「Schottky Diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The device includes a 1st channel 46 having a Schottky diode 62 in series connection with other components and receiving an input signal, a 2nd channel 48 that receives the input signal similarly to the above channel and has at least one Schottky diode 90, 92 connected in parallel and a coupler 52 that makes phases of signals received from the 1st and 2nd channels in-phase.例文帳に追加

この装置は、入力信号を受信し、かつ直列接続されるショットキーダイオード（６２）を含む第１のチャネル（４６）と、同じく入力信号を受信し、かつ並列接続される少なくとも１つのショットキーダイオード（９０、９２）を含む第２のチャネル（４８）と、第１および第２のチャネルから供給される信号を同位相にするためのカプラ（５２）とを含む。 - 特許庁

A synchronous back converter circuit comprises an N-channel MOSFET 20, used as a switching device and an N-channel MOSFET 21 and a Schottky diode 22, which are connected in series for synchronous rectification, where the MOSFETs 20 and 21 and the Schottky diode 22 are packaged together into the shape of a die in a common housing as shown in a block 23.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ２０をスイッチング装置として使用し、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ２１とショットキーダイオード２２を並列接続して同期整流に使用した同期型バックコンバータ回路で、ブロック２３に示すようにＭＯＳＦＥＴ２０、ＭＯＳＦＥＴ２１およびショットキーダイオード２２が共通のハウジングにダイの形で一緒にパッケージングされている。 - 特許庁

A circuit comprising series connection of a Schottky diode X31 and a Line 44 and a circuit comprising series connection of a Schottky diode X41 and a Line 34 are connected in series and inserted in parallel between a connecting point Ca between the Lines 32, 33 and a connecting point Cb between the Lines 42, 43 in a way that the polarity of the X31 is inverse to the polarity of the X41.例文帳に追加

Ｌｉｎｅ３２及び３３の接続点Ｃａと、Ｌｉｎｅ４２及び４３の接続点Ｃｂとの間に、ショットキーダイオードＸ３１及びＬｉｎｅ４４を直列に接続した回路と、ショットキーダイオードＸ４１及びＬｉｎｅ３４を直列に接続した回路とを、Ｘ３１及びＸ４１が互いに逆向きになるようにして並列に接続して挿入する。 - 特許庁

This SiC Schottky diode is equipped with a guard ring 4, and a second electrode layer 6 electrically connected to the guard ring 4 and formed of a material different from that of the Schottky electrode layer 5 so as to secure an ohmic contact with the guard ring 4, so that the forward surge breakdown voltage of the SiC Schottky diode is increased without deteriorating its rectifying performance and the reliability is improved.例文帳に追加

本発明によれば、ガードリング４を有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、ガードリング４に電気的接続をとる第２の電極層６としてショットキー電極層５とは別の材料を用いることによって、ガードリング４に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いＳｉＣショットキーダイオードを得ることができる。 - 特許庁

In this drive circuit of the brushless motor, the heat generation of the power element in which a transistor and a rectifying diode are arranged in one package at electric braking is suppressed by newly adding a Schottky diode in parallel with a three-phase upper-side power element.例文帳に追加

本発明は、ブラシレスモータの駆動回路において、３相の上側パワー素子と並列に新たにショットキーダイオードを追加することにより、電気ブレーキ時においてトランジスタと整流ダイオードが一つのパッケージに入ったパワー素子の発熱を低減する。 - 特許庁

The diode is also provided with: a Schottky electrode 13 which is selectively formed on the first nitride semiconductor layer 12, and whose part is brought into contact with the upper face of the second semiconductor layer; and an ohmic electrode 14 formed on the first nitride semiconductor layer 12 by leaving an interval with the Schottky electrode 13.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され且つ一部が第２の半導体層の上面と接するショットキー電極１３と、第１の窒化物半導体層１２の上にショットキー電極１３と間隔をおいて形成されたオーミック電極１４とを備えている。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes an epitaxial layer 4 in which a plurality of trenches 7 are formed by digging from a surface and mesas 8 are formed between the adjacent trenches 7, and a Schottky metal 11 formed in contact with the surface of the epitaxial layer 4 including an inner wall surface of the trenches 7.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 - 特許庁

In the device, the length Ls of the Schottky diode defined by the length of a portion existing on the n-type drift layer 2 of a Schottky electrode 11 is 20-60% of the length Lm of a MOSFET constituted of a p-type body region 3 and a depletion region 5, or of a p-type region and a trench region.例文帳に追加

ショットキー電極１１のｎ型ドリフト層２上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さＬｓが、ｐ型ボディ領域３とデプレッション領域５またはｐ型ボディ領域とトレンチ領域とからなるＭＯＳＦＥＴ部の長さＬｍの２０％〜６０％である。 - 特許庁

The Schottky diode is composed of a semiconductor substrate whose surface is a first crystal orientation plane, and a metallic part that is made of metallic atoms introduced through the surface of the semiconductor substrate to form a Schottky barrier on the second crystal orientation plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面が第一の結晶方位面の半導体基板と、前記半導体基板の表面から侵入した金属原子からなり、前記半導体基板の第二の結晶方位面でショットキー障壁を形成する金属部とを有することを特徴とするショットキーダイオードによって解決する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

The diode 1 has a junction section 8 comprising the oxide semiconductor 2 and the organic conductor 3 formed on the oxide semiconductor 2, and the junction section 8 has Schottky junction characteristics.例文帳に追加

ダイオード１は、酸化物半導体２と酸化物半導体２上に形成される有機導電体３とからなる接合部８を備え、接合部８がショットキー接合特性を有する。 - 特許庁

Wiring between the magnetic head and the schotty diode can be shortened by attaching the schottky diodes 41, 42 to a part of the arm 27 near to the magnetic head, so that an influence of noise can be suppressed.例文帳に追加

ショットキーダイオード４１、４２を磁気ヘッドに近いアーム２７の部分に取り付けることにより、磁気ヘッドとショットキーダイオードとの間の配線を短くでき、ノイズの影響を抑制できる。 - 特許庁

To reduce gross loss summing a loss at switching time and a normal loss by reducing device area in a semiconductor device in which a MOSFET and a Schottky diode are integrated.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードとを一体化した半導体素子において、素子面積の縮小化を図り、しかもスイッチング時の損失と定常損失とを合わせた総損失を低減する。 - 特許庁

To obtain a more correct measurement value by removing an error generated in photoelectric conversion when measuring a temperature change by detecting infrared rays by a thermal sensor using a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first and a second Schottky barrier diode D1 and D2, which are connected in parallel and are different types and have barrier metals of different areas.例文帳に追加

互いに並列に接続され、それぞれ異なる種類でかつ異なる面積のバリアメタルを有する第１および第２のショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

The detection circuit 1 comprises a slot line 2 receiving an RF signal S, DC cut lines 3-1 and 3-2 forming a capacitance, a resistor 5 and a Schottky barrier diode 6.例文帳に追加

検波回路１はＲＦ信号Ｓを入力するスロット線路２と容量を形成するＤＣカットライン３−１，３−２と抵抗５と整流用のショットキーバリアダイオード６とを備える。 - 特許庁

To improve adhesiveness to a semiconductor substrate without changing height of a barrier even in the case that a metal poor in adhesion with the semiconductor substrate is made as a barrier metal, in Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードにおいて、半導体基板との密着性の悪い金属をバリア金属とした場合にも、バリア高さを変えずに半導体基板との密着性を向上させる。 - 特許庁

The Schottky diode has an ideal factor (n value) of 1.0 to 1.3, and also has a current value during application of a reverse voltage of -5V, ≤50 times as large as a current value calculated with a TFE model.例文帳に追加

このショットキーダイオードは、理想因子（ｎ値）が１．０以上１．３以下で、且つ、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値がＴＦＥモデルで計算した電流値の５０倍以下である。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

In this DC power supply device 1A, a reverse leak current Ir generated by the temperature of the Schottky barrier diode (SBD) D51B thermally connected to a rectifying diode D51A is made to flow to the photocoupler PC1 in an output voltage detection circuit 10A.例文帳に追加

直流電源装置１Ａにおいて、整流ダイオードＤ５１Ａと熱的に結合されたショットキーバリアダイオード(ＳＢＤ)Ｄ５１Ｂの温度による逆方向漏れ電流Ｉｒを、出力電圧検出回路１０Ａ内のフォトカプラＰＣ１に流すようにする。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of reducing forward direction applied voltage by suppressing resistance of an operative region as small as possible, along with making high the withstand voltage in a reverse characteristic direction, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

動作領域の抵抗を小さく抑えることで順方向印加電圧を下げ、かつ、逆方向特性の耐圧を高くすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The Schottky-diode 20, the MOSFET 30, and the MOSFET 40 have a withstand voltage characteristic and a carrier travelling characteristic due to a lamination structure of a δ doped layer and the undoped layer, and are integrated on a common substrate.例文帳に追加

ショットキーダイオード２０やＭＯＳＦＥＴ３０，４０は、δドープ層とアンドープ層との積層構造により、耐圧特性とキャリア走行特性とを有し、かつ、共通の基板上に集積化されている。 - 特許庁

A gallium nitride support substrate 13 in a Schottky diode 11 has a first surface 13a and a second surface 13b on the opposite side, and indicates the carrier concentration of 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a semiconductor substrate 11 of a first conductivity type; a semiconductor layer 12 of the first conductivity type; a field effect transistor (MOS) 200; and a Schottky barrier diode (SBD) 100.例文帳に追加

半導体装置１は、第１導電型の半導体基板１１、第１導電型の半導体層１２、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ）２００、及びショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１００を備えている。 - 特許庁

In the Schottky diode 11 of the semiconductor element, a silicon-carbide supporting substrate 13 having a first surface 13a and a second surface 13b opposed to the layer 13a exhibits a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

In a Schottky diode 11, a gallium nitride support base 13 includes a first surface 13a and a second surface 13b opposite from the first surface and has a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

When the voltage level of the input signal is higher than that of the voltage sources, the Schottky diode conducts charge to prevent the charge from being conducted through the first and second parasitic bipolar transistors.例文帳に追加

入力信号の電圧レベルが、電圧源の電圧レベルよりも高いとき、ショットキー・ダイオードは、第１寄生バイポーラトランジスタ及び第２寄生バイポーラトランジスタを伝導させないように、電荷を伝導する。 - 特許庁

A second trench 6b of a source electrode portion (Schottky diode portion) is as thick as or thicker than a first trench 6a of a gate electrode portion, and the interval between the first and second trenches is equal to or less than 10 μm.例文帳に追加

ゲート電極部の第一トレンチ６aより、ソース電極部（ショットキーダイオード部）の第二トレンチ６bを同等以上の深さにすると共に、第一、第二トレンチ間の間隔を１０μｍ以下とする。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、抵抗変化素子Ｒ及びショットキーダイオードＳＢＤが直列に接続されたメモリ素子ＭＣを複数有する複数のメモリストリングＭＳを備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low forward voltage VF and a small backward leakage current IR and high element withstand voltage by improving both the forward voltage VF and backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向電圧ＶＦと逆方向漏れ電流ＩＲとの両方を改善し、順方向電圧が低くかつ逆方向漏れ電流の少く、素子耐圧の高いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a schottky diode which has a ferroelectric layer, reduces a leak current when a reverse bias voltage is applied, and reduces voltage drop when a forward bias voltage is applied.例文帳に追加

強誘電体層を有し、逆方向バイアス電圧印加時のリーク電流を低減させ、順方向バイアス電圧印加時の電圧降下を小さくすることができるショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To obtain a composite semiconductor device having low conduction loss and low recovery loss characteristics and suitable for a circuit technology of soft switching system inexpensively from a configuration including an SJ-MOSFET and a Schottky barrier diode connected in parallel with the built-in body diode of the SJ-MOSFET.例文帳に追加

ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴと、このＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの内蔵ボディダイオードと並列接続するショットキーバリアダイオードとを備える構成を、安価に、低導通損失と低リカバリー損失特性を有しソフトスイッチング方式の回路技術に適する複合半導体装置にすること。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

A barrier correction layer 20 between a surface anode and the cathode part which is inside an epitaxial layer is formed so as to lower or raise the threshold turn-on electric potential of a Schottky diode depending on whether a diode junction silicide is formed of Ti or Pt.例文帳に追加

表面アノードとエピタキシャル層の内部のカソード部との間にあるバリア修正層（２０）を、ダイオード接合シリサイドがＴｉを用いて形成されているかＰｔを用いて形成されているかに応じて、ショットキ・ダイオードのスレショルド・ターンオン電位を低下又は上昇させるように設計する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁

In the high-speed turn-off synchronous rectification circuit 10 the drain terminal of FETS2 for synchronous rectification as a reflux switch and the drain terminal of FETS3 for synchronous rectification are series-connected with each other, and a Schottky barrier diode D1 is parallel-connected with them.例文帳に追加

高速ターンオフ同期整流回路１０は、同期整流用ＦＥＴＳ２、同期整流用ＦＥＴＳ３を直列にドレイン端子Ｄ同士を接続しこれらと並列にショットキバリアダイオードＤ１が接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a high breakdown voltage and can be manufactured inexpensively without increasing the size of a chip, in which a MOSFET and a Schottky diode are packaged on one semiconductor substrate, in comparison with conventional ones.例文帳に追加

同一半導体基板に集積したＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードのチップサイズを従来のものより大きくすることなく、高耐圧でしかも安価に作製できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A Schottky-diode 20 and a pMOSFET 30 are provided on the first active area 12, and an nMOSFET 40, a capacitor 50 and an inductor 60 are provided on the second active area 13.例文帳に追加

第１の活性領域１２の上には、ショットキーダイオード２０と、ｐＭＯＳＦＥＴ３０が設けられ、第２の活性領域１３の上には、ｎＭＯＳＦＥＴ４０と、キャパシタ５０と、インダクタ６０とが設けられている。 - 特許庁

A Schottky diode 10 is provided with an n+ type single-crystal silicon carbide substrate 12 and an n-type epitaxial silicon carbide layer 14, while through-holes (micropipes) 16 exist in the substrate 12 and the epitaxial silicon carbide layer 14.例文帳に追加

ショットキーダイオード１０はｎ^＋型の単結晶炭化珪素基板１２とｎ^−型のエピタキシャル炭化珪素層１４とを有し、基板１２及びエピタキシャル炭化珪素層１４には貫通孔（マイクロパイプ）１６が存在する。 - 特許庁

ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE, SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF METAL-SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, OPTIMUM METHOD FOR FORMING ELECTRODE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE例文帳に追加

電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 - 特許庁