| 意味 | 例文 |
Sputtering Methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2639件
In the manufacturing method of the present invention, the flow rate ratio of noble gas and reactive gas used for the reactive sputtering method is adjusted according to a target threshold voltage of the MOSFET.例文帳に追加
本発明の製造方法では、反応性スパッタリング法で用いる希ガスと反応性ガスの流量比率を、目標とするMOSFETの閾値電圧に応じて調整する。 - 特許庁
The method has a deposition step of forming a reflecting film with compressive stress of 700 to 2,000 MPa on the end surface of a semiconductor laser body by the ECR sputtering method.例文帳に追加
半導体レーザ本体の端面上に、700〜2000MPaの圧縮応力を内包する反射膜を、ECRスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a preferable piezoelectric element by epitaxial growth method such as sputtering or orientation growth method, and to provide a process for manufacturing a liquid ejection head.例文帳に追加
スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よって好ましい圧電素子を作製する圧電素子製造方法及び液体吐出ヘッド製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a conductive transparent compound thin film which has a sufficiently low resistivity and is difficult to provide in the conventional reactive sputtering method, and to provide a method of producing the conductive transparent compound thin film.例文帳に追加
従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SPUTTER TARGET, SPUTTER TARGET, SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加
スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁
To provide a manufacturing method for an organic EL element capable of reducing the damage on an organic substance layer when forming a second transparent electrode on an organic part layer by a sputtering method.例文帳に追加
有機部層上に透明な第2電極をスパッタリング法で形成する際に、有機物層に生じるダメージを低減できる有機EL素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
As for the method of forming a deposited film using a vacuum treatment system in a sputtering method provided with a load lock chamber, a substrate is loaded from the load lock chamber to a vacuum vessel while glow discharge is held.例文帳に追加
ロードロック室を備えるスパッタリング法に真空処理装置を用いた堆積膜の形成方法において、グロー放電を維持したまま基体をロードロック室から真空容器へロードする。 - 特許庁
To provide a low cost recycling method for a rare earth metal-transition metal alloy capable of obtaining powder having high performance, particularly, a recycling method suitable for a used sputtering target for a magnetooptical disk.例文帳に追加
安価で、得られる粉末の性能がよい、希土類金属−遷移金属合金のリサイクル方法、特に、使用済みの光磁気ディスク用スパッタリングターゲットに適したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁
The capacitor lower electrode is formed on the projecting section of the capacitor lower electrode plug exposed on an interlayer insulating film by a film forming method, such as the sputtering method, etc., by which poor step coverage is obtained.例文帳に追加
層間絶縁体膜上に露出したキャパシタ下部電極プラグの突起部に、スパッタ法のような段差被覆性の乏しい成膜方法によりキャパシタ下部電極を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.例文帳に追加
スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.例文帳に追加
マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い2軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加
ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.例文帳に追加
しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層7を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、CVD法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層7を形成することができる。 - 特許庁
The method of the present invention comprises a target production step S21 for producing a target for sputtering, which contains photocatalytic apatite, a sputtering step S22 for forming a photocatalytic apatite film on a substrate by a sputtering method using the target, and a burning step S23 for burning the photocatalytic apatite so as to improve the photocatalytic activity of the photocatalytic apatite film formed on the substrate.例文帳に追加
本発明の方法は、光触媒アパタイトを含む、スパッタリング用のターゲットを作製するためのターゲット作製工程S21と、ターゲットを用いたスパッタリング法により、基材に対して光触媒アパタイトを成膜するためのスパッタリング工程S22と、基材に成膜された光触媒アパタイトの光触媒活性が向上するように当該光触媒アパタイトを焼成するための焼成工程S23とを含む。 - 特許庁
To provide an R-Fe-B vertical magnetic anisotropy thin-film magnet, which can be sharply improve both of its coercive force and its residual magnetic flux density by a film-forming method using a sputtering method, and to provide a manufacturing method of the magnet.例文帳に追加
スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR‐Fe‐B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。 - 特許庁
A non-catalyst metallic layer 2 which comprises Ti as a main component is formed on a catalyst metal substrate 1 comprising a catalyst metal such as Ni, Co, Fe or the like by a film forming method such as an electron beam vapor deposition method and a sputtering method.例文帳に追加
Ni、CoまたはFe等の触媒金属からなる触媒金属基板1上に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の成膜法によりTiを主成分とする非触媒金属層2を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, setting more accurately the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method.例文帳に追加
ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.例文帳に追加
本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、IBAD基材7上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット14a、15aを用いる反応性DCスパッタ法を用いる。 - 特許庁
To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device.例文帳に追加
半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF REDUCING SPUTTERING BURN-IN TIME AND MINIMIZING SPUTTERED PARTICULATE, AND TARGET ASSEMBLY USED THEREUPON例文帳に追加
スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ - 特許庁
To provide a method and a device of sputtering suitable for forming a film with small internal stress, especially suitable for forming a film on a large sized substrate.例文帳に追加
内部応力の少ない膜を成膜するのに適し、特に大型基板の成膜に適するスパッタリング方法とその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering system using an inexpensive magnetic field forming part with a simple structure, and to provide a film deposition method using the same.例文帳に追加
安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A conductive coating film is formed on the surface of a substrate 2 consisting of insulating material by such vapor deposition as CVD, PVD and a sputtering method.例文帳に追加
絶縁性材料からなる基材2の表面にCVD法や、PVD法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering method using a magnetic substance having thickness suitable for mass production as a target, good in productive efficiency, low in the cost and excellent in cost effectiveness.例文帳に追加
量産に適した厚みをもつ磁性体をターゲットとして用い、生産効率がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁
To provide a glass substrate for a magnetic disk and a method for manufacturing the substrate so that a magnetic film can be easily formed by sputtering on the glass substrate for a magnetic disk.例文帳に追加
磁気ディスク用ガラス基板面に磁性膜をスパッター法により形成するのが容易な磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering target which has excellent machinability and is capable of forming a compound film that mainly contains Cu and Ga, and a method for producing same.例文帳に追加
機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing a large ITO (indium-tin oxide) sintered compact which is useful as a target for sputtering for producing a transparent electrically conductive film in a short time.例文帳に追加
透明導電膜作製のためのスパッタリング用ターゲットとして有用な大型のITO焼結体を短時間で製造可能な方法を提供する。 - 特許庁
To achieve an sputtering apparatus that prevents a film, deposited therein and peeled off from the apparatus, from adhering to a substrate as foreign matter, and also to achieve a method for maintaining the same.例文帳に追加
装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。 - 特許庁
To provide a sputtering target which is used for forming a film of a magnetic recording medium, has a further refined structure and also includes little contamination, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a cylinder-shaped sputtering target, with which a cylinder-shaped target material and a backing sleeve are securely joined to each other with a simple construction.例文帳に追加
円筒形ターゲット材とバッキングスリーブとを簡単な構成で確実に接合することができる円筒型スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加
また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a sputtering target capable of joining a backing plate increased in size with a target member with excellent quality and high efficiency.例文帳に追加
大形化したバッキングプレートとターゲット部材との接合を、高品質で、かつ高能率に行うことが可能なスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a film deposition method and a sputtering system capable of improving the film quality and uniformity in film thickness of a film deposited on a substrate.例文帳に追加
基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
To improve tact time and to stably obtain a deposited film of high quality by reducing the influence of the instability in discharge at the initial stage in a sputtering method.例文帳に追加
スパッタリング法における初期の放電不安定性の影響を低減し、タクトタイムを向上させるとともに、良質な堆積膜を安定して得る。 - 特許庁
The molding die having the shape of the very small optical waveguide can be obtained at low cost by the method for forming a molding die by using the sputtering system.例文帳に追加
またスパッタ装置を用いた成形型の作製方法によると、微細な光導波路の形状をもつ成形型を低コストで得ることができる。 - 特許庁
This mirror 10 is formed with an Ag film 2 and a Cu film 3 on the rear face 1A of a glass substrate 1 by a sputtering method and the corrosion prevention coating film 4 is formed thereon.例文帳に追加
ガラス基板1の裏面1Aにスパッタリング法によりAg膜2及びCu膜3を形成し、この上に防食塗膜4を形成した鏡10。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin film by plasma assisted sputtering, which deposits a crystallized and highly dense thin-film on a substrate having a large area, and to provide a film-forming apparatus.例文帳に追加
大面積の結晶化膜、高緻密膜の薄膜を基板上に堆積するプラズマ支援スパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁
To provide a brazing filler metal coating method by which a work with a large area such as a sputtering target can uniformly be coated with a low melting point brazing filler metal (e.g., indium).例文帳に追加
スパッタリングターゲットのような大面積の被加工物に低融点ロウ材低融点ロウ材(インジウム等)を均一に塗布できるロウ材塗布方法を得る事。 - 特許庁
To provide a film-forming method which can efficiently form a film on a flexible substrate that is continuously sent, by using a gas-flow sputtering technique, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁
Foreign matters stuck at the time of forming the laminated constitution by a sputtering method are removed to reduce the number of foreign matters stuck to the surface to 20 or smaller per cm^2.例文帳に追加
スパッタリング法により積層構成を形成した際に付着した異物を除去して、該面の異物付着数を20個/cm^2以下とする。 - 特許庁
To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target which consists of substantially In, Sn, Mg and O, and can restrain arcing.例文帳に追加
実質的にIn、Sn、MgおよびOからなり、アーキングの発生を抑制できるMg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a film deposition method for improving the adhesion between a thin film and a plastic film when depositing the thin film onto the plastic film by sputtering.例文帳に追加
プラスチックフィルム上にスパッタリングで薄膜を形成する際、薄膜とフィルムとの密着性を向上させるための成膜方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加
生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたCu−Ga合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a mixed powder of lithium phosphate and lithium oxide as a target.例文帳に追加
また、固体電解質26は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁
To form a thin film on an oxide semiconductor film by a sputtering method while suppressing plasma damage on the oxide semiconductor film with high film in-plane uniformity.例文帳に追加
スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。 - 特許庁
Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a powder of lithium phosphate of β phase as a target.例文帳に追加
また、固体電解質26は、β相のリン酸リチウムの粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁
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