「Schottky Diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a Schottky diode of high breakdown voltage which uses a nitride semiconductor without passing through a complicated process such as ion implantation.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。 - 特許庁

The structure of the device is simplified by forming the Schottky diode and then the device may be highly integrated to repeated stacking.例文帳に追加

ショットキーダイオードを形成することにより、素子の構造を単純化させて多数積層することができ、素子の高集積化を可能にする。 - 特許庁

A GaN-based Schottky diode 20 as a protective element is connected between the source and drain of a power FET 10 being a switching element.例文帳に追加

スイッチング素子としてのパワーＦＥＴ１０のソース・ドレイン間に、保護素子としてのＧａＮ系ショットキーダイオード２０が接続されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SCHOTTKY DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、ショットキーバリアダイオードの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法並びに半導体装置 - 特許庁

The cathode side of the LED 2, 3 and 4 and the minus terminal of the flash IC 5, 6 and 7 are commonly connected to the minus terminal of the Schottky diode 10.例文帳に追加

ＬＥＤ２，３，４のカソード側とフラッシュＩＣ５，６，７のマイナス端子とは、ショットキーダイオード１０のマイナス端子に共通接続する。 - 特許庁

A signal which synchronizes with a reference clock is sent from a high-frequency transmitter 10 and received by an antenna block 11 composed of a Schottky diode.例文帳に追加

高周波送信機１０から基準クロックに同期した信号を送信して、ショットキーダイオードによるアンテナブロック１１で受信する。 - 特許庁

For instance, in the case of a silicon carbide Schottky barrier diode, a p-type region 104 is provided on the side of an ohmic cathode electrode 103.例文帳に追加

例えば炭化シリコンショットキー障壁ダイオードの場合、オーミック電極たるカソード電極１０３側にｐ形領域１０４を設ける。 - 特許庁

An interval between the Schottky barrier diode and the smoothing capacitor is set to λg/22.5 to λg/14 wherein λg is a wavelength of a microwave to be received.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードと平滑用キャパシタとの間隔を、受信するマイクロ波の波長をλｇとして、λｇ／２２．５〜λｇ／１４とする。 - 特許庁

Since a current flows in the Schottky diode when a radiation is incident on the substrate 210, it is possible to detect the radiation.例文帳に追加

基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor element such as, a Schottky diode, MOSFET, etc., which is processed to suppress silicon nitride particulates and provide good characteristics.例文帳に追加

窒化珪素微粒子の発生を抑え，特性の良好なショットキーダイオードやＭＯＳＦＥＴ等の炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

Since a control circuit 9 keeps a transistor 4 in a blocking state while detecting abnormalities, a reflux current flows only in a Schottky barrier diode 5 to generate voltage drop by the Schottky barrier diode 5 when the transistor 4 becomes in the blocking state while a transistor 3 is in the blocking state.例文帳に追加

制御回路９は、異常を検出している間にはトランジスタ４を遮断状態に保持するので、トランジスタ３が遮断状態のときにトランジスタ４が遮断状態になると、還流電流がショットキーバリアダイオード５のみに流れ、ショットキーバリアダイオード５による電圧降下が発生する。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a forward current can be increased for inhibiting leakage current, and electrical characteristics per unit area can be varied, without changing the concentration of a semiconductor substrate and the metal of a metal electrode, and an integrated circuit that incorporates the Schottky barrier diode.例文帳に追加

順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

The magnetic RAM using the Schottky diode includes a stacked structure of word lines, a resistance variation pattern, and bit lines and is characterized by that a resistance variation element pattern and the semiconductor layer pattern or the semiconductor layer pattern and bit lines form the Schottky diode.例文帳に追加

ワードライン、抵抗変化素子パターン、半導体層パターン及びビットラインの積層構造を含み、抵抗変化素子パターンと半導体層パターン又は半導体層パターンとビットラインはショットキーダイオードを形成することを特徴とするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭである。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

An SBD (Schottky Barrier Diode) 1 includes a SiC substrate 10 and an n-SiC layer 20 formed on one main surface 10A of the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of obtaining effect of a rise in reverse breakdown voltage through relaxation of electric field concentration by a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode wherein a means for forming a depletion layer can be formed in a desired shape and at a desired position.例文帳に追加

空乏層を形成するため手段を所望の形状及び位置に形成することが可能な構造をしたショットキーダイオードを提供すること。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can easily manufacture a Schottky barrier diode with good current characteristics, small area, and desired characteristics.例文帳に追加

電流特性が良く、かつ小面積であり、所望の特性を有するショットキーバリアダイオードを容易に作製できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this on-vehicle communication equipment 1, a modulator circuit 30 consists of a Schottky diode 32, a capacitor 34 and an impedance change setting circuit 36.例文帳に追加

車載通信装置１において、変調回路３０は、ショットキーダイオード３２と、コンデンサ３４と、インピーダンス変化設定回路３６と、からなる。 - 特許庁

The switching circuit 10 includes the Schottky diode 8 equipped with an n-type Ga_2O_3 substrate 80 comprising β-Ga_2O_3 single crystal.例文帳に追加

スイッチング回路部１０は、β—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky barrier diode whose barrier height can be easily regulated and hardly changes even in an after soldering process.例文帳に追加

バリアハイトの調整が容易で、後工程のはんだ工程においてもバリアハイトが変化しにくいショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for an SiC Schottky diode having a guard ring for improving a forward surge breakdown voltage and its manufacturing method.例文帳に追加

ガードリングを有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える． - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constructed by connecting an SBD (Schottky barrier diode) and a ZD (constant voltage diode) for protection in parallel, and which has a large avalanche resistance and has a short Trr and a low Vf.例文帳に追加

ＳＢＤ（ショットキー・バリア・ダイオード）と保護用ＺＤ（定電圧ダイオード）を並列に接続したアバランシェ耐量の大きい半導体装置において、短いＴrr、低いＶfを有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a control circuit 24 is kept on standby, the Schottky diode 22 handles a reverse current that appears in a synchronous rectifier, so that intrinsic body diode effects of the vertical conduction MOSFET 21 are removed.例文帳に追加

制御回路２４の「待機」状態のときに同期型整流装置に見られる逆方向電流をショットキーダイオード２２が扱うので、垂直導通ＭＯＳＦＥＴ２１の固有ボデーダイオード効果を除去する。 - 特許庁

The barrier correction layer is so designed as to decrease or increase the invert leakage current of the Schottky diode structure depending on whether Ti or Pt is used to form a diode junction.例文帳に追加

また、このバリア修正層を、ダイオード接合を形成するのにＴｉを用いているかＰｔを用いているかに応じて、ショットキ・ダイオード構造の逆漏れ電流が減少又は増加するように設計する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a monolithically integrated device of an HEMT formed of a group III-V semiconductor on a silicon substrate and a Schottky diode formed on a silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成されたＨＥＭＴとシリコン面に形成されたショツトキーダイオードのモノリシック集積デバイスを開示する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which can be markedly lessened in reverse current, reduced in electrostatic capacity, and enhanced in high-frequency characteristic.例文帳に追加

逆方向電流を大幅に小さくすることができ、かつ静電容量も低減できる高周波特性に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that easily performs control in manufacturing, and can reduce a reverse recovery time Trr without increasing leakage in the opposite direction.例文帳に追加

製造上の制御が容易で、逆方向のリークを増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できるショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode in which many SiC advantages are not lost, and static operational loss is not significantly increased.例文帳に追加

ＳｉＣの多くの利点が失われず、静的な動作損失が膨大に増加することがないジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor is constituted of both a Schottky barrier diode element 10 made of a barrier film 1, an electrode film 2, and an n-type semiconductor substrate 3 and a seating part 4.例文帳に追加

半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。 - 特許庁

To provide an improved Schottky diode structure with no increased cost, which comprises a relatively low turn-on threshold and relatively low leakage current characteristics.例文帳に追加

比較的低いターンオン・スレショルドと比較的低い漏れ電流特性とを有する改良されたショットキ・ダイオード構造をコストを上昇させずに提供すること。 - 特許庁

A Schottky diode 10 as a semiconductor device includes a substrate 11 made of a semiconductor and an n-type layer 12 formed on the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。 - 特許庁

To fabricate a Schottky barrier diode in which a decrease in on current caused by parasitic resistance is suppressed, variations in on current are suppressed, and an increase in off current is suppressed.例文帳に追加

寄生抵抗によるオン電流の低下を抑え、かつ、オン電流のばらつきを抑え、さらに、オフ電流の上昇を抑えたショットキーバリアダイオードを作製する。 - 特許庁

A Schottky diode is formed of such a low-doped nitride semiconductor layer disposed atop a much more highly doped nitride semiconductor layer 106.例文帳に追加

この低ドープ窒化物半導体層を遙かに高くドープされた窒化物半導体層１０６の上に形成させることによって、ショットキーダイオードが形成される。 - 特許庁

The Schottky diode comprises a semiconductor thin-film part 11 formed directly on the heater 4 and made of SiC monocrystal, and a third electrode 12.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ヒータ４上に直接的に形成されたＳｉＣ単結晶からなる半導体薄膜部１１と、第３の電極１２から構成される。 - 特許庁

To provide a gallium nitride Schottky-barrier diode containing a gallium nitride semiconductor film being capable of controlling an electron concentration by a donor concentration and having a high resistivity.例文帳に追加

ドナー濃度により該電子濃度を制御可能な高比抵抗の窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系ショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁