「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a phosphor having an improved light emitting intensity and insensitive to damage by sputtering and UV irradiation, and to provide a method for producing the phosphor and a plasma display panel using the phosphor.例文帳に追加

発光強度が向上し、スパッタリングやＵＶ照射によりダメージを受けにくい蛍光体、およびその製造方法並びに該蛍光体を用いたプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for effectively producing a puttering target capable of molding a metallic sputtering target containing B as essential components to a prescribed thickness by a rolling stage.例文帳に追加

Ｂを必須成分として含有する金属系スパッタリングターゲットを圧延工程によって所定厚まで成形することが可能となる効果的なスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a piezoelectric element part of a liquid jet head, in which only an upper electrode film of a part exposed in a contact hole is etched in a reverse sputtering treatment for forming a lead electrode.例文帳に追加

リード電極の形成における逆スパッタ処理においてコンタクトホールに露出している部分の上電極膜だけがエッチングされる液体噴射ヘッドの圧電素子部分の形成方法を提供する。 - 特許庁

A stainless steel sheet is used as the substrate, and a titanium or titanium-alloy plating layer in which ≥0.5% nitrogen is made to enter into solid solution is deposited by a sputtering method, and a titanium oxide film is formed on the outermost surface layer of the plating layer.例文帳に追加

ステンレス鋼板を基板に、０．５ａｔｍ％以上の窒素を固溶するチタンまたはチタン合金めっき層をスパッタリング法により施し、該めっき最表層に酸化チタン皮膜を形成した。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁

The super corrosion-resisting alloy is manufactured by the sputtering method using a target prepared by using a non-magnetic commecial alloy as a base material 4 of target and setting or embedding small pieces 5, 6 of additive elements on or in the base material 4.例文帳に追加

この超耐食性合金を非磁性の市販合金をターゲット基体４とし、これに添加元素の小片５，６を載せたり埋め込んだりしてなるターゲットを用いるスパッター法で作製する。 - 特許庁

To form a film made of a compound of materials which are different from materials of a substrate on the surface of a substrate through reactive sputtering method, while a compound of materials of which the substrate is made is not formed on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に基板を構成する材料の化合物を形成することなく、基板とは異なる材料の化合物からなる膜を、基板表面に反応性スパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a vapor depositing target free from the generation of abnormal dischrge (arcing) in the process of sputtering film formation and imparting good film characteristics and to provide a method for efficiently producing a vapor depositing target.例文帳に追加

スパッタリング成膜中に異常放電（アーキング）が発生せず、良好な膜特性を付与する蒸着ターゲットを提供すること及び該蒸着ターゲットを効率的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an effective production method for a sputtering target large in scale and also having a fully homogenous fine structure, without a conventional process requiring long term and high-load energy.例文帳に追加

長時間かつエネルギー高負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でかつ良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲットを製造するための効率的な方法を提供すること。 - 特許庁

Preferably, by a low energy sputtering method under a sputter voltage of -50 to -300 V, film deposition is performed in such a manner that the film thickness of the metallic thin film (2) is controlled to 1 to 50 nm, and the film thickness of the ceramic thin films (3 and 4) is controlled to 10 to 500 nm.例文帳に追加

好ましくは、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギースパッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍに、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍに成膜する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition apparatus and a method for manufacturing the film, wherein the target utilizing efficiency is improved and occurrence of abnormal discharge is reduced even when a target and a magnet are arranged close to each other.例文帳に追加

ターゲットの利用効率を向上し、ターゲットとマグネットとを近接に配置しても異常放電の発生を低減可能なスパッタ成膜装置および膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the optical recording medium 101, a reflection layer 12 can be optionally formed on the base material 11 and the reflection layer 12 is also composed of a material which can be formed by the sputtering method using the DC power source.例文帳に追加

また、光記録媒体１０１は、基材１１上に任意に反射層１２を形成することができ、反射層１２も、ＤＣ電源を用いたスパッタリング法により形成できる材料からなる。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a high-density Mg- containing ITO sputtering target at a low cost by which cracking during a manufacturing process can be suppressed and high yield can be attained.例文帳に追加

製造工程中にクラックが発生するのを抑制し高い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal silicide sputtering target which ensures optical and chemical properties effective in film deposition for a phase shifting mask and can suppress the generation of particles and to provide a method for manufacturing the target.例文帳に追加

位相シフトマスク成膜時に有効な光学的・化学的特性が得られ、且つパーティクルの発生を極めて少なく抑えることのできる金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A copper film is deposited on the copper film 17 by sputtering to fill a recessed part (wiring channel 15), and an excessive copper film and titanium nitride film other than the wiring channel 15 are removed by a CMP method to form a wiring.例文帳に追加

さらに銅膜１７上にスパッタ法により銅膜を堆積して凹部（配線溝１５）を埋め込み、配線溝１５以外の余分な銅膜、窒化チタン膜をＣＭＰ法により除去して配線を形成する。 - 特許庁

To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.例文帳に追加

ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a thermal head capable of forming a heat generating resistor layer while reconciling the suppression of variation in resistance and the expansion in the degree of freedom in the selectivity of materials by using sputtering.例文帳に追加

スパッタリングを使用して抵抗ばらつきの抑制と材料選択性の自由度の拡大とを両立しながら発熱抵抗体層を形成することが可能なサーマルヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indium target which has a high film formation rate with low initial discharge voltage, and furthermore, which has a stable film formation rate and stable discharge voltage from a start to completion of sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

Namely, the thinning of the capacitor (dielectric stacked body) which has been difficult by a production method using a green sheet can be realized by depositing the electrode films 50A, 50C and dielectric film 50B by sputtering.例文帳に追加

つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であったコンデンサ（誘電積層体）の薄型化は、スパッタリングによって電極膜５０Ａ，５０Ｃ及び誘電体膜５０Ｂを成膜することで実現される。 - 特許庁

A sputtering target is DC-sputtered at water partial pressure of 3×10^-4 to 5×10^-2 Pa in a system so as to form a formation body, and the formation body is crystallized in the film formation method of the oxide semiconductor.例文帳に追加

系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 - 特許庁

To provide: a semiconductor device capable of preventing increase of a resistance value of a wire due to barrier film formation and the occurrence of a void; a method of manufacturing the same; and a sputtering target used for the same.例文帳に追加

バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a reflection layer of an optical medium excellent in surface smoothness which is composed mostly of relatively inexpensive aluminum and does not use rare earth metal, and a method for manufacturing thereof.例文帳に追加

比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a BiTi-based oxide target containing a Bi_4Ti_3O_12 phase which has high density and hardly causes abnormal discharge and enables sputtering to be performed with the consistent film composition, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高密度で異常放電が発生し難く、安定した膜組成でスパッタリングが可能なＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２相を含むＢｉＴｉ系酸化物ターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity and high-density metal boride sintered compact suitable as a constituent material of a sputtering target, and a lanthanum boride sintered compact having the above properties.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの構成材料として好適な高純度かつ高密度の金属ホウ化物焼結体の製造方法、及び上記性状を有するホウ化ランタン焼結体を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of placing a substrate inside a sputtering chamber that has a copper target and a silicon oxide (SiO_2) target, or has a composite target made from copper and silicon oxide therein.例文帳に追加

この方法は、銅ターゲットおよびシリコン酸化物（ＳｉＯ_2）ターゲットを有するか、あるいは、銅およびシリコン酸化物から作られた複合ターゲットを有するスパッタリングチャンバー内に、基板を設置することを含む。 - 特許庁

To manufacture an IGZO-based amorphous oxide semiconductor film by a sputtering method, which has suitable carrier density as an active layer of a TFT and excellent stability against electrical stress and heat.例文帳に追加

スパッタ法により、ＴＦＴの活性層として好適なキャリア密度を有し、且つ、電気的ストレス、及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物半導体膜を製造する。 - 特許庁

To provide a ZnS based dielectric target for sputtering having low target resistance, and to provide a film deposition method and a producing device for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk using the target.例文帳に追加

ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。 - 特許庁

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

To provide a method whereby a Ta sputtering target with a fine and uniform crystal particle size and excellent characteristics is stably produced by improving and devising its forging step and heat treatment step.例文帳に追加

鍛造工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、結晶粒径を微細かつ均一にし、特性に優れたＴａスパッタリングターゲットを安定して製造できる方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

Then, a copper alloy film 6 is formed through a slow/long sputtering method, using a target formed of alloy of copper and about 10 wt.% silver and termally treated so as to fill the wiring groove 3 and the connection hole 4.例文帳に追加

次に、銅に約１０ｗｔ％程度の銀を含有させたターゲットを用いてロングスロースパッタ法により銅合金膜６を形成し、熱処理して配線溝３内及び接続孔４内を埋め込む。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which a thin film having the targeted physical properties, excellent adhesibility and excellent surface property can be deposited on a long substrate with high productivity through sputtering.例文帳に追加

長尺物にスパッタリングで成膜を行うに際し、目的物性を有し、かつ、密着性に優れ、表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜できる成膜方法を提供する。 - 特許庁

A surface of ZnO raw material powder 11 is covered by rare metal element oxide 13 containing ≥2 and ≤17 kinds of rare earth elements selected from the rare earth metal group by the barrel sputtering method to form a granular body.例文帳に追加

バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。 - 特許庁

Otherwise, the first ferromagnetic body layer is formed after the amorphous nonmagnetic metal is formed on the substrate, or the first ferromagnetic body layer is formed on the substrate by sputtering method.例文帳に追加

または、基板上にアモルファス非磁性金属を形成させた後、第一の強磁性体層を形成させるか、第一の強磁性体層をスパッタ法にて基板上に形成させる上記素子の製造方法。 - 特許庁

The method in this invention comprises: a deposition step for the film by arc evaporation; and a deposition step for the film by dual magnetron sputtering, and the deposition is performed in succession or simultaneously.例文帳に追加

本発明の方法は、アーク蒸発による前記被膜の堆積工程、およびデュアルマグネトロンスパッタリングによる前記被膜の堆積工程を含んでなり、前記堆積が順次または同時に実施される。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity Ta material for semiconductor devices, which can enhance in-plane uniformity of thickness of a TaN film formed by a reactive sputtering process.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower electrode 18 is formed on an upper surface of a substrate 10, a piezoelectric film 20 is formed on the lower electrode 18 by sputtering method, and an upper electrode 22 is formed on an upper surface of the piezoelectric film 20.例文帳に追加

基板１０の上面に下部電極１８を成膜し、下部電極１８上にスパッタ法で圧電体膜２０を成膜し、圧電体膜２０の上面に上部電極２２を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target assembly having high joining strength, at the time of laminating a target material and a backing plate material and performing diffusion joining, by increasing the contact area of both materials.例文帳に追加

ターゲット材とバッキングプレート材とを重ね合わせて拡散接合する際に、両材の接触面積を大きくして、高い接合強度を有するスパッタリングターゲット組立て体を製造する方法の提供。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

ＲＦスパッタ法によりシリコン基板１上に室温でアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜２を６００℃から８５０℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁

To reduce working cost and obtain high yield by weight in a unidirectional solidified silicon ingot, a manufacturing method thereof, a silicon plate, a substrate of a solar cell and a target base material for sputtering.例文帳に追加

一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材において、加工コストが低いと共に、高い重量歩留まりを得ること。 - 特許庁

The surface of the main body of an electrochemical measuring electrode 3 is modified by a polymeric thin film 4 manufactured by a high frequency sputtering method using an organic solid material as a target.例文帳に追加

電気化学測定用の電極３本体の表面に、有機固体材料をターゲットとして高周波スパッタ法により作製された高分子薄膜４が修飾されていることを特徴とする。 - 特許庁

In this method for depositing a magnetic material film, magnetron sputtering is performed by using a magnetic material target in which the maximum magnetic permeability in the thickness direction is double or above the maximum magnetic permeability in the direction vertical to the thickness direction.例文帳に追加

厚さ方向の最大透磁率が厚さ方向と垂直な方向の最大透磁率の２倍以上である磁性材ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングする磁性材膜の成膜方法。 - 特許庁

Therein, the antireflection layer 12 is formed according to a sputtering method, the low refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 2 to 5 Pa and the high refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 5 to 10 Pa.例文帳に追加

なお、反射防止層１２は、スパッタリング法により形成され、低屈折率層は、アルゴンの導入圧が２〜５Ｐａで形成され、高屈折率層は、アルゴンの導入圧が５〜１０Ｐａで形成される。 - 特許庁