「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

By this method, etching residues are removed without sputtering copper at the bottom parts of the opening parts, by providing an anisotropic hydrogen plasma, making ions in the plasma chemically react on the etching residues at the bottom of opening part including copper oxide on an exposed copper surface as ≥1 in relative permittivity, and then washing an exposed part on the copper surface.例文帳に追加

本方法は、異方性水素プラズマを提供して、プラズマ中のイオンと、露出した銅表面上の酸化銅を含む一以上の開口部の底部におけるエッチング残留物との間に化学反応を起こさせ、それによって、銅表面の露出した部分を洗浄して、開口部の底部で銅をスパッタリングすることなくエッチング残留物を除去することを含む。 - 特許庁

To solve the problems, in a method where a mask is provided on a substrate, and a transparent conductive film is pattern-formed on the substrate by a sputtering process, that, since the energy of particles made incident on the substrate is the extremely high one of about 600 eV, the particles infiltrate into the substrate, and the atoms composing the substrate are beaten out or defects are occurred in the substrate.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。 - 特許庁

This method of forming the electrode includes a step of scattering atoms constituting a lower electrode 204 in almost the same direction A from a sputtering target containing the atoms, a step of disposing a wafer so that its forming surface 180, on which the lower electrode 204 is formed, may become oblique to the direction A, and a step of causing the scattered atoms to deposit on the forming surface 180.例文帳に追加

下部電極２０４を構成する原子を含むスパッタターゲットから、該原子をそれぞれ略同じ方向Ａに飛散させる飛散ステップと、下部電極２０４を形成する形成面１８０が、該方向に対して斜めになるようにウェハを配置する配置ステップと、飛散した原子を形成面１８０に堆積させる堆積ステップとを備えた電極形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a piezoelectric thin-film element having a PZT thin film formed on a substrate has a first process of forming a metal film on the substrate, a second process of sputtering a PZT precursor film on the metal film in an atmosphere containing no oxygen, and a process of applying heating processing to the precursor film to form a PZT crystal.例文帳に追加

基板上にＰＺＴ薄膜を形成した圧電体薄膜素子の製造方法であって、基板上に金属膜を形成する第１の工程と、前記金属膜上にＰＺＴの前駆体膜を酸素を含有しない雰囲気でスパッタリングする第２の工程と、前記前駆体膜を熱処理してＰＺＴの結晶体を形成する工程と、を備えてなる。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device 1000 comprises a step for forming a gate insulating layer 20 on a semiconductor layer 16 provided on a substrate 12, and a step for forming a gate electrode 30 on the gate insulating layer 20 wherein the gate electrode 30 is formed by simultaneous sputtering using at least two kinds of metal targets having different work functions.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０００の製造方法は、基板１２に設けられた半導体層１６上に、ゲート絶縁層２０を形成する工程と、前記ゲート絶縁層２０上にゲート電極３０を形成する工程と、を含み、前記ゲート電極３０は、仕事関数が異なる少なくとも２種の金属のターゲットを用いて同時スパッタリング法により形成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SAW device for making a protecting film formed by silicon dioxide mainly on an IDT electrode of a piezoelectric substrate after forming the IDT electrode 33 on the piezoelectric substrate 32, the SAW device can be formed by forming the silicon dioxide film by sputtering while introducing inert gas into a chamber and introducing oxygen into the chamber simultaneously.例文帳に追加

圧電基板３２上にＩＤＴ電極３３を形成した後で、前記圧電基板の主としてＩＤＴ電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたＳＡＷデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。 - 特許庁

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12.例文帳に追加

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the substrate is such that, after the metallic films 12, 13 are formed in vacuum on the surface of the belt-like plastic film 11 by a sputtering device, the plastic film 11 is wound around in a role shape in a manner that the metallic films 12, 13 are superimposed on the carbon film 14 formed on the entire surface of the reverse corresponding to the metallic film-formed part.例文帳に追加

帯状のプラスチックフィルム１１の表面にスパッタリング装置によって金属膜１２、１３を真空成膜した後に、プラスチックフィルム１１を、裏面における上記金属膜の成膜部対応部分の全面に形成したカーボン膜１４と上記表面の金属膜１２、１３とを重ねるようにロール状に巻き取るフレキシブル基材の製造方法とした。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

Metallic elements composing a target material are homogeneously mixed by a mechanical alloying method, this powdery mixture is subjected to molding by controlling temperature and pressure while introducing suitable porosity to produce a formed body free from cracking, and the obtained formed body and a backing plate are joined via an insert material by an electric heating means under pressure to produce a sputtering target assembly.例文帳に追加

ターゲット材を構成する金属元素を機械的合金化法によって均質に混ざるように混合し、この混合粉末を用いて、温度、圧力を制御して適当な空孔率を導入しつつ成形することによって割れのない成形体を作製し、得られた成形体とバッキングプレートを、インサート材を介して加圧下通電加熱法を用いて接合し、スパッタリングターゲット組立体を製造する。 - 特許庁

To provide an in-line sputtering apparatus which employs a method of overcoming the following problem: when a processing substrate and a target is made to counter in parallel and the processing substrate is processed while being arranged tilted from the horizontal or vertical direction so as to be above the target, warpage occurs due to the weight of the processing substrate, which causes the variation in the quality of deposited film.例文帳に追加

処理基板とターゲットとを、平行に対向させ、且つ、処理基板を、ターゲットに対して上側、水平もしくは鉛直方向から斜めに傾けた状態として処理する場合において、処理基板の自重により、ソリが発生し、これが原因で、成膜される膜品質にばらつきが発生するという問題を、解決できる方法を採り入れたインラインスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming system capable of stably forming a thin film of various desired characteristics uniformly in its longitudinal and transverse directions with good reproducibility in thin film formation of continuously forming the thin film (functional thin film) by sputtering treatment on the surface of a long-length film-shaped substrate continuously supplied to a substrate transport route, and to provide a thin film forming method.例文帳に追加

基板搬送経路に連続的に供給される長尺のフィルム状基板の表面に、スパッタ処理により連続的に薄膜（機能性薄膜）を形成する薄膜形成において、求められる諸特性の薄膜をその長手、幅方向において均一に、かつ再現性よく安定させて形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for refining the structure of an Al series target material for sputtering in which a molten alloy containing one or more elements selected from transition metals by 10 atomic % or less, essentially containing the group 3A elements as the above transition elements and the balance substantial by Al is subjected to rapid cooling treatment to finely disperse and form compounds in the target structure is applied.例文帳に追加

遷移元素から選択される元素のいずれか１種または２種以上を１０原子％以下含み、前記遷移元素として３Ａ族元素を必須として含有し、残部実質的にＡｌからなる合金溶湯を急冷処理することにより、ターゲット組織中の化合物を微細に分散形成させるＡｌ系スパッタリング用ターゲット材の組織微細化方法を適用する。 - 特許庁

The method for depositing a conductive thin film having the texture structure further includes a step of depositing the conductive thin film formed of Ag containing aluminum oxide by using a vacuum film deposition process such as sputtering and vacuum vapor deposition, and a step of laminating a plurality of conductive thin films of different composition, and the mean surface roughness and the shape of the texture structure can be controlled.例文帳に追加

スパッタまたは真空蒸着などの真空成膜プロセスを使用して、酸化アルミニウムを含有したＡｇからなる導電性薄膜を形成すること、および異なる組成の導電性薄膜を複数積層する工程をさらに含み、テクスチャー構造の平均表面粗さおよび形状を制御することを特徴とするテクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

The magnetic particles 1 whose average particle diameter D including the hair-like projections 3 is within the range from 100 nm to 300 nm are excellently obtained as iron particles formed by a gas flow sputtering method, and are used as magnetic particles for destructing tumor cells by a converted magnetic field given inside the tumor cells from outside by phagocytosis or endocytosis.例文帳に追加

このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 - 特許庁

A manufacturing method includes a Cu coating forming step of forming CU coating on the surface of a transparent resin film (1) by vapor deposition or sputtering; a coloring step of coloring the surface in black or brown, by performing treatment using a solution of ammonium sulfide after the Cu coating forming step; and a wiring forming step of forming wiring (2), according to screen printing or photoresist after the coloring step.例文帳に追加

蒸着法またはスパッタリング法により透明樹脂フィルム（１）の表面にＣｕ被膜を形成するＣｕ被膜形成工程と、該Ｃｕ被膜形成工程の後、硫化アンモニウムの水溶液で処理をすることにより、表面を黒色または褐色に着色させる着色工程と、該着色工程の後、スクリーン印刷法またはフォトレジスト法により配線（２）を形成する配線形成工程とを有する。 - 特許庁

After a sputtering method is used to start forming a substance layer 102 on a bonding surface of a crystal substrate 101 and to start forming a substance layer 102 on a bonding surface of a crystal substrate 111, the bonding surface of the crystal substrate 101 and the bonding surface of the crystal substrate 111 where the substance layers 102 of 0.2 to <1 nm in layer thickness are formed respectively are bonded together with the substrate layer 102 interposed.例文帳に追加

スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。 - 特許庁

The hard film 1 having a first layer 3 containing metal nitride, metal oxide or metal carbide, and a second layer 4 which is coated on the first layer 3 and has composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using a sputtering apparatus having reactive gas feed equipment by devising a method for introducing reactive gas.例文帳に追加

金属の窒化物又は金属の酸化物又は金属の炭化物を含む第１の層３と、この第１の層３の上部に被覆され組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む第２の層４とを有する硬質皮膜１を、反応ガス供給設備を備えたスパッタリング装置を用いて、反応ガスの導入方法を工夫して製造するものである。 - 特許庁

The manufacturing method comprises: an amorphous laminate formation step for forming an amorphous film of indium-based complex oxide containing indium and tetravalent metal on a long length of transparent film base material by sputtering; and a crystallization step for continuously transporting the long length of transparent film base material with the amorphous film formed thereon into a heating furnace, and crystallizing the amorphous film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing optical recording media which is capable of forming the optical disk media of the number of the layers greater than the number of deposition chambers disposed in sputtering equipment provided with a plurality of the deposition chambers for forming arbitrary thin films and is extremely small in the variation of the recording and reproducing characteristics among the formed optical recording media when mass-producing the optical disk media.例文帳に追加

任意薄膜を形成する成膜室を複数個備えたスパッタリング装置において、前記スパッタリング装置に備えられた成膜室の室数よりも層数の多い光ディスク媒体を形成することを可能とし、かつ、前記光ディスク媒体を大量生産する場合に、形成された光ディスク媒体間の記録再生特性のばらつきが極めて小さい光ディスク媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cobalt-iron alloy sputtering target material is produced by a melt casting method, and composed of cobalt, iron and an additional metal(s), wherein the cobalt is contained in amount containing the increased leakage flux (PTF), and the additional metal is contained in amount of 8-20 atom% and includes at least one metal selected from tantalum, zirconium, niobium, hafnium, aluminum and chromium.例文帳に追加

本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical information recording medium includes: an intermediate layer forming step for forming an intermediate layer on a substrate; and a recording layer forming step for applying a dye containing coating liquid on the intermediate layer and forming a recording layer, wherein the intermediate layer in the intermediate layer forming step is formed by pulse DC sputtering.例文帳に追加

基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層上に色素含有塗布液を塗布して記録層を形成する記録層形成工程とを含む光情報記録媒体の製造方法であって、前記中間層形成工程における前記中間層が、パルスＤＣスパッタリングにより形成されることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a photoelectric conversion device 100 where a first transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion layer 3, a second transparent electrode layer 5, and a back electrode layer 4 consisting of a metal film are laminated sequentially on a substrate 1, the second transparent electrode layer 5 is formed by sputtering in a film deposition chamber where the partial water vapor pressure is controlled below 0.6%.例文帳に追加

基板１上に、第１透明電極層２と、光電変換層３と、第２透明電極層５と、金属膜からなる裏面電極層４と、が順に積層される光電変換装置１００の製造方法であって、水蒸気分圧を０．６％以下に制御した製膜室内で、スパッタリング法により第２透明電極層５を形成する光電変換装置１００の製造方法である。 - 特許庁

This method for producing the target which is used for forming an inorganic film with a sputtering technique comprises the steps of: (a) preparing a metal substrate and a powder of the target material; and (b) producing an aerosol by dispersing the powders of the target material into a gas and depositing the target material on the substrate by spouting the produced aerosol onto the substrate from a nozzle.例文帳に追加

このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma.例文帳に追加

チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 - 特許庁

A manufacturing method of a stamper for embossing data on an optical disk has a process for forming a print layer by printing data to be embossed directly on a glass master, a process for sputtering metal or an alloy to the print layer, a process for forming a metal or alloy layer on the sputtered layer and a process for separating the metal or alloy layer from the glass to form the stamper.例文帳に追加

エンボス加工されるデータをガラスのマスターに直接プリントしてプリント層を形成する工程と、このプリント層に金属又は合金をスパッタリングする工程と、このスパッタリングされた層に金属又は合金の層を形成する工程と、この金属又は合金の層をガラスから分離し、スタンパーを形成する工程とを有する光ディスクにデータをエンボス加工するためのスタンパーを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electrolyte membrane for the direct methanol fuel cell has stacked structure of a proton conductive polymer membrane 1 and a carbon thin membrane 6, and the carbon thin membrane 6 is formed on the proton conductive polymer membrane 1 by an electron cyclotron resonance sputtering method, and has structure mixed with graphite structure crystalline carbon 7 and amorphous carbon 8.例文帳に追加

プロトン伝導性高分子膜１とカーボン薄膜６との積層構造を有する直接メタノール型燃料電池用電解質膜であって、カーボン薄膜６は、電子サイクロトン共鳴スパッタ法を用いてプロトン伝導性高分子膜１上に成膜され、グラファイト構造の結晶性カーボン７とアモルファスカーボン８が混在した構造を有することを特徴とする直接メタノール型燃料電池用電解質膜を構成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the cylindrical sputtering target by joining a cylindrical base material 10 and a plurality of cylindrical target materials 20 to one another by using a joining material, spacers capable of fixing the cylindrical target materials are inserted between adjacent cylindrical target materials so that outer peripheral surfaces of the adjacent cylindrical target materials are made coincident with each other when the cylindrical target materials are disposed with the cylindrical base material as a reference.例文帳に追加

円筒形基材１０と複数の円筒形ターゲット材２０とを接合材を用いて接合し、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、円筒形基材を基準として円筒形ターゲット材を配置する際に、隣り合う円筒形ターゲット材の間に、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面が一致するように円筒形ターゲット材を固定することができるスペーサーを挿入して製造する。 - 特許庁