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Sputtering Methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2639



例文

After that, a TiN film 6 that becomes a gate electrode is formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of N2, and a TiN film and an Sr2NbN3 film of a prescribed region are etched and removed by a mixed gas of Ar and Cl2 or the like using a resist mask.例文帳に追加

その後、Ar/N_2混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、ゲート電極となるTiN膜6を形成し、レジストマスクを用いて、所定の領域のTiN膜、Sr_2NbN_3膜をAr/Cl_2混合ガス等を用いてエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining a sputtering target and a supporting board therefore capable of preventing the coarsening of the crystal grain size of the target, the reduction of the strength of the supporting board and the warpage of the joined target and supporting board.例文帳に追加

ターゲットの結晶粒度の粗大化、支持板の強度低下及び接合されたターゲットと支持板の反りを防ぐことができるスパッタリング用ターゲットとその支持板との接合方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.例文帳に追加

CVD法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

A first layer formed in a film on a collector by a sputtering method, and a second layer formed in a film further thereon by vacuum deposition or wet plating are structured to have the same composition containing Si or Sn.例文帳に追加

集電体上にスパッタ法により成膜される第1層と、さらにその上に、真空蒸着または湿式めっきにより成膜された第2層がSiまたはSnを含んだ同じ組成を持つ構造を有する。 - 特許庁

例文

To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force.例文帳に追加

高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a metal plate, its manufacturing method and an aligner by which film strength can sufficiently be secured by securing a desired film thickness when using a shadow mask, etc., for a nozzle, vapor depositing, sputtering, etc.例文帳に追加

ノズル、蒸着やスパッタ等におけるシャドーマスク等に用いた場合に、所望の膜厚を確保することで、膜の強度を十分に確保することができる金属板とその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cr alloy target material with which production of particles can be reduced when a Cr alloy substrate film obtained by adding a specified element (s) and B to Cr is deposited by sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

Crに特定元素とBが添加されたCr合金下地膜をスパッタリングによって成膜する際に、パーティクルの発生を低減できるCr合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing tin oxide powder which can be suitably used as the source material of a tin oxide sintered body used as a sputtering target and which has little aggregation of primary particles and narrow distribution of the particle size.例文帳に追加

スパッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方法を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method, an electrode film 50A, a dielectric film 50b and an electrode film 50C each having a shape the same as that of each slit 46 formed on a pattern sheet 38 are deposited on a substrate 12 by sputtering.例文帳に追加

本発明に係る成膜方法においては、パターン板38に形成されたスリット46と同一形状の電極膜50A、誘電体膜50B及び電極膜50Cが、基板12上にスパッタ成膜される。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering target for a magnetic recording film, capable of realizing efficient film deposition and improved film characteristics by suppressing the growth of crystal grains and achieving low magnetic permeability and high density, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a tungsten sputtering target capable of improving in-plane uniformity of film thickness of a tungsten film formed on a substrate and reducing generation of particles, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に成膜したW膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なWスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus and a film-forming method capable of: preventing complication of an apparatus mechanism in formation of a thin film of multiple materials by sputtering to simplify the apparatus mechanism; and preventing an increase in an apparatus cost.例文帳に追加

スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter deposition system having shields which catch inclined sputtering targets and particles having the possibility of being fallen from the targets on the way and prevent the deposition of the particles on a workpiece and to provide a method therefor.例文帳に追加

傾斜したスパッタリングターゲットとターゲットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 - 特許庁

A metal having high electroconductivity is made to firmly and closely adhere to the clothlike material such as the nonwoven fabric or woven fabric according to a sputtering method and a layer without being charged with the static electricity can thereby be formed while maintaining a pliant touch feeling.例文帳に追加

不織布や織物など布状のものに、導電性の高い金属をスパッタリング法で、強固に密着させることにより、柔らかい風合いを維持しつつ、静電気を帯電させない層を形成することができる。 - 特許庁

As the transparent conductive film, a multilayer film of TiO/Cr/SnO, TiO/stainless-steel/SnO, stainless-steel/TiN, stainless-steel/TiO, TiN/TiO or a singlelayer film of TiN is formed from the transparent plate material by a sputtering method or the like.例文帳に追加

透明導電膜は透明板状体からTiO/Cr/SnO、TiO/ステンレス鋼/SnO、ステンレス鋼/TiN、ステンレス鋼/TiO、TiN/TiOの多層膜、またはTiNの単層膜をスパッタリング法などで形成する。 - 特許庁

To provide an optical medium with an interference layer having a high refractive index and further sufficiently securing preservability of the optical medium, and a sputtering target to be used for producing the interference layer, and a method for producing the optical medium.例文帳に追加

高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.例文帳に追加

比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a W sputtering target capable of improving the film thickness in-plane uniformity of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に成膜したW膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なWスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board material which is capable of easily manufacturing a circuit pattern of a wiring pitch 100 μm or below through a sputtering method and also manufacturing a printed wiring board with high productivity.例文帳に追加

スパッタ法においても、容易に製造可能であり、配線ピッチ100μm以下の回路パターンを作製可能であり、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能とするプリント配線板材料を提供する。 - 特許庁

On the surface on the side in which an element is formed in a glass substrate 10 having, e.g. 3 mm thickness, for preventing electrification on the surface of the substrate 10, a thin film 11 having, e.g. 10 nm thickness is formed by a sputtering method or the like.例文帳に追加

厚さが、例えば3mmであるガラス基板10の素子形成側表面には、基板10の表面の帯電を防止すべく、スパッタ法等により厚さが、例えば10nmの薄膜11が成膜されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合RFプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A protecting film 8 is composed of a metallic material like Si-CxHy or a compound of semiconductor and organic material, and the protecting film 8 is formed by the reactive direct current sputtering method using a pulse power source at room temperature.例文帳に追加

保護膜8は、Si−CxHy等の金属または半導体と有機物との化合物よりなり、この保護膜8は、パルス電源を使用した反応性直流スパッタ法により室温で成膜されている。 - 特許庁

Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.例文帳に追加

さらに、ガラス基板1、2の接合面および流路溝6内面をスパッタ法により成膜したSiO_2膜4、5で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板1、2を接合する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target for forming a film containing Co, Ta and a rare-earth metal, which can enhance the density of the target to such a level that the target is hardly cracked and can be machined.例文帳に追加

割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるCo、Taおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body capable of suppressing abnormal discharge generated in forming an oxide semiconductor thin film using a sputtering method and obtaining an oxide semiconductor thin film with stability and good reproducibility.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body with which an oxide semiconductor thin film can be stably obtained with good reproducibility by suppressing an abnormal discharge generated when the oxide semiconductor thin film is formed using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定かつ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

The masking material 80 is used when the pattern is formed on the substrate 40 with the sputtering method, has openings 81 corresponding to the pattern, and makes portions having no opening formed therein to be formed so as to have uniform thickness.例文帳に追加

基板40上にスパッタ法にてパターンを形成する際に用いるマスク材80であって、該パターンに対応した開口81を有するとともに、該開口が形成されていない部分の厚さが均一に形成されている。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のCu−Ga合金或いはCu−Ga−In合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

To improve drivability of a MOSFET by preventing a silicon oxide film from formed on the surface of a semiconductor substrate to form a gate insulating film, comprising only of a high dielectric material by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板表面にシリコン酸化膜が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成できるようにしてMOSFETの駆動力を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium more excellent in SNR characteristics, its manufacturing method, a sputtering target with which the magnetic recording medium can be easily manufactured, and a magnetic recording and reproducing device more excellent in SNR characteristics.例文帳に追加

SNR特性がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することができるスパッタリングターゲット、およびSNR特性のさらに優れた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたRFスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new composite polymer having mixed structures in molecular level by taking in a plurality of kinds of polymers having different chemical structures as target materials with a process using a radio frequency sputtering method.例文帳に追加

異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。 - 特許庁

A method for removing a resist layer in a via hole in particular comprises plasma for removing an organic compound and the steps of cleaning a device using deionized water and carrying out argon sputtering for removing the organic compound.例文帳に追加

特にビアホール内のレジスト層を除去する方法は、有機化合物を除去するためのプラズマを有し、脱イオン水でデバイスを洗浄し、そして有機化合物を除去するためにアルゴンスパッタリングすることを有している。 - 特許庁

In forming the magnetic film on the substrate made of the resin, the substrate made of the resin is deposited in a non-heating state by a sputtering method in a chamber where the gaseous pressure is regulated to 0.133 to 2.66 Pa.例文帳に追加

また、前記樹脂製の基板上に前記磁性膜を形成する際、ガス圧を0.133Pa以上、2.66Pa以下としたチャンバー内でスパッタリング法により、樹脂製の基板を非加熱状態で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing high-quality ceramic sintered compacts by lessening the warpage and density unevenness which occur during sintering of the ceramic sintered compacts used as sputtering targets.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとして用いられるセラミックス焼結体の焼成時に発生する反りおよび密度むらを低減させることにより、効率よくかつ高品質なセラミックス焼結体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板411上にカルコゲン半導体としてDCスパッタ法でGeSbTe薄膜412を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでGeSbTeを2端子の配線形状とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic element having favorable heat resistance and a negative temperature characteristic of resistance with a small long-term resistance change by stabilizing a thin film formed for use in an electrode by a vapor deposition or sputtering method.例文帳に追加

蒸着やスパッタリング法で電極用として形成された薄膜を安定化させ、耐熱性がよく、長期にわたる抵抗変化が小さな負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック素子を得る。 - 特許庁

The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix.例文帳に追加

母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図6に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第1の層としてのニッケル燐の被膜Pを形成し、ここから電鋳を成長させている。 - 特許庁

The transmissivity of the protection film formed on the organic compound layer is 70-100%, and the protection film prevents the damage which may generated on the organic layer when forming the positive electrode film by sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が70〜100%であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a multilayer sputtering film effectively with good productivity by shortening a total processing time of a multilayer sputter film composed of several tens to several hundreds of layers.例文帳に追加

数十〜数百層からなる積層スパッタ膜の全体でのプロセス時間を短縮し、効率的に量産性よく積層スパッタ膜を製造することができる積層スパッタ膜の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a W sputtering target capable of improving the in-plain uniformity in thickness of a W thin film formed on a substrate and capable of reducing the generation of particles, and a method of manufacturing the target.例文帳に追加

基板上に成膜したW膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なWスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which can be manufactured through a simplified step without inducing any cracking or elution of In and can achieve high density, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用として、割れやInの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

R面サファイア基板1上にZnO圧電薄膜2をスパッタリング法等によって形成し、さらにZnO圧電薄膜2上にAl膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ3を形成する。 - 特許庁

To provide a method for supporting the design of magnetron sputtering, a device therefor and a program, capable of calculating and estimating an erosion distribution of a target and a film deposition distribution of a wafer in a short time only from a magnetic field structure enclosing plasma.例文帳に追加

プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic acceleration large electric power sputtering method with which an ionization degree is increased, simultaneously, a positive charge is removed from the surface of a target, the heating of the target is prevented, and further, the utilization rate of a target material is increased.例文帳に追加

磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。 - 特許庁

The transparent conductive film 30 is a laminated film comprising three layers of an ITO layer 31, an Ag layer 32 made of an Ag alloy, and an ITO layer 33 which are sequentially laminated, and the ITO layers and the Ag layer can be formed by using a sputtering method.例文帳に追加

透明導電膜30は、ITO層31、Ag合金からなるAg層32、ITO層33の3層を順次積層してなる積層膜であって、ITO層,Ag層は、スパッタリング法で形成できる。 - 特許庁

To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.例文帳に追加

マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a back plate, by which a back plate capable of effectively reducing generation of particles in sputtering and also preventing contamination due to alkali metal impurities, such as Na, can be easily obtained.例文帳に追加

スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Naを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The manufacturing method includes a step in which a metal layer formed on a support base material by vacuum sputtering or vacuum evaporation is transferred to the resin composition layer containing the resin component.例文帳に追加

上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 - 特許庁




  
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