「O-Ti」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The low-temperature calcination porcelain is composed of Ba-Ti-Zn-O system, or of Ba-Nd-Ti-Bi-O system, or of Ba-Al-Si-O system.例文帳に追加

低温焼成磁器が、Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器である。 - 特許庁

The porcelain to be fired at a low temperature is Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti- Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain.例文帳に追加

低温焼成磁器が、Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器である。 - 特許庁

The coating film containing Ti and O formed on the surface-treated steel sheet preferably contains Ti in an amount of 3 to 200 mg/m^2 per single surface, and the Fe-Ni alloy layer preferably contains Ni in an amount of 5 to 1,000 mg/m^2 per single surface.例文帳に追加

本発明の表面処理鋼板では、TiおよびOを含む皮膜のTi量が片面あたり3〜200mg/m^2であること、また、Fe-Ni合金層のNi量が片面あたり5〜1000mg/m^2であることが好ましい。 - 特許庁

O PHASE BASE Ti-Al-Nb ALLOY AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｏ相基Ｔｉ−Ａｌ−Ｎｂ系合金とその製造方法 - 特許庁

O-PHASE Ti-22Al-27Nb ALLOY AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

Ｏ相基Ｔｉ−２２Ａｌ−２７Ｎｂ合金とその製造方法 - 特許庁

The object O passes a request message RM containing the primary location token LT and conversion information TI to the location certifying authority LCA.例文帳に追加

オブジェクトＯは、一次位置トークンLTと、変換情報TIを含むリクエストメッセージRMを、位置証明機関LCAに渡す。 - 特許庁

The surface-treated metal sheet has a coating film containing Ti and O formed on at least one surface of a metallic sheet, and an organic film formed on the above coating film.例文帳に追加

金属板の少なくとも片面に、TiおよびOを含む皮膜を有し、前記皮膜上に有機皮膜を有することを特徴とする表面処理金属板。 - 特許庁

The surface-treated steel sheet has an Fe-Ni alloy layer on at least one surface of the steel sheet and has a coating film containing Ti and O on the Fe-Ni alloy layer.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、Fe-Ni合金層を有し、該Fe-Ni合金層上に、TiおよびOを含む皮膜を有することを特徴とする表面処理鋼板。 - 特許庁

A TiN-based thin film containing Ti, O and N or a TiN-based thin film containing Ti, N and P is formed by the CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤにより、Ｔｉ，Ｏ，Ｎを含有するＴｉＮ系薄膜、またはＴｉ，Ｎ，Ｐを含有するＴｉＮ系薄膜を形成する。 - 特許庁

The film 14 is constituted of titanium oxide of amorphous structure having, in part, a structure where a Ti-O-Ti bond network is cut and terminated by a Ti-OH bond.例文帳に追加

被膜１４は、Ｔｉ−Ｏ−Ｔｉ結合ネットワークが切断されて、Ｔｉ−ＯＨ結合にて終端された構造を部分的に有するアモルファス構造のチタン酸化物で構成されている。 - 特許庁

For example, the thin Ti-O-N film with a thickness of 10 μm or less is formed on the substrate.例文帳に追加

例えば、基板上にＴｉ−Ｏ−Ｎ薄膜を１０μｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

Zr-Cr-Ti-O-BASED SPUTTERING TARGET FOR FORMING OXIDE FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲット - 特許庁

Ru-Ti-O FINE POWDER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND THICK-FILM RESISTOR COMPOSITION USING IT例文帳に追加

Ｒｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末、その製造方法、及びそれを用いた厚膜抵抗体組成物 - 特許庁

Boron is contained on the surface of a BaTiO3 chip semiconductor ceramic 2 in which a B-Ba-O insulating glass and an excess-Ti Ba-Ti-O insulator are provided.例文帳に追加

ＢａＴｉＯ_3系半導体磁器２の表面部分にホウ素が含まれており、Ｂ−Ｂａ−Ｏ系絶縁ガラスとＴｉ過剰Ｂａ−Ｔｉ−Ｏ絶縁体が形成されているチップ型半導体磁器。 - 特許庁

The grains, constituting the inorganic compound film 2 consist of Co3O4 (spinel type) with solid solution of Si and Ti, and the intergranular phase consists of an amorphous oxide consisting of Co, Si, Ti and O.例文帳に追加

無機化合物膜２を構成する粒子はＳｉ，Ｔｉを固溶したＣｏ_3Ｏ_4（スピネル型）であり、粒界相はＣｏ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｏからなる非晶質酸化物である。 - 特許庁

In a tundish, a slag composition is regulated so that it satisfies FeO+MnO+Cr2O3≤3% and CaO/(SiO2+Al2O3)=1.0 to 3.0, and also a steel composition is regulated so that it contains 0.01-0.3%例文帳に追加

タンディッシュ内でFeO+MnO+Cr_2O_3 ≦３％、CaO/(SiO_2+Al_2O_3)＝1.0 〜3.0 を満足するスラグ組成とし、Ti＝0.01〜0.3 ％、Cr＝10〜30％含有し、T[O]濃度≦70ppm 、Log[Ti(ppm) ×N(ppm)×C(ppm)] ≦8.5 を満足する鋼組成とする。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, and a capacitor 3 which includes a film formed on an upper part of the semiconductor substrate and containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O, and a dielectric film 20 formed on the film containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O, and containing Pb, Zr, Ti and O.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板の上方に設けられ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＯを含有した膜と、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＯを含有した膜上に設けられ且つＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを含有した誘電体膜２０とを含むキャパシタ３とを備えた半導体装置である。 - 特許庁

Surfaces of final annealed, single directional silicon steel sheets are coated by insulation films comprising 0.01-0.2 μm thick Ti(N, O) oxide film on which 0.01-0.2 μm thick SiNx ceramics film is coated, the latter in turn being covered by 0.01-2.0 μm thick film consisting of phosphate and silica as major elements.例文帳に追加

仕上焼鈍済みの一方向性けい素鋼板の表面に、0.01〜0.2 μm 厚のTi系の窒・酸化物被膜〔Ti(N,O) 膜〕、その上に0.01〜0.2 μm 厚のSiＮ_X 系セラミック被膜、さらにその上に0.01〜2.0 μm 厚のりん酸塩とシリカを主成分とする絶縁被膜を被成する。 - 特許庁

A film of a photocatalytic substance having a Ti-O-N of Ti-O-S structure is formed on a substrate 11, and then, a water-storing substance composed of SiO2, or the like, is mixed with the film to form a composite layer 12.例文帳に追加

基板１１上に、Ｔｉ−Ｏ−ＮまたはＴｉ−Ｏ−Ｓ構造の光触媒物質の膜を形成し、その後ＳｉＯ_2等からなる蓄水物質を混合することで、複合層１２を形成する。 - 特許庁

The composite polymer has a Si-O-Ti bond and a constitutional unit represented by a general formula (2).例文帳に追加

複合高分子はＳｉ−Ｏ−Ｔｉ結合を有し、かつ下記一般式（２）で示される構成単位を有する。 - 特許庁

A solid solution of W and Ti being the second component elements is formed on cordierite containing Mg, Al, Si and O as constituent elements.例文帳に追加

Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを構成元素とするコーディエライトに、Ｗ、Ｔｉを第二成分元素として固溶させる。 - 特許庁

The transmittance adjusting layer 131 contains at least one of Ti and Bi, Nb, and oxygen (O).例文帳に追加

透過率調整層１３１は、ＴｉおよびＢｉの少なくともいずれか一方と、Ｎｂと、酸素（Ｏ）とを含む。 - 特許庁

As a result, a chemical bond is present between Ti and N atoms in the crystals and the Ti-O-N film absorbs visible light to develop a photocatalytic function.例文帳に追加

これによって、その結果として結晶中にＴｉとＮ原子間の化学的結合が存在することになり、可視光を吸収して光触媒機能を発揮する。 - 特許庁

To provide a low-temperature calcination porcelain by burying metal films in porcelain of Ba-Ti-Zn-O system, or of Ba-Nd-Ti-Bi-O system, or of Ba-Al-Si-O system, which inhibits cracking developed between adjacent metal films or outside of a metal film in almost parallel with metal films.例文帳に追加

Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器中に金属膜を埋設した低温焼成磁器において、隣接する金属膜の間、金属膜の外側に、金属膜と略平行に進展するクラックを抑制する。 - 特許庁

To restrain cracks, in porcelain to be fired at a low temperature obtained by embedding metallic films in Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti-Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain, from developing nearly in parallel to metallic film between the adjacent metallic films and on the outsides of the metallic films.例文帳に追加

Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器中に金属膜を埋設した低温焼成磁器において、隣接する金属膜の間、金属膜の外側に、金属膜と略平行に進展するクラックを抑制する。 - 特許庁

A free magnetic layer 6 is laminated in the order of an enhancement layer 12, a first soft magnetic layer 13, a nonmagnetic metal layer 14 and a second soft magnetic layer 15 from the bottom on an insulation barrier layer 5 composed of Mg-Ti-O or Ti-O.例文帳に追加

フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏ、あるいは、Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁

The corrosion-resistant conductive film has an amorphous phase comprising P, Ti and O at least a part thereof.例文帳に追加

本発明の耐食導電性皮膜は、Ｐ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。 - 特許庁

To provide a Li-La-Ti-O based solid electrolyte material having low electric resistance.例文帳に追加

本発明は、抵抗値の低いＬｉ−Ｌａ−Ｔｉ−Ｏ系固体電解質材料を提供することを主目的とする。 - 特許庁

Here, the alloy composition contains Al, Ti, Mn, S, O, and N as impurities each in the following amount: 0≤Al≤0.3 mass%, 0≤Ti≤0.3 mass%, 0≤Mn≤1.0 mass%, 0≤S≤0.3 mass%, 0.001≤O≤0.3 mass%, and N≤0.1 mass%.例文帳に追加

ここで、合金組成物は、不純物として、Ａｌ、Ｔｉ，Ｍｎ，Ｓ，Ｏ，Ｎを、０≦Ａｌ≦０．３質量％、０≦Ｔｉ≦０．３質量％、０≦Ｍｎ≦１．０質量％、０≦Ｓ≦０．３質量％、０．００１≦Ｏ≦０．３質量％、Ｎ≦０．１質量％だけ含有している。 - 特許庁

To solve the problem that when a capacitor has a lower electrode made of TiN or Ti and a dielectric layer containing a dielectric of composite oxide consisting principally of Zr, Al and O, deterioration reaction occurs to the dielectric and then the capacitor decreases in electrostatic capacity.例文帳に追加

下部電極の材料がTiNまたはTiであり、かつ誘電体層がZrとAlとOとを主成分とする複合酸化物の誘電体を含む層であるキャパシターの場合、誘電体に変質反応に生じ、キャパシターの静電容量が低下する。 - 特許庁

The titanium oxide fine powder is obtained by mixing a Ti-alkoxide solution and a Ce-alkoxide solution, then reacting the mixture under heating to obtain a compound alkoxide solution having a chemical bond of (-Ti-O-Ce-O-Ti-), further reacting the compound alkoxide solution with hot water of 65-95°C to hydrolyze the solution and finally heat-treating the resulting solution at 450-800°C.例文帳に追加

ＴｉアルコキシドとＣｅアルコキシドの溶液を混合し加熱反応させて得た（−Ｔｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｏ−Ｔｉ−）の化学結合を有する複合アルコキシド溶液を、６５〜９５℃に加温した水と反応させ加水分解し、その後４５０〜８００℃で熱処理して酸化チタン微粉末を得る。 - 特許庁

To provide an O-phase Ti-22Al-27Nb alloy having well balanced tensile strength and ductility, and to provide its production method.例文帳に追加

引張強さと延性を高度にバランスよく合わせ持つＯ相基Ｔｉ−22Ａｌ−27Ｎｂ合金とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further selection control signals MX0 to MX15 of a connection selecting circuit correlating an input/output signal line TI/O for tests to an input/output signal line I/O are generated.例文帳に追加

そして、入出力信号線Ｉ／Ｏにテスト用入出力信号線ＴＩ／Ｏを対応させる接続選択回路の選択制御信号ＭＸ０〜ＭＸ１５を生成する。 - 特許庁

Here, the alloy composition contains Al, Ti, Mn, S, O and N as impurities each in the following amount: 0≤Al≤0.3 mass%, 0≤Ti≤0.3 mass%, 0≤Mn≤1.0 mass%, 0≤S≤0.3 mass%, 0≤O≤0.3 mass% and 0≤N≤0.1 mass%.例文帳に追加

ここで、合金組成物は、不純物として、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓ、Ｏ、Ｎを、０≦Ａｌ≦０．３質量％、０≦Ｔｉ≦０．３質量％、０≦Ｍｎ≦１．０質量％、０≦Ｓ≦０．３質量％、０≦Ｏ≦０．３質量％、０≦Ｎ≦０．１質量％だけ含有している。 - 特許庁

At least one hard heat-resistant film mainly consisting of at least one kind of element selected among C, N and O, Ti and Al is deposited on a part related to at least cutting.例文帳に追加

Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。 - 特許庁

At least one layer of a hard heat-resistant film consisting of at least one element selected from among C, N, and O, and Ti and Al as the main component is provided on a part related to at least cutting.例文帳に追加

Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-TI-O where R is selected from Zr and Hf, and its manufacturing method.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Through heat treatment of this crystallization, a Pb-Pt-Ti-O reaction layer 7 is formed on the interface between the films 6a and 4b.例文帳に追加

この結晶化の熱処理により、Ｐｔ膜６ａと第２のＰＺＴ膜４ｂの界面に、Ｐｂ−Ｐｔ−Ｔｉ−Ｏ反応層７が形成される。 - 特許庁

Through heat treatment of this crystallization, a Pb-Pt-Ti-O reaction layer 5 is formed on the interface between the films 3b and 4a.例文帳に追加

この結晶化の熱処理で、Ｐｔ膜３ｂと第１のＰＺＴ膜４ａの界面に、Ｐｂ−Ｐｔ−Ｔｉ−Ｏ反応層５が形成される。 - 特許庁

There is provided the dielectric material having a film of R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。 - 特許庁

The α-Al_2O_3 layer is formed on a binding phase composed of (Ti, Al) and (C, O, M) in which an aluminum content increases towards an outermost layer.例文帳に追加

本発明のα−Ａｌ_２Ｏ_３層は、最外層に向かってアルミニウム含有量が増加する（Ｔｉ、Ａｌ）（Ｃ、Ｏ、Ｎ）の結合相の上に形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing Ru-Ti-O fine powder that is suitable for thick-film resistors, has a high specific resistance and a very small uniform particle diameter, and is excellent in dispersibility, and to provide the Ru-Ti-O fine powder manufactured by the method and a thick-film resistor composition that uses the fine powder and is excellent in static discharge resistance.例文帳に追加

厚膜抵抗体に好適な、比抵抗が高く、かつ微細で粒径の揃った分散性に優れたＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末の製造方法、それにより得られるＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末、及びそれを用いた静電気放電の耐性に優れた厚膜抵抗体組成物を提供する。 - 特許庁

The titanium alloy comprises, by mass, >0.1 to <0.6% Fe and >0.005 to <0.2% O, and also comprises the Fe and O in such a manner that the Fe content and the O content satisfy the relation of Fe>O, and the balance Ti with impurities.例文帳に追加

質量で０．１％を超え０．６％未満のＦｅを含有し、質量で０．００５％を超え０．２％未満のＯを含有し、しかも、前記Ｆｅの含有量と前記Ｏの含有量とがＦｅ＞Ｏの関係を満足するようにＦｅとＯとを含有し、残部がＴｉおよび不純物であることを特徴とするチタン合金を提供する。 - 特許庁