「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

As a concrete example, by a plasma sputtering method using an electron cyclotron resonance(ECR), a strontium titanate(SrTiO_3) film of about several hundreds of nm thickness is formed on a silicon substrate, the film is irradiated with microwaves at 28 GHz in air, so as to be post-annealed, and a dense and fine crystal in several tens of nm is revealed.例文帳に追加

具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム ＳrＴi Ｏ_3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated.例文帳に追加

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.例文帳に追加

プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the sputtering target formed of a high-purity base material having the purity of 99.999% or higher, wherein the content of oxygen is 10 ppm or lower, the content of sulfur is 1 ppm or lower and the content of iron is 1 ppm or lower in the target.例文帳に追加

純度が９９．９９９％以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とし、硫黄含有量を１ｐｐｍ以下とし、鉄含有量を１ｐｐｍ以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target with a uniform forged structure of 5N (99.999 wt.%) or higher purity, and in addition, a method for easily and stably manufacturing the above target by employing ruthenium powder of comparatively low purity like 3N (99.9 wt.%).例文帳に追加

５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを得、さらに３Ｎ（９９．９ｗｔ％）レベルの比較的低純度のルテニウム粉末を使用して５レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを簡便にかつ安定して製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The conductive film 131 consisting of an ITO film is formed on the surface of a lower-side planar member 130 by a sputtering method and in order to separate a wiring pattern part and a planar pattern part for position detection electrically, the conductive film at the boundary is separated linearly by laser work.例文帳に追加

下側面状部材１３０の表面にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる導電膜１３１を形成し、配線パターン該当部と位置検出用の面状パターン部とを電気的に分離するため、当該境界にある導電膜をレーザ加工により線状に剥離して絶縁部１３１１〜１３１４を形成する。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the cobalt, chromium, copper, iron, nickel, silicon, etc., included into scrap, such as mills end, swarf and grinding chips, produced in production process steps, etc., for platinum and platinum-containing targets for sputtering and recovering the high-purity platinum and palladium recyclable to the palladium and platinum-containing targets at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲットの製造工程等に発生する端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入するコバルト、クロム、銅、鉄、ニッケル、シリコン等を効率良く除去し、白金及び白金含有ターゲットに再使用できる高純度白金、パラジウムを低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

When a thin-film resistor is formed by sputtering method, one kind or two or more kinds among Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W are added to combine whose main component is NiCr, and a TCR value of the thin-film resistor is controlled by the kind and the amount of the additives.例文帳に追加

スパッタリング法によって薄膜抵抗体を形成するに際して、ＮｉＣｒを主成分とする合金に、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ又はＷを単独又は２種以上の組み合わせで添加し、添加物の種類及び量によって薄膜抵抗体のＴＣＲ値を制御するようにした。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A target used for forming a Co series magnetic layer of a magnetic recording medium by a sputtering method contains 5 mol% or more of Cr or Cr alloy, 5 mol% or more of CoO, and 3 mol% to 20 mol% of oxides having a melting point of 800°C or less in total, and the porosity thereof is 7% or less.例文帳に追加

磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a film having photocatalytic function imparted to the surface thereof by a sputtering method, preventing fogging or the adhesion of waterdrops by the super-hydrophilic function imparted to the surface of the film by the photocatalytic function to obtain a clear visual field, having durability, easy in maintenance and keeping these effects over a long period of time.例文帳に追加

この発明は、フィルムの表面に、スパッタリング法で光触媒機能を付与し、その超親水性機能により、曇りや水滴の付着を防止して、明瞭な視界を得ようとするもので、耐久性があり、メンテナンスも容易で、しかも長期間効果が持続するフィルムを提供しようとするものである。 - 特許庁

In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.例文帳に追加

基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided.例文帳に追加

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。 - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in a deposited film can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of commercially available powder is used, i.e., the tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be stably manufactured at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display unit, and a display unit, wherein particles arising due to a sputtering target of an oxide conductor are reduced to assure excellent conducting characteristics between a metal and an oxide conductor when a first electrode is of a laminated structure of the metal and the oxide conductor.例文帳に追加

第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which is capable of suppressing splashing, even when a high electric power is applied to a large target due to the size increase of the target, and is capable of forming a film that is excellent in corrosion resistance and heat resistance and has a low electrical resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-density printed circuit board by applying a strippable adhesive layer on a reinforced substrate (rigid substrate or carrier film) used as a base substrate, forming a metal foil on the adhesive layer by means of plating, lamination, or sputtering, and forming a high-density circuit on the metal foil serving as a seed layer by means of pattern plating.例文帳に追加

ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in film deposition can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of now generally distributed and commercially available powder is used, i.e., a tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be easily manufactured with stability at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge electrode and a discharge method, wherein a uniform parallel magnetic field distribution is formed on a target regardless of whether the target is a magnetic body or a nonmagnetic body, uniform erosion can be obtained, and effects for widening the target, enhancing a sputtering thin film forming speed, or enhancing a CVD film forming speed can be obtained.例文帳に追加

ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the capacitor, the capacitor is manufactured by forming the internal electrodes on the organic high polymer substrate which is provided with external electrode by vapor deposition or sputtering so that the internal electrodes come into contact with the external electrodes, and the dielectric film is formed by evaporating and polymerizing at least one or more kinds of monomers.例文帳に追加

また、本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、外部電極付き有機高分子基板上に外部電極とコンタクトが取れるように内部電極を蒸着法、スパッタ法により形成し、誘電体膜を少なくとも一種類以上のモノマ−を蒸発させ、重合させることによりコンデンサ素を製造する。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a surface modified transparent conductive film and its surface treatment increasing the work function of transparent conductive film without causing an increase in the surface resistance by modifying physical and electrical properties in the surface area of a transparent conductive film (particularly an ITO film) provided by a sputtering method or the like.例文帳に追加

スパッタリング法などにより得られた透明導電性膜（特にＩＴＯ膜）の表面領域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増加を引き起こすことなく透明導電性膜の仕事関数を増加せしめた表面改質透明導電性膜、さらにこの表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shape memory alloy microactuator capable of being attached to a finer and more delicate thin line or capillary to constitute a lighter, finer, and more delicate active thin line or active capillary, and a sputtering system to be used in processes of laminating thin films onto the thin line.例文帳に追加

より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed.例文帳に追加

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor.例文帳に追加

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

In the method of depositing a low tribomicroplasma generation film, sputtering is performed in a gaseous argon atmosphere comprising ≤30 vol.% nitrogen, so that the low tribomicroplasma generation film consisting of diamond like carbon comprising ≤30 at%, particularly, 20 to 26 at% nitrogen is deposited on sliding parts.例文帳に追加

３０ｖｏｌ％以下の窒素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする摺動部品に３０ａｔ％以下の窒素、特に２０〜２６ａｔ％の窒素を含有するダイヤモンド状カーボンからなる低トライボマイクロプラズマ発生膜を形成することを特徴とする低トライボマイクロプラズマ発生膜の形成方法。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

Sputtering is a method wherein high voltage is applied to the gap applied between substrate and target while introducing inert gas into a vacuum, and bombarding the target with a beam of ionized inert gas to eject atoms from the target surface to form a thin layer of the same substance on the substrate.例文帳に追加

スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質で金属や酸化物等）間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして基板にターゲットと同物質の薄膜を得る方法。 - 厚生労働省

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating.例文帳に追加

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びＣＶＤ法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pure copper sheet, in which cold forging and cold rolling after hot forging and hot rolling and heat treatment after that are unnecessary, and a pure copper sheet which has fine structure obtained by the method, to which a high special intercrystalline rate is imparted by forming twin crystal structure by partial recrystallization and which is especially suitable for a copper target base stock for sputtering, a plating anode or the like.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 - 特許庁