer composed of a Cu_2O layer 14.例文帳に追加

ｎ型層とｐ型層とを積層形成した光電変換装置であって、前記ｎ型層をＺｎＯ針状結晶１３からなる層とし、且つ前記ｐ型層をＣｕ_2Ｏ層１４としている。 - 特許庁

The optical waveguide 120 is formed by piling up in order a lower clad layer 130 made of n-InP, a core layer 140 and an upper clad layer 150 made of p-InP.例文帳に追加

光導波路１２０は，ｎ−ＩｎＰからなる下部クラッド層１３０とコア層１４０とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層１５０とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

The n-type ZnO semiconductor layer 13 and the p-type ZnO semiconductor layer 15 are so regulated as to be gradually reduced in carrier concentration as approaching the light emitting layer 14.例文帳に追加

ｎ 型 ＺｎＯ 系半導体層１３とｐ 型 ＺｎＯ 系半導体層１５のキャリア濃度は発光層１４に接近するにつれて小さくなるように調整されている。 - 特許庁

A buffer layer 102 for raising the quality of the crystal of its upper layer and an N-type first semiconductor layer 103 with carriers flowing in its interior are formed in order on a high-resistance substrate 101.例文帳に追加

高抵抗基板１０１上に上層の結晶の品質を上げるためのバッファ層１０２と、キャリアが流れるｎ型の第１の半導体層１０３とを順次形成する。 - 特許庁

The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層から拡散させたＺｎ拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層に達し、開口下にＺｎ拡散領域２６を形成する。 - 特許庁

Alternatively in the case where the low resistive layer 14 is an n-type metal oxide, the low resistive layer 14 is formed by increasing an oxygen deficiency concentration in the metal oxide film than that of the resistance change layer 13.例文帳に追加

或いは、低抵抗層１４は、ｎ型の金属酸化物の場合、金属酸化膜の酸素欠損濃度を抵抗変化層１３よりも高濃度にすることにより形成される。 - 特許庁

In order to reduce parasitic capacitance furthermore, a trench is formed in a current block layer formed of the high resistance Fe doped InP layer 28 and the n-type InP layer 29.例文帳に追加

また、より寄生容量を減らすことを目的として、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９により形成された電流ブロック層にはトレンチが形成されている。 - 特許庁

This LDMOS transistor also includes a field oxide layer surrounding an active region of the transistor, and a thin dielectric layer isolating the asymmetric conductive spacer from the n-type epitaxial layer.例文帳に追加

本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 - 特許庁

A first electrode 170 including a metal reflective layer 172 formed of silver is formed on the p-type semiconductor layer 160, and a second electrode 180 is formed on the n-type semiconductor layer 140.例文帳に追加

ｐ型半導体層１６０には銀からなる金属反射層１７２を含む第１電極１７０が形成され、ｎ型半導体層１４０には第２電極１８０が形成される。 - 特許庁

A cut-off layer consisting of an elastic material of the gas permeability resistance of ≥8 seconds/100 cc and the Young's modulus of ≤1.0×10^5 N/m^2 is laminated between a surface skin layer and a shock-absorbing material layer.例文帳に追加

表皮層と緩衝材層との間に、透気抵抗度８秒／１００ｃｃ以上であり、ヤング率１．０×１０^５Ｎ／ｍ^２以下である弾性体からなる止水層を積層する。 - 特許庁

An n-type layer 103, the light emitting layer 104 and a p-type layer 105 in which III nitride compound semiconductor or the like is formed on a sapphire substrate 101 are sequentially formed by an MOVPE method or the like.例文帳に追加

MOVPE 法等により、サファイア基板１０１上にIII 族窒化物系化合物半導体等であるｎ型層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順次形成する。 - 特許庁

A non-doped first polysilicon layer 20 is formed covering the inner side of the trench 18 formed in a semiconductor layer 14, and, for example, an N-type impurity is diffused thereafter in the first silicon layer 20.例文帳に追加

半導体層１４に形成されたトレンチ１８内を覆ってノンドープの第１のポリシリコン層２０を形成し、その後、第１のポリシリコン層２０に例えばＮ型の不純物を拡散する。 - 特許庁

The total optical length of a layer formed between the n-type DBR layer 12 and the i-InGaAs light absorption layer 16 is an integral multiple of a half of the wavelength λ of incident light.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２とｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６の間に形成されている層のトータルの光学長は、入射光の波長λの半分の整数倍である。 - 特許庁

At least an n-type ZnO-based semiconductor clad layer 2, a ZnO-based semiconductor active layer 3, and a p-type ZnO-based semiconductor clad layer 4 are successively deposited on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に少なくとも、ｎ型ＺｎＯ系半導体クラッド層２と、ＺｎＯ系半導体活性層３と、ｐ型ＺｎＯ系半導体クラッド層４とを順次積層している。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The mixed layer 4 has a structure where a conductive polymer (MEH-PPV) and an n-type silicon nanoparticle are mixed, and is formed on the hole transport layer 3 in contact with the hole transport layer 3.例文帳に追加

混合層４は、導電性高分子（ＭＥＨ−ＰＰＶ）とｎ型シリコンナノ粒子とを混合した構造からなり、正孔輸送層３に接して正孔輸送層３上に形成される。 - 特許庁

The solar cell has a pn junction defined by a p-type semiconductor layer 13 functioning as a light absorbing layer and an n-type semiconductor layer 14 formed thereon.例文帳に追加

光吸収層として機能するｐ形半導体層１３とｐ形半導体層１３に積層されたｎ形半導体層１４とによって構成されるｐｎ接合を含む。 - 特許庁

In each die, n-layer and p-layer are electrically connected to a package substrate extending across a boundary of LED, so that the LED layer is sandwiched in between a package substrate and a growth substrate.例文帳に追加

各ダイについて、ＬＥＤ層がパッケージ基板と成長基板との間に挟まれるように、ｎ層及びｐ層はＬＥＤの境界を越えて延びるパッケージ基板と電気的に結合される。 - 特許庁

After forming a surface channel layer 5 formed of 4H or 6H-SiC on the surface of an n^--type drift layer 2, an unnecessary part of the surface channel layer 5 is removed by using a resist 20 as a mask.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト層２の表面に４Ｈ又は６Ｈ−ＳｉＣからなる表面チャネル層５を形成したのち、レジスト２０をマスクとして表面チャネル層５の不要部分を除去する。 - 特許庁

So, an inversion bias voltage is applied, and even if a depletion layer reaches the n+ layer 103, the abrupt enlargement-stop with the depletion layer is suppressed, resulting in suppressed voltage oscillation.例文帳に追加

これにより逆バイアス電圧が印加され、空乏層がｎ^+層１０３に到達しても、空乏層の拡大停止が急激となることが抑制でき、電圧振動が抑制される。 - 特許庁

A material with a wider band gap than an (i) layer is used for an (n) layer, and phosphor is added to the (i) layer so that average impurity concentration is within a range of 3×1016 to 4×1017 atom/cm3.例文帳に追加

ｎ層にｉ層よりもバンドギャップの広い材料を用い、かつｉ層に、平均不純物濃度が３×１０^16〜４×１０^17原子/cm^3の範囲となるような燐添加をおこなう。 - 特許庁

A magnetic flux density B is generated in an area directly below the source wiring layer 8 or a N type layer 1 on both side faces of the source wiring layer 8, and increased by a source current I.例文帳に追加

これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。 - 特許庁

In the substrate from the first main surface side p-type base layer 2 as far as the n-type stopper layer 6, only the layer end is covered with a high resistance film 11, and the other part is covered with an insulation film 9.例文帳に追加

そして、第１の主面側ｐ型ベース層２からｎ型ストッパー層６までの基板上は、層端だけ高抵抗膜１１で覆われ、その他は絶縁膜９で覆われている。 - 特許庁

The growth temperature of the buried layer 12 is set to be lower than the growth temperature (1000 to 1200°C) of an n-type layer 13 subsequently formed on the buried layer 12 by 20 to 80°C.例文帳に追加

埋め込み層１２の成長温度は、その後に埋め込み層１２上に形成するｎ型層１３の成長温度（１０００〜１２００℃）よりも２０〜８０℃低い温度とする。 - 特許庁

The n-type low refractive index layer 21, the light absorption layer 22 and the p-type high refractive index layer 23 adjoining each other constitute a PIN junction, i.e. an optical detection mechanism (photodetector 24).例文帳に追加

互いに隣り合うｎ型低屈折率層２１、光吸収層２２およびｐ型高屈折率層２３がＰＩＮ接合、すなわち光検出機構（光検出器２４）を構成する。 - 特許庁

The light receiver has a p-type layer 101, an i-type layer 102, and an epitaxial n-type layer 103 which are successively formed from a light incident surface and has also an isolating/insulating oxide film 104.例文帳に追加

受光装置は、光入射表面からｐ型層１０１、ｉ型層１０２、エピタキシャルｎ型層１０３を有し、さらに、分離絶縁膜である酸化膜１０４を有している。 - 特許庁

An n layer 47n, an i layer 47i, and a p layer 47p are sequentially laminated in a normal direction z of a surface of a liquid crystal panel 200 to form a photosensor element 32.例文帳に追加

ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。 - 特許庁