「Ru by」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The barrier metals 16 and 32 are composed by laminating the films 17A and 34A which are at least one of an Ru_xSi_nO_y film, an Ru_xO_y film and an Ru_xSi_n film, Ru_xN_y films 17B and 34B, and Ru films 17C and 34C.例文帳に追加

バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 - 特許庁

A foundation layer 3 is filmed by using permalloy group material, the non-magnetic intermediate layer 4 is filmed by using Ru or Ru radical alloy material.例文帳に追加

下地層３はパーマロイ系材料を用いて成膜し、非磁性中間層４はＲｕまたはＲｕ基合金材料を用いて成膜する。 - 特許庁

By acceleration of combined alloying of the Pt and Ru atoms, the PtRu system catalyst with high methanol oxidizing activity and durability can be obtained.例文帳に追加

PtとRu原子の混合合金化の促進によって高いメタノール酸化活性と耐久性を有するPtRu系触媒を得る。 - 特許庁

To provide a method for efficiently separating Ru from a solution containing a platinum group element by oxidation distillation.例文帳に追加

白金族を含む溶液からRuを酸化蒸留で分離する際に、効率的に分離する方法を提供すること。 - 特許庁

The ZnO semiconductor film containing Ru is formed by sputtering using targets 21, 22 containing ZnO and Ru.例文帳に追加

ＺｎＯ及びＲｕを含むターゲット２１，２２を用いたスパッタリングにより、Ｒｕを含有するＺｎＯ半導体膜を形成する。 - 特許庁

The upper base layer 15 is formed by depositing Ru or Ru alloy on the lower base layer 14 in inert gas atmosphere.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。 - 特許庁

Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.例文帳に追加

またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁

The nonmagnetic intermediate layer 4b is formed by laminating an Ru layer 11, an Rh layer 12, and an Ru layer 13 in order from below.例文帳に追加

非磁性中間層４ｂは下からＲｕ層１１、Ｒｈ層１２、及びＲｕ層１３の順に積層形成されている。 - 特許庁

A Ru film 13 as an underlying electrode of a capacitor is formed by a CVD method, using a Ru source material and oxygen radicals.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としてのＲｕ膜１３をＲｕ原料と活性酸素を用いたＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a microanalytical method in which the amount of Ru existing on the surface of a silicon wafer is analyzed in a short time so as to quickly deal with a contamination accident by the Ru element.例文帳に追加

シリコンウェハの表面に存在するＲｕの量を短時間に分析し、Ｒｕ元素による汚染事故に迅速に対処する。 - 特許庁

Disclosed is the white gold alloy composed of an Au alloy obtained by adding, to 75 to 77 mass% Au, 10 to 17 mass% Cu and 0.01 to 0.5 mass% Ru, and, as necessary, 0.1 to 2.0 mass% Ga, and the balance Pd.例文帳に追加

75〜77mass%のAuにCuを10〜17mass%、Ruを0.01〜0.5mass%、場合によってはGaを0.1〜2.0mass%を添加し、残部がPdからなるAu合金より構成されているホワイトゴールド合金。 - 特許庁

HIGH-PURITY Ru POWDER, SPUTTERING TARGET OBTAINED BY SINTERING THE HIGH-PURITY Ru POWDER, THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THE TARGET, AND METHOD FOR PREPARING HIGH-PURITY Ru POWDER例文帳に追加

高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ｒｕ粉末の製造方法 - 特許庁

Thus, by forming the Ru film 30 by a CVD method using a dismutation reaction, the film quality of the Ru film 30 can be improved and, further, oxidation of a conductive film, etc., under the Ru film 30 can be suppressed.例文帳に追加

このように、不均化反応を利用したＣＶＤ法によりＲｕ膜３０を形成すれば、Ｒｕ膜３０の膜質を向上させることができ、また、Ｒｕ膜３０より下層の導電性膜等の酸化を抑えることができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the Ru-Al intermetallic compound target, a reaction sintering method is used and metal Ru powder and metal Al powder are formed into an Ru-Al intermetallic compound composed essentially of B2 superlattice and then powder of the Ru-Al intermetallic compound prepared by pulverizing the intermetallic compound is sintered.例文帳に追加

金属Ｒｕ粉末と金属Ａｌ粉末とを反応焼結法により、実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物とし、次いで該金属間化合物を粉砕したＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結するＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法である。 - 特許庁

The electrolytic cell device 10 is to volatile separate Ru included in the solution as the tetroxide (RuO_4) by that the solution is electrolysis-oxidized between an action electrode 11 disposed contacting with the solution 14 and a counter electrode 12.例文帳に追加

溶液中に含まれるルテニウム（Ru）を、前記溶液１４と接触して配置された電極の作用極１１と対極１２間で電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させるための電解セル装置１０である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device capable of ensuring that the processing condition of Ru film can be maintained by preventing erosion of the Ru film at the time of removing the resist in the semiconductor device using the Ru film as an electrode.例文帳に追加

電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置において、レジスト除去を行なうに際して、Ｒｕ膜の侵食を防止してＲｕ膜の加工形状を維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method by which noble metals such as Pt, Ru are easily and efficiently separated and recovered together with Al alloy being a substrate, as a method for recovering noble metals such as Pt, R from a recording medium having an Al alloy substrate.例文帳に追加

Al合金基板を有する記録メディアからPt、Ru等の貴金属を回収する方法において、Pt、Ru等の貴金属と共に基板であるAl合金をも簡便かつ効率よく分離して回収できる処理方法を提供する。 - 特許庁

The Ru-Mn-O fine powder comprises a single phase of Ru-Mn-O wherein Mn is dissolved in RuO_2 having a rutile structure, and TCR can be adjusted by changing the proportion of Ru to Mn.例文帳に追加

このＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末は、ルチル構造を有するＲｕＯ_２中にＭｎが固溶したＲｕ−Ｍｎ−Ｏの単一相からなり、ＲｕとＭｎの割合を変えることでＴＣＲを調整することができる。 - 特許庁

By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.例文帳に追加

ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁

In February during the next year (1593), the Ming Army of 43,000 soldiers headed by Li Ru-song attacked Pyongyang. 例文帳に追加

翌文禄2年（1593年）1月、李如松率いる明軍4万3,000人余が平壌に進攻し奪還。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The photosensitizer dye is, for example, a ruthenium (Ru) complex shown in CYC-B5 produced by using the formula in the drawing.例文帳に追加

感光剤染料は、例えば、次式で製造されるCYC-B5に示されるルテニウム（Ｒｕ）複合体である。 - 特許庁

The thin protective layer protects Ru from etching by O_3 and facilitates formation of the rutile-phase TiO_2.例文帳に追加

薄い保護層は、Ｏ_３によるエッチングからＲｕを保護し、ルチル相ＴｉＯ_２の形成を容易にする。 - 特許庁

The platinum alloy has a composition consisting essentially of Pt and containing, by weight, Cu, Pd, Re and/or Ru.例文帳に追加

Ｐｔを主成分とし、重量比でＣｕ、Ｐｄ、Ｒｅ及び／又はＲｕを含む白金合金である。 - 特許庁

To restrain the surface of a lower electrode of Ru or Ir from being roughened by oxidation.例文帳に追加

下部電極材料であるＲｕ、Ｉｒ表面の酸化による荒れを抑制する。 - 特許庁

A Cu film is then formed on the Ru film by thermal CVD, for example, or the like (step 4).例文帳に追加

次に、例えば、熱ＣＶＤ法等によりＲｕ膜上にＣｕ膜を成膜する（ＳＴＥＰ４）。 - 特許庁

The photosensitizer dye is a ruthenium (Ru) complex represented by the following general formula (1).例文帳に追加

下記の一般式（１）に示すような特定のＲｕ錯体である光増感色素。 - 特許庁

The CVD-Ru film is formed through a process of forming an Ru film on a substrate by CVD using a film forming material containing an organic metal compound and a process of annealing the substrate where the Ru film is formed in a hydrogen containing atmosphere.例文帳に追加

有機金属化合物を含む成膜原料を用いてＣＶＤにより基板上にＲｕ膜を成膜する工程と、前記Ｒｕ膜が成膜された基板に対し、水素含有雰囲気でのアニールを行う工程とによりＣＶＤ−Ｒｕ膜を形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium is successively formed with a seed layer 12, foundation layer 13 consisting of Ru, magnetic layer 15, protective layer 16 and lubricant 17 on a nonmagnetic substrate 11 and has an intermediate layer 14 formed by adding SiO_2 to Ru between the foundation layer 13 consisting of Ru and the magnetic layer 15.例文帳に追加

磁気記録媒体は、非磁性基板１１上に、シード層１２、Ｒｕよりなる下地層１３、磁性層１５、保護層１６、潤滑剤１７が順次形成されており、そこにおいて、前記Ｒｕよりなる下地層１３と磁性層１５との間に、ＲｕにＳｉＯ_2が添加された中間層１４を有する。 - 特許庁

The surface layer of a silicon oxide film 37 including the inside of a groove 38 is spin-coated with a solution containing Ru as a main composition, it is dried at about 600 to 700°C, a seed layer 39 constituted of the Ru is formed, and an Ru film is deposited by a CVD method while the seed layer 39 is used as a seed.例文帳に追加

溝３８の内部を含む酸化シリコン膜３７の上層にＲｕを主成分として含む溶液を回転塗布した後、６００〜７００℃程度で乾燥させることでＲｕによって構成されるシード層３９を形成し、続いてシード層３９を種にＣＶＤ法でＲｕ膜を堆積する。 - 特許庁

The crystal size of the Ru complex oxide particle is controlled by applying heat treatment to the Ru complex oxide particle obtained by sintering, and the average particle size is controlled by crushing it.例文帳に追加

焼成により得られたＲｕ複合酸化物粒子を熱処理することによりＲｕ複合酸化物粒子の結晶子サイズが制御され、さらに粉砕することにより平均粒径が制御されている。 - 特許庁

This invention is characterized in that an oar nearest the front (saizenbu no o-ru) which tends to easily break is made resistant to breakage upon collision by adopting flexible materials for the oar nearest the front (saizenbu no o-ru) used for a boat (such as an "eight" boat) rowed by several people. 例文帳に追加

本発明は数人で漕ぐボート(エイト等)の最前部のオールの素材に、柔軟性のある素材を採用することにより、衝突の際、もっとも破損しやすい最前部のオールを破損しにくくすることを特徴とする。 - 特許庁

According to the method of fabricating a capacitor for a semiconductor component, production of RuO_2 preliminarily processed film having the rutile crystal structure is effected by forming an Ru lower electrode on the semiconductor substrate followed by oxidizing the surface of the Ru lower electrode.例文帳に追加

本発明による半導体素子のキャパシタ製造方法によれば、半導体基板にＲｕ下部電極を形成した後、Ｒｕ下部電極の表面を酸化させてルチル結晶構造を持つＲｕＯ_２前処理膜を形成する。 - 特許庁

The diamond electrode structure achieves electrical junction by providing a diamond on which an electrode made of ruthenium (Ru) or ruthenium oxide (RuO_2) is provided.例文帳に追加

ダイヤモンド表面にルテニウム（Ru）もしくは酸化ルテニウム（RuO_2）からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。 - 特許庁

Its ferromagnetic characteristic is adjusted by adding other anti-ferromagnetic transition metals such as Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, or Ru, etc., adding a dopant, or adjusting the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

The catalyst is manufactured from an alloy fine particle obtained by pulverizing an Al alloy containing a quasi-crystal composed of Al, copper and a metal atom of at least one kind selected from Fe, Ru and Os and etching.例文帳に追加

アルミニウムと、銅および、Fe、Ru、Osから選ばれた少なくとも一種の金属原子からなる準結晶を含むAl合金を粉砕し、エッチングすることにより得られた合金微粒子から触媒を製造する。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Mn,Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

The lower base layer 14 is formed by depositing Ru or Ru alloy on a soft magnetic backing layer 12 in inert gas atmosphere including carbon oxygen.例文帳に追加

炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。 - 特許庁

By removing Ru contamination, that is generated when forming the Ru film used for a capacitor electrode or the like, cross contamination to other wafers can be restrained effectively.例文帳に追加

キャパシタ電極などに用いられるＲｕ膜を形成する際に生じるＲｕ汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

In the gas diffusion electrode containing a porous base material, a catalyst carried by the porous base material, and a hydrophobic material, the catalyst is constituted of one kind or more of metals and/or metal compounds selected from Sr, Ru, and Ir.例文帳に追加

多孔性基材、該多孔性基材に担持された触媒及び疎水性材料を含んで成るガス拡散電極において、前記触媒がSrと、Ru及びIrから選ばれる１種以上の金属及び／又は金属化合物から構成される。 - 特許庁

The Ru-Al intermetallic compound target is constituted of a sintered compact which is produced by the manufacturing method and composed of the Ru-Al intermetallic compound powder composed essentially of B2 superlattice.例文帳に追加

また、上記の製造方法で作製した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットである。 - 特許庁

Ru or RuO_2 is arranged as the interdigital electrode 4 which is a conductive layer connected electrically to on the piezoelectric substrate 2, and dry-etched by plasma containing Ru or RuO_2.例文帳に追加

圧電体基板２上に電気的に接続する導電層である櫛形電極４としてＲｕもしくはＲｕＯ_2を配し、前記ＲｕもしくはＲｕＯ_2を、酸素を含むプラズマでドライエッチングする。 - 特許庁

A stress relaxation layer 2 of a multilayered structure made by repetitively superposing layers comprising pairs of either Ru/Si or Ru/B_4C is provided between a substrate 1 of such a multilayer-film reflector and a multilayer film 3.例文帳に追加

このような多層膜反射鏡の基板１と多層膜３との間に、Ｒｕ／Ｓｉ、もしくはＲｕ／Ｂ_4Ｃ、のいずれかのペアによる層を繰り返して積層した多層構造の応力緩和層２が設けられている構成とする。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed by using the Ru group alloy added with ≥1 kind of the material selected from among the group consisting of C, Cu, W, Mo, Cr, Ir, Pt, Re, Rh, Ta, and V into Ru.例文帳に追加

中間層３は、Ｒｕ中にＣ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。 - 特許庁

The catalyst for producing hydrogen is composed of: carrier obtained by calcining a rare earth phosphate; and active metal consisting of one kind or a mixture of Ru, Rh, Pd, Ir and Pt as noble metal, and Ni and Co as base metal.例文帳に追加

希土類リン酸塩を焼成し担体とした貴金属であるRu、 Rh、Pd、Ir、Pt、あるいは非貴金属であるNi、Coの少なくとも１種類または混合物を活性金属としたことを特徴とする水素製造用触媒にある。 - 特許庁