「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING SILICON NANOPARTICLES FROM SILICON RICH-OXIDE BY DC REACTIVE SPUTTERING FOR ELECTROLUMINESCENCE APPLICATION例文帳に追加

エレクトロルミネセンスへの応用を目的とし、シリコン過剰酸化物からシリコンナノ粒子をＤＣ反応性スパッタリングによって形成する方法 - 特許庁

The electrodes 14a-14d are provided with large resistance by directly forming them as thin films on the base material 11 by a sputtering method.例文帳に追加

電極１４ａ〜１４ｄはスパッタ法によって絶縁基板１１に直接形成し、薄膜とすることで抵抗を大きくする。 - 特許庁

To provide a suitable condition, under which a III nitride compound semiconductor layer is formed on a substrate through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。 - 特許庁

In this method for forming the photocatalyst film, an SiO_2 film is laminated on a TiO_2 film by sputtering in vacuum.例文帳に追加

本発明は真空中でＴiＯ_2膜上にスパッタリングによってＳiＯ_2膜を積層する光触媒膜の形成方法である。 - 特許庁

ARTICLE COATED WITH ZIRCONIUM COMPOUND FILM, METHOD FOR PRODUCING THE ARTICLE, AND SPUTTERING TARGET USED FOR COATING WITH THE FILM例文帳に追加

ジルコニウム化合物膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a method for producing high-purity titanium suitable for a sputtering target by efficiently separating impurities from sponge titanium.例文帳に追加

スポンジチタン中の不純物を効率よく分離し、スパッタリングターゲットに適した高純度のチタンを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDING METHOD IN SPUTTERING DEVICE AND SUBSTRATE HOLDER OF DEVICE FORMING THIN FILM ON SUBSTRATE SURFACE IN PLASMA ATMOSPHERE例文帳に追加

スパッタリング装置における基板保持方法、並びに、プラズマ雰囲気中で基板表面に薄膜を形成する装置の基板ホルダー - 特許庁

To provide an assembly of titanium target for sputtering having a high jointing strength and jointing soundness, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い接合強度及び接合健全性を有するスパッタリング用チタンターゲット組立て体、及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, on which a barrier metal layer 3 is formed through a sputtering method.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上にスパッタリング法により、バリアメタル層３を形成する。 - 特許庁

An iron nitride layer film formed by a sputtering method is selectively etched by RIE to form an upper pole chip 11a.例文帳に追加

スパッタリングによって成膜された窒化鉄層をＲＩＥにより選択的にエッチングして上部ポールチップ１１ａを形成する。 - 特許庁

POWDER, SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, EACH CONTAINING ELEMENTS Cu, In, Ga AND Se, AND METHOD FOR PRODUCING THE POWDER例文帳に追加

Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法 - 特許庁

The 2nd magnetic layer 4 is deposited by a sputtering method and it has a polycrystal structure consisting of magnetic materials such as CoPt alloy.例文帳に追加

第２磁性層４はスパッタリング法により成膜し、ＣｏＰｔ合金などの磁性材料よりなる多結晶構造とする。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of reducing a resistivity of a tungsten film deposited by using a sputtering method and to provide a tungsten target used for the film deposition method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element manufacturing method forms the silicon nitride oxide layer forming at least part of the protective layer by a sputtering method or a CVD method.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法では、保護層の少なくとも一部分を成すシリコン窒化酸化物層はスパッタリング法又はＣＶＤ法によって形成される。 - 特許庁

The method for forming a thin film uses a raw material powder for a sintered compact as a target 21a without using the solid sintered compact and forms a thin film by a physical vapor-deposition method such as a sputtering method.例文帳に追加

固体の焼結体ではなく、この焼結体の原料である粉体自体をターゲット２１ａとして用い、スパッタリング法等の物理的蒸着法により薄膜を形成させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a gas cleaning method for removing the unnecessary deposit on the inner wall, fixture or the like of an apparatus for manufacturing a thin film, a thick film, a powder and a whisker using a CVD method, a sputtering method, a sol-gel method and a vapor deposition method.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのガスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The method for sputtering includes a first process (S02) to form a film having high resistivity by sputtering on a shield member disposed near the target, a second process (S03) to dispose a substrate to face the target and a third process (S04) to form, using the target, a dielectric film on the substrate by sputtering.例文帳に追加

このスパッタリング方法は、スパッタリングでターゲットの近傍に配置されたシールド部材に高比抵抗膜を形成する第１の工程（Ｓ０２）と、基体をターゲットに対向させて配置する第２の工程（Ｓ０３）と、スパッタリングでターゲットにより基体上に誘電体膜を形成する第３の工程（Ｓ０４）とを含む。 - 特許庁

To provide a Sb-Te sputtering target which effectively prevents generation of particles, abnormal electric discharge, generation of nodules, occurrence of cracks or breakage, etc., in sputtering and of which the oxygen content is reduced; its production method; and a powder for sintering suitable for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用粉末を提供する。 - 特許庁

This invention discloses also the method of manufacturing the Cu wiring film of the semiconductor device of sputtering the Cu alloy sputtering target including 25-53 mass% of Ce oxide, and the remainder including Cu and the inevitable impurities, to form the base film, and then of forming the Cu wiring film on the base film by sputtering.例文帳に追加

また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 - 特許庁

In the sputtering method in an oxidation mode for depositing an optical multilayer film on a substrate face within a vacuum tank, the total pressure in the vacuum tank is controlled in the process of depositing the optical multilayer film, thus at least either the sputtering voltage or sputtering current is held to prescribed value or prescribed width.例文帳に追加

真空槽内で基板面上に光学多層膜の成膜をする為の酸化モードでのスパッタ方法であって、前記光学多層膜の成膜中に前記真空槽内の全圧を調節することによってスパッタ電圧又はスパッタ電流の少なくとも一方を所定値又は所定幅に保つスパッタ方法。 - 特許庁

To provide a back side sputtering method and a semiconductor device manufacturing apparatus for implementing the sputtering method, where the stress of a metallic film formed on the back side of a wafer for forming semiconductor elements is small and hence the wafer warps less even its thickness becomes reduced.例文帳に追加

半導体素子を形成するウェーハ裏面に形成された金属膜の膜応力が小さく、したがってウェーハ厚が薄くなっても反りの発生が少ない裏面スパッタリング方法及びこのスパッタリングを実施する半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−７０〜−１３０Ｖのバイアス電圧、０．１〜０．７Ａのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁

A nickel layer 4 with a thickness of approximately 100 nm is formed on a main surface of a silicon layer 3 by the sputtering method, and a titanium nitride layer 5 with a thickness of 300-500 nm is formed on a main surface of the nickel layer 4 as an oxidation protective layer by the sputtering method.例文帳に追加

シリコン層３の一方主面上に厚さ約１００ｎｍのニッケル層４を、スパッタリング法によって形成し、さらに、ニッケル層４の一方主面上に酸化保護層として厚さ３００〜５００ｎｍの窒化チタン層５を、スパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

To obtain a backing plate an assembly of sputtering target and backing plate, a method for joining the sputtering target and the backing plate, and a method of sputter film deposition capable of preventing warping and cracking and hardly causing the melting of a brazing filler metal for bonding even if applied electric power is increased.例文帳に追加

反り、割れを防止し、かつ投入電力を上げてもボンディング鑞材の溶け出しが生じにくいバッキングプレート、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法及びスパッタリング成膜方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target which does not produce a crack when the sputtering target is upsized with a melting method, and inhibits formation of particles during formation of a film for forming a capacitor electrode or the like in a semiconductor memory, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを熔解法によって大型化する際にクラックを発生させず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成するための製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed.例文帳に追加

窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。 - 特許庁

To provide a method for depositing a magnetic material film by which film deposition can be performed at a high film deposition rate by magnetron sputtering with a thick magnetic material target.例文帳に追加

厚い磁性材ターゲットでマグネトロンスパッタリングにより高い成膜速度で成膜できる磁性材膜の成膜方法の提供。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system for depositing a mixed film of a metal and SiO_2 at high speed by sputtering.例文帳に追加

金属とＳｉＯ_2の混合膜を高速かつ安定してスパッタリングで形成可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus excellent in maintenance property by allowing easy exchange of targets, and to provide a method of manufacturing a liquid crystal device.例文帳に追加

容易なターゲット交換を可能とすることでメンテナンス性に優れた、スパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus for reducing sputtering caused by gas introduced to a projection beam optical path, and a method for manufacturing the apparatus.例文帳に追加

投影ビーム光路に導入されたガスによるスパッタリングを低減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを達成することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Sputtering, CVD, a sol-gel process or aerosol deposition (AD) may be applied as a method for forming the functional film 14.例文帳に追加

図１（ｂ）において、機能性膜１４を形成する方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法等がある。 - 特許庁

To prevent abnormal discharge in a method for depositing a carbon thin film by sputtering, and to efficiently deposit the film of high quality.例文帳に追加

スパッタリングによりカーボン薄膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus which reduces sputtering due to gas that has been introduced in an optical path of a projection beam, and to provide a device manufacturing method.例文帳に追加

投影ビーム光路に導入されたガスによるスパッタリングを低減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which arcing due to emission of thermal electron can be reduced during a sputtering process for forming bumps.例文帳に追加

バンプ形成時のスパッタ工程において熱電子放出によるアーキングを低減し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A non-magnetic amorphous layer 3 is formed by a sputtering method on the non-magnetic substrate 1 to control the diameter distribution of the crystal grains in the magnetic layer 6.例文帳に追加

磁性層６の結晶粒径分布を制御するため、非磁性基板１上にスパッタ法で非磁性アモルファス層３を形成する。 - 特許庁

The transparent film is deposited/formed by a sputtering method or the like by injecting particles of the film material at 0 to 85° incident angle onto the substrate.例文帳に追加

この透明膜を、スパッタリング法等により、膜材料粒子を入射角０〜８５°で基板上に入射して堆積・形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of controlling the composition ratio of a thin film when forming a compound thin film by the facing target type sputtering method.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a material which is suitable for use in a semiconductor such as a transistor and a diode etc. by using a sputtering method.例文帳に追加

本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and method, capable of preventing the adhesion of sputter particles scattered from a target to other targets.例文帳に追加

ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target that has high electric power resistance and enables deposition at a high deposition rate, and provide a method for manufacturing optical media.例文帳に追加

耐電力特性が高く、高い成膜速度での成膜が可能なスパッタリングターゲット及び光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, on the first platinum layer 81, a second platinum layer 82 is deposited, for example, by sputtering method at 250-500°C to 250-500 Å.例文帳に追加

更に第１白金層８１上に第２白金層８２を例えばスパッタリング法で２５０〜５００℃にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁