「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for production of a high-purity W sputtering target includes: pressing and sintering high-purity W powders; machining the resultant sintered compact into a target shape; applying grinding of at least either of rotary grinding or polishing; and further polishing by at least either of etching or reverse sputtering to finish off.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

The facing target sputtering method comprises the steps of: arranging a pair of facing targets 1, 2 in a vacuum vessel 6; applying a voltage between the pair of facing targets to discharge electricity; and depositing a reactive film by sputtering the target while controlling a flow rate of a reactive gas so that the quantity of the light to be emitted from the target becomes predetermined one.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

In this method the wiring having excellent electrical characteristics is formed by forming wiring composed of an electroplated copper film and an electroplated nickel film on Cr/Cu, on which signal passing wiring joined to solder is formed by sputtering by using Cr/Cu/Cr wiring formed at a portion for grounding by sputtering.例文帳に追加

本発明は、グランドの役割を果たす部分にスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒから成る配線を用い、信号が通りかつ、はんだと接合する配線をスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕの上に、電気銅めっき膜、電気ニッケルめっき膜から成る配線を形成することで、電気特性に優れた配線を形成することが可能となる。 - 特許庁

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14.例文帳に追加

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。 - 特許庁

In this method for manufacturing the high-purity W sputtering target, high-purity W powder is pressed and sintered and the resultant sintered compact is machined into target shape and is then subjected to grinding consisting of at least either of rotary grinding and polishing and further to polishing consisting of at least either of etching and inverse sputtering to undergo finishing.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for fabricating a magnetic tunnel junction element, when an alumina film is formed as a tunnel barrier film on a ferromagnetic layer 16 of Ni-Fe alloy, or the like, an aluminum film 18 is formed by sputtering on the ferromagnetic layer 16 and then oxidized while coating it with an alumina film by reactive sputtering.例文帳に追加

例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性層１６の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層１６の上にスパッタ法によりアルミニウム膜１８を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜１８の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜１８を酸化する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a lanthanoid aluminate film has a step of holding a first target of LnAlO_3 and a second target of Al_2O_3 in a vacuum chamber, a step of carrying a substrate into the vacuum chamber, a step of introducing a sputtering gas into the vacuum chamber, a step of sputtering the first and second targets, and a step of forming a lanthanoid aluminate film on the substrate.例文帳に追加

真空チャンバ内に、ＬｎＡｌＯ_３の第１のターゲットと、Ａｌ_２Ｏ_３の第２のターゲットを保持し、この真空チャンバ内に基板を搬送し、この真空チャンバ内に、スパッタリングガスを導入し、第１のターゲットと、第２のターゲットをスパッタリングし、基板上にランタノイドアルミネート膜を成膜することを特徴とするランタノイドアルミネート膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus for forming a transparent conductive film and a method for producing the transparent conductive film, in which equalization of thickness distribution and specific resistance distribution is achieved and a uniform region can be increased than before in the longitudinal direction of a target, in the film formation of the transparent conductive film using a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

As an actuator for the ink-jet head 1, the piezoelectric actuator 16 equipped with the piezoelectric film 18, which has a perovskite structure formed through sputtering operation containing Pb, Zr and Ti and which is formed by a manufacturing method at a deposition speed at film-forming of 0.5 μm/h or higher and lower than the sputtering gas pressure in the film formation of 0.5 Pa or lower.例文帳に追加

インクジェットヘッド１のアクチュエータとして、スパッタリングにより形成されたＰｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型構造を有し、成膜時の堆積速度が０．５μｍ／ｈ以上または成膜時のスパッタガス圧が０．５Ｐａ以下による製造方法により作成された圧電膜１８を備えた圧電アクチュエータ１６を用いる。 - 特許庁

In manufacture of a power storage device, when a lithium cobaltate layer is formed on a positive electrode current collector by a sputtering method in which a target including lithium cobaltate and a sputtering gas including Ar are used, the positive electrode current collector is heated at a temperature that does not allow the formation of cobalt oxide while the crystal of the lithium cobaltate is subjected to c-axis orientation.例文帳に追加

コバルト酸リチウムを含むターゲットと、Ａｒを含むスパッタガスを用いたスパッタリング法により、正極集電体上にコバルト酸リチウム層を形成する際に、コバルト酸リチウムの結晶をｃ軸配向させつつ、かつ酸化コバルトが生成されない温度で、当該正極集電体を加熱する蓄電装置の作製に関する。 - 特許庁

The film-forming method comprises: the first film-forming step of forming a film on a substrate, in a vacuum deposition apparatus; a transportation step of transporting the substrate having the film formed thereon in the first film-forming step to a sputtering apparatus, in a vacuum state; and the second film-forming step of forming a film on the transported substrate, in the sputtering apparatus.例文帳に追加

本発明は、基板を真空蒸着装置にて成膜する第１の成膜工程と、前記第１の成膜工程にて成膜された基板を、スパッタリング装置に真空状態で搬送する搬送工程と、前記搬送された基板をスパッタリング装置にて成膜する第２の成膜工程とからなる成膜方法を特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputtering step of causing the mold resin containing wax or fatty acid to sputter the ball surface of the semiconductor package exposed on the side of the ball surface by Ar plasma, a step of flip-chip-bonding the semiconductor package onto a wiring substrate after the sputtering step, and a step of filling the underfill resin between the semiconductor package and the wiring substrate.例文帳に追加

ワックス又は脂肪酸が含まれたモールド樹脂がボール面側に露出した半導体パッケージのボール面をＡｒプラズマによりスパッタするスパッタ工程と、スパッタ工程の後に、半導体パッケージを配線基板上にフリップチップ接合する工程と、半導体パッケージと配線基板の間にアンダーフィル樹脂を充填する工程とを有する。 - 特許庁

The facing-target type sputtering method comprises: applying an electric power to a pair of targets 1 and 2 arranged in a vacuum vessel 6, to discharge them; controlling a flow rate of a reactive gas so that the targets can emit a predetermined level of light; and forming a reactive film by sputtering the targets.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target embraces a step where, in the forming of an ingot by melting and casting a sputtering target material, a pan-shaped mold is filled with a molten metal as a raw material and unidirectional solidification is performed to localize the cavities formed in a cast metal phase in the upper surface layer.例文帳に追加

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成するに際し、皿形鋳型に原料溶湯金属を充填し、一方向凝固を行うことによって鋳造金属相中に生成する巣を上部表面層に局在化させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a superconducting magnetic field generator in which arcade-like magnetic field distribution is widely formed in front of a superconductor, and plasma can widely be distributed in front of the superconductor, and which is advantageous for improving the use efficiency of a target even if the generator is applied to a sputtering device, and to provide an exciting method of the superconducting magnetic field generator and the sputtering device.例文帳に追加

アーケード状の磁場分布が超電導体の前面に広く形成され、超電導体の前面においてプラズマを広く分布させることができ、スパッタリング装置に適用する場合であっても、ターゲットの使用効率を高めるのに有利な超電導磁場発生装置、超電導磁場発生装置の励磁方法、スパッタリング装置を提供するにある。 - 特許庁

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target.例文帳に追加

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.例文帳に追加

保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited.例文帳に追加

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for predicting film thicknesses capable of predicting the film thicknesses with good accuracy when a collimator is disposed between a target and a substrate and thin films are formed by sputtering and a deposition method which can form the thin films having a uniform film thickness distribution.例文帳に追加

ターゲットと基板の間にコリメータを配設してスパッタを行うことにより薄膜を形成する場合に、精度よく膜厚を予測することが可能な膜厚予測方法及び膜厚分布が均一な薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process.例文帳に追加

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて成膜した第１の金属膜309と、第１の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第２の金属膜308とから構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pure copper plate which has a fine crystal structure and has suitable hardness, and imparts a high special grain boundary length ratio, and a pure copper plate for a target for sputtering, an anode for plating or the like, produced by the manufacturing method.例文帳に追加

微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate for the magnetic recording material is characterized in that a barrier layer is deposited on the surface of a glass substrate by a sputtering method using plasma generated by applying alternating voltage having a pulse waveform between a pair of electrodes which are mutually oppositely disposed.例文帳に追加

相互に対向状に配設された一対の電極にパルス波形を有する交番電圧を印加して発生させたプラスマを用いたスパッタリング法によってガラス基板表面にバリアー層を形成することを特徴とする磁気記録材料用基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of depositing a Bi_2O_3 based glass thin film in a stable composition for a long time, and also, with high reproducibility even regarding its physical properties such as the index of refraction, to provide its production method, and to provide a method for depositing a thin film for an optical waveguide.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス薄膜を長時間にわたって、安定した組成で製膜でき、屈折率等の物性についても再現性よく製膜できるスパッタリング用ターゲット、その製造方法及び光導波路用薄膜の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a multilayered metal laminated sheet having predetermined thickness and using no adhesive by bonding a metal sheet having a metal membrane formed thereon and a metal foil without using an adhesive by a membrane forming method such as vacuum vapor deposition, sputtering or the like, and a method for continuously manufacturing the multilayered metal laminated sheet by forming the membrane to the metal sheet and bonding the metal foil thereto.例文帳に追加

真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成方法により、表面に金属薄膜を形成した金属板と金属箔とを、接着剤を用いずに接合し、所定の厚みを有する接着剤レスの多層金属積層板を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the organic electroluminescent element, a sputter protection layer is laminated on the organic substance layer provided on a first electrode on a substrate and having a light emitting layer, and the second transparent electrode is formed on the sputter protection layer using the sputtering method.例文帳に追加

有機エレクトをルミネッセンス素子の製造方法は、基板上の第１電極の上に設けられ発光層を有する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、そのスパッタ保護層上にスパッタリング法を利用して透明な第２電極を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of a silicon nitride on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing silicon as a target.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、窒化珪素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、珪素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.例文帳に追加

基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁

When forming the nonlinear element (for example TFD 13) on the flexible plastic substrate 10, first a wiring film 141 for energization for anode oxidization is formed in a line on the plastic substrate 10 by using a mask sputtering method and a droplet discharge method.例文帳に追加

可撓性を有するプラスチック基板１０上に非線形素子（例えばＴＦＤ１３）を形成する場合に、まず、係るプラスチック基板１０の上に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、陽極酸化のための通電用の配線膜１４１をライン状に形成する。 - 特許庁

In a method for forming a copper thin film on a base material by a sputtering method, the film formation is performed under a deposition atmosphere of a mixed atmosphere where 60-95% by volume of argon gas and gas of molecules having a bond of a nitrogen atom and a hydrogen atom are mixed.例文帳に追加

スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において、成膜雰囲気が、６０体積％から９５体積％のアルゴンガスと、窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスの混合雰囲気下で行うことを特徴とする。 - 特許庁

In this production method of the substrate for the optical disk, a barrier layer is formed on the surface of a glass substrate by a sputtering method using plasma generated by applying an alternating voltage having a pulse waveform to a pair of electrodes arranged while facing each other.例文帳に追加

相互に対向状に配設された一対の電極にパルス波形を有する交番電圧を印加して発生させたプラスマを用いたスパッタリング法によってガラス基板表面にバリアー層を形成することを特徴とする光ディスク用基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a patterned medium which can efficiently fill magnetic substance deep into fine pores, even if a sputtering method is employed for filling the magnetic substance into the fine pores of a porous layer, has very few impurities and has a magnetic substance layer of a high coercive force.例文帳に追加

多孔質層の細孔への磁性体の充填にスパッタ法を用いても細孔の奥まで効率よく磁性体を充填することができ、不純物が極めて少なく、保磁力の高い磁性体層を有するパターンドメディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

At least a heater layer 2 and the protective coating layer 4 formed so as to protect and cover a part of the electrode layer 3 in the periphery of the heater layer 2 to form a laminated structure and one layer among those layers is formed on the support substrate 1 by a bias sputtering method (or a CVD method).例文帳に追加

支持基板１上において、少なくともヒータ層２とその周辺の電極層３の一部を保護被覆するように形成される保護被覆層４を積層構造とし、かつ、そのうちの一層をバイアススパッタ法（又はＣＶＤ法）で形成する。 - 特許庁

A TiN film is formed through a PVD method where a Ti reactive sputtering is carried out in a nitrogen atmosphere, and the TiN film is high in density and impurity to protect the TiN-type layer 102 of lower density against fluorine contamination while a W metal layer is deposited through a CVD method.例文帳に追加

窒素雰囲気内でのＴｉ反応性スパッタリングによって作られたＰＶＤによるＴｉＮ被膜は、高い密度及び純度を持ち、ＣＶＤによるタングステン・デポジッションの間、弗素汚染に対して密度が一層低いＴｉＮ形層を保護する。 - 特許庁

Otherwise, this method includes a step of coating catalytic metal particles 23 and carbon particles 22 concurrently on a hydrogen ion-exchanged polymer membrane by the sputtering method to form a catalytic layer 21 of nanoparticles, followed by a step of bonding this membrane with the pole.例文帳に追加

または、水素イオン交換高分子膜上に触媒の金属粒子２３と炭素粒子２２とを同時にスパッタリングしてコーティングしナノ粒子の触媒層２１を形成する段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。 - 特許庁

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.例文帳に追加

バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁

To provide an ITO(indium tin oxide) sputtering target capable of reducing the amount of nodules occurring at the surface of a target even in the case of a film deposition method wherein electric discharge is performed at a low applied electric power liable to produce nodules.例文帳に追加

ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

A metal layer 12 composed of silver is deposited on a substrate 11 by a sputtering method and subsequently fine protrusions and recessions are formed on a surface of the metal layer 12 by applying an electric field 13 in the film thickness direction of the metal layer 12.例文帳に追加

基板１１上に銀からなる金属層１２をスパッタ法により成膜し、次に、金属層１２の膜厚方向に電界１３を印加して金属層１２の表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁