「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering method and an apparatus by which a desired film thickness distribution can be obtained at a high precision.例文帳に追加

高精度に所望の膜厚分布を得ることができるスパッタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, IN-LINE FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a high strength sputtering target of indium oxide-zinc oxide-based sintered compact and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target which contains uniformly dispersed boron, cobalt and chromium.例文帳に追加

均一に分散されたホウ素、コバルト及びクロムを含むスパッタリングターゲットを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

An aluminum alloy or a nickel alloy is preferably used as the material for sputtering method.例文帳に追加

前記スパッタリング法の材料として、アルミ基合金またはニッケル基合金を使用することが望ましい。 - 特許庁

INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁

To obtain a fluoride thin film having stoichiometeric composition and free from fluorine defect by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。 - 特許庁

Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method.例文帳に追加

次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁

SINTERED COMPACT FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME例文帳に追加

強誘電体薄膜形成用の焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁

SPUTTERING TARGET, HIGH REFRACTIVE INDEX FILM, ITS PRODUCTION METHOD, AND ANTIREFLECTION FILM AND DISPLAY UNIT USING THE SAME例文帳に追加

スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

Further, an SiO_2 film covering the ferroelectric capacitor from the upper side of the alumina film 23 is formed through sputtering method.例文帳に追加

更に、強誘電体キャパシタをアルミナ膜２３の上から覆うＳｉＯ_2膜をスパッタ法により形成する。 - 特許庁

TARGET FOR SPUTTERING AND THIN DIELECTRIC OPTICAL FILM FORMED BY USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成した誘電体光学薄膜並びにその製造方法 - 特許庁

Then, a Pt layer 1 is formed as an oxidation prevention layer by the sputtering method on the Cr layer 2.例文帳に追加

次に、このＣｒ層２の上に酸化防止層としてＰｔ層１をスパッタリング法により形成した。 - 特許庁

To provide a multilayer film formed by a sputtering method, the multilayer film mirror having a small decrease in reflection factor.例文帳に追加

スパッタ法で形成した多層膜ミラーであって、反射率の低下が小さい多層膜ミラーを提供する。 - 特許庁

SPUTTER SOURCE, SPUTTER FILM FORMING APPARATUS, SPUTTERING METHOD, OPTICAL MULTI-LAYER FILM, OPTICAL MEMBER PROJECTION EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

スパッタ源、スパッタ成膜装置、スパッタ成膜方法、光学多層膜、光学部材及び投影露光装置 - 特許庁

The amorphous metal 3 may be deposited on at least one of the first joined member 2 and the second joined member 4 by using one of a sputtering method, a deposition method, a plating method, a printing method, a thermal spray method and an injection method.例文帳に追加

アモルファス金属３を、スパッタ、蒸着、鍍金、プリンティング、溶射、及び噴射の何れかの方法で第１の被接合部材２及び第２の被接合部材４の少なくとも一方に堆積してもよい。 - 特許庁

The sputtering method includes the steps of: arranging a gettering material 1X on a sputter surface of the sputter target; causing the gettering material 1X to be released in the early phase of the sputtering to increase the degree of vacuum; and then executing the sputtering of an object to be sputtered so as to achieve the film formation on the substrate with sputter particles.例文帳に追加

スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a method for sputtering a material from a target onto a substrate via the sputtering apparatus, which achieve high target utilization and more even distribution of the region of the target utilized for deposition on the substrate.例文帳に追加

スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法に関し、ターゲットの利用性を高くし、基板上へのデポジットに利用される領域のより均一な分布を実現することを目的とする。 - 特許庁

When a first Al alloy wire 2 is formed by a two-step sputtering method, a lower Al alloy film 23 is formed by first-step sputtering, and subsequently a W film 24 is formed directly on the surface of the film 23 by sputtering.例文帳に追加

１ｓｔＡｌ合金配線２を２ステップスパッタ法により形成する際、１ｓｔステップスパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３を成膜し、続いて、スパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３の表面上に、直接、Ｗ膜２４を成膜する。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

A method of manufacturing the planar antenna includes the steps of: depositing a first conductor film 7 with a predetermined thickness on at least a substrate 1 by a sputtering method; further depositing an intermediate film 8 with a predetermined thickness on the predetermined conductor film 7 by the sputtering method; and further depositing a second conductor film 9 with a predetermined thickness on the intermediate film 8 by the sputtering method.例文帳に追加

少なくとも基板１上に所定の膜厚で第１の導体膜７をスパッタ法により形成するステップと、前記所定の導体膜７上に更に所定の膜厚で中間膜８をスパッタ法により形成するステップと、前記中間膜８上に更に所定の膜厚で第２の導体膜９をスパッタ法により形成するステップとを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electroluminescent device in which an electrode layer is formed without applying a vapor deposition method or a sputtering method to an organic layer.例文帳に追加

有機層に対して蒸着法やスパッタ法を施すことなく電極層を形成するようにしたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

When all the layers are formed using a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor phase growth method, a solid lithium ion secondary battery can be obtained.例文帳に追加

全ての層をスパッタ法、蒸着法、または化学気相成長法を用いて形成すれば、固体リチウムイオン二次電池も実現することができる。 - 特許庁

To provide an inexpensive cylindrical sputtering target and a method of manufacturing the same, the target and the method causing no cracks nor peeling in target material even when used in sputtering using a large power and capable of being applied for targets composed of various materials unlike thermal spray method or HIP method.例文帳に追加

大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a thick Ti film 5 is formed on all the surface through a sputtering method to serve as a contact layer, and a TiN film 6 is formed on all the surface through a reactive sputtering method where a mixed gas of nitrogen and argon is used (b).例文帳に追加

つぎに、スパッタ法により全面にコンタクト層となる厚さＴｉ膜５を形成し、窒素とアルゴンの混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、全面にバリア膜となるＴｉＮ膜６を形成する（ｂ）。 - 特許庁

A lead wiring 120 is deposited in two steps through sputtering by a parallel planar method for deposition with beams from the direction vertical to a substrate and sputtering by a planetary method for deposition with beams diagonal to the substrate.例文帳に追加

引出し配線１２０を、基板と垂直の方向からのビームで堆積する平行平板方式のスパッタリングと、基板と斜め方向からのビームで堆積するプラネタリー方式のスパッタリングとの２段階で堆積する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition method in which film deposition can be performed at a speed higher than heretofore and a transparent thin film can be obtained without a batch treatment process, and an antireflection film which is obtained by the sputtering film deposition method.例文帳に追加

従来よりも高速で成膜でき、かつバッチ処理プロセスなしで透明薄膜を得ることができるスパッタ成膜方法を提供し、該スパッタ成膜方法により得られる反射防止膜を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a sputtering method in which a film of a multi-layer structure with films of different material alternately laminated on each other is deposited on a work to be film-deposited with a uniform film thickness distribution.例文帳に追加

異なる材質の膜が交互に積層されたマルチレイヤー構造の膜を、一様な膜厚分布にて被成膜体に形成するスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables to perform a stable sputtering operation and to make a film of SiO_2 having excellent optical characteristics, a method for manufacturing it, and a raw material for a target material.例文帳に追加

安定したスパッタ運転を可能にし、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜を製膜可能にするスパッタリングターゲット、その製造方法、ターゲット材原料を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and method capable of assuring the uniformity of a film thickness from the start of using a target till the end thereof with a simple configuration and a program for controlling sputtering.例文帳に追加

簡易な構成で、ターゲットの使用開始から終了までの膜厚の均一性を確保することができるスパッタリング装置及び方法並びにスパッタリング制御用プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which is made of a zinc sulfide-silicon dioxide sintered compact and can perform high-speed sputtering, and its manufacturing method.例文帳に追加

高速でスパッタリングすることが可能な硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide sputtering equipment and a method of thin film formation, practically unaffected by the timewise fluctuation of sputtering conditions and capable of unifomizing the thickness of thin film with higher accuracy.例文帳に追加

スパッタリング条件の時間的変動による影響を受けにくく、薄膜の膜厚をより高精度に均一化させることができるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate.例文帳に追加

本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target includes a step of thermally spraying a powder mixture of CuGa alloy powder with Cu powder on a metallic substrate to form a sputtering target.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a reverse sputtering method and a film deposition apparatus capable of consistently performing the reverse sputtering in a substrate stage to incline, turn, cool or heat the substrate.例文帳に追加

基板を傾斜、回転、冷却また加熱などすることのできる基板ステージにおいて、安定して逆スパッタリング処理を行うことができる逆スパッタリング方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

The transparent electrically conductive thin film having the high surface smoothness and the low specific resistance can be obtained by a sputtering method using the obtained oxide sintered compact as the sputtering target.例文帳に追加

得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いて、スパッタリング法を行うことで、表面が平滑で、かつ、比抵抗の小さい透明導電性薄膜を得ることができる。 - 特許庁

In the alignment layer forming method for forming an alignment layer on a substrate 9, sputtering is performed so that sputtering particles discharged from a target 5 are obliquely made incident in the substrate 9 from one direction.例文帳に追加

基板９上に配向膜を形成する方法であって、ターゲット５から放出されるスパッタ粒子が一方向から斜めに基板９に入射するようにスパッタリングを実施する。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus capable of rapidly depositing a high quality silicon thin film having a low oxygen content by using a powder target.例文帳に追加

粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electrode 2a and the electrode 4 are formed by a sputtering method of sputtering a transparent conductive layer such as FTO (tin oxide doped with fluorine) respectively on substrates 1 and 5.例文帳に追加

電極２ａおよび電極４として、それぞれ、基板１および５の上にＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ）などの透明導電層をスパッタリング法などによって形成する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a precious metal magnetic sputtering target comprising multiphase Co-Cr-B-Pt and having enhanced sputtering target characteristics from manufacturing and applications standpoints.例文帳に追加

製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thin film deposition is performed by a sputtering method, and fluorine in the film is doped by introducing fluorine compound gas such as ethylene fluoride into a vacuum film deposition system while thin film deposition is carried out by sputtering.例文帳に追加

薄膜はスパッタリング法で被覆され、膜のなかのフッ素はスパッタリングで薄膜を被覆する際に、フッ化エチレンなどのフッ素化合物ガスを真空成膜装置に導入してドープする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment wherein sufficient hole coverage is ensured while shortening the whole sputtering processing time by shortening Al sputtering processing time.例文帳に追加

Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁