「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目)

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Sputtering Methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2639件

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例文

To provide a piezoelectric film forming method which can manufacture a high membranous piezoelectric film with high productivity, a manufacturing method of an FBAR, and a non-reactive sputtering device realizing the methods.例文帳に追加

高い膜質の圧電膜を生産性高く製造することができる圧電膜の形成方法またはＦＢＡＲの製造方法およびこれを実現する非反応性スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Such an electrocatalyst for a fuel cell can be suitably produced on the surface of the platinum-substitute material used as the electrocatalyst for a fuel cell by precipitating carbon by a sputtering method, an evaporation method, or a CVD method.例文帳に追加

このような燃料電池用電極触媒は、燃料電池用電極触媒となる前記白金代替材料の表面に、スパッタリング法、蒸着法又はＣＶＤ法により炭素を析出させることで好適に製造できる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device manufactured by a manufacturing method that improves luminous efficiency and is simplified without depending on a high vacuum thin-film forming technology such as a vapor deposition method or a sputtering method.例文帳に追加

発光効率を向上させ、かつ蒸着法やスパッタ法等の高真空薄膜形成技術によらず簡略化された製造方法により作製された有機エレクトロルミネッセント素子を提供することを課題とすることを目的とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a piezoelectric film 17 as the dielectric film, a first piezoelectric film 15 to be preferentially oriented to (002) is first formed on a lower electrode layer 14 preferentially oriented to (002) using a sputtering method or an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

圧電体膜１７の製造方法は、まず、（００２）に優先配向された下部電極層１４上に、同じ（００２）に優先配向する第１圧電体膜１５をスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing the image display device includes a process of forming a draw-out wiring C on a rear plate 1, and a process of forming a thin-film insulating layer 11 on the draw-out wiring C by a CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

本発明の画像表示装置の製造方法は、リアプレート１上に引き出し配線Ｃを形成する工程と、引き出し配線Ｃ上に、ＣＶＤ法もしくはスパッタ法で薄膜絶縁層１１を形成する工程とを含む。 - 特許庁

例文

A Si film 6 is film-deposited on a substrate 5 of a magnetic head by a sputtering method, a DLC film 7 is film-deposited on the Si film 6 by a CVD method and a ta-C film 8 is film-deposited on the DLC film 7 by a cathodic arc method.例文帳に追加

磁気ヘッドの基板５上にＳｉ膜６をスパッタ法により成膜し、そのＳｉ膜６上にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜７を成膜し、そのＤＬＣ膜７上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ膜８を成膜する。 - 特許庁

A vacuum film deposition system is provided with an ion source in a film deposition chamber, and a thin film is deposited by projecting ion seeds on a film traveling according to the rotation of a main roll by the sputtering method, the CVD method, the vapor deposition method, etc.例文帳に追加

本真空成膜装置は、成膜チャンバ内にイオンソースを備え、メインロールの回転に応じて走行するフィルム上にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等によりイオン種を投射して薄膜を成膜する装置である。 - 特許庁

The protection film is formed by an electron beam evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method by using the material for forming a protection film of plasma display panel formed by sintering a raw material prepared by crushing a single crystal.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料において、単結晶を粉砕したものを原料として、それを燒結した材料を用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって保護膜を形成する。 - 特許庁

As a specific method of electrically connecting the main substrate and the auxiliary substrate to each other, a conductive material is formed on in a step part for regulating a sliding width by using a thin film forming technology such as a sputtering method, a deposition method.例文帳に追加

主基板と補助基板を電気的に接続する具体的な手法として、摺動幅を規制する段差部にスパッタリング法や蒸着法或いはめっき法等の薄膜形成技術を用いて導電性材料を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a method for stably producing a sputtering target material where, when a sputtering target material of an Fe-Co based alloy used for the formation of a soft magnetic film used for a vertical magnetic recording medium or the like is produced from a cast ingot, the cast ingot is subjected to plastic working.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜の形成に使用されるＦｅ−Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲット材を鋳造インゴットから製造するにあたって、鋳造インゴットに塑性加工を施したスパッタリングターゲット材を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which realizes such a magnetic field shape as to enable plasma to be generated in a wide region over the surface of a target, enhances a use efficiency of a target material, and can inhibit dust and abnormal electrical discharge, and to provide a sputtering method using the apparatus.例文帳に追加

プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The method is suitably used for a dry deposited film including hydrogen derived from at least Si-H bond or N-H bond, which is formed by a means selected from among vapor deposition, reactive vapor deposition, sputtering, reactive sputtering, and chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 - 特許庁

The method of fabricating a sputtering target comprises the steps of preparing a rapidly solidified masteralloy comprising Co-Cr-B, ball milling the masteralloy with Pt powder to mechanically alloy Pt to the master alloy and performing HIP'ing to densify the resultant alloy to form the sputtering target.例文帳に追加

本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

The film forming method by sputtering which forms a film on a substrate by introducing a sputtering gas in a film forming room, includes forming a reflection layer having a predetermined reflectivity on the above substrate, by adjusting a H2O partial pressure in the atmosphere in the above film forming room to a predetermined condition.例文帳に追加

成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のＨ_2Ｏ分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜する。 - 特許庁

The method of producing sputtering target includes processes of: mixing tin oxide powder, zinc oxide powder and oxide powder of elements of trivalence or more which contain no sulfide; calcining the mixture at 800 to 1,300 °C; crushing and granulating the calcined mixture; thereafter forming the crushed and granulated material by pressing; and, thereafter, sintering the formed material to produce the sputtering target.例文帳に追加

硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

In this method for producing a sputtering target, a process in which a sputtering target raw material containing B as essential components is melted and cast to form a cast ingot, and the obtained cast ingot is subjected to annealing treatment and is thereafter subjected to rolling into a prescribed shape is included.例文帳に追加

Ｂを必須成分として含有するスパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、得られた鋳造インゴットに対してアニーリング処理を行ったのち、これを所定形状に圧延する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 is a GaN based semiconductor laser element having an optical film 30 formed on the end face of a resonator by sputtering an Al target under sputtering conditions of high film deposition rate in an atmosphere containing Ar gas and oxygen gas by ECR plasma method.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ＧａＮ系半導体レーザ素子であって、ＥＣＲプラズマ法を用いて、Ａｒガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でＡｌターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜３０を共振器端面に有する。 - 特許庁

The method for producing the transparent electroconductive film of an oxide containing indium and zinc by using a sputtering technique includes sputtering the target containing indium oxide and zinc oxide as main components while keeping the magnetic field in parallel to the target surface in a strength lower than 400 Oe (oersted).例文帳に追加

スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を４００Ｏｅ（エルステッド）未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal-clad plastic substrate having a metal layer formed, by sputtering on a polyimide film surface which improves the adhesive strength of the metal layer made by sputtering to the metal film surface and the long-time stability under high-temperature environment.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which has a high sputtering efficiency, and can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming at least the boundary side with the outermost high-refractive index layer of the silicon oxide layer 15 in the step of forming the silicon oxide layer 15 by sputtering method, voltage per unit current of 19 V-42 V is applied to a sputtering cathode having a target for forming the silicon oxide film.例文帳に追加

酸化ケイ素層１５をスパッタ法で形成するにあたり、この酸化ケイ素層１５のうちの少なくとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり１９Ｖ〜４２Ｖの電圧を印加する。 - 特許庁

In the reactive sputtering method that uses the metal target, a magnet 205 is arranged on a non-film-forming surface side of a substrate 203 to be processed, and film-forming particles are guided by capturing target particles scattered due to sputtering action with magnetic fields, thereby uniformizing the film thickness distribution of the substrate 203.例文帳に追加

金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the complex plate by brazing a porous metal plate and a metal plate, a brazing material is formed into a sputtering brazing material layer on the surface of the metal plate, and then, the porous metal plate is superposed on the metal plate with the sputtering brazing material in between and is heated.例文帳に追加

多孔質金属板と金属板をろう付けして複合板を製造する方法において、前記金属板の表面にろう材をスパッタリングによりスパッタリングろう材層を形成し、ついで、前記多孔質金属板をスパッタリングろう材層を挟んで前記金属板に重ねたのち加熱する。 - 特許庁

To provide an erosion profiled target which keeps satisfactory uniformity of a film (uniformity of film thickness) throughout the sputtering life of the target, generates few particles, does not deform the target during sputtering, and further has the long life of the target, and to provide a method for manufacturing the target, and a target-backing plate.例文帳に追加

ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）を良好にするとともに、パーティクルの発生が少なく、スパッタリング中のターゲットの変形がなく、さらにはターゲットの寿命が長いエロージョンプロファイルターゲット、ターゲットの製造方法及びターゲット−バッキングプレートを提供する。 - 特許庁

In the method for producing the optical recording medium by placing a plurality of targets opposite to a substrate in a sputtering apparatus and forming a plurality of layers on the substrate by the sputtering of the targets, the distance between each of the targets and the substrate is set in the range of 100-250 mm.例文帳に追加

スパッタ装置内に複数のターゲットを基板に対向配置して、この複数のターゲットをスパッタすることにより、この基板上に複数の層を形成するる光記録媒体の製造方法において、前記複数のターゲットと前記基板との距離は、１００ｍｍ〜２５０ｍｍの範囲にある。 - 特許庁

In the transparent conductive film forming method providing a mask on a substrate and pattern-forming the transparent conductive film on the substrate by the sputtering method, a trap electrode equipped with a pin made of a magnet is provided between the target and the substrate, and the transparent conductive film made of a target-forming material is pattern-formed on the substrate by the sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットからなるピンを備えたトラップ電極を設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

In the method for depositing a glass film by which a silicon dioxide glass film essentially consisting of silicon dioxide and containing germanium dioxide of several % to 30% is deposited on a substrate by using a sputtering method, a target used for the sputtering method is composed of silicon dioxide and germanium dioxide, and its density is controlled to 70% or more of the solid body having the same composition.例文帳に追加

二酸化シリコンを主成分とし数％乃至３０％二酸化ゲルマニュウムを含む二酸化シリコン系ガラスの膜を、スパッター法を使用して、基板上に形成するガラス膜の形成方法において、スパッター法に使用するターゲットを二酸化シリコンと二酸化ゲルマニュウムとの組成物とし、その密度を、そ組成を有する充実体の７０％以上とする、ガラス膜の形成方法である。 - 特許庁

To provide a producing method of a capacitor insulation film by using an ECR sputtering apparatus which has high dielectrical characteristics, contributing to the creations of high-speed and microminiaturized semiconductor memory elements, etc.例文帳に追加