「Reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with a bit line 14, a bit line 16, a reference cell 20, and a reference cell 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、ビット線１４、ビット線１６、リファレンスセル２０、およびリファレンスセル３０を備えている。 - 特許庁

MEMORY HALF CELL REFERABLE TO TERNARY CONTENTS, AND MEMORY CELL ENABLING REFERENCE TO TERNARY CONTENTS例文帳に追加

３進内容参照可能メモリハーフセルおよび３進内容参照可能メモリセル - 特許庁

The testing force is applied to the load cell 18 by a reference weight corresponding to the reference testing force.例文帳に追加

基準試験力相当の基準分銅によりロードセル１８に試験力を負荷する。 - 特許庁

A reference memory cell MCr is connected to two reference bit lines BLref 0-1.例文帳に追加

参照メモリセルＭＣｒは、２本の参照ビット線ＢＬｒｅｆ０−１に接続される。 - 特許庁

To prevent the characteristic fluctuation of a reference cell caused by reading disturbance.例文帳に追加

リードディスターブによるリファレンスセルの特性変動を防止する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device capable of programming a reference cell at a high speed, and a program method for the reference cell therefor.例文帳に追加

リファレンスセルを高速でプログラムできる磁気メモリ装置及びこのためのリファレンスセルのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

Reference voltage (VREF-VREf2) is generated according to a current flowing in the reference cell, and memory cell data are detected using this reference voltage.例文帳に追加

参照セルを流れる電流に従って基準電圧（ＶＲＥＦ−ＶＲＥＦ２）を生成し、この基準電圧を用いてメモリセルデータを検出する。 - 特許庁

When testing, a gate voltage of the reference cell transistor T2r is set, and a reference current made to flow through the reference memory cell 3 for testing is adjusted.例文帳に追加

試験時において基準セルトランジスタＴ２ｒのゲート電圧が設定され、試験用基準メモリセル３に流れる基準電流が調節される。 - 特許庁

In the reference cell array 47ra, reference cells 47r1 to 47r3 arranged in the row direction are connected in series electrically and form a series reference cell group.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ４７ｒａでは、行方向に並ぶリファレンスセル４７ｒ１〜４７ｒ３が電気的に直列接続されて直列リファレンスセル群をなす。 - 特許庁

Each.unit in the reference cell array 200 is constituted of plural reference cells connected in series between circuits 210 which control the sense amplifier circuit 300 and a reference cell.例文帳に追加

基準セルアレイ内の各ユニットは、感知増幅器回路と基準セルとを制御する回路の間に直列連結された複数の基準セルで構成される。 - 特許庁

For example, if the reference pattern (a) coincides with the brightness pattern, the right and lower cell corresponds to the center cell (e).例文帳に追加

例えば、参照パターン（ａ）であれば、右下のセルが中心セルｅに該当する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte for an electrochemical half-cell, for a reference half-cell in particular.例文帳に追加

電気化学式半電池、特に参照半電池に用いるポリマー電解質を提供する。 - 特許庁

Pushes a reference to the cell contained in slot i of the cell and free variable storage.例文帳に追加

セルと自由変数記憶領域のスロットiに含まれるセルへの参照をプッシュします。 - Python

A flash/EEPROM memory cell having the same structure as a memory cell M1 is used as a memory cell RM1 for reference.例文帳に追加

リファレンス用メモリーセルＲＭ１として、メモリーセルＭ１と同じ構造のフラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーセルを用いる。 - 特許庁

The magnetic random access memory is provided with a reference cells in a memory cell array 11 and is constituted in such a manner that the data of the reference cell in the readout is inverted to prevent the data of the selected cell from changing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１に参照セルを設け、読み出し時に参照セルのデータを反転し、選択セルのデータを変化させないようにしている。 - 特許庁

In testing a reference memory cell MC_REF, the cell current of the reference memory cell MC_REF is directly measured from an external terminal 3 via a write driver 31.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのテスト時において、外部端子３からライトドライバ３１を介してリファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのセル電流を直接測定する。 - 特許庁

A reference cell extraction part 110 selects a target cell 101a from a radar image 191 and extracts a reference cell 101b from the radar image 191.例文帳に追加

レファレンスセル抽出部１１０は、レーダ画像１９１からターゲットセル１０１ａを選択し、レーダ画像１９１からレファレンスセル１０１ｂを抽出する。 - 特許庁

The reference cell has a reference cell transistor of which the gate is connected to a reference word line, and a second magnetoresistance element, of which one end is connected to a reference read-out word line and the other end is connected to the bit line BL2 via the reference cell transistor.例文帳に追加

参照セルは、ゲートが参照ワード線に接続された参照セルトランジスタと、一端が参照読み出しワード線に接続され他端が参照セルトランジスタを介してビット線ＢＬ２に接続された第２磁気抵抗素子とを有する。 - 特許庁

A memory cell left in an initial state is provided without performing write-in/erasure even in an inspection process in a region of a memory cell side storing data, Vt setting of a reference cell is performed performing verifying of the reference cell basing the cell as reference.例文帳に追加

本発明は、データを記憶するメモリーセル側の領域で、検査工程中も書込み／消去を行わず初期状態で残しておくメモリーセルを設け、そのセルを基準としてリファレンスセルのベリファイを行いながら、リファレンスセルのＶｔ設定を行う。 - 特許庁

The nonvolatile storage system 1 includes a reference cell 12 for main memory corresponding to a main memory cell array 10 and a reference cell 13 for spare memory corresponding to a spare memory cell array 11.例文帳に追加

不揮発性記憶システム１は、メインメモリセルアレイ１０に対応してメインメモリ用リファレンスセル１２が備えられ、スペアメモリセルアレイ１１に対応してスペアメモリ用リファレンスセル１３が備えられる。 - 特許庁

This circuit has a memory cell array 1 having non-volatile memory cells MC and a reference cell array 2, and a data '1' state (a state of current-pull-in) is written in a memory cell MC of the reference cell array 2.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルＭＣを持つメモリセルアレイ１と、参照セルアレイ２を有し、参照セルアレイ２のメモリセルＭＣには、データ“１”状態（電流引き込みがある状態）に書かれている。 - 特許庁

In other preferable embodiment, a memory cell used in the reference cell programming process is an intrinsic cell incorporated in a die comprising a memory cell array, but it is not a cell in the memory cell array.例文帳に追加

他の好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、メモリアレイを含むダイ上に搭載されている固有セルであるが、メモリアレイ内のセルではない。 - 特許庁

A storage section stores information indicative of a selected reference memory cell which is one of reference memory cells.例文帳に追加

記憶部は、リファレンスメモリセルのいずれかである選択リファレンスメモリセルを示す情報を記憶する。 - 特許庁

RADIO CELL STATION, PERSONAL STATION, REFERENCE SIGNAL CONTROL METHOD, AND REFERENCE SIGNAL CONTROL PROGRAM例文帳に追加

無線基地装置、移動端末装置、参照信号制御方法および参照信号制御プログラム - 特許庁

Cell selection circuits 2, 3 are operative to select from the memory cell array MA a memory cell MC whose data is to be read, and to select from the reference cell array RA a reference cell RA at a position corresponding to a position of the memory cell MC selected in the memory cell array MA.例文帳に追加

セル選択回路２，３は、メモリセルアレイＭＡの中からデータを読み出すメモリセルＭＣを選択すると共に参照セルアレイＲＡの中からメモリセルアレイＭＡにおける選択されたメモリセルＭＣの位置に対応する位置の参照セルＲＡを選択する。 - 特許庁

To control the operation of a fuel cell by detecting a wet condition without providing each cell of a fuel-cell stack with a reference electrode.例文帳に追加

燃料電池の各セルに参照電極を設けることなく、湿潤状態を検出して運転を制御する。 - 特許庁

An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。 - 特許庁

To reduce characteristic difference cause between a cell current from regular memory cells and a reference cell current and depending on cell positions.例文帳に追加

レギュラーメモリセルからのセル電流と、リファレンスセル電流との間に生ずる、セル位置に依存した特性差を低減すること。 - 特許庁

This device has a reference cell for detecting a state of a memory cell and for verifying data written in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの状態を検出するための、そしてメモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する。 - 特許庁

A reference cell 108 is programmed to be at a threshold voltage between threshold voltage of ON-cell and threshold voltage of OFF-cell.例文帳に追加

基準セル１０８はオンセルのスレッショルド電圧とオフセルのスレッショルド電圧の間のスレッショルド電圧にプログラムされる。 - 特許庁

When the dynamic reference cell is provided on the same word line with a core cell, the constant current source applied to a core cell data line operates during program verification, so that the difference of current is provided between the core cell and the dynamic reference cell.例文帳に追加

ダイナミックリファレンスセルが、コアセルと供に同一ワードライン上に設けられる場合には、コアセルデータラインに加えられる定電流源がプログラムベリファイ中に動作し、コアセル及びダイナミックリファレンスセル間に電流差を与える。 - 特許庁

In some embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell of itself for reading out a cell of a sector, the series of reference cells also exist for a whole memory chip operating as master reference.例文帳に追加

ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタは、セクタのセルを読み出すためのそれ自体の参照セルをもち、一連の参照セルもまた、マスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁

This memory cell array 1 is provided with an auxiliary cell array 2 used for adjusting a reference potential.例文帳に追加

このメモリセルアレイ１に対して、参照電位調整に用いられる補助セルアレイ２が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, the device comprises a sense amplifier circuit 300 which detects a current difference between the memory cell and the reference cell.例文帳に追加

メモリセルと基準セルとの電流差を検出する感知増幅器回路をさらに含む。 - 特許庁

A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160.例文帳に追加

メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 and a reference cell array 600.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、レギュラーセルアレイ２００とリファレンスセルアレイ６００とを有する。 - 特許庁

The memory device includes a reference cell array and a plurality of banks each of which includes a memory cell.例文帳に追加

本発明によるメモリ装置は、基準セルアレイと各々がメモリセルを含む複数個のバンクを含む。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF REFERENCE CELL AND NONVOLATILE MEMORY UNIT USING THEREOF例文帳に追加

リファレンスセルのプログラム方法及びこれを用いた不揮発性メモリ装置 - 特許庁

The deterioration deciding device 1 is equipped with a data memory part 12 for storing a reference output power of a cell stack as a reference to the output current of the cell stack of a fuel cell.例文帳に追加

劣化判定装置１は、燃料電池のセルスタックの出力電流に対する基準とするセルスタックの基準出力電力を記憶するデータ記憶部１２を備える。 - 特許庁

During reading the array cell, the programmable reference cell is biased the same as the array cell, so that the difference in threshold values between reference cells and array cells remain constant with a change in VCC.例文帳に追加

読出中、プログラム可能基準セルはアレイセルと同じようにバイアスされるので、基準セルとアレイセルとの間のしきい値の差はＶＣＣの変化とともに一定のままである。 - 特許庁

During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加

メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ＲｅＲＡＭ基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ＲｅＲＡＭのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁

In a first write operation, a memory cell current for a write reference memory cell is selected as a write reference current, and data is written to the memory cell and either a first or a second memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作において、書き込みリファレンスメモリセルのメモリセル電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルと第１および第２リファレンスメモリセルの一方とにデータが書き込まれる。 - 特許庁

As to each cell, information included in the cell describes characteristics of a physical location of the cell by using another cell as a reference inside the three-dimensional package.例文帳に追加

セル１つずつについて、セル内に含まれる情報が、３次元パッケージ内で他のセルを基準にしたそのセルの物理的場所の特徴を記述する。 - 特許庁

On the other hand, the capacitor 82 and the capacitor 92 are provided in a dummy cell 80 and a dummy cell 90 respectively which are provided separately from the reference cell and the memory cell.例文帳に追加

一方、キャパシタ８２およびキャパシタ９２は、リファレンスセルおよびメモリセルと別に設けられたダミーセル８０およびダミーセル９０内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device having a test mode for testing a memory cell and a spare memory cell itself for saving the reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルおよびリファレンスセルを救済するスペアメモリセル自体を試験するテストモードを備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁