「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

After a polycrystalline silicon film on a gate insulating film is exposed, a semiconductor substrate 11 is heated up to 400°C and after the temperature becomes stable, a nickel film 21 is deposited over the entire surface by, for example, a sputtering method while the temperature is maintained.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４上の多結晶シリコン膜を露出した後、半導体基板１１を４００℃まで加熱し、その温度が安定した後に、その温度を保持したまま、例えばスパッタリング法によりニッケル膜２１を全面に形成する。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the sputtering target containing indium oxide as a main component and 0.1 to 10 mass% tungsten oxide by a hot pressing process, includes hot-pressing the powder for the target in the state of placing graphite powder between the powder for the target and a die for the hot pressing.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分として、酸化タングステンを０．１〜１０質量％含むスパッタリングターゲットをホットプレス法で製造する場合において、ターゲット用試料粉末とホットプレス用型の間に黒鉛粉末を介在させてホットプレスを行う。 - 特許庁

To provide a solar cell including an n-layer formed of a new material and being excellent in conversion efficiency, a sputtering target suitably used for manufacturing the solar cell and a method of manufacturing the solar cell.例文帳に追加

新規な材料から形成されるｎ層を備え、変換効率に優れる太陽電池、この太陽電池の製造に好適に用いることができるスパッタリングターゲット、及びこのような太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ITO target in which the generation of nodules in the process of sputtering can be evaded, the plane dispersion of the film forming rate is small, the change of the film forming rate is small from the initial stage to the last stage in the use, and the high film forming rate can be obtained and to provide a method for producing it.例文帳に追加

スパッタリング中のノジュールの生成が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is excellent in adhesion and operation characteristics while preventing the diffusion of Cu included in a Cu wiring layer to the circumference, a method for manufacturing the same, and a sputtering target used for the manufacture of the device.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a recording medium comprises a step of forming a light reflection layer on an information recordable recording layer formed on a substrate 202 by utilizing a sputtering mechanism mentioned below.例文帳に追加

基板２０２上に形成された情報を記録することができる記録層上に、スパッタ機構８８を使用して光反射層を形成する工程を含む光ディスクの製造方法において、以下の構成を有するスパッタ機構８８を使用する。 - 特許庁

When a metal thin film of low resistance is deposited on a glass substrate by using a sputtering method, the adhesiveness of the metal thin film of low resistance to the glass substrate can be enhanced by feeding an oxygen-containing gas of a predetermined amount together with an inert gas.例文帳に追加

スパッタリング方法を用いてガラス基板の上に低抵抗の金属薄膜を形成する場合、不活性ガスと共に含酸素ガスを一定量供給することにより、低抵抗金属薄膜とガラス基板との接着性を高めることができる。 - 特許庁

The first porous electrode is manufactured by a magnetron sputtering method at low temperature in a vacuum vessel in which an inert gas and an oxygen gas in its rate of 10 to 90% expressed in terms of patial pressure exist and which has 0.5 to 6.0 Pa total pressure.例文帳に追加

第１の多孔質電極は、不活性ガスの他に酸素ガスが分圧換算で１０％以上、９０％以下の割合で存在し、全圧が０．５Ｐａ以上、６．０Ｐａ以下である真空槽中でマグネトロンスパッタリングによって低温下で形成される。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of omitting separate provision of a chamber exclusive for the pretreatment etching, and also omitting any driving system exclusive for opening/closing a shutter to protect a target or the like from any deposit caused by the pretreatment etching, and its cleaning method.例文帳に追加

前処理エッチング専用のチャンバーを別に設けることを不要し、さらには、前処理エッチングによる付着物からターゲット等を保護するシャッターの開閉専用の駆動系をも不要とするスパッタリング装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained.例文帳に追加

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently depositing an alumina film consisting mainly of α-crystalline structure at a relatively low temperature range when depositing the alumina film on a substrate by sputtering an aluminum metal target in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

酸化性ガス含有雰囲気下でアルミニウム金属ターゲットをスパッタリングして基板上にアルミナ膜を形成するに当たり、α型結晶構造主体のアルミナ膜を比較的低温域で効率よく形成することのできる方法を提供する。 - 特許庁

Solid-state carbon is made a target 16, and carbon or the carbon thin film which is mainly constituted of carbon is formed on the surface of the compound semiconductor which is chemically sensitive to active hydrogen by a sputtering method performed in an inert gas atmosphere in a reaction chamber 6.例文帳に追加

活性水素に化学的に敏感な化合物半導体表面に、固体炭素をターゲット１６とし、反応室６において、不活性ガス雰囲気下で行うスパッタ法により炭素あるいは炭素を主成分とした炭素系薄膜を形成する。 - 特許庁

As the antireflection film 11, there is formed, through a sputtering method, a fluoride carbon film having a perfluorocarbon skeleton as a fundamental molecular structure and including a partial area in which at least one of a carbon atom and a fluorine atom is missing.例文帳に追加

当該反射防止膜１１として、パーフルオロカーボン骨格を基本的な分子構造とし、Ｃ原子またはＦ原子の少なくともいずれかが欠損してなる部分領域を有する構成を持つ、フッ化炭素膜をスパッタリング法等で成膜する。 - 特許庁

To provide a method of forming a magnetic layer having stable magnetic characteristics and recording and playback characteristics by improving uniformity of oxygen radical concentration distribution to make uniform the concentration of oxygen taken in the magnetic layer in an in-plane direction, in reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of a resin film 1, a silicon nitride layer 2, where nitrogen is contained in terms of 0.5-1.33 equivalent to silicon, is formed by a sputtering method, the cupreous metal layer 3 is formed, and the adhesiveness becomes satisfactory in the cupreous metal layer 3.例文帳に追加

樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となる。 - 特許庁

A patterning is made on a transparent conductive film laminate, which is made by laminating a transparent film layer of high refraction factor (a) 20 and a transparent metal film layer (b) 30 on a transparent substrate (A) 10, by a dry etching method by sputtering with an inert gas.例文帳に追加

透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。 - 特許庁

In this sputtering method, when a film deposition on a first treatment substrate S is completed and then a next treatment substrate is conveyed to a position facing a target, the magnetic flux formed in front of the target is moved in parallel to the target and held, thereby performing the film deposition in this state.例文帳に追加

最初の処理基板Ｓへの成膜が終了し、ターゲットに対向した位置に次の処理基板を搬送する際に、ターゲットに前方に形成した磁束をターゲットに対して平行移動させて保持し、この状態で成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a method therefor which enable a film having smoothed fine boundaries to be deposited, and, when a multilayer film is deposited, an EUV (extreme ultraviolet) multilayer mirror with a high reflectivity in which scattering at the boundaries of the multilayer film is suppressed to be obtained.例文帳に追加

平滑化したきれいな界面を有する膜が形成でき、多層膜を形成した場合には、多層膜界面での散乱が抑えられ高反射率のＥＵＶ多層膜ミラーを得る事ができるスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing a color filter, a metallic mask is laid on a transparent substrate on which a metallic black matrix and color pixels have been formed and sputtering is carried out while electrically connecting the metallic black matrix and the metallic mask to form a transparent electrically conductive film.例文帳に追加

メタルブラックマトリクスおよびカラー画素が形成された透明支持体に、メタルマスクを重ねて、該メタルブラックマトリクスと該メタルマスクとが電気的に接続された状態でスパッタリングを行うことにより透明導電膜を形成するカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which uniform film thickness distribution from the innermost peripheral part toward the outermost peripheral part of a film-deposition object can be attained, to provide a manufacturing method of an optical recording medium using the same and to provide the optical recording medium.例文帳に追加

成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。 - 特許庁

To provide a sputter film deposition machine which minimizes the space required to be exhausted, realizes uniform simultaneous two-side film deposition, and performs multilayer film deposition consisting of a plurality of materials without opening a chamber, and to provide a sputtering film deposition method using the same.例文帳に追加

スパッタ成膜機及び当該成膜機を用いたスパッタリング成膜方法に関し、排気の必要な空間を最小限とし、均一な両面同時成膜を可能にすると共に、チャンバーを開くことなく複数材料の多層成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film having the excellent characteristics of electric resistivity by maintaining horizontal magnetic field intensity of ≥1,000 Gauss and making a sputtering voltage lower than the conventional saturation voltage.例文帳に追加

水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、スパッタ電圧を従来の飽和電圧よりも低下させて電気抵抗率の特性が優れた透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

An oxide film that is formed on the thick-film electrode surface of the ceramics element is subjected to etching removal by a sputtering method in a rare gas atmosphere whose pressure has been reduced to 1×10^-3 to 3×10^-2 Torr, thus obtaining the ceramic element having superior solderability reliably.例文帳に追加

セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を１×１０^^-3〜３×１０^-2Torrに減圧された希ガス雰囲気中で、スパッタ法によりエッチング除去して、はんだ濡れ性の良いセラミックス素子を信頼性良く得る。 - 特許庁

To produce a CoPt sputtering target capable of obtaining a magnetic recording medium having a recording layer uniform in film characteristics and excellent in recording and reproducing characteristics, to provide a method for producing the same, to produce a magnetic recording film and to produce a CoPt magnetic recording medium.例文帳に追加

膜特性が均一で記録再生特性に優れた記録層を有する磁気記録媒体を得ることができるＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target useful for forming a protective film of a phase-change recording medium, which does not crack or break when manufacturing the sintered compact, has a high manufacturing yield, and does not cause cracks even when being sputtered in high power, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない相変化記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a crystalline thin film or a crystalline structure includes a vapor deposition and crystallization acceleration step for performing vapor deposition of a metal oxide by sputtering, and acceleration of crystallization of a metal oxide by laser light irradiation simultaneously.例文帳に追加

結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。 - 特許庁

The method sequentially forms a first resin coating, a metallic thin film with chromium appearance formed by sputtering while heating the first resin coating and a transparent second resin coating as a protecting membrane.例文帳に追加

第１樹脂塗膜と、該第１樹脂塗膜を加熱して行うスパッタリング法で形成し、クロム外観を有する薄膜と、保護膜として形成する透明な第２樹脂塗膜とを、金属材料または樹脂材料の表面上に順に形成する。 - 特許庁

The timepiece dial 1 includes: a base material 2 mainly composed of polycarbonate; a first film 3 composed of silicon oxide, titanium oxide or silicon carbide; and a second film 4, composed of carbon, formed with sputtering method.例文帳に追加

本発明の時計用文字板１は、主としてポリカーボネートで構成された基材２と、ケイ素酸化物、チタン酸化物またはケイ素炭化物で構成された第１の膜３と、炭素で構成され、スパッタ法により形成された第２の膜４とを有する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a catalyst for synthesizing methanol, the catalyst which contains copper is produced by sputtering, the catalyst being used in synthesizing methanol, through a formate, from a raw material gas which contains carbon monoxide and hydrogen, in the presence of an alcohol solvent.例文帳に追加

メタノール合成用触媒の製造方法において、アルコール溶媒の存在下で、一酸化炭素と水素を含む原料ガスから、ギ酸エステルを経由してメタノールを合成する際に用いられる銅を含む触媒のスパッタリング法による製造方法。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film while monitoring film thickness and various spectral characteristics in real time when depositing an optical film of laminated structure in a film deposition process by means of sputtering and vapor deposition of various kinds.例文帳に追加

スパッタリングおよび各種蒸着による成膜プロセスにおいて、回転楕円体基盤表面へ積層構造の光学膜を形成する際にその膜厚と各種分光特性をリアルタイムでモニターしながら薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

This method relates to the phase change recording film with high electric resistance having a composition wherein Ge:15 to 30%, Sb:15 to 30% and B:0.2 to 12% at atomic % are incorporated and the remainder consists of Te and inevitable impurities, and a sputtering target for forming the film.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％、Ｂ：０．２〜１２を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this method in which a magnet 6 is moved, and magnetron sputtering is executed, in the process of the movement of the magnet, it is moved to the direction vertical to the surface in accordance with the increase and decrease of the voltage of magnetron discharge, and the voltage of the discharge is retained to the approximately certain one.例文帳に追加

マグネット６を移動させてマグネトロンスパッタリングする方法に於いて、該マグネットをその移動中にマグネトロン放電の電圧の増減に応じて該表面と垂直方向へ移動させてその放電の電圧をほぼ一定に維持する。 - 特許庁

A metal mask is put so as to cover the upper part of the n-type amorphous silicon film 6 except a region where the p-type amorphous silicon film 5 exists, and a back electrode 8 and a collector electrode 10 are formed by a sputtering method on parts except the metal mask.例文帳に追加

次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、メタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, with which patterning accuracy, a sputtering film deposition distribution and/or an etching distribution can be improved, a wafer suction defect in a vacuum chuck or electrostatic chuck can be prevented, and a yield can be improved.例文帳に追加

パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、さらに、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a sputtering apparatus, particularly which can continuously form a film on substrates with large areas in a simple configuration without synchronizing frequencies of two or more targets by matching the phases.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング装置の制御方法に関し、特に複数のターゲットの周波数を同期させて位相等を合わせることなく簡易な構成で大面積の基板を連続して成膜することのできるスパッタリング装置の制御方法に関する。 - 特許庁

While a piezoelectric actuator 60 is constituted by forming a PZT piezoelectric film 64 on a ZrO_2 substrate 62 which becomes a diaphragm by the aerosol deposition method, a stress buffer layer 66 composed of platinum (Pt) having a required thickness is interposed between the ZrO_2 substrate 62 and PZT piezoelectric film 64 by the sputtering method etc.例文帳に追加

この圧電アクチュエータ６０は、振動板となるZrO2基板６２上にエアロゾルデポジション法によりＰＺＴ圧電膜６４を成膜して構成されるが、このZrO2基板６２とＰＺＴ圧電膜６４との間にスパッタ法等により所要の厚みをもった白金(Pt)からなる応力バッファ層６６を介在させる。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to manufacture an optical recording medium which has at least a recording layer and a reflection layer on its base, and is featured in that the reflection layer is made by sputtering while adjusting its thickness to maintain the sheet resistance constant.例文帳に追加

基板上に少なくとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録用媒体を量産する製造方法であって、該反射層がスパッタリングによって形成され、該スパッタリングの際に、該反射層の面積抵抗率をほぼ一定に保つように該反射層の膜厚を調整することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.例文帳に追加

マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The objective method for manufacturing the rolling element includes applying positive bias voltage to a rolling element, when coating molybdenum disulfide or tungsten disulfide as a solid lubricant film by a sputtering method, on the surface of the rolling element comprising two faces facing each other, which supports a rolling movement of parts such as a roller, a ball, an inner wheel, and an outer wheel.例文帳に追加

本発明の転動要素の製造方法は、ローラ、ボール、内輪、外輪など、転がり運動を支え相対する２面を構成する転動要素の表面にスパッタ法により二硫化モリブデンまたは二硫化タングステンを固体潤滑膜として被覆する際、転動要素にプラスのバイアス電圧を印加するものである。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a pure copper plate in which cold forging, cold rolling and a subsequent heat treatment after hot forging or hot rolling are unnecessary and the pure copper plate obtained by the manufacturing method, which is fine and uniform, small in residual stress, excellent in workability, particularly suitable for a copper target base material for sputtering.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing a MgO film on a base metal by the ion beam assist sputtering method, a four-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of <0.001 Pa, and a three-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of ≥0.001 Pa.例文帳に追加

イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 - 特許庁