「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxide semiconductor film 15 is formed by a DC sputtering method and a DC voltage Vdc for formation is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a silicon thin film by sputtering, silicon whose crystallinity is made more satisfactory than that of a silicon thin film to be manufactured is used as a target substance.例文帳に追加

スパッタリングによってシリコン薄膜を製造する方法であって、製造されるべきシリコン薄膜より結晶性が良いシリコンをターゲット物質とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transparent thin film having high transmittance in a short wavelength region of visible rays, by sputtering.例文帳に追加

スパッタリング法による透明薄膜の製造方法として、短波長域の可視光線透過率の高い透明薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Co based sputtering target consisting of cobalt or a cobalt based alloy which has high magnetic anisotropy and is hard to be cracked.例文帳に追加

高い磁気異方性を有し且つヒビ割れしにくいコバルトまたはコバルト基合金からなるＣｏ系スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the recording layer of a carbon film is formed by a sputtering method using a target of graphite for forming a recording film of the unrecorded state in an amorphous state.例文帳に追加

この場合、未記録状態の記録膜を非晶質状態とするため、グラファイトターゲットを用いてスパッタ法により炭素膜の記録層を製膜した。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of reducing the production of particles and obtaining a thinned translucent light shielding film, and to provide a method for manufacturing a mask blank.例文帳に追加

パーティクルの発生を低減し、かつ膜厚を薄くした半透明遮光膜が得られるスパッタリングターゲット、及びマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁

In the manufacturing method of a transparent conductive film where a mask is placed on a substrate, a pattern shaped transparent conductive layer is formed on the substrate by a sputtering method, a grid having a magnet is placed between a target and a substrate, and a pattern shaped transparent conductive film comprising the target material is formed over the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

In the surface treatment, a thin film may be formed on the surface by a sputtering or chemical vapor deposition method(CVD method) or a fine roughness may be formed on the surface by a wet etching method or a wet etching method after the thin film is formed.例文帳に追加

この表面処理はスパッタリングまたは化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって表面に薄膜を形成しても良いし、表面に湿式エッチングまたは上記の薄膜形成後の湿式エッチングの方法で微細な粗さを形成しても良い。 - 特許庁

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

This film-forming method includes: using a sputtering target containing 3-40 mol% TiO_2 and 60-97 mol% ZnO; and forming the oxide film with a sputtering technique on the surface of a substrate, or on the surface of a layered film which has been prepared by alternately layering the oxide film and the electroconductive film, on the surface of the substrate.例文帳に追加

ＴｉＯ_2 を３〜４０モル％、ＺｎＯを６０〜９７モル％含むスパッタリングターゲットを用い、スパッタリング法により基材表面、または該基材上に酸化物膜と導電膜とが交互に積層された積層膜表面に、酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To effectively suppress the generation of a micro arc even if power supply to a target is increased in order to shorten a tact time necessary for sputtering when film-forming a Ge simple film, a Ge compound film, a Ge alloy film, and the like, by sputtering method.例文帳に追加

Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲットへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロアークの発生を有効に抑制することを可能にする。 - 特許庁

When the β iron silicide region is manufactured on the silicon substrate by using a sputtering method, the conditions of the type of ion and its accelerating voltage, a pressure in an apparatus, an incident angle of ion or their combination are set to set a sputtering yield to 2.4 or more.例文帳に追加

シリコン基板にβ鉄シリサイド領域をスパッタ法を用いて作製する際、スパッタリング収率を２．４以上に設定するような、イオンの種類及びその加速電圧、装置内の圧力、イオンの入射角、またはその組み合わせの条件を設定する。 - 特許庁

In the deposition method for depositing the Si oxide film on a substrate by sputtering, an oxygen gas is supplied onto the substrate and the Si oxide film is deposited by sputtering Si from a direction oblique to the surface of the substrate using Si as a target.例文帳に追加

基板上にスパッタリングによりＳｉ酸化膜を形成する方法であって、基板上に酸素ガスを供給するとともに、ＳｉをターゲットとしてＳｉを基板面に対して斜め方向からスパッタリングしてＳｉ酸化膜を形成するＳｉ酸化膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a method of producing a sputtering target by which a resist layer capable of corresponding to the requirement for increasing the recording capacity of various devices can be formed with high precision in such a manner that the oxidizing degree of metal unsaturated oxide composing the resist layer can easily be stabilized, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

各種デバイスの高記録容量化の要求に対応可能なレジスト層を構成する金属非飽和酸化物の酸化度合いを容易に安定して、かつ精度良く形成することができるスパッタターゲットの製造方法及びスパッタターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper sputtering target material for a TFT which can reduce a tensile residual stress in a copper film which has been deposited even not changing a deposition condition (pressure in deposition, gas kind used for deposition or the like), and to provide a copper film for a TFT, and a sputtering method.例文帳に追加

成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes forming a thin film through sputtering targets 29a and 29b, while exhausting air from an outlet 11d formed in a vacuum chamber 11, and introducing a sputtering gas containing at least a reactive gas into a film-forming zone 20.例文帳に追加

真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system.例文帳に追加

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the target substance-containing liquid comprises sputtering the target substance toward a liquid material arranged in the same treatment chamber as a treatment chamber in which the target is arranged by using a plasma sputtering method using a target, to disperse the target substance in the liquid material.例文帳に追加

ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target in which oxygen present therein is uniformly dispersed, as a Cu alloy target containing oxygen for forming a wiring film having excellent adhesion with a glass substrate and an Si based under layer film and excellent barrier properties, and to provide a sputtering target produced by the production method.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

In the method, after the gas in the chamber of the sputtering film-forming device where the light-transmitting substrate 1 is to be conveyed is replaced by a gas containing neither water nor carbon dioxide, dry air or a mixture gas thereof, the pressure in the chamber is reduced and subsequently formation of the thin film 2 for patterning by the sputtering method is started.例文帳に追加

ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas.例文帳に追加

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 - 特許庁

By the method of forming a transparent electrode film on an organic thin film without causing charge-up and with sputtering damage restrained, an improvement in characteristics (driving, life or the like) is expected for the transparent organic electroluminescent element and a top-emission organic electroluminescent element with a final film-forming process applied in the sputtering method.例文帳に追加

有機薄膜上への透明電極成膜をチャージアップを起こさず、かつスパッタリングダメージを抑制させながら行う方法であって、最終成膜プロセスがスパッタリング法である透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子においては特性（駆動、寿命等）向上が期待できる。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a nonmagnetic base layer 3, consisting of an Ru film deposited by a sputtering method on a nonmagnetic support body 1, consisting of a long-sized polymeric film and has the magnetic layer 4 consisting of of a CoNiPtO-based metallic film deposited by the sputtering method on the nonmagnetic base layer 3.例文帳に追加

長尺状の高分子フィルムよりなる非磁性支持体１上に、スパッタ法により成膜されたＲｕ膜からなる非磁性下地層３を有し、非磁性下地層３上に、スパッタ法により成膜されたＣｏＮｉＰｔＯ系金属膜よりなる磁性層４を有する磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the magnetic recording medium is characterized in that after a base film formed on a substrate and consisting of a Cr metallic thin film or a Cr alloy thin film is subjected to sputtering treatment under an oxygen-excess atmosphere, the spinel type iron oxide thin film consisting essentially of maghemite is deposited on the base film by a reaction sputtering method.例文帳に追加

基体上に形成されたＣｒ金属薄膜又はＣｒ合金薄膜からなる下地膜に対して酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理した後、反応スパッタによって前記下地膜上にマグヘマイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor element having an oxide semiconductor thin film layer formed on a substrate by sputtering and containing zinc oxide as its main component, a sputtering gas containing oxygen is used and a biasing power is applied to the substrate upon formation of the oxide semiconductor thin film layer by sputtering.例文帳に追加

基板上に、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法であって、前記スパッタリング法による前記酸化物半導体薄膜層の成膜において、酸素を含有したスパッタリングガスを用い、且つ、成膜時に前記基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体素子の製法である。 - 特許庁

According to the solid state imaging device, a 100-200 mn thick, shading film 10 made of tungsten or the like is grown uniformly using a sputtering method, an organic metal CVD method, etc. so as to surround a charge transfer electrode 5.例文帳に追加

電荷転送電極５を取り囲むように、スパッタ法、有機金属ＣＶＤ法等の方法を用いて、膜厚が１００〜２００ｎｍのタングステン等からなる遮光膜１０を、一様に成長させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM OF PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH THE PROTECTIVE FILM OF PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK FORMED BY USING THE TARGET MANUFACTURED BY THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法及び該製造方法により製造したターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a device of an organic electroluminescence element wherein the invasion of moisture, oxygen or the like from the outside can be prevented by forming a protective film by a sputtering method which can reduce plasma damages.例文帳に追加

プラズマダメージを少なくできるスパッタリング法により保護膜を成膜して外部からの水分や酸素等の侵入を防止できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, a plurality of electrode films 142 that form the body of the lower electrode of TFD 13 are formed along the line on the surface of the wiring film 141, by using the mask sputtering method and the droplet discharge method.例文帳に追加

次に、この配線膜１４１の表面に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、ＴＦＤ１３の下電極の本体部となる電極膜１４２を前記ラインに沿って複数形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal film, which can inexpensively form the metal film and a metal pattern on an arbitrary substrate, and can solve a problem of a sputtering method; the metal film; and an application thereof.例文帳に追加

任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができ、スパッタリング法の問題点を解決しうる金属膜の製造方法、金属膜およびその利用を提供する。 - 特許庁

By using a III-nitride light emitting diode LED and a manufacture method thereof, a magnetic metal layer in a conversion III-nitride LED is formed by a method of thermal evaporation, e-beam evaporation, ion sputtering, or electroplate.例文帳に追加

本発明のIII−ニトリドＬＥＤおよびその製造方法は、熱蒸着、ｅビーム蒸着、イオンスパッタリングまたは電気めっきにより従来のIII−ニトリドＬＥＤに磁性金属層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of measuring characteristics of a film in the course of formation of the film on the spot in the semiconductor manufacturing apparatus for forming the film on a wafer with the aid of a CVD method, a sputtering method, and the like.例文帳に追加

ウェーハ上にＣＶＤ法やスパッタ法等により成膜を行う半導体製造装置において、成膜途中の膜の特性をその場測定しうる半導体装置製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a ceramic thin film on a substrate with a sputtering method, which is easy, has versatility and enhances the crystallinity of the ceramic thin film.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法で基板上にセラミック薄膜を形成する方法に関し、簡単で汎用性があるセラミック薄膜の結晶性を向上させる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The metal layer is formed by a vacuum sputtering method or a vacuum evaporation method, on at least one surface of the resin composition layer containing the resin element.例文帳に追加

上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層の少なくとも一方の面に、真空スパッタリング法または真空蒸着法により金属層を形成することにより解決することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which orients a ferroelectric film well without forming a complicated structure of a lower electrode even when a sputtering method is mainly employed.例文帳に追加

主としてスパッタリング法を採用する場合でも、下部電極の構造を複雑な構造にすることなく、強誘電体膜を良好に配向させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a TiN film 14B of prescribed thickness is accumulated on a Ti film 14A by a sputtering method, a TiN film 14C of prescribed thickness is accumulated on the TiN film 14B by a CVD method.例文帳に追加

Ｔｉ膜１４Ａ上にスパッタリング法にて所定の膜厚のＴｉＮ膜１４Ｂを堆積した後、ＴｉＮ膜１４Ｂ上にＣＶＤ法にて所定の膜厚のＴｉＮ膜１４Ｃを堆積する。 - 特許庁

In this method for depositing an ITO transparent electrically conductive film on the surface of a substrate 14 by a sputtering method, a light irradiating stage of irradiating ultraviolet rays for assist is included.例文帳に追加

スパッタリング法により基板１４表面にＩＴＯ透明導電膜を形成する方法であって、アシスト用紫外光線を照射する光線照射工程を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

In addition, since damage to the light-emitting layer 20 in forming the transparent electrode film 31 by the method provided herein is smaller as compared to that by a sputtering method, the emitting light amount of the light-emitting layer 20 is not reduced.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、透明電極膜３１を成膜する際に発光層２０に与えるダメージがスパッタ法に比べて小さいので、発光層２０の発光量も減少しない。 - 特許庁

To provide a sputtering treating method capable of obtaining stable discharge, capable of forming a thin film of uniform film quality, reducing exhausting time and good in workability and to provide a device suitable for the carrying out the method.例文帳に追加

安定した放電が得られて均一な膜質の薄膜を成膜でき、排気時間を短縮し作業性の良いスパッタリング処理方法及びその方法の実施に適した装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a sputtering target for producing a transparent conductive thin-film by a hot pressing method, which does not produce crack on the surface and a nodule and arcing during film formation.例文帳に追加

ホットプレス法を用いて、その表面に割れが発生せず、成膜中にノジュールやアーキングが発生しない、透明導電性薄膜作製用のスパッタリングターゲットを、安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

It is desirable that the carbon thin film 34 is deposited to ≥2 nm film thickness by a vacuum deposition method or sputtering method where the minimum angle of incidence of sputtered particles upon the substrate is ≤40°.例文帳に追加

このとき、カーボン薄膜３４は、２ｎｍ以上の膜厚で、真空蒸着法または基板に対するスパッタ粒子の最低入射角が４０°以下となるスパッタ法で成膜を行うことが望ましい。 - 特許庁