「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with an Si film consisting of 100 wt.% Si component deposited by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＳｉ成分が１００重量％よりなるＳｉ膜が被覆されてなること。 - 特許庁

After the mask is removed, an NdBa2Cu3O7-y film is formed on the insulating protection film 12 by a sputtering method as a second superconductor.例文帳に追加

次に、マスクを除去した後、スパッタ法により、絶縁保護膜１２上に第２の超電導体膜として、ＮｄＢａ_2 Ｃｕ_3 Ｏ_7-y 膜を形成する。 - 特許庁

The colored layer composed of a colored ceramic compound, such as SiC, TaN, etc., is formed on the surface of the sintered AlN compact by a sputtering method.例文帳に追加

ＳｉＣやＴａＮ等の有色のセラミック化合物からなる着色層をＡｌＮ焼結体の表面にスパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

To provide a method which reduces the size of a target and inhibits the increase of the weight of an apparatus, an electric power for sputtering and the like, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

ターゲットを小さくすることができ、装置重量やスパッタ電力などの増加を抑制する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which hardly causes cambers due to stress distortion, bonding failures, crackings of the target or the like, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット及びその製造方法において、応力歪みによる反りが少なく、ボンディング不良やターゲット割れ等を防ぐこと。 - 特許庁

To provide a sputtering film forming method capable of forming film while discharge caused by the charge-up of a conductive layer on an insulating substrate is prevented.例文帳に追加

絶縁基板上の導電層のチャージアップによる放電を防止しつつ成膜することができるスパッタリング成膜法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered sputtering target material which contains little gas, has refined crystal grains and can be stably provided, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

低ガスであり、かつ、結晶粒の微細化が図られ、安定供給可能な焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

With the aid of this arrangement or of the method, light-permeable as well as also light-impermeable gas-blocking layers are produced using only one sputtering installation.例文帳に追加

装置または方法の使用により、単一のスパッタリング装置を用いて、光不透過層だけでなく、光不透過ガス遮断層をも形成できる。 - 特許庁

The film mainly containing the IZO is substantially composed of amorphous or fine crystals and the film in such a structure deposited in a sputtering method.例文帳に追加

このＩＺＯを主成分とする膜は、本質的にアモルファス状あるいは微結晶よりなり、このような膜はスパッタリング法で製膜される。 - 特許庁

INDIUM OXIDE-METALLIC THIN POWDER MIXTURE, ITO SPUTTERING TARGET USING THE SAME POWDERY MIXTURE AS RAW MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME TARGET例文帳に追加

酸化インジウム−金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするＩＴＯスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁

Resistance of the oxide semiconductor layer is increased by forming a silicon oxide film in contact with the oxide semiconductor layer by a sputtering method.例文帳に追加

酸化物半導体層の高抵抗化は、該酸化物半導体層に接して、スパッタ法により酸化珪素を形成することによって行う。 - 特許庁

The catalyst surface is formed by either method of vacuum sputtering, electroplating, electroless plating, alloying, thermal spraying, and doping by using platinum group metal.例文帳に追加

触媒表面は白金族金属を用い、真空スパッタリング、電気メッキ、無電解メッキ、合金化、溶射、ドーピングのいずれかの方法により形成する。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is deposited using a DC sputtering method and DC power for deposition is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際のＤＣパワーをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

A zinc-oxide film is formed by a sputtering method, in which a non-doped zinc-oxide target and Ar gas and oxygen gas for the discharge gas are used.例文帳に追加

ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてＡｒガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, METHODS FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 - 特許庁

On the base board the metal electrode is formed directly by vacuum evaporation process, PVD, CVD, MOCVD method such as sputtering, or by plating.例文帳に追加

金属電極は、真空蒸着法、スパッタリング等のＰＶＤ、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、メッキなどの方法で、絶縁基板上に直接形成される。 - 特許庁

The wiring layer 34 is formed by a coherent sputtering method, and processing processes performed after forming the wiring layer 34 are performed at temperatures not higher than 350°C.例文帳に追加

上記導電層３４をコヒーレントスパッタリング法により形成し、導電層３４形成後の処理工程を３５０℃以下の温度で行う。 - 特許庁

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming.例文帳に追加

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。 - 特許庁

To provide a method for production of an indium target capable of favorably inhibiting the occurrence of abnormal discharge when sputtering, and to provide the indium target.例文帳に追加

スパッタ時の異常放電の発生を良好に抑制することが可能なインジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲットを提供する。 - 特許庁

The flattened dielectric film 14a is a glass film of low melting point formed by a paste method, and the high withstand voltage dielectric film 14b is a silicon oxide film formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

平坦化誘電体膜１４ａが、ペースト法により形成される低融点ガラス膜であり、高耐電圧誘電体膜１４ｂが、スパッタリング、蒸着法、または化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜である。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

In a magnetron sputtering film deposition method for producing a thin film by which the film deposition is performed by masking a part of a target, the mask includes an area where the re-adhesion (deposition) amount on the target is larger than the sputtering amount of the target, and includes an area where the sputtering amount of the target is comparable with the re-adhesion (deposition) amount on the target.例文帳に追加

薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

In the sputtering method where, to the film deposition face of a substrate 2, particles generated by the sputtering of a target 3 arranged so as to be confronted therewith are stuck, so that a film is deposited, high frequency pulse voltage of which the frequency is ≥50 kHz and Off-Duty value is 40 to 50% is applied to the target, so that the sputtering is performed.例文帳に追加

基体２の成膜面にそれと対向配置したターゲット３のスパッタリングによって発生する粒子を付着させて成膜するスパッタリング方法において、前記ターゲットに、周波数５０ｋＨｚ以上、Ｏｆｆ−Ｄｕｔｙ値が４０〜５０％である高周波パルス電圧を印加してスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 特許庁

To provide a high-strength barium-aluminum-based sputtering target of which the strength does not decrease even when having been left in the atmosphere for a long period of time, and which is used for a reactive sputtering method for forming an EL light-emitting layer of an inorganic EL device.例文帳に追加

無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The dielectric film for the amorphous phase change optical film is film-deposited on a substrate by a sputtering method using a film-deposition device provided with a sputtering power source so constituted that 50 to 400 kHz frequency overlapping with a DC can be applied to the target.例文帳に追加

該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes and lowering the sintering temperature while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減し、かつ焼結温度を下げることにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since it is not necessary to form a transparent electrode on an organic thin film by a direct sputtering method, sputtering damages of the element can be eliminated.例文帳に追加

ＩＴＯ簡易剥離法及び本方法により作製した２枚の支持基板を貼り合せることで素子作製を行う方法であって、有機薄膜上に直接スパッタリング法により透明電極形成を行う必要がないことから、素子のスパッタダメージがフリーとなる。 - 特許庁

To provide a sputtering system, upon film deposition by a sputtering process, which prevents the incidence of electrons and oxygen ions on a substrate and reduces damage to a substrate or a film on the substrate, thus can improve film properties, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having a higher coercive force by enabling reactive sputtering having stable reproducibility even if oxygen addition is performed in formation of a magnetic film using oxygen added reactive sputtering and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

酸素添加系反応性スパッタリングを用いた磁性膜の形成において、酸素添加を行なっても安定した再現性のある反応性スパッタリングを可能とし,より、高保磁力な磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided with an ionizing means for ionizing the sputter particles evaporated from a target in an ionization space and controls the pressure in a sputtering chamber and the stagnation time of gas for sputtering electric discharge within the ionization space in depositing the ionized sputter particles.例文帳に追加

ターゲットから蒸発したスパッタ粒子をイオン化空間においてイオン化するイオン化手段を備え、イオン化したスパッタ粒子を堆積させるに際し、スパッタチャンバー内の圧力及びイオン化空間内でのスパッタ放電用ガスの滞留時間を制御する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sputtering a Ti metal target with a pretreatment gas containing an inert gas and nitrogen gas in order to previously nitride the surface of a substrate, and then sputtering the Ti metal target with a reactant gas containing the inert gas and nitrogen gas to form the TiN film on the substrate.例文帳に追加

希ガスと窒素ガスとを含む反応ガスでＴｉメタルターゲットをスパッタして基板上にＴｉＮ膜を成膜する際、希ガスと窒素ガスとを含む前処理ガスで前記Ｔｉメタルターゲットをスパッタしてその表面を予め窒化させておく。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering device which can maintain the uniformity of a film-forming speed and film quality by suppressing the contamination of a target, in the reactive sputtering device which forms a thin film on the surface of a long-length base material during transportation, and a method.例文帳に追加

搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus, with which the incidence of high energy particles such as negative ions on a film, a substrate or the like can be suppressed and the light loss can be suppressed when a film is deposited, and a good thin film can be deposited, and to provide a sputtering film deposition method.例文帳に追加

負イオン等の高エネルギー粒子が、成膜に際し膜あるいは基板等へ入射することを抑制し、光損失を抑えて良質な薄膜を形成することを可能とするスパッタ装置およびスパッタによる成膜方法を提供する。 - 特許庁

Also disclosed is a method for producing an Ni-W-B-based sputtering target material for producing an intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium characterized in that raw material powder produced by a gas atomizing process is compacted, so as to be the sputtering target material.例文帳に追加

また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

To consistently provide a Cr-Mn alloy sputtering target manufactured by a powder sintering method for suppressing generation of micro-cracks present in a structure of the target to possibly cause abnormal discharge and dust generation during the sputtering.例文帳に追加

スパッタリング中に、異常放電や発塵の発生原因となり得るターゲット材の組織内に存在するマイクロクラックの発生を抑制した粉末焼結法によって作製されたＣｒ−Ｍｎ合金スパッタリング用ターゲット材を安定的に提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that increases a confinement effect for plasma and charged particles such as secondary electrons, which are formed between targets, into a space between the targets, without shortening distance between centers of a pair of the targets, and to provide a sputtering method.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくするスパッタ装置及びスパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, a highly resistant transparent conductive film using the same; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The parallel flat plate type magnetron sputtering device having a specific sticking prevention plate is provided to perform the manufacturing method for a solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the solid electrolyte thin film obtained by the magnetron sputtering device is manufactured.例文帳に追加

この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of suppressing degradation of the luminescent potential by capturing plasma charged particles made incident on a surface to be deposited of a substrate from the surface of a sputtering target when forming an upper transparent electrode, and a transparent conductive film deposition method.例文帳に追加

上部透明電極形成時、スパッタリングターゲット表面から基板被成膜面へ入射するプラズマ荷電粒子を捕捉して、発光ポテンシャル低下を抑制することが可能なスパッタリング装置及び透明電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a high purity ruthenium sputtering target which can be made large without generating cracks, and in which the generation of particles can be suppressed on film deposition where, e.g., an electrode for the capacitor of a semiconductor memory is formed, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

クラックを発生させずに大型化でき、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成する製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputtering target for EL element manufacture and a sputtering target for EL element manufacture, capable of sufficiently reducing an O content in a light-emitting film, and yet capable of maintaining color purity of light of the EL element high.例文帳に追加

発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができ、しかも、ＥＬ素子の発光の色純度を高く維持できるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Consequently, stable conductor film deposition only by the sputtering method is facilitated, and there are provided the low-cost planar antenna with a reduced loss and the method of manufacturing the planar antenna.例文帳に追加

本発明を用いることにより、スパッタ法のみによる安定な導体膜形成を容易にし、かつ損失が少ない安価な平面アンテナ及び製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Further, a sputtering method, especially, an InGaSnO_5 target is used as the manufacturing method to make an oxygen flow rate 2-4%, and thus, mobility of about 1 cm^2/Vs can be stably obtained.例文帳に追加

また、製造方法としてスパッタ法、特にＩｎＧａＳｎＯ_５ターゲットを用い、酸素流量比を２〜４％とすることで、１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ程度の移動度を安定して得られる。 - 特許庁

To provide cleaning gas for removing unnecessary deposits accumulated on the internal wall of a device, a jig, etc., for a device which manufactures a thin film, etc., by using a CVD method, a sputtering method, etc.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて薄膜等を製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁