「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask blank 10 is produced by forming a thin film 2 for patterning, comprising a material containing at least one of metal and silicon, on a light-transmitting substrate 1 by a sputtering method using a sputtering film-forming device.例文帳に追加

透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。 - 特許庁

To provide a Cu-containing, Al-based alloy sputtering target which is favorable for forming a metal wiring thin film having excellent low wiring resistance and hillock resistance, and capable of suppressing occurrence of splash during the sputtering, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属配線薄膜の形成に有用であり、さらにスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができる、Ｃｕ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製法を提供する。 - 特許庁

In this case, argon gas is introduced under vacuum and a metal or a metal compd. is used as a target in a sputtering method to form a sputtering film on the film comprising a resin showing optical anisotropy at the time of melting.例文帳に追加

真空下でアルゴンガスを導入し、金属または金属化合物をターゲットとし、スパッタリング法により、溶融時に光学的異方性を示す樹脂よりなるフィルム上にスパッタリング膜を形成する積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of sputtering with sputtering apparatus for depositing a layer upon a substrate which includes a sputter target with a face exposed to the substrate and a magnetron providing a magnetic field that moves relative to the target face.例文帳に追加

基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。 - 特許庁

To provide a control method for reactive sputtering which deposits a thin film on a substrate by sputtering targets in a reactive gas to emit the material, and can be controlled with excellent production efficiency.例文帳に追加

本発明は、反応性ガス中でターゲットをスパッタしてその材料を放出させて基板上に薄膜を形成する反応性スパッタリングに関し、生産効率の良い制御が可能な反応性スパッタリングの制御方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a CrTi-based alloy and a sputtering target material having suppressed generation of a compound used to form a thin film by sputtering, and a method for producing a perpendicular magnetic recording medium using the same.例文帳に追加

本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pretreating method for metal analysis and its device capable of preventing recontamination such as re-oxidation of the surface of a sample in a sputtering process, and thus providing a correct analyzed value always even when the sputtering is repeated.例文帳に追加

スパッタリングの過程で生ずる再酸化などの試料表面の再汚染を防止し、それによりスパッタリングを繰り返しても常に正しい分析値を与えることのできる金属分析の予備処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a bias sputtering apparatus with enhanced reliability, which can make a bias power stable by eliminating unstable factors of the applied bias power, when forming a shadow on the front periphery of a substrate with the bias sputtering method.例文帳に追加

基板前面外周部にシャドーを形成する方式のバイアススパッタにおいて、バイアス電力印加時の不安定要因を排除し、安定的なバイアス電力印加が可能であって、信頼性の向上されたバイアススパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method, which reduces the number of samples made for confirming the relationship among film forming hours, film thickness and film resistance, and can reduce dummy substrates and man-hours for sample making, and provide a sputtering apparatus therefor.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜時間と膜厚及び膜抵抗の関係を確認する際に作製するサンプル数を削減し、ダミー基板及び、サンプル作製工数を低減できるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することである。 - 特許庁

In the vacuum sputtering mode type manufacturing method of a laminated ceramic capacitor (MLCC) comprising dielectric ceramic layers and inner-electrode layers, its dielectric ceramic layers and its inner-electrode layers are manufactured by a vacuum sputtering mode.例文帳に追加

本発明に係わる真空スパッタリング方式による誘電セラミック層及び内部電極層の積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）の製造法は、その誘電セラミック層及び内部電極層が真空スパッタリング方式で製造される。 - 特許庁

In the semiconductor-film forming method, the semiconductor film is formed on the substrate by using catalyst CVD, high-density catalyst CVD, high-density plasma CVD, plasma CVD, reduced pressure CVD, atmospheric pressure CVD, sputtering or catalyst sputtering processes.例文帳に追加

本発明は、触媒ＣＶＤ，高密度触媒ＣＶＤ，高密度プラズマＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，減圧ＣＶＤ，常圧ＣＶＤ，スパッタリング，触媒スパッタリングを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。 - 特許庁

To provide an indium oxide-tin oxide powder capable of extending the service life of a target and obtaining a high-density sputtering target, a sputtering target using it, and a method of manufacturing the indium oxide-tin oxide powder.例文帳に追加

ターゲットのライフを伸ばすことができ、また、高密度なスパッタリングターゲットを得ることができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of raising an operation rate of the apparatus, by arranging a means for removing a film forming material deposited on a deposition shield and a substrate mask, and by extending a repairing cycle for the sputtering apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

防着板や基板マスクへ付着する成膜材料を除去する手段を設け、スパッタリング装置の補修周期を高めることで、前記装置の稼働率を上げることが可能なスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide sputter targets for sputtering silicon-containing films which can be used for solar cell production or other semiconductor devices, in particular semiconductor optical devices such as solar cells, displays and the like, to provide a method for manufacturing the same, and to provide a sputtering apparatus.例文帳に追加

太陽電池製造又は半導体装置、特に、太陽電池、ディスプレイ等のような半導体光装置のために使用できるシリコン含有膜をスパッタリングするためのスパッタターゲット、その製造方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device which can form a high quality silicon based thin film inexpensively in safety at high speed, and to provide a sputtering method, and an electronic device such as a solar cell or a liquid crystal display (LCD) which is manufactured using the silicon thin film.例文帳に追加

高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing the magneto-optical recording medium comprises grounding a substrate 260 to make a sputtering atom 250 fly so as to have the directivity vertical to the substrate, without applying an RF bias, accumulating the sputtering atoms on the substrate to form the prescribed underlaid or recording layer.例文帳に追加

基板２６０を接地し、スパッタ原子２５０を基板に対して垂直な指向性を有するように、ＲＦバイアスを印加することなく飛行させ、基板上にスパッタ原子を堆積して、所定の下地層や記録層を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of manufacturing an oxide semi-conductor film having excellent surface smoothness free from any abnormal film quality while suppressing abnormal discharge generated when depositing the oxide semi-conductor film by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、膜質異常がなく、表面平滑性に優れた酸化物半導体膜を製造できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

In this zinc oxide laminated thin film body 4001 obtaining by laminating a zinc oxide thin film 4004 on a substrate 4002 by a sputtering method and further laminating a zinc oxide thin film 4005 thereon by an electrodeposition method, a dopant reducing resistance value is contained in the zinc oxide thin film 4004 by a sputtering method.例文帳に追加

基体４００２上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜４００４を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜４００５を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体４００１であって、スパッタ法による酸化亜鉛薄膜４００４に、抵抗値を低減するドーパントが含有されている。 - 特許庁

In forming a silver series transparent conductive thin film of the thickness of 1 to 30 nm by a sputtering method with a target with silver as a main ingredient put on a substrate, the method utilizes an atmosphere containing oxygen gas as a sputtering atmosphere in deposition.例文帳に追加

基体上に、銀を主成分とするタ—ゲツトを用いて、スパツタリング法により厚さが１〜３０ｎｍの銀系透明導電体薄膜を成膜するにあたり、成膜時のスパツタリング雰囲気を酸素ガスを有する雰囲気としたことを特徴とする銀系透明導電体薄膜の製造方法。 - 特許庁

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。 - 特許庁

A titanium layer 4 is formed on the surface of an alumina board 2 through sputtering method, a platinum thin film 6 is formed on the titanium layer 4 through sputtering method, and then the platinum thin film 6 is regulated or increased in its temperature coefficient of resistance by annealing for the formation of a platinum thin-film resistor.例文帳に追加

アルミナ基板２の表面上にスパッタリングによるチタン層４の形成を行い、チタン層４上にスパッタリングによる白金薄膜６の形成を行った後に、白金薄膜６の抵抗温度係数を調整あるいは増大させるアニールを行って白金薄膜抵抗体を製造する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Ga alloy powder, by which a high-quality Cu-Ga alloy powder can be easily produced, a Cu-Ga alloy powder, a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target, and a Cu-Ga alloy sputtering target.例文帳に追加

高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Because the gas flow sputtering method does not require high vacuum exhausting, it is conducted by using the low cost equipment, and further because high speed sputter deposition is feasible, the electrochromic element is manufactured at a low cost due to reduction of a cost of equipment and shortening of sputter deposition time by adopting the gas flow sputtering method.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であるため安価な設備で実施でき、しかも高速成膜が可能であることから、ガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、エレクトロクロミック素子を安価に製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of thin film deposition, by which a target is hardly cracked even if sputtering voltage is increased and the improvement of the productivity of a thin film is easily attained by increasing the film deposition speed in the thin film deposition by a sputtering method using a ceramic target.例文帳に追加

セラミツクターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、スパッタリング電力を増加させても、上記ターゲットに亀裂が入りにくく、成膜速度の増大による薄膜の生産性の向上を容易にはかれる薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a target which has a low resistivity, a high relative density to theoretical density, and high strength, in which the content of indium is reduced and abnormal discharge generated when a transparent conductive film is formed by a sputtering method is suppressed so as to perform stable sputtering, and to provide a producing method therefor.例文帳に追加

抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高く、インジウム含有量が低減されており、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a Co alloy sputtering target and a method for producing it in which a Co-Ta alloy magnetic material target is produced by a melting method, the producing process of the target is reduced, its uniformity is made satisfactory as well, and a magnetic sputtering thin film having higher coercive force can be obtained.例文帳に追加

Ｃｏ−Ｔａ系合金磁性材ターゲットを溶解法によって作製し、ターゲットの製造工程及を短縮化するとともに、ユニフォ−ミティ−を良好にし、さらに高い保磁力を有する磁性スパッタリング薄膜を得ることができるＣｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

On a substrate 1, a first β-FeSi_2 layer 2 comprising fine polycrystal whose particle size is 10 to 100 nm is formed as an initial layer by a sputtering method, a vapor deposition method or a laser ablation method.例文帳に追加

基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a film magnet having a high intrinsic coercive force, which cannot be obtained without a heat treatment of a substrate by a sputtering method or a laser ablation method, without a heat treatment for the substrate.例文帳に追加

スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

A thin film conductor is formed on at least one out of a surface and a back of the core substrate 9a by using any one out of a vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam method, a vapor growth method and a sputtering method and patterned, and conductor patterns 19-22 are formed by patterning.例文帳に追加

コア基板９ａの表裏面の少なくともいずれかに蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、気相成長法、スパッタリング法のいずれかによって薄膜導体を形成した後にパターニングして導体パターン１９〜２２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of driving a piezoelectric actuator to control the amount and direction of displacement of a piezoelectric film formed by an epitaxial growth method such as sputtering method or an oriented growth method, and to provide a method of driving a liquid ejection head.例文帳に追加

スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よって成膜された圧電体膜の変位量及び変位方向の制御を可能とする圧電アクチュエータの駆動方法及び液体吐出ヘッドの駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In sputtering target, capable of reducing impurity content by suppressing diffusion of Cu from a backing plate.例文帳に追加

バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target for use in forming a chalcopyrite type semiconductor film which is used when a light absorption layer of a solar cell is formed.例文帳に追加

太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To deposit a film having a desired composition ratio by suppressing the composition reduction of an element being apt to be reversely sputtered by a sputtering method using plasma.例文帳に追加

プラズマを用いるスパッタリング法により、逆スパッタされやすい元素の組成減少を抑制して所望の組成比を有する膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which can improve film quality and film thickness controllability by stabilizing a pre-sputtering process, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a fourth processing step, coatings 29, 31 covering the initial surface pattern are applied, especially by a sputtering method, preferably as an alternating layer system.例文帳に追加

第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target for EL element manufacture, which can sufficiently reduce an O content in a light-emitting film.例文帳に追加

発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

A GaN layer 3 is grown by nearly 2 μm on a GaN layer 2 formed on a base substrate 1, and an Al_2O_3 film 4 of nearly 100 μm is formed by sputtering method.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜２に、GaN層３を２μｍ程度成長させ、スパッタ法により100ｎｍ程度のAl_2O_3膜４を形成する。 - 特許庁

The recording layer 2 is formed by film-depositing and successively laminating a lower base layer 2d, a magnetic recording layer 2c, a reflection layer 2b and an upper base layer 2a by a sputtering method.例文帳に追加

記録層２は下地層２ｄ，磁気記録層２ｃ，反射層２ｂ及び上地層２ａをスパッタ法にて成膜し順次積層する。 - 特許庁

To provide a plastic potentiometric ion-selective sensor manufacturable by sputtering and a printing method.例文帳に追加

本発明の主な目的は、スパッタリングと印刷方法により製造することができるプラスチック電位差測定イオン選択性センサーを提供することにある。 - 特許庁

In a method for manufacturing the phase change recording medium, oxygen is mixed in sputter process gas for sputtering and forming the corrosion resistance protective layer 8 (3).例文帳に追加

（３）スパッタプロセスガス中に酸素を混合してスパッタリングを行い耐食性保護層８を形成する相変化記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a thin film thermistor manufacturing method wherein cracking or delamination is restrained from occurring in the center region of a sputtering film after calcination processing.例文帳に追加

焼成処理後に、スパッタ膜の中央領域にクラックや剥離が生じることを抑制した薄膜サーミスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁