「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

In the optical recording medium, a recording layer (2) is formed by a solution coating method using a coating solution containing at least one selected from a metal chelate dye, a polymethine dye, a squarylium dye and an azaannulene dye on a substrate (1) with a guide groove to which reverse sputtering treatment is applied by using an inert gas such as a He gas under reduced pressure.例文帳に追加

予め減圧下でＨｅガス等の不活性ガスにより逆スパッタ処理が施された案内溝付基板(1)上に、金属キレート色素、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、アザアヌレン色素から選ばれる少なくとも一種を含有する塗工液を用いて溶液塗布法により記録層(2)が形成された構成の光記録媒体とする。 - 特許庁

The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加

本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁

The method for manufacturing the high-purity nickel target for magnetron sputtering with superior film thickness uniformity comprises steps of hot-forging the high-purity nickel, then cold-rolling it at a rolling reduction of 30% or higher, and further heat-treating it at 250°C or a higher temperature; and repeating the above cold-rolling and heat treatment at least twice.例文帳に追加

高純度ニッケルを熱間鍛造した後、３０％以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに２５０°Ｃ以上の温度で熱処理する工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法。 - 特許庁

A manufacturing method of a sputtering target comprises a pressure bonding process of pressure bonding powder 2 consisting of a forming material of a transparent oxide conductor to at least one side of a plate body 21 formed of a conductor by performing the rolling between rolling rollers 4A, 4B, and a sintering process of sintering the powder 2 pressure bonded to the plate body.例文帳に追加

圧延ローラ４Ａ，４Ｂ間において圧延処理することによって導電体からなる板状体２１の少なくとも一方の面に透明酸化物導電体の形成材料からなる粉末２を圧着させる圧着工程と、上記板状体に圧着された上記粉末２を焼結させる焼結工程とを有する。 - 特許庁

To provide a reactive-gas introduction device for reactive sputtering, which can uniformly supply a reactive gas across the width of a base material in order to continuously form a transparent electroconductive film on a long base material, which is homogeneous lengthwise as well as widthwise on the base material, with the reactive sputter method.例文帳に追加

長尺基材上に反応性スパッタ法にて基材長手方向に加えて基材幅方向にも均質な透明導電性膜を連続的に製膜するため、上記反応性スパッタにおける反応性ガス導入装置として、基材幅方向に均等に反応性ガスを供給できるような反応性ガス導入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material.例文帳に追加

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a resilient roller capable of finishing the surface into a smooth and flat cylindrical shape with a high accuracy, eliminating dispersion of the electric resistance value by making uniform the thickness of a coating film layer, preventing the coating material from sputtering to outside, decreasing the loss of material, and reducing the cost required to maintain the environment.例文帳に追加

弾性ローラを製造するにあたって、表面を緻密かつ平滑な円筒形に高精度で仕上げることができるとともに、塗膜層の厚さを均一にして、電気抵抗値のばらつきをなくし、さらに、塗料の外部への飛散を防止し、材料ロスを減少し、併せて環境維持に要する費用を低減できるようにする。 - 特許庁

The higher performance of the logic circuits and their higher integration are achieved by forming cobalt-siliciding films 11 on the source/drain regions 7a and 7b for the transistors in logic-circuit regions in regions not coated with the USGs and the upper sections of the gate electrodes 4 by depositing cobalt on the whole surface of a wafer by a sputtering method and conducting a thermal treatment such as a lump annealing.例文帳に追加

コバルトをスパッタ法によりウエハ全面に成膜してランプアニール等の熱処理を行うことにより、ＵＳＧに覆われていない領域のロジック回路領域のトランジスタのソース／ドレイン領域７ａ、７ｂとゲート電極４上にコバルトシリサイド膜１１を形成することにより、ロジック回路の高性能化及び高集積化が可能となる。 - 特許庁

In this method for manufacturing a tungsten-containing diamond-like carbon coating on the base material of the contact probe pin for the semiconductor inspection device, the tungsten-containing diamond-like carbon coating is formed on the base material by performing sputtering in mixed gas of hydrocarbon gas and argon gas by using a tungsten carbide target.例文帳に追加

半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

In the optical recording medium 101 having at least dielectric layers 13 and 15 and a recording layer 14 on a base material 11, the dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are composed of materials which can be formed by a DC sputtering method using a DC power source or a pulse DC power source.例文帳に追加

基材１１上に少なくとも誘電体層１３、１５と記録層１４とを有する光記録媒体１０１であって、誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣ電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により形成できる材料からなる光記録媒体１０１により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide inkjet ink for forming a transparent conductive tin oxide film suitable for inkjet process in which it is possible to form a pattern of a transparent conductive tin oxide film by a method that is less costly and timesaving without using expensive vacuum devices such as sputtering and requiring neither complicated process such as photolithography nor plates for screen printing.例文帳に追加

スパッタ等の高価な真空装置を用いることなく、さらにフォトリソグラフィー法のような煩雑な工程や、スクリーン印刷用の版を要せずに、より安価で手間のかからない方法で透明導電性酸化すず膜のパターンを形成できる、インクジェット法に適した、透明導電性酸化すず膜形成用インクジェットインクを提供する。 - 特許庁

The silver coated Bi2223 superconductive particle powder is obtained by coating silver powder of nano order on the particle surface of Bi2223 superconductive particle powder or by coating a silver thin film on the Bi2223 superconductive particle powder by a sputtering or CVD method; and the superconductive cable can be manufactured by using the silver coated Bi2223 superconductive particle powder.例文帳に追加

銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末は、ナノオーダーの銀粒子をＢｉ２２２３超伝導粒子粉末の粒子表面に被覆、あるいは、スパッタやＣＶＤ法によってＢｉ２２２３超伝導粒子粉末に銀薄膜を被覆することによって得られ、前記銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末を用いて超伝導ケーブルを作製することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which does not generate a camber caused by solidification shrinkage of a bonding material, has a superior relaxing and absorbing property for thermal stress during being sputtered, can be applied to a large-scale divided target material, and can uniformly join the approximately whole surface of a target material with a back plate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ボンディング材の凝固収縮に起因するターゲット材の反りが発生せず、スパッタリング中における熱応力の緩和吸収性も良好で、しかも、大型分割ターゲット材にも適用可能な、ターゲット材の略全面にわたって均一にターゲット材とバッキングプレートとを接合することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which it is made hard to form a void in the Al electrode film above the insulating film step, even when an Al electrode film covering the semiconductor substrate having a step of an insulating film is more than twice as thick as the step, and to provide a sputtering apparatus for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うＡｌ電極膜の厚さが、前記段差の２倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でＡｌ電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

When the gas barrier laminated material is manufactured by forming a silicon oxynitride gas barrier layer on one side or both sides of the base material only under an argon atmosphere by a sputtering method, the oxygen permeability and steam permeability of the gas barrier layer are more reduced than before, that is, the gas barrier properties of the gas barrier laminated material can be enhanced.例文帳に追加

アルゴンガス雰囲気下のみで酸化窒化珪素膜ガスバリア層を、基材の片面又は両面にスパッタリング法により形成することによって、ガスバリア性積層材を製造した場合、ガスバリア層の酸素透過率、及び水蒸気透過率を従来のそれよりも小さくすること、つまり、ガスバリア性積層材のガスバリア性を向上することができる。 - 特許庁

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。 - 特許庁

To provide a method of recovering valuable metals such as platinum and palladium at a low cost by removing efficiently nonmagnetic powder or the like generated in processes of producing, e.g., platinum and a platinum-containing target for sputtering and contaminating scrap, such as abrasive grains, waste materials and cut and planed chips, so as to make the scrap recyclable as a target containing, e.g., platinum or palladium.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲット等の製造工程等に発生する砥粒、端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入する非磁性粉等を効率良く除去し、白金、パラジウム等を含有するターゲットに再使用できる白金、パラジウム等の有価金属を低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The high density target material for producing a Co based magnetic thin film comprising a low melting point metal oxide and the production method are characterized in that, in a sputtering target material composed of a Co based metal magnetic phase and a metal oxide nonmagnetic phase, the nonmagnetic phase is composed of a metal oxide having a melting point of ≤1,400°C, and also, relative density is ≥97%.例文帳に追加

Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。 - 特許庁

In a manufacturing method of a holding jig including an elastic member 6A provided with an adhesive part 7A and a non-adhesive part 8A on the surface thereof, a metal thin film 11 is formed on the surface by vapor deposition or sputtering, and laser 12 is irradiated on an area in which the adhesive part 7A is provided to remove the metal thin film 11.例文帳に追加

表面に粘着部７Ａと非粘着部８Ａとが配置された弾性部材６Ａを備えて成る保持治具を製造する方法であって、蒸着又はスパッタリングで表面に金属薄膜１１を形成し、粘着部７Ａが配置される領域にレーザー１２を照射して金属薄膜１１を除去する保持治具の製造方法。 - 特許庁

In the method of producing a titanium oxide film, an inert gas is introduced into a vacuum vessel, high voltage is applied to the space between a base material and a titanium target, and sputtering is performed to produce a titanium film on the base material, and next, gas comprising oxygen atoms is introduced, the polarity of the high voltage is changed, and high voltage is again applied to oxidize the titanium film.例文帳に追加

本発明の酸化チタン膜の作製方法は、真空容器内に不活性ガスを導入し、基材とチタンターゲットとの間に高電圧を印加してスパッタリングを行い、前記基材上にチタン膜を作製し、つぎに酸素原子を有するガスを導入し、前記高電圧の極性を変えて再び高電圧を印加し、前記チタン膜を酸化するものである。 - 特許庁

In the connection method, the objects to be connected are connected each other by forming a connecting surface of the object to be connected which is surface-activated with a metal film by sputtering a metal onto at least one of the objects to be connected in the vacuum chamber to form the metal film, when the objects to be connected having the surface-activated connecting surfaces are to be connected each other.例文帳に追加

表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent discharge lamp of high quality and high reliability, by shortening discharge starting time of the lamp through reduction of a volume of a sputtering phenomenon, and by improving on high luminance, long life as well as darkness starting characteristic through maintenance of stable discharge over a long period of time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタ現象の発生量を低減させて冷陰極蛍光放電ランプにおける放電開始時間を短縮させ、且つ安定した放電が長時間に亘って維持させることによって高輝度、長寿命と共に暗黒始動特性を向上させ、品質及び信頼性の高い冷陰極蛍光放電ランプ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sewing machine 1 includes nitriding compound layer made of a porous layer and a dense layer formed on the surface of a base material composed of low-carbon steel and low-carbon alloy steel not applied with hardening treatment, on which an intermediate layer made of a metal layer such as Cr or W is interposed by a sputtering coating method and formed with a DLC layer over the intermediate layer.例文帳に追加

ミシン１において、硬化処理を行っていない低炭素鋼及び低炭素合金鋼からなる母材の表面にポーラス層と緻密層からなる窒化化合物層を生成し、その上にスパッタリングコーティング方式によりＣｒ又はＷ等の金属層からなる中間層を介在させ、さらにその上にＤＬＣ層を形成した。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁

In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon.例文帳に追加

本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate includes a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by causing a sputtering atmosphere to contain at least helium gas and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp aimed at longer life and its manufacturing method, making up an electrode further excellent in sputtering resistance using nickel or a nickel alloy as its main components, easily manufactured at low cost, and capable of superbly carrying out heat dissipation of the electrode at use of the lamp, even in case a lead wire of a copper-Kovar double structure.例文帳に追加

電極の主成分としてニッケル又はニッケル合金を用い、耐スパッタ性に更に優れる電極とし、容易に安価に製造することができ、また、銅−コバール二重構造のリード線を用いた場合でも、ランプの使用時における電極の放熱を良好に行うことができ、長寿命化を図った冷陰極蛍光ランプや、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate comprises a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by containing at least helium gas in sputtering atmosphere and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method, slurry is prepared by mixing water, organic binder and dispersant in raw powder of metal oxide containing indium oxide powder, and pulverizing the mixture, granulated powder is obtained by drying and spraying the slurry, the obtained granulated powder is compacted, and, by firing the obtained compact, the sputtering target is obtained.例文帳に追加

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法において、前記分散剤として、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor structure comprises a process for forming a lower electrode film 91 on a substrate 10, a process for forming an insulating film 92 on the lower electrode film 91, and a process for forming an upper electrode film 93 on the insulating film 92 by sputtering in a state in which a susceptor electrode 35 to which a negative potential is applied is arranged on the undersurface of the substrate 10.例文帳に追加

キャパシタ構造の製造方法は、基板１０上に下部電極膜９１を形成する工程と、下部電極膜９１上に絶縁膜９２を形成する工程と、基板１０の裏面に、負の電位が印加されたサセプタ電極３５を配置した状態で、スパッタ法によって絶縁膜９２上に上部電極膜９３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

The forming method of the thermoelectric material thin film formes the nanocomposite thermoelectric material thin film in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the mother phase of the thermoelectric material on a substrate by using a material in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the thermoelectric material as a target and by sputtering by beam irradiation which has a larger beam diameter than particle sizes of the dispersant nanoparticles.例文帳に追加

熱電材料中に分散材ナノ粒子が分散した原料をターゲットとして用いて、該分散材ナノ粒子の粒子サイズより大きいビーム径を有するビーム照射によってスパッタリングして基板上に熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料薄膜を形成することを特徴とする熱電材料薄膜の製造方法。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the IGZO-based amorphous oxide thin film by forming the IGZO-based amorphous oxide thin film on a substrate by sputtering and then performing annealing processing, in which the amorphous oxide thin film having the arbitrary electric resistance value within the range from the conductor region to the insulator region is manufactured by changing a combination of an amount of water in a film forming device and temperature of the annealing processing.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

The transparent conductive film having the electric resistivity lower than that by the conventional manufacturing method and manufacturing apparatus can be obtained by maintaining the horizontal magnetic field intensity on a target surface at ≥1,000 Gauss and supplying microwaves superposed to the interior of the plasma generated by impression a DC electric field to the above target, thereby sputtering the target.例文帳に追加

ターゲット表面の水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、上記ターゲットに直流電界を印加することにより生じるプラズマ中にマイクロ波を重畳して供給し、上記ターゲットをスパッタリングすることにより、従来の製造方法および製造装置よりも低電気抵抗率の透明導電膜を得ることができるようになった。 - 特許庁