「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which can further enhance coercive force Hc or a reverse magnetic domain nucleation magnetic field Hn considering influence of a magnetic field utilized in magnetron sputtering on film-deposition of the magnetic recording medium.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a composite target for sputtering, which is capable of introducing a stable, prescribed amount of oxygen vacancies into a transparent conductive film and forming the transparent conductive film which has good light transmission, low electric resistance and good conductivity, and a manufacturing method of the transparent conductive film using the same.例文帳に追加

安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing a perpendicular magnetic recording medium film having a low relative magnetic permeability which is used for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium in a hard disk, particularly applied to a perpendicular magnetic recording medium, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-layer copper clad laminated sheet which can further inhibit oxidation discoloration after a heat treatment which raises folding resistance in the two-layer copper clad laminated sheet (two-layer CCL material) wherein a copper layer is formed on a polyimide film by sputtering and plating, and to provide the two-layer copper clad laminated sheet.例文帳に追加

ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

In the process to form a pole part of a recording head, a dummy pattern is formed by using the material such as photoresist so that the end of the pattern is positioned at the position for forming the pole part, and a soft magnetic material becoming the pole is formed to the film on the side surface of this dummy pattern by using a method such as a gradient sputtering.例文帳に追加

記録ヘッドのポール部分を形成する工程において、ポール部分を形成する位置にパターンの端が位置するようにフォトレジストなどの材料を用いてダミーパターンを形成し、このダミーパターンの側面に傾斜スパッタリングなどの手法を用いてポールとなる軟磁性材料を成膜する。 - 特許庁

To reutilize a target material and a backing plate in a sputtering target assembled body in which the target material and the backing plate are firmly joined via an inert material by solid phase diffusion joining, by separating the target material and the backing plate by a simple and secure method.例文帳に追加

ターゲット材２とバッキングプレート３とがインサート材４を介して固相拡散接合により強固に接合されてなるスパッタリングターゲット組立体１において簡便且つ確実な方法にてターゲット材２とバッキングプレート３とを分離することにより、ターゲット材２とバッキングプレート３とを再利用する。 - 特許庁

The production method for the tantalum sputtering target includes forging and recrystallization-annealing a tantalum ingot or a billet obtained by melting and casting, and rolling it to form a crystal structure in which an orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of a target thickness.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the electrically conductive titanium dioxide (TiO_2) sputtering target with an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, comprises mixing starting materials consisting of titanium dioxide with a doping agent or a mixture of doping agents, cold compacting it, and subsequently sintering it.例文帳に追加

５Ωｃｍ未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる導電性スパッタターゲットを製造する方法の場合に、二酸化チタンからなる出発物質をドーピング剤またはドーピング剤混合物と混合し、その後に冷間圧縮し、引続き焼結させる。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method.例文帳に追加

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。 - 特許庁

At least one of the magnetic layers is formed by making the target of two or more compositions discharge simultaneously in the sputtering method, and the fine structure of this magnetic layer is formed with ferromagnetic crystal grains and crystal grain boundary phases of non-magnetic oxides.例文帳に追加

本発明は、磁性層のうち少なくとも１層を、スパッタリング法を用いて２種類以上の異なる組成を持つターゲットを同時放電させながら形成し、さらに該磁性層の微細構造を強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界相とから構成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a sputtering target by subjecting a melt-cast Ta ingot or billet to forging, annealing, rolling, etc., the ingot or billet is subjected to recrystallization annealing at 1,373K-1,673K after subjected to the forging.例文帳に追加

溶解鋳造したＴａインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に１３７３Ｋ〜１６７３Ｋの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするＴａスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide a fluoride thin film manufacturing method capable of manufacturing a fluoride thin film by sputtering without complicated works by solving a problem when forming a target of fluoride, and depositing the fluoride thin film of the desired composition with less lack of fluorine.例文帳に追加

フッ化物をターゲットとする場合の問題を解決して煩雑な作業を伴うことなくフッ化物薄膜をスパッタリングにより製造することを可能とし、よりフッ素の欠乏が少なく目的とする組成に近いフッ化物薄膜を成膜し得るフッ化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The elastic electroconductive fiber material is a knit fabric obtained by using a conjugate yarn as a part or a whole and knitting the yarn, which yarn is obtained by covering an elastic yarn with a synthetic fiber imparted with electroconductivity by a method of plating, metal deposition, sputtering or a conductive coating material.例文帳に追加

伸縮性を持つ糸を、めっき、金属蒸着、スパッタリング、導電塗料のいずれか一つの方法で導電性を持たせた合成繊維でカバーリングした複合糸を、全部、または一部に用いて製編された編物であることを特徴とする、伸縮性導電繊維材料である。 - 特許庁

The method of mounting the large-size substrate on a carrier and manufacturing the transparent conductive thin film of ITO on the large-size substrate by sputtering is provided, wherein an O_2 gas flow rate is divided and adjusted independently in a direction perpendicular to a substrate conveying direction to manufacture the transparent conductive thin film.例文帳に追加

大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 - 特許庁

In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.例文帳に追加

基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.例文帳に追加

メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁

Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: at least one of AuPt alloy powder and CuPt alloy powder; AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁

In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.例文帳に追加

また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁

To provide a Co-Fe-Zr-based alloy target material which is used for forming a soft magnetic film of the Co-Fe-Zr-based alloy used in a perpendicular magnetic recording medium, and has adequate sputtering characteristics and a low magnetic permeability, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁

The plasma treatment of the surface of an insulating resin board prepared by molding a resin composition is carried out so that the surface of the insulating resin board can be activated, and the metallic coating treatment of the surface of the resin board is carried out by a method selected from sputtering, vacuum vaporization, and ion plating so that a circuit board can be manufactured.例文帳に追加

樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma ion implantation which avoids a phenomenon in that the fall of the voltage of the high voltage pulse applied to a base material is damped by the load impedance of the base material, and in which generation of damages such as sputtering on the base material is prevented, the plasma ion is correctly implanted, and the diversified kinds of plasma are applied to.例文帳に追加

基材に印加する高電圧パルスの電圧の立ち下がりが、基材の負荷インピーダンスのために減衰する現象を回避して、基材にスパッタリングなどの損傷が生ずるのを防止し、プラズマイオンの的確な注入と、多様なプラズマ種への対応を図る。 - 特許庁

In the method of forming the laminated film wherein the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 are formed by laminating the base 1 with a sputtering process, the layer 4 of the oxide is formed by exposing the metal thin film 3 to an oxygen gas atmosphere after this film is formed.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板１上に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４を形成する。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording film suitable for forming a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium of a hard disk and the like, especially a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium and having high leakage magnetic flux density and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target material of a Co-Zr-based alloy, which is used when a soft magnetism film of a Co-Zr-based alloy to be used for a vertical magnetic recording medium is formed, and has superior sputtering characteristics and low magnetic permeability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

To provide a sputtering device for manufacturing a thin film solid battery and a method for manufacturing the thin film solid battery, in which, according to planar directional sizes of an active material layer and a solid electrolyte layer to be molded, the molding of the active material layer and solid electrolyte layer can be simplified.例文帳に追加

成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細な組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity ruthenium sputtering target which does not allow cracks to occur in recrystallization or in welding and suppresses the film thickness distribution from becoming large in film formation for forming e.g. an electrode for a capacitor of a semiconductor memory, and to provide a target obtained thereby.例文帳に追加

再結晶化や熔接の際にクラックが発生せず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する成膜時において膜厚分布が大きくなることを抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲットの提供。 - 特許庁

The production method for the film comprises plasma-treating the surface of the film, sticking nickel-chrome alloy thereon by sputtering to obtain a thickness of 20-2,000 Å, sticking a thickened metal, electroplating the thickened metal, and then performing heat treatment at 200-350°C.例文帳に追加

また、前記ポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理した後、ニッケル−クロム合金をスパッタリングにより厚さ２０〜２０００Åとなるように付着させ、次いで厚付け金属を付着させ、さらに厚付け金属を電解メッキし、さらに２００〜３５０℃の熱処理を行う金属化ポリイミドフィルムの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the ceramic electronic component, electrode films 2 are formed by sputtering on both the surfaces of a plate type ceramic element 1 made of barium-titanate based dielectric ceramic and heat-treated at a temperature of 250 to 400°C, and then lead terminals 4 are joined with the electrode films 2.例文帳に追加

チタン酸バリウム系強誘電体セラミックスからなる板状のセラミック素子１の両面にスパッタリングにより電極膜２を形成し、電極膜２を２５０〜４００℃の温度で熱処理した後、電極膜２にリード端子４を接合する、セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

To form a laminated film of low resistance excellent in electrical conductivity and useful as a transparent electrically conductive thin film and a heat ray reflection film arranged in front of PDP by alternately laminating metallic oxide thin films and metallic thin films on a substrate into a multilayer by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを交互に多層に積層することにより、ＰＤＰの前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低抵抗で導電性に優れた積層膜を形成する。 - 特許庁

This method and apparatus comprise discharging all electrodes simultaneously in a state in which each shutter closes a circuit between each of several sputtering electrodes and a substrate, and selectively opening only a shutter between a used target out of targets and the substrate, to form a thin film on the substrate.例文帳に追加

複数のスパッタリング電極のそれぞれと基板との間をそれぞれのシャッターにより閉じた状態で、電極の全てを同時に放電させ、ターゲットのうち使用するターゲットと基板との間のシャッターのみを選択的に開くことにより、基板上に薄膜が形成される。 - 特許庁