「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

In particular, the barrier container according to Claim 1, which has the ceramic thin film formed by a CVD method or a PVD method such as sputtering method or vapor deposition method, or the barrier container with a composition of the ceramic thin film mainly containing silicon oxide, diamond-like carbon or alumina is preferable.例文帳に追加

特に、セラミック薄膜がＣＶＤ法またはスパッタ、蒸着等のＰＶＤ法で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバリア性容器や、セラミック薄膜の組成が酸化珪素、ダイヤモンドライクカーボンまたはアルミナを主成分とすることを特徴とするバリア性容器が好ましい。 - 特許庁

To provide a sliding member for automotive parts which can achieve a low frictional coefficient even in the case a sputtering process is adopted as a method for depositing a hard carbon film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a carbon-based protective film 5 to cover a magnetic layer 4 on a board 1 is formed by a chemical vapor phase deposition method or sputtering method, water is added to the reaction gas to incorporate hydroxyl groups into the carbon-based protective film 5.例文帳に追加

基板１上の磁性層４を覆うカーボン系保護膜５を化学気相堆積法或いはスパッタリング法を適用して成膜する際に反応ガスに水を添加して該カーボン系保護膜５に水酸基を含有させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element by a sputtering method that prevents film formation speed from decreasing effectively and restraining the physical damage of the organic electroluminescent element, when forming a protective film in the organic electroluminescent element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の保護膜形成する際に、効果的に成膜速度の低減を防ぎ、かつ、有機ＥＬ素子の物理的ダメージを抑えた、スパッタリング法による有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This method for forming the metallic thin film, which is formed on a substrate by the sputtering method, is characterized in that a mixture of a reducing gas and a dilution gas is used as an atmospheric gas in forming the above metallic thin film.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板上に金属薄膜を形成する方法において、該金属薄膜を形成する際の雰囲気ガスとして、還元性ガスと希釈ガスとの混合ガスを用いる金属薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a masking material which can suppress the formation of a blurred pattern when a pattern is formed on a substrate with a sputtering method; a piezoelectric vibrator; a method for manufacturing the piezoelectric vibrator; an oscillator; electronic equipment; and a radio wave clock.例文帳に追加

スパッタ法にて基板上にパターンを形成する際に、パターンボケが生じるのを抑制することができるマスク材、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor in which a ferroelectric thin film used in various devices such as a nonvolatile memory device using ferroelectric characteristics can be easily formed by a sputtering method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

強誘電体特性を利用した不揮発性メモリなどの各種デバイスに供される強誘電体薄膜がスパッタリング法によって容易に形成できる強誘電体キャパシタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for depositing a fluoride thin film in which the film having a desired refractive index and having no absorption from a ultraviolet ray zone to a visible zone is deposited by the sputtering method.例文帳に追加

本発明の目的は、所望の屈折率を有し紫外域から可視域にわたり吸収のない膜を、スパッタリング法によって形成するフッ化物薄膜の形成方法及び形成装置を提供することにある。 - 特許庁

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a lithium secondary cell which can improve a charge and discharge cycle property when a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer is formed with the use of a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いてＬｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する場合に、充放電サイクル特性をより向上することが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride semiconductor by which conductivity can be controlled on the basis of the quantity of an added donor impurity and a group III nitride semiconductor can be efficiently formed by a sputtering method.例文帳に追加

ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method by catalyst sputtering for deposit high-quality thin films on a substrate and a thin film deposition system as well as a method for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に高品質な薄膜を形成するための触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A sintering tray base material is formed of alumina, and the base material surface is coated with a metal film of the same quality as a metal of the ceramic capacitor by a coating method performing deposition in a form of a vapor phase or an ion, such as a sputtering method.例文帳に追加

焼結用トレイ基材をアルミナで形成すると共に基材表面にセラミックコンデンサーの金属と同質の金属膜をスパッター法などの気相、イオンなどの形態で堆積するコーティング法により被覆する。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring pattern by which rewiring can be made without implementing a full-surface thin film forming step (sputtering) or etching step, a semiconductor device and a method for manufacturing it, a circuit board, and electronic equipment.例文帳に追加

全面薄膜形成工程（スパッタ）及びエッチング工程を用いずに再配線を形成する配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus, which can continuously repeat film forming with an arc discharge type ion plating method and film forming with a sputtering method, in such a condition that the each film has high adhesiveness.例文帳に追加

アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し行えることが可能である皮膜形成装置を提供する。 - 特許庁

A thin SiO_2 film is deposited on the semiconductor substrate 2 including the polyimide film 1 through CVD, and a conductive film 5 as a material for a heater is deposited thereon by vacuum vapor deposition method or sputtering method.例文帳に追加

ポリイミド膜１を含む半導体基板２上に薄いＳｉＯ_２膜をＣＶＤにより堆積し、さらにその上に、ヒータの材料となる導電性膜５を真空蒸着法またはスパッタ法により堆積する。 - 特許庁

In this case, the first magnetic layer 20 is formed by a sputtering method using a magnetic material which exhibits a high saturation magnetic flux density, and the second magnetic layer 21 is formed by a plating method using a magnetic material, which exhibits low magnetic distortion.例文帳に追加

このとき、高い飽和磁束密度を示す磁性材料を用いてスパッタ法により第１の磁性層２０を形成し、低い磁歪を示す磁性材料を用いて鍍金法により第２の磁性層２１を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。 - 特許庁

In this method for forming the zinc oxide thin film, the zinc oxide thin film is formed on a substrate by carrying out sputtering by using a zinc oxide target in an atmosphere containing the sputtering gas comprising oxygen and an inactive gas, and the thin film is formed while applying a pulse bias to the substrate.例文帳に追加

酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 - 特許庁

This production method for the sputtering target is characterized in that a raw material of the sputtering target is melted and cast to form a cast ingot, the hot-top part of this ingot is removed, and thereafter, the cast ingot thus obtained is subjected to hot press to be compress-worked to a required shape.例文帳に追加

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことによって所定形状に圧縮加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a double shutter control method for a multitarget sputtering deposition system capable of preventing the occurrence of crosscontamination between targets due to target substances etc., sticking to shutter plates with a multitarget sputtering deposition system which is equipped with a plurality of the targets within a chamber and is constituted to perform the selection of the target with double rotary shutter mechanisms.例文帳に追加

チャンバ内に複数のターゲットを備えかつ二重回転シャッタ機構でターゲットの選択を行うようにした多元スパッタ成膜装置で、シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できる多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fluoride sputtering target used for sputtering out of film forming methods, which can form a film on a large area, provide a target which can further restrain particle generation by increasing density of the target and can form a film of an aimed quality, and provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

成膜方法として大面積の成膜が可能であるスパッタリングを使用することができるフッ化物スパッタリングターゲットを提供するものであり、さらに該ターゲットの密度を上げることでパーティクルの発生を抑え、かつ目的品質の膜を得ることができるターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the thin film formation method for forming a thin film in a surface of a processing object S by sputtering, a prevention film formation process for forming a charging damage prevention film 80 for preventing charging damage in the surface of the processing object by sputtering is carried out as a preceding process of a thin film formation process for forming a thin film 82.例文帳に追加

被処理体Ｓの表面にスパッタリングにより薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記薄膜８２を形成する薄膜形成工程の前工程として、前記被処理体の表面にチャージングダメージを防止するためのチャージングダメージ防止膜８０をスパッタリングにより形成する防止膜形成工程を行う。 - 特許庁

The film-forming method includes: supplying a sputtering gas and a reaction gas into a chamber to keep a predetermined degree of the vacuum; and forming a predetermined film on a substrate by sputtering a metal target which is installed in the chamber and is held by a target-holding part so as to oppose to the substrate, through applying a voltage to the target.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。 - 特許庁

When forming a resistive thin film by a sputtering method, a sputtering target comprising, by mass, 20-60% Ta, >8% but ≤15% Al and the balance being Cr and Ni and having a mass ratio (Cr/Ni) of Cr to Ni of 0.5-1.2 is used.例文帳に追加

スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

In the method for producing an optical product where an optical thin film is formed on a substrate using two targets by sputtering, the two targets for the sputtering are each composed of Si, and a mixed solid solution composed of at least one transition metal selected from Ti, Nb, Ta, Zr, Hf and Mo, and Si.例文帳に追加

スパッタリングにより２つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の２つのターゲットが、Ｓｉおよび、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＭｏから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とＳｉからなる混合固溶体である。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a composite type sputtering system and a composite type sputtering method where, without shortening the pitch of a pair of targets, the confining effect to the space between the targets of the charged particles of plasma, secondary electron or the like formed between the targets is increased, and also, the electric power supplied to cathodes can be increased.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくし、且つカソードへの投入電力を大きくすることができる複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target of Al-(Ni, Co)-(Cu, Ge)-(La, Gd, Nd)-based alloy, which reduces the occurrence of splash at the initial stage of the use of the sputtering target, thereby prevents a defect from occurring in a wiring film or the like, and can improve the yield or performance of FPD, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a thermal head by forming a resistor layer 3 and a pair of conductive layers 4, 4 sequentially on an insulating substrate 1 and coating them with a protective layer 5, the protective layer 5 has at least three layer structure including upper and lower layers 5c, 5a formed by non-bias sputtering and an intermediate layer 5b formed by bias sputtering.例文帳に追加

絶縁基板1 上に発熱抵抗体層3 及び一対の導電層4,4 を順次被着させるとともに、これらを保護層5 にて被覆して成るサーマルヘッドの製造方法であって、前記保護層5 は少なくとも３層構造を有し、上層5c及び下層5aをノンバイアススパッタリング法で、中層5bをバイアススパッタリングで形成する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering cathode, a magnetron sputtering apparatus, and a method of manufacturing a magnetic device, for generating a leakage magnetic field sufficiently large to form a magnetic tunnel necessary for discharge on the surface of a target even when the target is a magnetic body and thick and a ferromagnetic body is used as the target.例文帳に追加

ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering.例文帳に追加

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 - 特許庁

In forming the GaN thin film for thin films of the fluorophor and communication element by the sputtering method, the sputtering target is composed of a white GaN sintered body which is obtained by sintering a white GaN raw material powder, and has oxygen concentration of 1.5% or less and Zn content of 0.1% or less.例文帳に追加

蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 - 特許庁

The method for producing the silicon oxide film is performed, with which the silicon oxide film is formed on a substrate by using a sputtering target comprising silicon carbide and silicon with a ratio in number of atoms of C to Si being from 0.5 to 0.95 and carrying out AC sputtering having from 1 to 1000 kHz frequency in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

炭化ケイ素とケイ素とを含有し、Ｓｉに対するＣの原子数比が０．５〜０．９５であるスパッタターゲットを用い、酸化性ガスを含有する雰囲気中で、周波数１〜１０００ｋＨｚの交流で交流スパッタリングを行うことにより、基体上に酸化ケイ素膜を成膜する、酸化ケイ素膜の製造方法。 - 特許庁

In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method.例文帳に追加

高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。 - 特許庁

To develop an industrially and economically attractive method capable of producing an Al or Al alloy based tubular sputtering target with an integrated structure for covering a TFT (thin film transistor) display.例文帳に追加

ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ITO transparent conductive thin film having uniform characteristics in a substrate surface even when the substrate is large in size, a sputtering apparatus therefor, and a color filter using the same.例文帳に追加

大型基板であっても基板面内の特性が均一なＩＴＯ導電性薄膜の製造方法と、そのための装置と、それを用いたカラーフィルターの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for magnetic recording medium film formation allowing deposition of a film with a low ordering temperature and also suppression of particle-generation; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the method for producing the Cu-Ga based sputtering target material is provided, which uses the Cu-Ga based alloy powder as a raw material and the Cu-Ga based alloy powder is solidified and modified at a temperature of 400-850°C.例文帳に追加

さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target and an evaporation material while preventing cracking during manufacture without causing reduction in yield.例文帳に追加

製造工程中にクラックが発生するのを抑制し、歩留まりの低下をまねくことなく、安定的にＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよび蒸着材を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for sputtering without restriction of a substrate material by preventing a temperature of the substrate during film formation from rising up as well as improving a speed for forming a deposition film onto a substrate.例文帳に追加

基板への堆積膜を形成する速度を向上するとともに、成膜中の基板の昇温を防止することにより基板材質の制約を受けることなくスパッタを行う。 - 特許庁

Then a conductive thin film having three-layered structure consisting of a nitried layer 103 of a conductive metal, a nitried layer 104 of a conductive metal, and a nitride layer 105 of a conductive metal is formed by a sputtering method.例文帳に追加

その後、導電性金属の窒化層１０３と導電性金属１０４および導電性金属の窒化層１０５の３層構造の導電性薄膜をスパッタリングで形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering system and a thin film deposition method by which an insulator thin film excellent in the uniformity of film thickness can be deposited over a wide range of a large substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、大型基板の広範囲にわたって膜厚均一性に優れた絶縁物薄膜を形成可能なスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

A Cr film 9 is formed thinly on the surface of the CU film 3 in film thickness of approximately 50 nm by a sputtering method, the Cr film 9 is etched, and a removing section 9a is formed.例文帳に追加

このＣｕ膜３の表面にＣｒ膜９をスパッタ法によって５０ｎｍ程度の膜厚に薄く形成した後、このＣｒ膜９をエッチングして除去部９ａを形成する。 - 特許庁