「Sputtering Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

SPUTTERING TARGET, OPTICAL THIN FILM USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット、それを用いた光学薄膜とその製造方法、および光記録媒体 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND MAGNETIC RECORDING/ REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide an efficient sputtering apparatus capable of forming two or more films in one treatment chamber, to provide a sputtering method, and to provide a semiconductor device using it.例文帳に追加

２層以上の成膜を１つの処理チャンバーで行える効率の良いスパッタ装置及びスパッタリング方法及びこれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film made from a metal fluoride, which absorbs no light, at a constant film-forming rate, and to provide a sputtering method therefor.例文帳に追加

光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method carrying out sputtering process in a correction part in a circuit in an intended process shape without reducing processing yield.例文帳に追加

加工歩留まりを低下させることなく、回路修正個所におけるスパッタ加工を意図した加工形状にて行うことのできるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method where the generation of nodules can be suppressed upon film deposition by a magnetron sputtering process, and to provide a sputtering system.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜時において、ノジュールの発生を抑制することができる成膜方法及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering source, a sputtering-coating system and a method for the treatment of a substrate by means of which the efficiency of coating process can be increased by increasing power density.例文帳に追加

出力密度を上げることでコーティング処理の効率を向上したマグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置及び基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas introducing apparatus, a sputtering apparatus and a sputtering method, capable of producing a magnetic film having the consistently excellent magnetic characteristic distribution.例文帳に追加

安定して良好な磁気特性分布を持った磁性膜を作製可能なガス導入装置、スパッタリング装置、およびスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a barrier layer of a Cu wiring used in a semiconductor element etc., and the sputtering target.例文帳に追加

半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an indium oxide sputtering target which can suppress the generation of nodules upon sputtering, and to provide an indium oxide sintered compact and a method for producing the same.例文帳に追加

スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflow sputtering method and a reflow sputtering system capable of embedding a wiring material in an inner side of a very small hole 90 while keeping the temperature of a substrate 9 at a relatively low temperature.例文帳に追加

基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。 - 特許庁

To provide a sputtering method by which the variation of sputtering time is reduced and a thin film of a desired film thickness is deposited on a work and to provide a device therefor.例文帳に追加

スパッタ時間のバラツキを低減するとともにワークに所望の膜厚の薄膜を形成するスパッタ方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a sputtering treatment method for attaining a stable discharge state in a short period of time and achieving film-deposition at higher speed.例文帳に追加

安定した放電状態を短時間で達成し、より高速度での成膜を実現したスパッタリング装置及びスパッタリング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which is capable of avoiding complicatedness of apparatus design and member arrangement and is excellent in mass-production, and to provide a film forming method using the sputtering apparatus.例文帳に追加

装置設計や部材配置の煩雑さを回避することができ、量産性に優れたスパッタリング装置及び膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering device which can perform low-temperature and low-damage film formation with a simple configuration and with a high productivity.例文帳に追加

簡単な構成でありながら、低温・低ダメージ成膜が可能であり、且つ生産性の高いスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of improving the efficiency of heating a substrate, and a method for manufacturing a semi-conductor light emitting element by the sputtering apparatus.例文帳に追加

基板を加熱する効率を向上させたスパッタリング装置およびそのスパッタリング装置による半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a good sputtering method which gives no damage to the body to be treated such as a semiconductor wafer or the like to be subjected to sputtering and to provide a system therefor.例文帳に追加

スパッタリングを行う半導体ウエハ等の被処理体に対して、常に損傷を与えない良好なスパッタリング方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a BiTi based oxide sputtering target which can stably perform sputtering even at a high output, and has reduced cracks, and a method for producing the same.例文帳に追加

高い出力でも安定してスパッタリング可能で、割れの少ないＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A sputtering target comprises a target member and a backing plate, and a copper thin film is formed by a plating method on the surface of the backing plate of the sputtering target.例文帳に追加

ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of simplifying a manufacturing process without causing elution of metal and providing a high-density IGZO sputtering target, and a sputtering target.例文帳に追加

金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

The film 3 is formed through a sputtering method carried out in a sputtering atmosphere of argon gas into which a small amount of nitrogen gas is kept being introduced using a pure titanium target.例文帳に追加

この成膜は、純チタンをターゲットとしたスパッタリング法により、スパッタリング雰囲気にアルゴンガスとともに少量の窒素ガスを導入しながら行う。 - 特許庁

To obtain a magnetron sputtering apparatus and a magnetron sputtering method for improving the use efficiency of a hollow target of a cylindrical shape, etc.例文帳に追加

円筒状等の中空状ターゲットの利用効率の向上を図ることができるマグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

This substrate can be manufactured by the dry coating of silicon oxide by vacuum deposition method, sputtering method, CVD method, and the like.例文帳に追加

この基板は酸化珪素の真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などのドライコーティングにより製造することが可能である。 - 特許庁

Subsequently, at least one among sputtering method, vapor deposition method, plating method and printing method is applied to the surface of the filter membrane and forms a conductive membrane.例文帳に追加

次いで、前記ろ過膜の表面にスパッタリング法、蒸着法、メッキ法及び印刷法の少なくとも一つを用いて導電膜を形成する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

THIN FILM DEPOSITION METHOD BY CATALYST SPUTTERING AND THIN FILM DEPOSITION SYSTEM AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁

SPUTTERING SURFACE FLATNESS EVALUATION METHOD AND RESOLUTION EVALUATION METHOD IN GLOW DISCHARGE EMISSION SPECTRAL ANALYSIS例文帳に追加

グロー放電発光分光分析におけるスパッタ面の平坦性の評価方法及び深さ分解能の評価方法 - 特許庁

To provide a substrate for a flexible recording medium easily manufactured and suitable for a vacuum film-depositing method such as a sputtering method.例文帳に追加

作製が容易で、スパッタ法など真空成膜法に適した可撓性記録媒体用支持体を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY HAFNIUM MATERIAL, HIGH PURITY HAFNIUM MATERIAL OBTAINED BY THE METHOD, AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

高純度ハフニウム材の製造方法及びこの方法により得られた高純度ハフニウム材、並びにスパッタリングターゲット - 特許庁

The hard coating can be formed by a sputtering method or an ion plating method.例文帳に追加

当該硬質皮膜は、スパッタリング法又はイオンプレーティング法により成膜することにより製造することができる。 - 特許庁

GALLIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

酸化ガリウム粉末及びその製造方法並びに酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

Further, the lower electrode 13 is formed by an electron beam evaporation method or a sputtering method using the evaporation mask.例文帳に追加

または、下部電極１３を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する。 - 特許庁

Thereafter, a tungsten film 25 is formed by a sputtering method and a tungsten film 26 is formed by a CVD method.例文帳に追加

その後、スパッタ法によりタングステン膜２５を形成し、さらにＣＶＤ法によりタングステン膜２６を形成する。 - 特許庁

METHOD OF OBSERVING SINTERED COMPACT, ITO SINTERED COMPACT, AND MANUFACTURING METHOD OF ITS SPUTTERING TARGET AND ITO SINTERED COMPACT例文帳に追加

焼結体の観察法、ＩＴＯ焼結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット及びＩＴＯ焼結体の製造法 - 特許庁

(1) In the manufacturing method of the optical information recording medium, the time (sputtering starting time) directly after the substrate is molded until sputtering is started is managed and only the substrate whose sputtering starting time is set in a predetermined fixed time is sputtered.例文帳に追加

（１）基板成形直後からスパッタ開始までの時間（スパッタ開始時間）を管理し、スパッタ開始時間が予め設定した一定時間内に収まる基板のみをスパッタする光情報記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a recording layer exhibiting satisfactory characteristics by DC sputtering and a high-density optical recording medium using the sputtering target and a manufacturing for the same.例文帳に追加

良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体とその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering target for optical media capable of producing an interference layer, which has a high refractive index and can ensure a sufficient shelf life of an optical medium, of the optical medium by DC sputtering, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an AlGaN or an AlN layer as a first III nitride compound semiconductor layer is formed on a sapphire substrate through a sputtering method, the initial voltage of a sputtering apparatus is set to 110% of a sputtering voltage or lower.例文帳に追加

サファイア基板上へ第１のIII族窒化物系化合物半導体層として、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮ層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の１１０％以下とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of easily depositing an optical multilayer film having optical properties extremely close to the design properties of the designed optical multilayer film, to provide a sputtering method therefor, and to provide an optical multilayer film produced by the sputtering method.例文帳に追加

設計された光学多層膜の設計特性に極めて近い光学特性の光学多層膜を容易に成膜することが出来るスパッタ装置、スパッタ方法、及びこのスパッタ方法で製造される光学多層膜を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target which makes the thickness of a film formed from TaN or the like with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.例文帳に追加

ＴａＮ膜等を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁

In order to optimize the film forming embodiments of barrier metal films 6, 14 for a via hole 5 and wiring groove 13 respectively, a sputtering method is used to both of them in this case, for example, a multi-step sputtering method is applied to form the barrier metal film 6 and a low power sputtering method of 1 step is applied to form the barrier metal film 14.例文帳に追加

ビア孔５及び配線溝１３に対して、それぞれバリアメタル膜６，１４の成膜態様を最適化、ここでは共にスパッタ法を用い、バリアメタル膜６の形成には例えばマルチステップ・スパッタ法を、バリアメタル膜１４の形成には例えば１ステップの低パワー・スパッタ法を適用する。 - 特許庁

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加

蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁

In a sputtering method, a sputtering gas containing a noble gas is introduced from two or more points into a vacuum chamber 1, a molecular weight of the sputtering gas introduced from around the target 2 is controlled to be larger than those of any sputtering gasses introduced from around a substrate 51, and also an introduction gas plasma source 13 is provided around the target 2 to convert the sputtering gas into plasma.例文帳に追加

希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。 - 特許庁

A DLC film 2 of insulating performance is formed on a surface of the substrate 1 by a film formation method of a plasma CVD method, a sputtering method, and a PBII method or the like.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。 - 特許庁