「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁

In the manufacturing method, after performing film forming of the gate insulation film, by conducting hydrogen plasma treatment or reverse sputtering by hydrogen ion, the hydrogenation reduction is conducted to the surface layer of the gate insulating film, and the gate conductive film is formed on the surface layer.例文帳に追加

製造方法においては、ゲート絶縁膜を成膜した後、水素プラズマ処理、又は水素イオンによる逆スパッタリングを行うことによって、ゲート絶縁膜の表面層に対して水素化還元を行い、その表面層上に前記ゲート導電膜を形成する。 - 特許庁

Alternatively, an alkali (earth) metal supply layer is film-formed by a reactive sputtering method in the presence of oxygen and/or nitrogen using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals.例文帳に追加

若しくは、アルカリ（土類）金属供給層の成膜を、酸素及び／又は窒素の存在下で、１種又は２種以上のアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を含む半導電性又は導電性のターゲットを用いた反応性スパッタ法により実施する。 - 特許庁

To provide high purity zinc oxide powder and a production method thereof in which impurities, particularly C, Cl, S and Pb impurities, are removed efficiently at a low cost and to provide a target obtained by firing the high purity zinc oxide and a high purity zinc oxide thin film obtained by sputtering the target.例文帳に追加

低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 - 特許庁

After this, a metal film is formed over the entire surface by a sputtering method, and the mask is removed to cause the metal film to remain only over the first conductive layer, thereby forming an embedded wiring layer formed with a stack of the first conductive layer containing Ag and the second conductive layer (metal film).例文帳に追加

その後、スパッタ法により全面に金属膜を成膜した後、マスクを除去して第１導電層上にのみ金属膜を残存させて、Ａｇを含む第１導電層と第２導電層（金属膜）の積層からなる埋め込み配線層を形成する。 - 特許庁

A ZnO thin film (an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, a p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10) whose main component is ZnO is successively deposited on the zinc polar plane 1a of the ZnO substrate 1 through an ECR sputtering method or the like.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１の亜鉛極性面１ａ上にＺｎＯを主成分とするＺｎＯ系薄膜（ｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、ｐ形コンタクト層１０）をＥＣＲスパッタ法等で順次成膜する。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon.例文帳に追加

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。 - 特許庁

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has smooth surface properties and an undercoat film by which deterioration of surface properties and a crack are not generated and which has no fear to cause blocking, even when a ferromagnetic metal thin film is formed by a sputtering method, a deposition method and the like obliged to heat a substrate, and can be easily manufactured at low cost.例文帳に追加

非常に平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ法や蒸着法等で強磁性金属薄膜を作製した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない下塗り膜を有し、低コストで容易に製造することのできる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

This method for producing a spinel ferrite thin film with (100) the preferred orientation on a substrate includes: a sputter deposition step of forming a spinel ferrite thin film or a thin film serving as a precursor thereof on the substrate by means of a sputtering method; and a vacuum heating step of heating the substrate in a vacuum.例文帳に追加

基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the secondary lithium battery comprises a process of forming the activator layer on a current collector 42a, using a sputtering method, and a process of keeping an electrode (negative electrode) 42, which comprises the current collector having the activator layer formed thereon, at least either in an inactive atmosphere or in a vacuum atmosphere until the battery is manufactured.例文帳に追加

このリチウム二次電池の製造方法は、集電体４２ａ上に、スパッタ法を用いて活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体からなる電極（負極）４２を、電池を作製するまでの間、不活性雰囲気下および真空雰囲気下の少なくともいずれかで保持する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an indium tin oxide (ITO) sintered compact by which a high purity high density ITO sintered compact is made again from a high density ITO sintered compact recovered from a spent sputtering target or a high density ITO sintered compact or the like discharged from a manufacturing process as a defective with the low cost method without incorporating impurities .例文帳に追加

使用済みのスパッタリングターゲットから回収された高密度ＩＴＯ焼結体や製造工程で不良品となった高密度ＩＴＯ焼結体等を原料として、不純物の混入が無く、安価な方法で、再び、高純度・高密度のＩＴＯ焼結体を作製することが可能なＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a magnetic recording medium at least includes a step of forming an intermediate layer composed of MgO on a non-magnetic substrate by a reactive DC sputtering method using targets including Mg and MgO in an oxygen-containing gas and a step of forming a magnetic recording layer including a L1_0 regular alloy on the intermediate layer.例文帳に追加

酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１_0系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa.例文帳に追加

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。 - 特許庁

A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加

共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁

To prevent a sheet from being shifted downward by a simple structure even when the sheet can travel in the forward and reverse directions in a surface treatment apparatus for performing surface reforming treatment by plasma or the like and surface treatment including film deposition by a sputtering method, a plasma CVD method, etc., while continuously transporting the strip- like sheet so that the width direction thereof is perpendicular.例文帳に追加

帯状シート材をその幅方向が鉛直方向となるように連続走行させつつ、プラズマ等による表面改質処理やスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等による成膜処理などの表面処理を行なう表面処理装置において、シート材を正逆走行可能に構成した場合でも、簡易な構造でシート材の下方へのズレを防止する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

To uniformize of induced voltage caused by the material difference between a glass substrate and a fixture in sputtering, and to provide a method for manufacturing a glass optical element capable of forming a dielectric multilayered film having uniform film thickness and the fixture for manufacturing the glass optical element.例文帳に追加

スパッタ作用時にガラス基材と固定治具の材質の違いに起因した誘起電位の不均一さを解消して、膜厚が均一な誘電体多層膜の形成を可能にするガラス製光学素子の製造方法及びガラス製光学素子の製造用固定治具を提供する。 - 特許庁

To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

A dielectric thin film, that forms a thin film capacitor is formed of oxide dielectric which is represented by a general formula, ABO3 as the chemical formula, the oxide dielectric is manufactured through an ECR sputtering method, and the dielectric thin film has a composition that satisfies the expression 0.82≤A/B≤0.97.例文帳に追加

薄膜キャパシタを構成する誘電体薄膜を、一般式ＡＢＯ_3の化学式で表される酸化物誘電体で構成し、かつこの酸化物誘電体をＥＣＲスパッタリング法を用いて作製し、かつこの誘電体薄膜は０．８２≦Ａ／Ｂ≦０．９７を満たす膜組成を有している。 - 特許庁

A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises arranging one or more microwave antennas along a traveling direction of the substrate to be thin-film-deposited and/or the opposite direction, in a plasma sputtering apparatus using a magnetron, and forming assisted plasma in the proximity of the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with a microwave.例文帳に追加

マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び／又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。 - 特許庁

This glass is formed by depositing a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate is not subjected to bending and/or tempering after the deposition.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁

To provide a target for stably manufacturing a transparent electroconductive thin-film, of which the transmittance decreases very little in an infrared wavelength region, and which has an low resistance equal to that of a transparent electroconductive thin-film obtained by ITO based target, by a sputtering method with an adequate reproducibility.例文帳に追加

本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもＩＴＯ係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a plasma processor in which a sputtering of a porous shielding plate can be prevented even if a surface is not protected with quartz and the like while a microwave field and electrically charged particles are shielded and a stable processing by activated neutral particles is performed, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

マイクロ波電界及び荷電粒子を遮蔽して活性化された中性粒子による安定した処理を行いつつ、石英等で表面を保護しなくても多孔遮蔽板のスパッタを防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing coverage failures caused by the cohesion of an Al film in an early stage of a second step while preventing an increase or variation in the electric resistance of a metallic wire when forming the metallic wire by two-step sputtering, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

金属配線を２ステップスパッタにより形成する場合、金属配線の電気抵抗の上昇や、ばらつきを抑制しつつ、２ｎｄステップの初期段階におけるＡｌ膜の凝集によるカバレッジ不良を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an intermediate refractive index thin film which can be utilized as one of a material constituting a multilayer in an antireflection film and various kinds of filters by using a reactive sputtering method used for a material that can be comparatively stably film-deposited even in a vacuum process and can be easily utilized.例文帳に追加

真空プロセスの中でも比較的安定成膜がしやすく、容易に利用できる材料をターゲットとした反応性スパッタリング法を用いて、反射防止膜や各種フィルターの多層膜を構成する材料のひとつとして利用可能な、中間屈折率薄膜を提供すること。 - 特許庁

The barrier film includes: a base material 11 formed of a plastic film; a base layer 12 composed of an ultraviolet curable resin formed on the base material 11; and a barrier layer 13 composed of a Si-Cr-Zr-based oxide formed by a sputtering method on the base layer 12.例文帳に追加

上記バリアフィルムは、プラスチックフィルムで形成された基材１１と、基材１１の上に形成された紫外線硬化樹脂からなる下地層１２と、下地層１２の上にスパッタ法で形成されたＳｉ−Ｃｒ−Ｚｒ系酸化物からなるバリア層１３とを具備する。 - 特許庁

In the seamless pipe for the fixing device in which the heat resistant resin film tube body 2, a metal layer 3 which is other than copper, a copper layer 4 and a surface release layer 5 are sequentially formed on the outer peripheral surface of the heat resistant resin film tube body, the metal is formed by a sputtering method.例文帳に追加

耐熱性樹脂フィルム管状体２と、この耐熱性樹脂フィルム管状体の外周表面に銅以外の金属層３と銅層４と表面離型層５とが順に形成されてなる定着装置用シームレスパイプであって、上記金属がスパッタリング法によって形成される。 - 特許庁

To provide an Ag reflector which has optical characteristics that show high reflectance from a visible region to an infrared region, has adhesiveness that can suppress peeling even when being bent, has high resistance, and can simplify a facility for film formation by sputtering, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target for a reflection layer of an optical medium includes a process for firing raw material powder having a composition that is mainly composed of Al and contains 1-10 at% of one or two species of elements selected from the group consisting of Ta and Nb, and 0.1-10 at% of Ag.例文帳に追加

光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate.例文帳に追加

タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。 - 特許庁

The film-forming method also includes: supplying only the sputtering gas into the chamber and applying a predetermined current or electric power to the metal target in this state; then, measuring the voltage of the metal target and starting the detection of the electric discharge; and moving the magnet so that the electric discharge occurs at the predetermined voltage.例文帳に追加

チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device which uses the single-chamber and multi-film-deposition-site type sputtering film deposition device is characterized by changing over and using both magnetic and nonmagnetic targets at least at one film deposition site to form both the magnetic and nonmagnetic films.例文帳に追加

本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 - 特許庁

To provide a fine particle low valence niobium oxide composition which is suitable for producing a low valence niobium oxide-doped zinc oxide target not generating abnormal discharge at the sputtering time, and to provide a production method capable of producing the fine particle low valence niobium oxide composition extremely inexpensively.例文帳に追加

スパッタ時に異常放電が発生することがない低原子価酸化ニオブドープ酸化亜鉛ターゲットを作製するのに好適な微粒子低原子価酸化ニオブ組成物、および該微粒子低原子価酸化ニオブ組成物を極めて安価に作製することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resistor by which high dimensional accuracy can be achieved for end-face electrodes with a small size by suppressing the displacement of a mask disposed on the underside of a sheet insulating substrate when forming the end-face electrodes by sputtering.例文帳に追加

本発明は、スパッタ工法により端面電極を形成する場合、シート状の絶縁基板の裏面に設置されるマスクの位置ずれを抑制することができ、これにより、微小サイズでの端面電極の寸法精度が優れている抵抗器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

In addition, a manufacturing method of this sputtering target has a step in which a mixed powder of at least one of SbPt alloy powder and SnPt alloy powder, FePt alloy powder, Pt powder, and graphite powder or carbon black powder is hot-pressed in a vacuum or inert gas atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＳｂＰｔ合金粉およびＳｎＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁