「Ru by」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An optical detection device 100 includes an irradiation part EU which emits irradiation light LT; a light reception part RU which receives reflected light LR generated through reflection of the irradiation light LT by an object OB present in a detection area RDET; and a detection part 110 which detects position information on the object OB based upon a light reception result of the light reception part RU.例文帳に追加

光学式検出装置１００は、照射光ＬＴを出射する照射部ＥＵと、照射光ＬＴが検出エリアＲＤＥＴに存在する対象物ＯＢに反射されることによる反射光ＬＲを受光する受光部ＲＵと、受光部ＲＵの受光結果に基づいて対象物ＯＢの位置情報を検出する検出部１１０とを含む。 - 特許庁

The optical detector includes: an irradiation part EU emitting irradiation light LT; a light-receiving part RU receiving reflected light LR due to reflection of the irradiation light LT by an object OB existing in a detection area RDET; and a detection part 110 detecting position detection information on the object OB based on the light-receiving result of the light-receiving part RU.例文帳に追加

光学式検出装置は、照射光ＬＴを出射する照射部ＥＵと、検出エリアＲＤＥＴに存在する対象物ＯＢにより照射光ＬＴが反射することによる反射光ＬＲを受光する受光部ＲＵと、受光部ＲＵの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置検出情報を検出する検出部１１０とを含む。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

The mass flow rate sensor providing two heating resistors Ru, Rd in a sensor tube in which fluid flows and detecting a mass flow rate is provided with a bridge circuit including the two heating resistors Ru, Rd, and a comparator U1 keeping the sum of the temperatures of the two heating resistors constant by controlling current flowing in the bridge circuit.例文帳に追加

流体が流れるセンサチューブに２つの発熱抵抗体Ｒｕ、Ｒｄを設けて質量流量を検出する質量流量センサにおいて、前記２つの発熱抵抗体Ｒｕ、Ｒｄを含むブリッジ回路と、前記ブリッジ回路に流れる電流を制御して前記２つの発熱抵抗体の温度の和を一定に保つコンパレータＵ１とを具備する。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

An area designation part 31 designates an area on a personal image In designated by an operator as a designation area Ru containing the face and head hair to be corrected of a single person, a head hair color kind information acquisition part 33 acquires head hair color kind information Vh showing the kind of color of the head hair based on color information of the designation area Ru or the like.例文帳に追加

領域指定部３１が、操作者が指定した人物画像Ｉｎ上の領域を補正対象となる単一人物の顔と頭髪を含む指定領域Ｒuとして指定し、頭髪色種別情報取得部３３が、その頭髪の色の種別を表す頭髪色種別情報Ｖhを、指定領域Ｒuの色情報等に基づいて取得する。 - 特許庁

A CO selective oxidation catalyst and a methanation catalyst of CO are prepared by supporting at least either one of Ru, Pt and Rh on a film formed by the anodic oxidation of aluminum.例文帳に追加

アルミニウムを陽極酸化した皮膜上にＲｕ、Ｐｔ、Ｒｈの少なくともいずれかを担持することで、ＣＯ選択酸化触媒、ＣＯのメタン化触媒を調製する。 - 特許庁

By a CVD method using a raw material containing an organic ruthenium complex expressed by a general formula 1 and reducing gas, an Ru film is formed on a substrate on which a recess is formed (step S12).例文帳に追加

一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

By a CVD method using a raw material containing an organic copper complex expressed by a general formula 2 and reducing gas, a Cu film is formed on the Ru film, and copper wiring is formed at the recess (step S14).例文帳に追加

そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

In the transmission system provided with the plurality of stations, each station performs transmission by at least one channel which forms a plurality of uplink channels of N pieces to be transmitted by an uplink information bit rate Ru toward a destination station.例文帳に追加

複数の局を備える伝送システムでは、各局は、宛先局に向けてアップリンク情報ビットレートＲｕで伝送されるＮ個の複数のアップリンクチャネルを形成する少なくとも１つのチャネルで伝送する。 - 特許庁

Namely, both the partial films 43a, 43b are films of the same quality formed by a material such as Ru, but are formed in two steps by forming time-wise interruption in a filming process.例文帳に追加

つまり、両部分膜４３ａ，４３ｂは、ともにＲｕ等の材料で形成された同質の膜であるが、成膜工程に時間的中断を設けることによって２段階で形成されている。 - 特許庁

This soft magnetic thin film consists principally of Fe, Si, Ta, Ru, Ga, and N and is expressed by a composition formula FeaSibTacRudGaeNf (where (a), (b), (c), (d), (e), and (f) present the composition of the respective elements by atomic %.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｇａ、Ｎを主な構成元素とし、Ｆｅ_aＳｉ_bＴａ_cＲｕ_dＧａ_eＮ_f（ただし、式中ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは、各元素の組成を原子％で表す。）なる組成式で表される軟磁性薄膜が開示される。 - 特許庁

A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。 - 特許庁

This alloy for dental treatment use has a composition containing, by weight, 59 to 65% Au, 11 to 14% Cu, 23 to 26% Zn and at least one kind of element selected from Pt, B, Ru, Hf, Ti, Nb, V and Ta by 0.01 to 1.5%.例文帳に追加

歯科用合金を、Ａｕ：５９〜６５ｗｔ％、Ｃｕ：１１〜１４ｗｔ％、Ｚｎ：２３〜２６ｗｔ％、Ｐｔ，Ｂ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｖ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素：０.０１〜１.５ｗｔ％から成る組成とする。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

This alloy has a composition containing, by mass, 4.0 to 5.0% Al, 2.5 to 3.5% V, 1.5 to 2.5% Fe, 1.5 to 2.5% Mo, at least one kind selected from Pt, Pd and Ru by 0.05 to 0.30%, and the balance substantially titanium with inevitable impurities.例文帳に追加

Ａｌ：４．０〜５．０％、Ｖ：２．５〜３．５％、Ｆｅ：１．５〜２．５％、Ｍｏ：１．５〜２．５％、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕのうち少なくとも１種：０．０５〜０．３０％、（以上、質量％）残部：実質的にチタンおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

Examples for the transition metal which can become quadrivalent expressed by M above are: manganese (Mn), molybdenum (Mo), titanium (Ti), platinum (Pt), iridium (Ir) and ruthenium (Ru), etc.例文帳に追加

上記Ｍで示される４価となり得る遷移金属の例としては、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびルテニウム（Ｒｕ）等が挙げられる。 - 特許庁

The heteropolyacid anion in the heteropolyacid compound preferably has a composition represented by the formula: Si_1W_11Ru_1O_39 (Si, W, Ru and O are silicon, tungsten, ruthenium and oxygen, respectively).例文帳に追加

このヘテロポリ酸化合物におけるヘテロポリ酸アニオンとしては、Ｓｉ_1Ｗ_11Ｒｕ_1Ｏ_39（式中、Ｓｉ、Ｗ、ＲｕおよびＯは、それぞれケイ素、タングステン、ルテニウムおよび酸素を表す。）で示される組成を有するものが好ましい。 - 特許庁

To produce a crosslinked polymer molded object sufficiently high in the curing degree of a polymer from cycloolefins by using a stable metathesis polymn. catalyst like an Ru carbene catalyst.例文帳に追加

Ｒｕカルベン触媒のような安定なメタセシス重合触媒を用いてシクロオレフィン類から重合体の硬化度が十分に高い架橋重合体成形物を製造する方法の提供。 - 特許庁

The destination station performs the transmission by the downlink information bit rate Rd in at least one downlink channel so as to satisfy relational expression Rd=N×Ru.例文帳に追加

前記宛先局は、関係式Ｒｄ＝Ｎ×Ｒｕが満たされるように、少なくとも１つのダウンリンクチャネルにおいてダウンリンク情報ビットレートＲｄで伝送する。 - 特許庁

To form a high quality ruthenium film by reducing an incubation time and generating nuclei at a high density in formation of the Ru film on a dielectric film.例文帳に追加

Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。 - 特許庁

This catalyst for producing the hydrogen-based gas by using the alcohol other than methanol as the raw material contains Cu, Pd or Ag and Mo, W or Ru and Zn or ZnO if necessary.例文帳に追加

Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇと、Ｍｏ、ＷまたはＲｕと、必要によりＺｎまたはＺｎＯを含むことを特徴とするメタノール以外のアルコールを原料として水素を主成分とするガスを生成するためのアルコール改質用触媒。 - 特許庁

The dimethyl ether reforming catalyst is obtained by supporting one or more noble metals selected from among Pt, Ru, Pd, Rh and Ir on a powder consisting of two or more elements including at least Cu and Zn.例文帳に追加

少なくともＣｕとＺｎとを含む２種類以上の元素からなる粉末に、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒから選択される少なくとも一種以上の貴金属を担持させてなるジメチルエーテル改質触媒を提供する。 - 特許庁

The method for hydrogenating the carboxylic acid and/or the carboxylic acid ester comprises using the catalyst obtained by reducing a catalyst precursor composed of Ru and Ge supported on a carrier at 250-900°C.例文帳に追加

ＲｕおよびＧｅを担体に担持した触媒前駆体を、２５０〜９００℃の範囲で還元した触媒を用いることを特徴とするカルボン酸及び／又はカルボン酸エステルの水素化方法により解決される。 - 特許庁

Also, CLK signals are outputted from respective corresponding CLK signal output terminals to the bi-directional register units after bi-directional register units specified by the RU number specifying data.例文帳に追加

また、ＲＵ番号指定データによって指定される双方向レジスタユニット以降の双方向レジスタユニットに対し、ＣＬＫ信号をそれぞれの対応するＣＬＫ信号出力端子から出力する。 - 特許庁

This fuel reforming catalyst contains a heat resistant complex oxide expressed by chemical formula, A2BO4 containing Rh or Ru and at least one selected from the group of alkaline earth metal elements or elements of group IIIa.例文帳に追加

燃料改質触媒は、Ｒｈ又はＲｕと、アルカリ土類金属元素又は第IIIa族元素から成る群より選ばれる１種以上の元素とを含有する化学構造式Ａ_2ＢＯ_4 で表される耐熱性複合酸化物を含む。 - 特許庁

A resistor paste is produced by dispersing a resistor composition containing an Ru composite oxide and a glass composition into an organic vehicle wherein the resistor composition contains an alkaline metal oxide.例文帳に追加

Ｒｕ複合酸化物及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属酸化物を含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an intermetallic compound target having high transverse rupture strength and composed of an Ru-Al intermetallic compound of B2 superlattice, the target produced by the manufacturing method, and a magnetic recording medium.例文帳に追加

Ｂ２規則格子であるＲｕ−Ａｌ金属間化合物からなる高抗折力の金属間化合物ターゲットの製造方法、その製造方法によって作製されるターゲットと磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To three-dimensionally isomerize a prochiral allyl system into an enamine or an imine in high yield by using catalysts of Rh, Ir and Ru having a chiral and specific phosphine ligand in the presence of a solvent.例文帳に追加

変換およびエナンチオ選択の面で非固定化リガンドと同様の効果を有する固定化リガンドを用いて、プロキラルなアリルアミンを立体特異的に異性化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing the capacitor of a semiconductor element capable of improving the electric characteristics of a capacitor by improving surface roughness when forming an Ru film as a lower electrode.例文帳に追加

Ｒｕ膜を下部電極として形成するとき表面粗さを改善してキャパシタの電気的特性を向上させることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

This resistor paste contains a conductive material containing a Ru-based composite oxide and a TCR adjuster, and is prepared by mixing them with an organic vehicle.例文帳に追加

Ｒｕ系複合酸化物を含有する導電性材料及びＴＣＲ調整剤を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストである。 - 特許庁

Each electrode chip 90 is formed by using a W-Cr-X alloy as a material, wherein X is a combination of one or more kinds of Pd, Pt, Ir, Rh, Ru and Re.例文帳に追加

電極チップ９０は、Ｗ−Ｃｒ−Ｘ合金を材料として形成される（ただし、Ｘは、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅのうち一種または２種以上の組み合わせとする。）。 - 特許庁

A bed layer 6 formed by laminating a first bed layer 2 composed of ruthenium (Ru) and a second bed layer 4 composed of a soft magnetic layer in this order is formed on the anti-ferromagnetic pining layer 8-side surface of the magnetoresistive film 1x.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜１ｘの反強磁性ピニング層８側表面には、ルテニウム（Ｒｕ）からなる第１下地層２と、軟磁性層からなる第２下地層４とがこの順に積層された下地層６が形成されている。 - 特許庁

The solder alloy contains, by mass%, in total, ≤20% one or more elements selected from Ag, Cu, and In, and ≤1% Ru, and the balance Sn and inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎのうちから選ばれる１種以上の元素を合計で２０％以下、Ｒｕを１％以下含み、残部Ｓｎおよび不可避的不純物からなるはんだ合金である。 - 特許庁

To simultaneously absorb, adsorb, and remove HCl, SOx and radioactive Ru in exhaust gas by a reaction bed consisting of a single adsorbent constituted in a single reaction tower.例文帳に追加

単一の反応塔内に構成される単一の吸着吸収剤からなる反応床によって、排ガス中のＨＣｌ、ＳＯｘおよび放射性Ｒｕを同時に吸収、固定して、除去する。 - 特許庁

This catalyst for functional group selective reduction carries at least one kind of metallic element selected from the group consisting of Pt, Pd, Rh, Ru and Ag, carried by a synthetic adsorbent.例文帳に追加

合成吸着剤にＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、及びＡｇから選ばれる少なくとも１種の金属元素を担持したことを特徴とする官能基選択還元用触媒。 - 特許庁

In the manufacture of the element, the Pt layer is formed by an electroplating method, but at this time, a photoresist pattern is used as a plating mask and the Ru layer is formed as a seed layer.例文帳に追加

誘電体素子の製造においては、該Ｐｔ層を電気めっき法により形成するが、このとき、めっきマスクとしてホトレジストパターンを用い、かつＲｕ層をシード層として形成する。 - 特許庁

The conductive material contains an Ru based composite oxide having a basic composition represented by A_(1-x)Mg_(x)RuO_3 (A is an arbitrary element), where 0.0<x<1.0.例文帳に追加

導電性材料として、基本組成がＡ_(1-x)Ｍｇ_(x)ＲｕＯ_3（ただし、式中Ａは任意元素である。）で表され、０．０＜ｘ＜１．０であるＲｕ系複合酸化物を含有する。 - 特許庁

The reference layer has such a structure as more than one CoPt layer containing Pt by 20-50 atom% and having a film thickness of 1-5 nm is laminated with an Ru layer interposed therebetween.例文帳に追加

参照層は、２０原子％以上５０原子％以下のＰｔを含有し、１ｎｍ以上５ｎｍ以下の膜厚を有する、少なくとも２以上のＣｏＰｔ層が、Ｒｕ層を介して積層された構造を有するものとする。 - 特許庁

The apertures may be manufactured in carrier material such as silicon by an anisotropic etching process and topped with a reflective layer such as Mo metal, Ru metal, TiN or RuO.例文帳に追加

アパーチャは、異方性エッチングプロセスによってシリコンなどのキャリア材料において製造されてもよく、またＭｏ金属、Ｒｕ金属、ＴｉＮまたはＲｕＯなどの反射層によって頂部が覆われてもよい。 - 特許庁

A wire-wound resistance correction unit 117 updates the wire-wound resistances Ru, Rv, Rw in an arithmetic expression stored in each phase induced voltage calculation unit 111 to the value calculated by the wire resistance calculation unit 116.例文帳に追加

巻線抵抗値補正部１１７は、各相誘起電圧演算部１１１に記憶されている演算式中の巻線抵抗値Ｒu，Ｒv，Ｒwを、巻線抵抗演算部１１６で算出した値に更新する。 - 特許庁

The metal elements selected from a group consisting of Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt are incorporated at 0.01 to 500 ppm into an electrogalvanizing layers of steel plate surfaces, by which the uniformity of surface appearance is improved.例文帳に追加

鋼板表面の電気亜鉛っめっき層中に、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，ＩｒおよびＰｔからなる群より選ばれた金属元素を、０．０１〜５００ｐｐｍ含有させることにより表面外観の均一性を改善した。 - 特許庁

The Ru alloy target is expressed by compositional formula Ru_1-xA_x (wherein, A is at least one metal element selected from Ta, Ti and Hf; and x is 0.05 to 0.30).例文帳に追加

本発明のＲｕ合金ターゲットは、組成式Ｒｕ_１−ｘＡ_ｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, the magnetic recording layer 4 can be film-deposited in a stress free state and the magnetic recording medium 10 having high magnetic characteristics can be manufactured even by using a material other than Ru for the underlayer 3.例文帳に追加

これにより磁気記録層４をストレスフリーで成膜でき、下地層３にＲｕ以外の材料を用いても特性の高い磁気記録媒体１０を作製できる。 - 特許庁

The recording magnetic pole film 11 is formed by alternately stacking a film constituted of first and second magnetic layers 1 and 3 respectively made of Co50Fe50 and Co90Fe10 and stacked together, and a nonmagnetic layer 2 made of Ru.例文帳に追加

記録磁極膜１１は、Ｃｏ５０Ｆｅ５０からなる第１の磁性層１とＣｏ９０Ｆｅ１０からなる第２の磁性層３を積層した膜と、Ｒｕからなる非磁性層２とを交互に積層したものである。 - 特許庁