「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering apparatus and a sputtering method having high degree of freedom of a target material without impairing the discharge stability or the mass productivity, and to provide a manufacturing method of an optical disk with reduced defects and excellent mass productivity.例文帳に追加

放電の安定性あるいは量産性を損なうことなく、ターゲット材料の自由度の高いスパッタリング装置、スパッタリング方法を提供し、欠陥を低減した光ディスクを量産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus with a multiangular barrel, which does not cause a need for waste-water treatment like in an electroplating process and gives little load on the environment; to provide a sputtering method with a multiangular barrel therefor; to provide fine particles and microcapsules coated thereby; and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

めっき法のように廃液の処理が必要なく、環境に対する負荷が小さい多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target containing an alkali metal without using an elemental alkali metal which is difficult to handle, and a Cu-Ga alloy sputtering target obtained by the production method.例文帳に追加

取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

ZINC OXIDE BASED SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに酸化亜鉛系透明導電膜およびその製造方法ならびに電子機器 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method by which the change of discharge voltage by the movement of a magnet is small and to provide a device suitable for the execution of the method.例文帳に追加

マグネットの移動による放電電圧の変化が少ないマグネトロンスパッタ方法とその方法の実施に適した装置を提供すること。 - 特許庁

To materialize a reactive sputtering method for controlling a polarization direction of a nitride semiconductor thin film by a simple method without being restricted in substrates.例文帳に追加

基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for preventing generation of cracks or the like caused by the stress by improving a target working method, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ターゲットの加工方法を向上させて応力によるクラックの発生等を防止したスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

An alumina coating having a crystalline structure is beforehand formed by a sol-gel method and thereon formed is an alumina crystalline film using a sputtering method.例文帳に追加

あらかじめゾル−ゲル法により結晶構造のアルミナコーティングを形成し、その上にスパッタリング法を用いてアルミナ結晶膜を形成する。 - 特許庁

To provide a bias sputtering method which can form a thin film with stable film quality and to provide a method for producing an elastic wave apparatus using the same.例文帳に追加

安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target which does not generate the crack and exfoliation of target materials even at large-power sputtering, can be applied to a target of a variety of materials different from that manufactured by a thermal spray method and an HIP method, and is low in cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tungsten-oxide sputtering-target material and a vapor- deposition material with which the occurrence of dust (particle) and abnormal electric discharge can be decreased and a high-quality tungsten-carbide film can be stably deposited by a sputtering method or an electron beam evaporation method, and also to provide a manufacturing method for the vapor-deposition material.例文帳に追加

ダスト（パーティクル）や異常放電の発生を低減し高品質の酸化タングステン膜を安定してスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により製膜できる酸化タングステンスパッタリングターゲット材および蒸着材ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Mo sputtering target material of high quality in which the problems that particles are largely generated and arcing occurs according to conditions at the time of sputtering are solved and to provide a method for producing it.例文帳に追加

スパッター時の条件によリパーティクルが多量に発生したり、アーキングが起きるという問題を解消した品質の良いＭｏスパッターリングターゲット材とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a scandium aluminum nitride film includes a sputtering step of using a scandium aluminum alloy to perform a sputtering under an atmosphere including a nitrogen gas.例文帳に追加

本発明に係るスカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法は、上記課題を解決するために、窒素ガスを含む雰囲気下で、スカンジウムアルミニウム合金を用いてスパッタリングを行うスパッタリング工程を含む。 - 特許庁

The dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are preferably formed from targets for sputtering whose target materials used for the DC sputtering method have ≤10 Ωcm specific resistance value.例文帳に追加

誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣスパッタリング法に用いるターゲット材料の比抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲットから形成されることが好ましい。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET ESSENTIALLY CONSISTING OF ZINC SULFIDE AND OPTICAL RECORDING MEDIUM FORMED WITH PHASE TRANSITION OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM ESSENTIALLY CONSISTING OF ZINC SULFIDE USING THIS TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING THIS SPUTTERING TARGET例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

The sputtering target material is obtained by solidification molding of a raw material powder manufactured by a gas atomizing method, and the Ni-W-P,Zr-based thin film is manufactured by using the sputtering target material.例文帳に追加

また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 - 特許庁

To provide a backing plate which keeps an adequate contact with a target when the shape of the target is complicated, and the target is deformed while a film is formed with a sputtering method, and to provide a sputtering apparatus.例文帳に追加

ターゲット形状を複雑にした場合に、スパッタ成膜中にターゲットの変形が生じてもターゲットとバッキングプレートとの良好な接触性が保たれるバッキングプレート及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a mask blank, a film is deposited on a transparent substrate using the sputtering target and a sputtering gas used in the film deposition contains nitrogen and/or oxygen.例文帳に追加

また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いて、透明基板上に成膜することを特徴とし、成膜時に使用される成膜ガスは、窒素及び／又は酸素を含んでいる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 sputters a target 8 by ions in plasma using a magnetron sputtering method, to form an ITO film originated from the target 8 on a glass substrate 5 attached to a rotating carrousel 4.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、マグネトロンスパッタリング法を用いてターゲット８をプラズマ中のイオンによりスパッタリングし、回転するカルーセル４に取り付けられたガラス基板５にターゲット８によるＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Surfaces of the resin-formed ink guides 14 and the head substrate 12 are coated with a protecting layer 38 of diamond-like carbon by a thin film formation method such as the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

スパッタ法又はＣＶＤ法などの薄膜形成方法により、樹脂製のインクガイド１４及びヘッド基板１２の表面を、ダイアモンドライクカーボンの保護層３８で被覆する。 - 特許庁

A top clad layer is just to be formed after the heat treatment if required, and can be formed using a CVD method represented by plasma CVD or a PVD method such as a sputtering method.例文帳に追加

トップクラッド層は、必要ならば熱処理後に形成すれば良く、プラズマCVDで代表されるCVD法、あるいはスパッタ法などのPVD法等を用いて形成することができる。 - 特許庁

A main surface electrode 4 is formed on the surface of a side for receiving a solar light of the photovoltaic cell 1 by printing method, vapor phase method, or sputtering method or the like.例文帳に追加

その太陽電池セル１の太陽光線を受光する側の表面に、たとえば印刷法、蒸着法またはスパッタ法等によって主面電極４が形成される。 - 特許庁

A manufacturing method of a TFD element forms a first insulating film 63a composed of a TaO_x on a lower electrode 62a by a gas phase method such as a sputtering method etc.例文帳に追加

ＴＦＤ素子の製造方法は、スパッタ法などの気相法にて下部電極６２ａ上にＴａＯ_ｘ膜からなる第１の絶縁膜６３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a film forming method improving a film formation rate without using a special manufacturing apparatus in a method for forming a copper thin film on a base material by a sputtering method.例文帳に追加

特別な製造装置を用いることなく、スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において成膜速度を向上せる成膜方法を提案する。 - 特許庁

To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加

銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pulse sputtering system and a pulse sputtering method where, when ionized sputtering particles are deposited on a base material biased to a negative potential, so as to form a film, even in the case arc discharge is generated at the base material or the peripheral member thereof, the film formation can be performed without deteriorating the quality of the formed film.例文帳に追加

イオン化したスパッタ粒子を負電位にバイアスした基材に堆積させ成膜するに際し、基材あるいはその周辺部材にアーク放電が発生した場合でも成膜品質を劣化させることなく成膜することができるパルススパッタ装置および方法を提供する。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

The method is characterized by providing a first film deposition area for sputtering a metal target and a second film deposition area for sputtering titanium oxide in a vacuum chamber and depositing the mixed film of the metal and the titanium oxide by sputtering the metal and the titanium oxide in respective areas.例文帳に追加

真空チャンバ内に、金属ターゲットをスパッタリングするための第１の成膜領域と、チタン酸化物をスパッタリングするための第２の成膜領域とを設け、各領域において、金属とチタン酸化物とをスパッタリングして金属とチタン酸化物の混合膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Further, regarding this method, an iridium oxide film is formed by a reactive sputtering process where, using a target comprising iridium, sputtering is performed while introducing an oxygen-containing gas under the conditions where film deposition temperature is 275 to 400°C and sputtering pressure is 0.69 Pa (5.2 mTorr) to 1.09 Pa (8.2 mTorr).例文帳に追加

また、イリジウムを含むターゲットを用い、酸素を含むガスを導入しながらスパッタリングする反応性スパッタリング法により、成膜温度が２７５℃以上４００℃以下の条件およびスパッタ圧力が０．６９Ｐａ（５．２ｍＴｏｒｒ）以上１．０９Ｐａ（８．２ｍＴｏｒｒ）以下の条件下で、イリジウム酸化膜を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus where, when film deposition is performed by sputtering using an AC power source, the generation of arc discharge is swiftly detected to cut off the output from the AC power source, and energy upon the generation of arc discharge is reduced, so as to effectively prevent the generation of particles and splashes.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering target, a backing plate and an instrument in a sputtering device capable of preventing the peeling and scattering of deposit generated from the surface of the target, the backing plate and the instrument in the sputtering device, to which an unnecessary film is deposited, and to provide a roughening method using an electron discharge machining.例文帳に追加

ターゲット、バッキングプレート、スパッタリング装置内の機器の、不要な膜が堆積する面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止できるパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び放電加工による粗化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is an Al-based target and is free from cracking when it is formed even if it has a high content of Cr exhibiting more excellent corrosion resistance and further which is also free from cracking during sputtering, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

Ａｌ系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いＣｒの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of ameliorating the texture of crystal orientation of the target, of improving the uniformity of a film when sputtering is carried out, and of enhancing the quality of sputtering deposition and greatly improving the yield of manufacturing and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a target for sputtering in which the structure of crystal orientation is improved, thus the uniformity of a film upon sputtering is made satisfactory, the quality of sputtering film deposition is improved, and further, a production yield can be remarkably improved, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a Co-base sintered alloy sputtering target for forming a magnetic recording film of low relative magnetic permeability.例文帳に追加

低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a radical generating method in reactive sputtering where damages to a film and a substrate caused by ions is suppressed, and to obtain a device therefor.例文帳に追加

イオンによる膜と基板へのダメージを抑制する反応性スパッタにおけるラジカル発生方法及び同装置を得る。 - 特許庁

To efficiently deposit a film of high quality when depositing a thin film on a substrate by the sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて基板上に何らかの薄膜を形成するに際して、高品質の膜を効率良く形成する。 - 特許庁

Next, the inner surface of the groove and that of the via hole are coated with a metal film 18 formed of MnO by a sputtering method.例文帳に追加

次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、ＭｎＯからなる金属膜１８が被着される。 - 特許庁

To improve the film quality in a magnetron sputtering method in which film formation is executed under the pressure lower than that capable of starting discharge.例文帳に追加

放電開始可能圧力より低い圧力で成膜するマグネトロンスパッタ方法において、膜質の向上を図る。 - 特許庁

The conductive layer 102 is constituted of a shapeless carbon layer which is formed by a sputtering method and whose thickness is 5 nm to 10 nm.例文帳に追加

導電層１０２は，スパッタ法により形成された５ｎｍ〜１０ｎｍの厚みの不定形炭素層から成る。 - 特許庁

OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD, SPUTTERING TARGET, USAGE FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND OPTICAL RECORDING APPARATUS例文帳に追加

光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 - 特許庁

To provide a sputtering method forming a metallic thin film having a wide process window and also having resistance value lower than that of the conventional one.例文帳に追加

広いプロセスウインドウを有し、かつ従来より低い抵抗値を持つ金属薄膜を形成するスパッタリング法の提供。 - 特許庁