「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film-forming apparatus which improves the stability of an electric discharge of reactive direct-current sputtering and also inhibits defects originating in the formation of particles, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition allowing for obtaining a cured film excellent in ITO (indium tin oxide) sputtering property, hardness and heat-resistance transparency, and a method of forming the cured film using the composition.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition from which a cured film excellent in suitability to ITO sputtering, hardness and heat-resistant transparency is obtained, and to provide a method for forming a cured film using the same.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタ適性、硬度、耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that can efficiently laminate thin films in a short time without lowering throughputs, and a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The present invention relates to the ferroelectric thin film element having high crystallinity, good surface roughness and remarkably improved deposition efficiency through on-axis type sputtering, and to the method of manufacturing it.例文帳に追加

オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ZnO based transparent conductive film is formed by a gas flow sputtering method with the use of a Zn alloy target.例文帳に追加

Ｚｎ合金ターゲットを用いて成膜されてなるＺｎＯ系透明導電膜において、ガスフロースパッタリング法により成膜されてなることを特徴とするＺｎＯ系透明導電膜。 - 特許庁

A metallic thin film is formed on a surface of a semiconductor ceramic sintered body having a negative temperature characteristic of resistance by a vapor deposition or sputtering method, followed by a thermal treatment in an atmosphere.例文帳に追加

負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック焼結体の表面に、蒸着又はスパッタリング法により金属薄膜を形成し、その後、大気中で熱処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for deposition of a seed layer, with which the size of magnetic particles in a magnetic film can be refined and simultaneously the size of the magnetic particles can be uniformized, and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性膜中の磁性粒子のサイズを微細化し、同時に磁性粒子の粒径を均一化することができるシード層を形成するためのスパッタターゲット及びその製造法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric substrate comprises the steps of forming a protective film having a lattice-like exposure part of a predetermined width by vapor-depositing or adhering by sputtering gold thin films on both side surfaces of the AT cut crystal substrate, and patterning the gold thin films.例文帳に追加

ＡＴカット水晶基板の両面に金薄膜を、蒸着、あるいはスパッタで付着、パターン化し、所定幅の格子状露出部を有する保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated material enhanced in gas barrier properties without being damaged in transparency when a gas barrier layer is formed on a base material by a sputtering method.例文帳に追加

基材上に、スパッタリング法によってガスバリア層を形成した場合に、透明性を損ねることなく、ガスバリア性の向上したガスバリア性積層材を提供することを目的とする。 - 特許庁

An ITO transparent electroconductive thin film 5 is deposited by a sputtering method using an ITO target in which the weight ratio of SnO_2 to the total of In_2O_3 and SnO_2 is ≤6%.例文帳に追加

Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との合計に対するＳｎＯ_２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, which allows oxygen to be properly contained in the film without lowering a deposition rate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A film of an IGZO-based amorphous oxide layer is formed under a back pressure of higher than 5×10^-4 Pa in a sputtering method, and then subjected to annealing processing at an annealing temperature of 100 to 300°C.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Cu-based sputtering target containing oxides of the predetermined amount, which is capable of suppressing aggregation of Cu oxides, and achieving fine dispersion of the Cu oxides.例文帳に追加

酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method of performing film deposition with excellent coatability on a processing object on which a TSV (Through Silicon Via) hole H having ≥1 mμ opening diameter and high aspect ratio is patterned.例文帳に追加

１μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the rhodium(Rh) lead layer of a read sensor includes a 1st step in which a rhodium(Rh) lead layer is subjected to diagonal ion beam sputtering and a 2nd step in which annealing is carried out after the 1st step.例文帳に追加

ロジウム（Ｒｈ）リード層を斜めイオンビームスパッタする第１工程と、第１工程後にアニーリングを行う第２工程とを含む、読み取りセンサのロジウム（Ｒｈ）リード層の製造方法。 - 特許庁

When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.例文帳に追加

従来、窒化珪素ターゲットを使用し、ＲＦスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering device and a semiconductor device improving the using efficiency of a target, simultaneously excellent in the uniformity of a film forming distribution and capable of obtaining a high bottom coverage.例文帳に追加

ターゲットの使用効率を向上させると同時に、成膜分布の均一性に優れ、高ボトムカバレッジを得ることが可能なスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which can suppress the decomposition of oxide and nitride during sputtering and can form a magnetic layer in which these are well separated and segregated with an alloy.例文帳に追加

スパッタリング中の酸化物や窒化物の分解を抑制し、それらが合金と良好に分離偏析した磁性層を形成できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target free from the cavities caused in a solidification step at casting, having relatively small grain size and a homogeneous fine structure.例文帳に追加

鋳造時の凝固工程に起因する巣の発生がなく結晶粒径が比較的小さく均質な微細構造を有するスパッタリングターゲットを製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The titanium nitride film can be formed by keeping a partial pressure of residual water in atmosphere for film-forming at 0.3% or below to a total pressure, when this titanium film is formed by a reactive sputtering method.例文帳に追加

窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して０．３％以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.例文帳に追加

安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stud and a welding method by which high welding strength can be obtained by preventing sputtering and needing no extra space without using an arc in resistance stud-welding.例文帳に追加

抵抗スタッド溶接において、アークを利用せず、スパッタを防止して、かつ余分なスペースを必要とせず、良好な溶接強度も得られるスタッドおよび溶接方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a Bi_2Te_3 thin film 4 is formed on the first film 3 as a second film by sputtering method until a total film thickness of the first film plus the second film becomes about 1 μm.例文帳に追加

次に、第１膜３上にスパッタリング法を用いて第２膜としてＢｉ_２Ｔｅ_３薄膜４を第１膜と第２膜とを合わせた膜厚が１μｍ程度になるまで形成させる。 - 特許庁

A metal mask is put on the collector electrode 10, and a back electrode 7 and a collector electrode 9 are formed by a sputtering method in parts on the n-type amorphous silicon film 6 except the metal mask.例文帳に追加

次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する。 - 特許庁

To provide a high-purity Ta material for a semiconductor device, which makes the thickness of a TaN film formed with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材を提供する。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which enables a via hole with a high aspect ratio to be filled up, and has a function of restraining peeling of dust from a deposition shield, and provide a method therefor.例文帳に追加

高いアスぺクト比のビアホールの孔埋めを可能とするとともに、防着板からの剥離ダストを抑制する機能を備えたマグネトロンスパッタ装置とその方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を３０℃〜８０℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a W-Ti target which can reduce particles generation from the target and particle generation due to exfoliation of a deposited film on a non-eroded part, during sputtering, and also provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリング時に、ターゲットからのパーティクル発生、及び非エロージョン部のデポ膜剥離によるパーティクル発生の低減を可能にしたＷ−Ｔｉターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁

This glass is formed by depositing an Si film consisting of 100 wt.% Si component by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate surface is subjected to bending and/or tempering after the deposition of the film.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＳｉ成分が１００重量％よりなるＳｉ膜が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁

The method also comprises employing two such facing target-type sputtering apparatuses 10a and 10b, and alternately forming the thin films on both sides of the substrates 130 from the targets 121a and 121b made of different materials.例文帳に追加

２台のこのような対向ターゲット式スパッタ装置１０ａ、１０ｂを用い、基板１３０の両面に異なる材料のターゲット１２１ａ、１２１ｂから薄膜を交互に形成する。 - 特許庁

When a magnetic layer is film-deposited by a sputtering method, a Tb target and a target consisting essentially of Fe are respectively provided in symmetrical positions with respect to the revolution shaft of a substrate so as to be separated the most.例文帳に追加

コスパッタリングにより成膜する際にＴｂターゲットとＦｅを主成分とするターゲットを基板公転回転軸に対して、最も離れるように対称な位置に設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of manufacturing the magneto-optical recording medium of high recording density using magnetic super high resolution technology with high mass productivity, and further provide a sputtering system.例文帳に追加

磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法とスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering film-forming apparatus which can continuously perform heat treatment and thin-film formation for a substrate in a film-forming step in the same position, and to provide a film-forming method therefor.例文帳に追加

成膜工程における基板の加熱処理と薄膜形成を、同じ位置において連続的に実施することができるスパッタリング成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of a magnetic recording medium that allows deposition of a film with low ordering temperature while suppressing generation of particles, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method comprises forming a niobium oxide film (NbO_x film) on a substrate surface by sputtering a niobium oxide or a niobium metal as a target, and annealing the niobium oxide film.例文帳に追加

ニオブ酸化物またはニオブ金属をターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板の表面にニオブ酸化物膜（ＮｂＯ_ｘ膜）を形成し、そのニオブ酸化物膜に対してアニール処理を行う。 - 特許庁

Also the reflection preventing layer is constructed by laminating a plurality of optical thin film layers with mutually different refractive indexes, and is formed by using a sputtering method under the pressure atmosphere of ≥0.5 Pa to ≤2.0 Pa.例文帳に追加

また、反射防止層が、屈折率の異なる光学薄膜層を複数積層してなり、０．５Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の圧力雰囲気下においてスパッタリング法を用いて形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a highly accurate counter electrode having uniform film thickness in a pixel can be formed at a low cost as compared with sputtering using a vacuum apparatus and the liquid crystal display device can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

真空装置を使うスパッタ成膜より低コストで、高精度で画素内の膜厚が均一な対向電極が形成され、低コストで液晶表示装置を製造できる。 - 特許庁

The positive electrode 31 contains the positive electrode material having lithium composite compound particles and a covering layer formed by a barrel sputtering method and covering the lithium composite compound particles.例文帳に追加

正極３１は、リチウム複合化合物粒子と、バレルスパッタ法により形成され、このリチウム複合化合物粒子を被覆する被覆層とを有する正極材料を含んでいる。 - 特許庁