「Reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To confirm a point of time at which a cell having been programmed at a reference voltage or higher is generated.例文帳に追加

基準電圧以上にプログラム完了したセルが発生する時点を確認すること。 - 特許庁

An action electrode 2, a counter electrode 3 and a reference electrode 4 are arranged in an electrochemical cell 1.例文帳に追加

電気化学セル１の中に、作用極２，対極３，参照極４を配置する。 - 特許庁

Current path length on wirings arranged in the direction of crossing the reference cell RMC are automatically balanced regardless of an address selection result among current paths that pass a selected memory cell RMC# and a selected reference cell RMC#.例文帳に追加

選択メモリセルＲＭＣ♯および選択リファレンスセルＲＭＣ＃を通過する電流経路の間で、リファレンスセルＲＭＣと交差する方向に配置された配線上での経路長は、アドレス選択結果にかかわらず自然に均衡する。 - 特許庁

The ferroelectric storage device has a first memory cell MCO which includes a ferroelectric capacitor and a first reference cell RMCO which includes a ferroelectric capacitor for holding the reference potential of the data held by the first memory cell MCO.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを含む第１のメモリセルＭＣ０と、該第１のメモリセルＭＣ０が保持するデータの参照電位を保持する強誘電体キャパシタを含む第１のリファレンスセルＲＭＣ０とを有している。 - 特許庁

After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加

その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁

The changing step includes determining a history read reference level for correct reading of at least one history cell, selecting a memory read reference level according to a first read reference level and reading of a nonvolatile memory array cell associated with at least one history cell using the memory read reference level.例文帳に追加

変更ステップは、少なくとも１つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第１読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも１つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

In this case, the other ends 32 of the memory cell capacitances 16, 21 and other ends 33 of the reference cell capacitances 8, 15 are electrically separated.例文帳に追加

ここで、メモリセル容量１６、２１の他端３２と参照セル容量８、１５の他端３３は、電気的に分離されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory obtained by tracking the threshold voltage characteristic of reference-side cell transistors to the characteristic of a core-side cell transistor.例文帳に追加

レファレンス側セルトランジスタの閾値電圧特性をコア側セルトランジスタの特性にトラッキングさせた不揮発性メモリを提供する - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in which a reference current existing between a ON-cell current and a OFF-cell current.例文帳に追加

オンセル電流とオフセル電流の間に存在する基準電流を発生させる感知増幅器回路を提供すること。 - 特許庁

The second comparator receives a high reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a second value in accordance with this.例文帳に追加

第２の比較器は、高い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第２の値を出力する。 - 特許庁

The first comparator receives a low reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a first value in accordance with this.例文帳に追加

第１の比較器は、低い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第１の値を出力する。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

When the potential of the source line SL0 is controlled to the second voltage, a cell current smaller than a reference current flows into the memory cell.例文帳に追加

ソース線ＳＬ０の電位が第２の電圧に制御されたとき、メモリセルには、参照電流より少ないセル電流が流れる。 - 特許庁

A logical level of data held in the memory cell is detected depending on whether a memory cell current is larger than the reference current or not.例文帳に追加

メモリセル電流が基準電流より大きいか小さいかにより、メモリセルに保持されているデータの論理レベルが検出される。 - 特許庁

At least one cell among the reference cell 100, the polygon cells 106 and the corner cells 104 is painted with a color different from the color of the other cells.例文帳に追加

基準セル１００、多辺形セル１０６、コーナーセル１０４の少なくとも一つのセルは、他のセルと異なる色を付けられる。 - 特許庁

When the cell voltage V is the reference voltage V1 or higher (No at S30), the cell voltage V is detected again (S20).例文帳に追加

セル電圧Ｖが基準電圧Ｖ１以上である高い場合には（Ｓ３０のＮｏ）、セル電圧Ｖが再度検出される（Ｓ２０）。 - 特許庁

Readout of information of a selected memory cell and the reference potential precharge of the memory cell to be selected next are overlappingly performed.例文帳に追加

選択されたメモリセルの情報の読み出しと次に選択されるメモリセルの参照電位プリチャージはオーバーラップして行われる。 - 特許庁

A multi-level flash memory cell is read by comparing the cell's threshold voltage with a plurality of integral reference voltages and to a fractional reference voltage.例文帳に追加

マルチレベルのフラッシュメモリセルがセルの閾値電圧と複数の整数基準電圧および分数基準電圧と比較することで読取られる。 - 特許庁

The difference between the stop start- time reference mark and the stop end-time reference mark is the service stop continuation time for the data cell stream.例文帳に追加

停止開始時間順基準標識と停止終了時間順基準標識の差が、データセルストリームのサービス停止継続時間になる。 - 特許庁

To reduce inter-cell interference of a reference signal, when using a ZC sequence as the reference signal in a mobile communication system.例文帳に追加

移動体通信システムにおいてＺＣ系列をリファレンス信号として用いる場合に、リファレンス信号のセル間干渉を低減すること。 - 特許庁

The reference current is set larger than an intermediate value between first cell current flowing when the memory cell is off and second cell current flowing when the memory cell is on, and is set smaller than the second cell current.例文帳に追加

基準電流は、メモリセルがオフしている場合に流れる第１のセル電流とメモリセルがオンしている場合に流れる第２のセル電流との中間値よりも、大きく設定され、且つ、第２のセル電流よりも、小さく設定されている。 - 特許庁

The non-dispersive infrared absorption detecting device with two cells, a sample cell 3 and a reference cell 4, is provided with a gas channel interchanger 1 for simultaneously interchanging a sample gas and a zero gas at every predetermined times and supplying them for the sample cell 3 and the reference cell 4.例文帳に追加

試料セル３と比較セル４の２個のセルを持つ非分散型赤外吸収検出装置において、定められた時間毎に試料ガスおよびゼロガスを同時に交換して試料セル３と比較セル４に供給するガス流路交換器１を設ける。 - 特許庁

A memory cell current is made to flow in a memory cell when reading out data is compared with a reference current set in accordance with wiring width of word lines connected to this memory cell.例文帳に追加

データの読み出し時にメモリセルに流れるメモリセル電流が、このメモリセルに接続されたワード線の配線幅に応じて設定される基準電流と比較される。 - 特許庁

A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第１読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第２読み出し動作が実行される。 - 特許庁

And it is compared with a reference potential adjusted so that data of the PF cell 21 is made defective earlier than that of the memory cell MC by a PF cell data decision circuit 14.例文帳に追加

そして、ＰＦセルデータ判定回路１４で、メモリセルＭＣよりもＰＦセル２１のデータの方が早く不良になるように調整されたリファレンス電位と比較する。 - 特許庁

In a second write operation following the first write operation, a read reference current, which is a mean current for the first and the second reference memory cell, is selected as a write reference current and the data is written only to the memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作に続く第２書き込み動作において、第１および第２リファレンスメモリセルの平均電流である読み出しリファレンス電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルのみにデータが書き込まれる。 - 特許庁

In a normal read operation, read voltage is applied to the control gate of the main body cell MC and the control gates of the reference cells RC03, RC13, RC23 of the reference current source circuit 32, reference current values for read-out Iread01, Iread12, Iread23 are compared with a cell current.例文帳に追加

通常の読み出し動作では、本体セルＭＣの制御ゲートと、基準電流源回路３２の参照セルＲＣ０３，ＲＣ１３，ＲＣ２３の制御ゲートに読み出し電圧を印加し、読み出し用基準電流値Ｉｒｅａｄ０１，Ｉｒｅａｄ１２，Ｉｒｅａｄ２３とセル電流を比較する。 - 特許庁

To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data.例文帳に追加

ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”Ｈ”データか”Ｌ”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device, a program control circuit 1 sets the threshold of a first reference cell RFCO depending on the results obtained when a trimming sense amplifier 8 compares the thresholds of the first reference cell RFCO and the second reference cell SRC.例文帳に追加

この発明の不揮発性半導体メモリ装置では、トリム用センスアンプ８が第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値と第２のリファレンスセルＳＲＣのしきい値とを比較した結果に基いて、プログラム制御回路１は、書込回路ＷＣにより第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値を設定する。 - 特許庁

As a result, the normalized reading signal of a specified memory cell is compared with the normalized reference signal of a reference cell described by '0' or '1', and the contents of the memory cell as '1' or '0' can be detected.例文帳に追加

その結果、特定のメモリーセルの正規化された読出信号を、「０」または「１」で記述される基準セルの正規化された基準信号と比較し、そして、それにより、「１」または「０」としてのメモリーセル内容を検知することも可能である。 - 特許庁

To suppress a data reading precision from being degraded due to production variation in reference cell characteristics and deterioration with age in a nonvolatile semiconductor memory device for executing data readout by access comparison between a selective memory cell and a reference memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスメモリセルとのアクセス比較によってデータ読出を実行する不揮発性半導体記憶装置において、リファレンスセル特性の製造ばらつきおよび経時劣化に対応して、データ読出精度の悪化を抑制する。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a memory cell MC, having a ferroelectric capacitor CM storing binary data in a non-volatile state according to positive or negative residual polarization, and a dummy cell DC having a capacitor CD for reference generating reference voltage.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、残留分極の正負に応じて二値データを不揮発に記憶する強誘電体キャパシタＣＭを持つメモリセルＭＣと、参照電圧を発生する参照用キャパシタＣＤを持つダミーセルＤＣとを有する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with reference cells (R_i, R_ef), a first memory cell (C_i1), a second memory cell (C_i2) positioned nearer to the first memory cell than the reference cells (R_i, R_ef), and data read-out circuits (5-8).例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置は、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅ_ｆ）と、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）と、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅｆ）よりも第１メモリセルに近い位置にある第２メモリセル（Ｃ_ｉ２）と、データ読み出し回路（５〜８）とを備えている。 - 特許庁

Exposure time of each column cell is determined by correcting the exposure time of the reference column cell based on the correction parameters thus obtained.例文帳に追加

以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。 - 特許庁

To provide a solar cell substrate detecting device capable of performing detection without reference to whether a reverse surface of a solar cell substrate is a mirror plane or an uneven surface.例文帳に追加

太陽電池基板の裏面が鏡面でも凹凸面でも検出が可能な太陽電池基板検出装置を提供する。 - 特許庁

The reference cell 3a and the sample cell 3b have the same triangle cross section and a surface vertical to the optical axis of the measuring beam.例文帳に追加

参照セル３ａと試料セル３ｂは同一三角形断面をもつとともに、測定光の光軸に対して垂直な面をもつ。 - 特許庁

The aerosol spectroscopic analyzer has a laser irradiation part 4, an analyzing cell 2, a calibrating reference substance cell 16, and a slide mechanism 15a.例文帳に追加

エアロゾル分光分析装置は、レーザ照射部４、分析セル２、較正用標準物質セル１６、およびスライド機構１５ａを有する。 - 特許庁

Impurities are removed from the gas to be introduced into a cell 15, and light intensity of transmission light transmitted through the cell 15 is measured as a reference.例文帳に追加

ガスから不純物を除去してセル１５に導入し、そのセル１５を透過した光の光強度をリファレンスとして測定する。 - 特許庁

The work line RWL1 for reference cell is a word line activated when a memory cell array redundant word line ReWL is selected.例文帳に追加

一方、リファレンスセル用ＲＷＬ１はメモリアレイ冗長ワード線ＲｅＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁

When the capacitor voltage becomes lower than a second reference voltage, the fuel cell system 22 is operated to obtain electric power from the fuel cell 60.例文帳に追加

キャパシタ電圧が第２の基準電圧より小さくなると、燃料電池システム２２を運転して燃料電池６０から電力を得る。 - 特許庁

The memory cell 11 includes a resistance change element 13, and a reference memory cell 22 provided in the reading circuit 20 includes a resistance change element 23.例文帳に追加

メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。 - 特許庁

To determine abnormality of a solar cell by easily acquiring the current voltage characteristics becoming the reference for determining abnormality of a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の異常を判定するための基準となる電流電圧特性を簡易に取得し、太陽電池の異常を判定する。 - 特許庁

Accordingly, the electric characteristics of the reference memory cell MC_REF are highly accurately measured.例文帳に追加

したがって、リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦの電気的特性を高精度に測定することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell comprising a reference layer which is pinned and which does not require a magnetization direction.例文帳に追加

ピン留めされた磁化の向きを必要としないリファレンス層を有する磁気メモリセルの提供。 - 特許庁