「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal panel of a rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (a glass substrate) 1 formed by a float method into the thickness of 0.2 to 1.1 mm (±0.1 mm), and a reflection enhancing film 2 comprising aluminum (Al) formed by sputtering method, on one surface 1a of the glass substrate 1.例文帳に追加

リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の液晶パネルは、フロート製法により板厚が０．２〜１．１ｍｍ（±０．１ｍｍ）に形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and applying negative voltage to the target is characterized in that the method is implemented while feeding electrons to the surface of the target with the use of an electron gun.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、電子銃を用いて該ターゲット表面に電子を供給しつつ行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

Disclosed are a Cr-Mn-B-based sputtering target material for producing a substrate film in a magnetic recording medium comprising, by at%, 5 to 35% Mn and 0.1 to 10% B, and the balance Cr with inevitable impurities, and a method for producing the same.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。 - 特許庁

A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。 - 特許庁

The composite structure thin film material is prepared by forming an amorphous thin film represented by the general formula by a high frequency sputtering method and crystallizing the thin film by heat treatment at 500 to 800°C in an inert atmosphere.例文帳に追加

この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 - 特許庁

An Al alloy thin film (Al-Nd-Ti alloy thin film or Al-Nd alloy thin film) 22 is formed on a glass substrate 21 at a substrate temperature of 50 to 150°C or thereabout, desirably 80 to 130 through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板温度を５０〜１５０℃程度好ましくは８０〜１３０℃程度として、ガラス基板２１上にＡｌ合金薄膜（Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜またはＡｌ−Ｎｄ合金薄膜）２２を成膜する。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

This film-forming method in a parallel-plate sputtering apparatus includes forming a film on a substrate 12 while rotating the substrate 12 which is held in parallel to a target 11 around an axis which is parallel to the surface having the target 11 mounted thereon, by a predetermined angle.例文帳に追加

平行平板型スパッタ装置において、ターゲット１１と平行に保持された基板１２を、ターゲット１１の取付面に平行な軸を中心に所定の角度だけ回転させながら、基板１２への成膜を行う。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium, capable of dealing with a higher recording density, having a higher coercive force, and having a lower noise, a method for manufacturing the same, a sputtering target which is used for the manufacture, and a magnetic recording/reproducing apparatus.例文帳に追加

より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法、製造に用いるスパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

The n-electrode 140 and the p-electrode 110 are connected, and a protective film 130 comprising a ZnO film is formed on the side walls of the layer 104, a light emitting layer 106, a p-type layer 107, and the layer 108 by the sputtering method.例文帳に追加

ｎ電極１４０とｐ電極１１０とを接続し、ｎ型コンタクト層１０４、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８の側壁上に、ZnO 膜より成る保護膜１３０がスパッタリングによ形成されている。 - 特許庁

To manufacture an information recording medium which is little in warp and distortion by suppressing the temperature rise of substrates during deposition by sputtering relating to a method of manufacturing the information recording medium and a substrate holder structure as well as a deposition apparatus.例文帳に追加

情報記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置に関し、スパッタリングによる成膜時の基板の温度上昇を抑制し、反りや歪みの少ない情報記録媒体を製造できるようにする。 - 特許庁

A separator 10 disposed so as to be brought into contact with a cell body 5 formed by sandwiching a solid high polymer element film 3 between a pair of electrodes 2, 4 is structured so that a Pt plated film 12 formed by a sputtering method is formed on the surface of a metal base material 13.例文帳に追加

固体高分子膜３を一対の電極２、４で挟みこんだセル本体５と接して配置されるセパレータ１０は、金属基材１３の表面に、スパッタ法により形成されたＰｔメッキ膜１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic disk which is capable of easily manufacturing protective films having excellent durability and corrosion resistance with extremely thin films and improving the yield in manufacturing and a sputtering device used for the same.例文帳に追加

極薄膜で耐久性及び耐腐食性に優れた保護膜を容易に製造することができ、製造する際の歩留まりを向上させることができる磁気ディスクの製造方法及びそれに使用するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescent element in which on a substrate, at least a lower part electrode, an organic thin film, and an upper part transparent electrode are provided, and the upper part transparent electrode is film-formed on the organic thin film by an electron cyclotron resonance sputtering method.例文帳に追加

基板上に、少なくとも下部電極、有機薄膜、上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する際、有機薄膜上に電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって上部透明電極を成膜する。 - 特許庁

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.例文帳に追加

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film.例文帳に追加

チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a high-density ITO sputtering target which is used for depositing a transparent conductive film for a liquid crystal display device or a high-resistance transparent conductive film or the like for a resistance film type touch panel device or the like, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

液晶ディスプレイ装置用透明導電膜あるいは抵抗膜式タッチパネル装置等の高抵抗透明導電膜等の形成に使用する高密度ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The reflectance is adjusted in accordance with the incidence angle of incident light 10a through the provision of the distribution of film density in the in-plane direction by a method for changing an incident angle of sputtering atoms and the like in the process for forming the film of the Mo layer 2.例文帳に追加

Ｍｏ層２の成膜工程で、スパッタ原子の入射角を変化させる等の方法で、面内方向に膜密度の分布を持たせることにより、入射光１０ａの入射角に応じて反射率を調整する。 - 特許庁

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁

To improve the surface layer of a base material surface by implanting solid ions into the base material surface by a simple method by utilizing the sputtering effect, and to facilitate the coating of the base material surface by a carbon film containing a desired tertiary element.例文帳に追加

スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。 - 特許庁

To provide a film forming method which can deposit sputter particles inside a hole or a groove when a thin film is formed on a substrate with the hole or the groove at a high aspect ratio by sputtering, and can attempt to enhance the film forming ability.例文帳に追加

高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a method of producing a direct-current sputtering target material for use in formation of a boron-doped titanium oxide-based transparent thin film by blending titanium oxide powders and boron elemental powders or titanium boride powders to sinter.例文帳に追加

酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。 - 特許庁

To stably and securely deposit a thin film without generating substrate cracks as for a sputtering method and a device for a thin film deposition on a large glass substrate used for a plasma display panel or the like.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネル等に使用する大型のガラス基板に対して薄膜を形成するためのスパッタリング方法及び装置に関し、基板割れを生じることなく、安定且つ確実に薄膜形成することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic electronic component which can reduce stress in an electrode when the electrode is formed by sputtering to hardly have variation in characteristic due to the stress and also has little deterioration in the tensile strength of a lead terminal.例文帳に追加

スパッタリングにより電極を形成した場合の電極中のストレスを低減でき、該ストレスによる特性の変化が生じ難く、かつリード端子の引っ張り強度の劣化が生じ難いセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

The EL electrodes 17a, 17b and the light emitting layer 14 are directly formed by a film forming method such as sputtering on the surface of the substrate 8b having the liquid crystal layer 2, namely, on one same surface.例文帳に追加

ＥＬ電極１７ａ，１７ｂ及び発光体層１４は、それぞれ、液晶層２を構成する基板８ｂの表面上、すなわち同一表面上にスパッタリング法等といった成膜法によって直接に形成される。 - 特許庁

A function film 4 composed of at least one type selected from a silicon nitride film, a silicon oxide film, and an oxynitride film is formed on at least one part of the interdigital electrode 1b by an ECR sputtering method.例文帳に追加

耐候性を向上させるための、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜の少なくとも１種類からなる機能膜４を、くし形電極部１ｂ上の少なくとも一部に、ＥＣＲスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

To provide a carrying apparatus carrying electronic parts such as a crystal element, a ceramic element and a semiconductor device when treatment such as vapor deposition and sputtering is performed thereto, and to provide a method for producing the carrying apparatus.例文帳に追加

本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。 - 特許庁

This indium tin oxide thin film is formed on a transparent insulating substrate by a sputtering method by continuously or step by step lowering the temperature of the substrate put inside a chamber with increase in the thickness of the thin film.例文帳に追加

透明絶縁基板上に、スパッタリング法により酸化インジウム錫薄膜を形成する方法であって、チャンバ内に配置された前記基板の温度を、前記薄膜の膜厚が増大するにつれて、連続的又は段階的に低下させる。 - 特許庁

A substrate, formed by PZT in thin film excellent in piezoelectric characteristic, can be provided even on the material substrate such as silicon substrate, on which PZT thin film of satisfactory piezoelectric characteristics is hard to be formed by direct sputtering method.例文帳に追加

本発明によると、シリコン基板などに直接スパッタリングなどの方法では圧電特性の良いＰＺＴ薄膜を形成し難い材料基板の上に、圧電特性の良いＰＺＴを薄膜状態で設置した基板を提供できる。 - 特許庁

To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加

酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁

To provide a deposition method of an amorphous oxide semiconductor in which the amorphousness or the planarity of a film can be enhanced even when an amorphous oxide semiconductor consisting of InGaZnO, InWO, or the like, is formed by sputtering.例文帳に追加

スパッタ法を用いてＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯなどからなるアモルファス酸化物半導体を形成する場合でも、アモルファス性や膜の平坦性を向上させることができるアモルファス酸化物半導体の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To stabilize the film quality of a transparent electrically conductive film over a long time when a transparent electrically conductive laminate having the transparent electrically conductive film on a transparent high molecule substrate is manufactured by a reactive sputtering film forming method using a metal target.例文帳に追加

金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間にわたる膜質安定化をはかる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a metal film depositing step (S1) of depositing a metal film on a semiconductor element having a gate insulating film and a gate electrode by sputtering through a collimating plate having a plurality of through-holes formed therein.例文帳に追加

複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。 - 特許庁