「Schottky Diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

A Schottky barrier diode constituting a majority carrier device is connected in parallel with a PN junction capable of being forward-biased so that a minority carrier may not be generated by the PN junction forward-biased, and thereby suppressing the parasitic effect.例文帳に追加

順方向バイアスされる可能性のあるＰＮ接合に並列に多数キャリアデバイスであるショットキーバリアダイオードを接続することで、ＰＮ接合が順バイアスされ少数キャリアが発生しないようにし、寄生効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a wide band gap semiconductor device which prevents breakdown of a gate insulating film on a bottom of a gate trench, provides long-term reliability, is easy to embed a Schottky diode, and has a high voltage-proof peripheral voltage withstanding structure.例文帳に追加

ゲートトレンチ底部のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、長期信頼性が高く、かつ、ショットキーダイオードを内蔵させることが容易であって、さらに、高耐圧な周辺耐圧構造を有するワイドバンドギャップ半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the Schottky barrier diode, a step (S10) of forming a first mask layer which covers part of a surface of the substrate and whose side shows a forward tapered shape with respect to the surface of the substrate on the GaN substrate is performed.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法では、ＧａＮ基板上に、当該基板の表面の一部を覆うと共に側面が基板の表面に対して順テーパ状になっている第１のマスク層を形成する工程（Ｓ１０）を実施する。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各ｐ型拡散層３の下部領域３ｂから伸びる空乏層によって各ｐ型拡散層３の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

An SO-8 type package comprises a control MOSFET die mounted on one lead frame section, and a synchronous rectifier die comprising a synchronous MOSFET die and a Schottky diode die mounted on a second lead frame pad section.例文帳に追加

ＳＯ−８型パッケージは、１つのリードフレームセクション上に実装された制御ＭＯＳＦＥＴダイ、および、第２のリードフレームパッドセクション上に実装された同期ＭＯＳＦＥＴダイとショットキーダイオードダイとからなる同期整流器ダイを備える。 - 特許庁

The Schottky diode 1 comprises a substrate 2, buffer layer 3 formed on the substrate 2, electron running layer 4 and electrode supply layer 5 which consist of a nitride-based compound semiconductor, anode electrode 6, and cathode electrode 7.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成された緩衝層３と、窒化物系化合物半導体から構成された電子走行層４及び電子供給層５と、アノード電極６と、カソード電極７と、を備えている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate including N-type drift layer 11, IGBT regions 1 acting as an IGBT element and diode regions 2 acting as a diode element are alternatingly and repeatedly laid out, and P-type Schottky contacts 24 drawing out holes from the N-type drift layer 11 are provided in the surface part of the N-type drift layer 11 located on the most IGBT region 1 side among the diode region 2.例文帳に追加

Ｎ−型ドリフト層１１を含む半導体基板にＩＧＢＴ素子として動作するＩＧＢＴ領域１とダイオード素子として動作するダイオード領域２とが交互に繰り返しレイアウトされており、ダイオード領域２のうちもっともＩＧＢＴ領域１側であって、Ｎ−型ドリフト層１１の表層部に、Ｎ−型ドリフト層１１からホールを引き抜くＰ型のショットキーコンタクト領域２４を設ける。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

As a result, an SBD(Schottky barrier diode) which is excellent in breakdown strength is formed by forming an extraction plug of a source/drain region of an MISFET and by forming a p-type semiconductor region 24 between the n-type well 4 and the tungsten film 25.例文帳に追加

これにより、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の引き出し用プラグを形成するとともに、ｎ型ウェル４とタングステン膜２５との間にｐ型半導体領域２４を形成し、耐圧に優れたＳＢＤ（ショットキバリアダイオード）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Metal step covering properties are given, thus covering the undercut of the base ohmic metal with an inclined edge polymer, and manufacturing the HBA device without additional processes required for creating a Schottky diode in a process used for forming HBT transistors.例文帳に追加

金属段差被覆性を与えるために、ベースオーミック金属のアンダーカットを傾斜縁重合体で被覆でき、HBTトランジスタを形成するのに用いられるプロセス工程内で、ショットキーダイオードを作るのに必要とされる追加のプロセス工程なしで作ることができる。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN self-supporting substrate 2 having a surface 2a, a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a, and an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。 - 特許庁

On the anode side of respective LED 2, 3 and 4 in the light emitting colors of red(R), green(G) and blue(B), the common terminal of respective flash ID 5, 6 and 7 to become switching elements are connected and these respective plus terminals are commonly connected to the plus terminal of a Schottky diode 10 of a rectifying element.例文帳に追加

赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の発光色をした各ＬＥＤ２，３，４のアノード側に、スイッチング素子となる各フラッシュＩＣ５，６，７のコモン端子を接続し、その各プラス端子を整流素子のショットキーダイオード１０のプラス端子に共通接続する。 - 特許庁

To manufacture a Schottky diode 15, wherein a leakage current is hard to flow from a semiconductor substrate 5 in which a heavily doped layer 2 and a lightly doped layer 4 are laminated and defects 6a and 6b are present in the lightly doped layer 4.例文帳に追加

不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。 - 特許庁

In the on-vehicle communication equipment 1, a control circuit 72 inputs voltage for a reverse bias as a modulation signal to the Schottky diode 32 and power consumption needed when a down signal 114 is modulated is reduced.例文帳に追加

この車載通信装置１では、制御回路７２からショットキーダイオード３２に対しては変調信号として逆バイアスの電圧が入力されるよう構成されており、下り信号１１４の変調時に要する電力消費が低減されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

オンチップ形態の静電放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第２導電型領域と接触する第１導電型領域を持つ第１接合ダイオードと、前記第１導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第１ショットキーダイオードとを有する。 - 特許庁

A barrier metal 12 building a Schottky junction 26 is formed on the n^--layer 21 between the p guard rings 22 and a reverse connection diode 20 made of a p poly-silicon layer 27 and an n poly-silicon layer 28 is formed between the p guard ring 22 and the p^+-layer 24 via an oxide film 13.例文帳に追加

ｐガードリング２２で挟まれたｎ^- 層２１上にショットキー接合２６を形成するバリアメタル１２を形成し、ｐガードリング２２とｐ^+ 層２４の間に酸化膜１３を介してｐポリシリコン層２７とｎポリシリコン層２８からなる逆接ダイオード２０を形成する。 - 特許庁

Preferably, when the Schottky diode is formed, a current value under application of -5 V reverse voltage is not more than 50 times as the theoretical current value calculated as a sum of the calculated values by a thermal-field emission model and by a thermoelectronic emission model.例文帳に追加

好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a Schottky barrier diode and a power MOS transistor are formed on the same substrate and which suppresses locally concentrated generation of heat, has high pressure resistance and low on-resistance, and can be easily manufactured; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳとが同一基板上に形成されたものであって，熱が局所的に集中して発生することを抑制し，高耐圧かつ低オン抵抗であり，製造が容易な半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, a plurality of gate fingers 6b are extensively allocated to hold the forming region SDR toward the forming region SDR of the Schottky barrier diode D1 at the center from the gate finger 6a at the area near both longer sides at the main surface of the semiconductor chip 5b.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

The discharging PTC element 3 and the charging PTC element 5 are connected to the secondary battery 2 in series, and a Schottky barrier diode 6, that sets the flow direction of the discharge current to the forward direction, is connected to the discharging PTC element 5 in parallel.例文帳に追加

放電用ＰＴＣ素子３および充電用ＰＴＣ素子５は、二次電池２に対して直列に接続されており、充電用ＰＴＣ素子５には、放電電流の流れる方向を順方向とするショットキーバリアダイオード６が並列に接続されている。 - 特許庁

A plurality of gate fingers 6b are extendingly disposed so as to interpose the Schottky barrier diode D1 forming region SDR therebetween, from gate fingers 6a located close to both long sides of the principal surface of the semiconductor chip 5b toward the forming region SDR at the center.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

In another embodiment (40), a trench structure (45) is formed on the Schottky diode semiconductor material (44) to reduce reverse leakage current, and includes a number of parallel, equally spaced trenches (46) with mesa regions (49) between adjacent trenches (46).例文帳に追加

別の実施形態（４０）では、トレンチ構造（４５）が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料（４４）上に形成され、隣接するトレンチ（４６）の間にメサ領域（４９）を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ（４６）を有する。 - 特許庁

A vertical type Schottky diode 1 has a cathode electrode 10 and an anode electrode 60 formed respectively on the front and rear surfaces of a semiconductor substrate 8, wherein both a structure of low resistance between anode and cathode and a structure of high resistance between the anode and cathode are formed.例文帳に追加

半導体基板８の表裏両面にカソード電極１０とアノード電極６０が分かれて形成されている縦型のショットキーダイオード１であり、アノード・カソード間抵抗が低い構造とアノード・カソード間抵抗が高い構造の両者が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.例文帳に追加

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

In the active portion 21 and a voltage withstanding structure portion 22 of a TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diode, an end portion trench 7 surrounding active portion trenches 12 is provided, and an active end portion 19 being an outer circumferential side end portion of an anode electrode 3 is in contact with conductive polysilicon 13 provided inside the end portion trench 7.例文帳に追加

ＴＭＢＳダイオードの活性部２１と耐圧構造部２２において、活性部トレンチ１２を取り囲むように端部トレンチ７が設けられ、アノード電極３の外周側の端部である活性端部１９は、端部トレンチ７の内部に設けられた導電性のポリシリコン１３と接している。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

A Schottky diode 1 includes a substrate 2, a channel layer 3 composed of a nitride system chemical compound semiconductor formed on the substrate 2, an anode electrode 4 and a cathode electrode 5 forming the end of a current path of the semiconductor device, and a dummy electrode 11 electrically connected to the substrate 2.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成され窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層３と、半導体素子の電流路の端部を構成するアノード電極４及びカソード電極５と、基板２と電気的に接続されたダミー電極１１と、を備えている。 - 特許庁

Thus, in the vertical semiconductor device such as a Schottky diode or a MOSFET which is formed by use of an epitaxial growing layer on the SiC substrate 10, the leakage failure disappears as caused by coincidence of the direction of the dislocation column DSL with the direction of the step STP.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ基板１０上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどの縦型半導体装置において、転位列ＤＳＬの方向と、ステップＳＴＰの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 - 特許庁

To provide an overheat protection method when an overheat detection circuit is not arranged at the secondary side of a transformer T, and to achieve cost reduction by reducing the number of photocouplers, in an overheat protection circuit of a power supply device that performs overheat protection by using a Schottky barrier diode (SBD) without using an exclusive temperature transducer.例文帳に追加

専用の感温素子を用いずにショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を用いて過熱保護を行う電源装置の過熱保護回路において、トランスＴの２次側に過電圧検出回路がない場合の過熱保護方法を提供すると共に、フォトカプラの個数を削減しコストダウンを図る。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

This Schottky barrier diode is prepared by forming a polysilicon film 6 on the surface with a 2.0 to 3 μm thickness epitaxial layer 2 formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 1, and evaporating and diffusing a second conductivity-type impurity from the film 6 to form a 0.2 to 0.5 μm thickness annular guard ring layer 4.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成した厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリシリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５μｍのガードリング層４を環状に形成する。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The self-support substrate comprises a GaN-based semiconductor and is characterized by that, when a Schottky diode is formed by directly using Ni as a metal electrode on the surface of the self-support substrate, the ideality factor n-value in the current-voltage characteristics is 1 or more and 1.3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

The Schottky diode is provided with: a first nitride semiconductor layer 12 formed on a substrate 11; and second nitride semiconductor layers 15 which are selectively formed on the first nitride semiconductor layer 12 and have conduction types different from the first nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１２と、第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層１２とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層１５とを備えている。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

The phase-change memory element includes a word line extended in one direction on a substrate, a first semiconductor pattern disposed on the word line, a node electrode disposed on the first semiconductor pattern, a Schottky diode formed between the first semiconductor pattern and the node electrode, and a phase-change resistor disposed on the node electrode.例文帳に追加

基板上に一方向に延伸しているワードラインと、ワードライン上に位置する第１半導体パターンと、第１半導体パターン上に位置するノード電極と、第１半導体パターンとノード電極との間に形成されたショットキーダイオードと、ノード電極上に位置する相変化抵抗体と、を備える半導体メモリ素子。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of forming nickel silicide which can reduce the number of processes for forming nickel silicide capable of being used for various purposes in the semiconductor and advanced packaging technology such as formation of gate electrodes, ohmic contacts, interconnection lines, Schottky barrier diode contacts, photovoltaics, solar cells and optoelectronic components.例文帳に追加

半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。 - 特許庁