「SBd」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of obtaining Schottky characteristics good for an SBD.例文帳に追加

半導体装置がＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができるようにする。 - 特許庁

To reduce the forward voltage drop by reducing the leak current of an SBD, related to a semiconductor device where an MOSFET and the SBD are mounted on the same chip for parallel connection.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを同一チップ上に搭載し、並列接続した半導体装置において、ＳＢＤのリーク電流を小さくし、順方向電圧降下を低減する。 - 特許庁

This enables simultaneous performance of a part of the forming step of the SBD 20 and a forming step of the other parts, thereby eliminating the step required only for forming the SBD 20.例文帳に追加

これにより、ＳＢＤ２０の形成工程の一部を他の部分の形成工程と同時に行うことが可能となり、ＳＢＤ２０を形成するためだけにのみ必要な工程を少なくできる。 - 特許庁

An SBD 10 has a GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上にエピタキシャル成長されたＧａＮ層１３を備えている。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the die pad 17 via an anisotropic conductive film 21.例文帳に追加

ダイパッド１７上に異方性導電膜２１を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

SBD is formed between the source electrode 2 or the drain electrode 4 and the back electrode 28.例文帳に追加

ＳＢＤは、ソース電極２またはドレイン電極４と裏面電極２８との間に形成される。 - 特許庁

A sync detection circuit 17 outputs a synchronous information detective signal SBD when the circuit 21 detects sync.例文帳に追加

SYNC検出回路１７は、SYNCを検出すると、同期情報検出信号ＳＢＤを出力する。 - 特許庁

In reflux, the potentials of the control electrode and the SBD electrode are controlled not to flow the current into a parasitic diode of the MOSFET and to make the current flow into the SBD to improve the recovery characteristic.例文帳に追加

還流時には、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードに電流が流れないように制御電極とＳＢＤ電極の電位を制御して、ＳＢＤに電流が流れるようにし、リカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the conductive plate 17 via an anisotropic conductive film 22.例文帳に追加

導電プレート１７上に異方性導電膜２２を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

A cathode electrode 7 of the Si-SBD 2 is connected to a source electrode 11 of the HEMT 3.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳＢＤ２のカソード電極７はＨＥＭＴ３のソース電極１１に接続されている。 - 特許庁

To achieve the high withstand voltage of a vertical Schottky barrier diode (SBD) employing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた縦型ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の高耐圧化を実現できるようにする。 - 特許庁

A temperature T at that time is found from these temperature characteristics, and a voltage Vf provided from the SBD 12 is found.例文帳に追加

この温度特性からそのときの温度Ｔを求め、ＳＢＤ１２から得られる電圧Ｖｆを求める。 - 特許庁

Additionally, the SBD metal electrode 30 and a source electrode 24 are connected, being electrically shorted.例文帳に追加

また、ＳＢＤ金属電極３０とソース電極２４とが接続されており、電気的に短絡している。 - 特許庁

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。 - 特許庁

An anode electrode 6 of the Si-SBD 2 is connected to a gate electrode 13 of the HEMT 3.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳＢＤ２のアノード電極６はＨＥＭＴ３のゲート電極１３に接続されている。 - 特許庁

That is, the SJMOSFET 17 and the SBD 20 are formed in coexistence inside the same region.例文帳に追加

すなわち、ＳＪＭＯＳＦＥＴ１７およびＳＢＤ２０は、同じ領域内に混在して形成されている。 - 特許庁

When a disk is ejected, after pointer information for SBD recorded in a partition descriptor (PD) is backed up to a file for saving SBD pointer information/or data for saving, the pointer information is erased.例文帳に追加

ディスクを取り出す際、パーティション記述子（ＰＤ）に記録されているＳＢＤへのポインタ情報を、ＳＢＤポインタ情報退避用ファイル／又は退避用データにバックアップした上で、そのポインタ情報を消去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that reduces a leakage current Idss of SBD while improving forward voltage Vf characteristics by incorporating the SBD in a power transistor, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

パワートランジスタにＳＢＤを内蔵して順方向電圧Ｖｆ特性を改善しつつ、ＳＢＤにおいて漏れ電流Ｉｄｓｓを改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve an originally expected SN by driving a Schottky barrier diode (SBD) thermistor by an unsaturated low voltage.例文帳に追加

ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現する。 - 特許庁

The Schottky junction of the SBD 20 is formed between the plurality of base regions 4 of the SJMOSFET 17.例文帳に追加

ＳＢＤ２０のショットキー接合は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ１７の複数のベース領域４の間に形成されている。 - 特許庁

An SBD chip 3 is fixed on the die pad 2, and an MOSFET chip 14 is fixed on the die pad 12.例文帳に追加

ダイパッド２上にはＳＢＤチップ３が固着し、ダイパッド１２上にはＭＯＳＦＥＴチップ１４が固着している。 - 特許庁

The bypass circuit operates to speedily reduce excessive voltage on the milliwave detection element (SBD) 3 and the resistor R1 and to securely protect the milliwave detection element (SBD) 3 from destruction by excessive voltage or excessive current.例文帳に追加

バイパス回路がミリ波検波用素子（ＳＢＤ）３および抵抗Ｒ１にかかった過大な電圧を速やかに低減するように動作し、ミリ波検波用素子（ＳＢＤ）３を過大電圧または過大電流による破壊から確実に保護することができる。 - 特許庁

The voltage of the SBD is detected, and the SiC-FET of the SiC semiconductor device is turned ON when the voltage rises above a threshold between the ON start voltage value of the SBD and the ON start voltage value of the body diode present in the SiC semiconductor device, and turned OFF when the voltage of the SBD falls below a threshold which is smaller than the detection-time voltage and larger than 0V.例文帳に追加

ＳＢＤの電圧を検出して、ＳＢＤのＯＮ開始電圧値とＳｉＣ半導体装置に内在するボディダイオードのＯＮ開始電圧値との間のしきい値以上となったとき、ＳｉＣ半導体装置のＳｉＣ−ＦＥＴをＯＮし、検出時電圧より小さく０Ｖよりも大きいしきい値以下にＳＢＤの電圧が下がったときＳｉＣ−ＦＥＴをＯＦＦする。 - 特許庁

To prevent generation of forward recovery transient loss by using an SBD, in a circuit of which the voltage is at least 200 V.例文帳に追加

回路電圧が少なくとも２００Ｖ以上の回路にＳＢＤが使用でき、順回復過渡損失が発生しないようにする。 - 特許庁

To achieve simplification of a manufacturing process in a SiC semiconductor device in which a MOSFET and an SBD are formed on the same substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを同じ基板に形成したＳｉＣ半導体装置において製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

An SBD 10 has a GaN substrate 11, and a GaN layer 13 epitaxially grown on the GaN substrate 11.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１と、ＧａＮ基板１１の上にエピタキシャル成長されたＧａＮ層１３とを備えている。 - 特許庁

Using such a structure, this semiconductor can lessen JR by lowering the channel resistance of the SBD and besides and raising the breakdown strength at reverse bias.例文帳に追加

こうした構造によりＳＢＤのチャネル抵抗を低くし、且つ逆バイアス時の耐圧を高くしてＪ_Ｒを少なくし得る。 - 特許庁

To provide a silicon carbide wafer, can significantly enhance the reverse breakdown voltage, when it is applied to a Schottky barrier diode (SBD).例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に適用場合に、逆方向耐圧を大幅に向上させた炭化珪素ウェーハを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ（Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１７の寄生ダイオードと並列に、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）２０を備えている。 - 特許庁

The SBD 100 is formed using the semiconductor layer 12 and includes a metal electrode 33 and a low-concentration impurity layer 5.例文帳に追加

ＳＢＤ１００は半導体層１２に形成されており、金属電極３３及び低濃度不純物層５を備えている。 - 特許庁

In ON state of the MOSFET, the potentials of the control electrode and the SBD electrode are controlled to suppress the occurrence of avalanche breakdown.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン時には、アバランシェ破壊の発生を抑制するように、制御電極とＳＢＤ電極の電位を制御する。 - 特許庁

A recess for constituting a mesa structure 14 in an outer-peripheral region and a contact trench 21 for an SBD 20 are formed in the same step.例文帳に追加

外周領域のメサ構造部１４を構成するための凹部とＳＢＤ２０のコンタクト用トレンチ２１とを同じ工程で形成する。 - 特許庁

A high-resistance region 5 is established in the peripheral part of the SBD, enclosing the Schottky electrode 6 and the ohmic electrode 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極６とオーミック電極７とを囲むように高抵抗領域５が設けられている。 - 特許庁

The originally expected SN is achieved by driving the SBD thermistor at the unsaturated low voltage based on knowledge that the SN of the SBD thermistor is not increased by self-heating in a driving method using a conventional saturation area.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤサーミスタが、従来の飽和領域を使った駆動方法では自己発熱によりＳ／Ｎが高くならないという知見に基づき、ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現できるようにしたものである。 - 特許庁

When the voltage of the drain electrode 26 increases, the drain side of the MOSFET section 32 and the drain electrode 26 are electrically disconnected by the SBD metal electrode 30, because the voltage value of the SBD metal electrode 30 is lower than the voltage value of the drain side of the MOSFET section 32.例文帳に追加

ドレイン電極２６の電圧が上昇すると、ＳＢＤ金属電極３０の電圧値が、ＭＯＳＦＥＴ部３２のドレイン側の電圧値よりも低くなるため、ＳＢＤ金属電極３０によってＭＯＳＦＥＴ部３２のドレイン側とドレイン電極２６とが電気的に切断される。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

An SBD (Schottky Barrier Diode) 1 includes a SiC substrate 10 and an n-SiC layer 20 formed on one main surface 10A of the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that allows a MOSFET to stably operate and also prevents the breakdown voltage of an SBD region from decreasing.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴを安定して動作させるとともに、ＳＢＤ領域における耐圧の低下を防ぐことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An SBD metal electrode 30 provided between a drain electrode 26 and a gate electrode 28 is Schottky-joined to an AlGaN layer 20.例文帳に追加

ドレイン電極２６とゲート電極２８との間に設けられたＳＢＤ金属電極３０がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

Electrodes of the MOSFET chip 2 and the SBD chip 3 are electrically connected to leads 10-13 via metal fine wires 14-16 and 18.例文帳に追加

そして、ＭＯＳＦＥＴチップ２およびＳＢＤチップ３の各電極とリード１０〜１３とは、金属細線１４〜１６、１８を介して電気的に接続している。 - 特許庁

Electrodes of the MOSFET chip 2 or the SBD chip 3 are each electrically connected to leads 10-12 via metal fine wires 14-16.例文帳に追加

そして、ＭＯＳＦＥＴチップ２またはＳＢＤチップ３の各電極とリード１０〜１２とは、金属細線１４〜１６介して電気的に接続している。 - 特許庁

To reduce cost, a packaging area and wiring resistance in a semiconductor device where a MOSFET and an SBD are mounted on a same semiconductor chip.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを同一半導体チップ上に搭載した半導体装置において、コスト、実装面積、配線抵抗の減少を図る。 - 特許庁

In the SBD, the forward end face of a depletion layer (a) spreads into the columnar n-type silicon region 3 toward the central axis and pinches off efficiently.例文帳に追加

このＳＢＤにおいては、円柱形状のｎ型シリコン領域３内に空乏層ａの先端面が、中心軸に向かって拡がり、効率よくピンチオフする。 - 特許庁