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Trを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2200



例文

The ratio (Tr/Tc) of thickness Tr of the reinforcement layer to the nominal thickness Tc of the cover is 0.005-3.0.例文帳に追加

カバーの公称厚みTcに対する補強層の厚みTrの比(Tr/Tc)は、0.005以上3.0以下である。 - 特許庁

The base-emitter voltage of the first (second) emitter follower TR 11 (12) practically coincides with that of the second (first) amplification TR.例文帳に追加

第1(第2)のエミッタフォロワ・トランジスタのベース-エミッタ電圧は、実質的に第2(第1)の増幅トランジスタのベース-エミッタ電圧に一致する。 - 特許庁

In advance of consecutive photographing, a cross section to be photographed is photographed at least twice for different repeating times TR to calculate a T1 value (101).例文帳に追加

連続撮影に先立って、撮影対象断面を異なる繰り返し時間TRで2回以上撮影し、T1値を算出する(101)。 - 特許庁

The on/off state of the setting TR 20 is zapped to fix an on/off state of the setting TR 10 to an optimum state.例文帳に追加

そして、ツェナーザップダイオード20をザッピングすることによって、設定トランジスタ10のオンオフ状態を最適の状態に固定する。 - 特許庁

例文

In the second Tr 16, the gate is connected to the word line 3, the source is connected to the second bit line 5 and the source is connected to the drain of the first Tr 6.例文帳に追加

第2Tr16は、ゲートがワード線3に、ソースが第2ビット線5に、ドレインが第1Tr6のドレインに接続される。 - 特許庁


例文

The ratio Ts/Tr of the thickness Ts of the sealing devices 5 and the thickness Tr of the outer ring 2 at the bottom of the grooves 2b is ≤0.07.例文帳に追加

密封装置5の厚さTsと溝2bの底部における外輪2の厚さTrとの比Ts/Trは、0.07以下とされている。 - 特許庁

The constant current I2 almost flows to the TR Q2 at no load, but flows to a base of the TR Q3 in a charging state.例文帳に追加

無負荷時には、定電流I2は殆どトランジスタQ2に流れるが、充電時にはトランジスタQ3のベースに流れ込む。 - 特許庁

Sensor signal at a time when magnetic bodies 102A, 102B oppose to the gap sensors 44A, 44B, changes between HI and LOW according to rotor temperature Tr.例文帳に追加

ギャップセンサ44A,44Bが磁性体102A,102Bと対向したときのセンサ信号は、ロータ温度Trに応じてHIとLOWとの間で変化する。 - 特許庁

A switching TR 6 has one end connected to the drain and gate of the TR 4.例文帳に追加

また、トランジスタ4のドレイン及びゲートに一端が接続されたスイッチ用トランジスタ6が設けられている。 - 特許庁

例文

Data transmission is performed in a series of intermittent transmission periods (Tn+Tr) consisting of data transmission periods Tn and pause periods Tr.例文帳に追加

データの送信は、データ送信期間Tn及び休止期間Trからなる間欠送信期間(Tn+Tr)の連続からなる。 - 特許庁

例文

The clipping circuit 20 has a current mirror formation having a reference transistor(TR) 30 and a mirror transistor (TR) 32.例文帳に追加

クリッピング回路20は、基準トランジスタ30とミラー・トランジスタ32とを有する電流ミラー状構成体を有する。 - 特許庁

Such droplets do not fill trenches TR formed in high aspect ratio in the wafer W but clog respective openings of the trenches TR (figure 4 (a)).例文帳に追加

このようなドロップレットDLは、基板W上に高アスペクト比で形成された溝TRを埋めることなく、溝TRの開口を塞ぐ(図4(a))。 - 特許庁

Similarly, a flag TR is set in the case of incorporating a transfer voltage optimization process, and the flag TR is reset in the case of not incorporating it (78, 80, 82).例文帳に追加

同様に、転写電圧最適化工程を、組み込む場合にはフラグTRをセットし、組み込まない場合フラグTRをリセットする(78,80,82)。 - 特許庁

On the other hand, at interruption of power, a TR Q6 is made nonconductive and the TR Q5 becomes also conductive.例文帳に追加

これに対して、電源オフ時は、トランジスタQ6がオフ状態となり、トランジスタQ5がオン状態になる。 - 特許庁

An amplifier that amplifies a high frequency signal input consists of an input transistor(TR) 32 and an output TR 33 that are connected in cascade.例文帳に追加

高周波信号入力を増幅するアンプは、カスケード接続した入力トランジスタ32と、出力トランジスタ33とで構成する。 - 特許庁

(2): The number of division of the division display periods Tr_m+1 corresponding to (m+1) bits is not more than the number of division of the display periods Tr_m corresponding to the m bits.例文帳に追加

(m+1)ビットに対応する表示期間Tr_m+1の分割数は、mビットに対応する表示期間Tr_mの分割数以下である。 - 特許庁

Furthermore, the capstan servo arithmetic section 71 obtains an SB phase error based on an SB No. and Tr No. and an SB phase error detected by a SYNC/ID detection section 22.例文帳に追加

また、キャプスタンサーボ演算部71は、SYNC/ID検出部22より検出されるSB No.とTr No.よりSB位相エラーを求める。 - 特許庁

Furthermore, a series connection of a resistor R and a capacitor Cc1 is provided between a source of the TR M1 and a gate of the TR M2.例文帳に追加

また、トランジスタM1のソースとトランジスタM2のゲートとの間には抵抗RとコンデンサCc_1の直列接続が設けられている。 - 特許庁

A clamp voltage VBp is applied to a gate of the clamp TR MP3 and a clamp voltage VBn is applied to a gate of the clamp TR MN4.例文帳に追加

クランプトランジスタMP3のゲートにはクランプ電圧VBpを、MN4のゲートにはクランプ電圧VBnを印加する。 - 特許庁

To limit the current which flows to the base terminal of a drive transistor(TR), when the TR is turned on reversely.例文帳に追加

駆動用トランジスタが逆方向にオンされているときにベース端子へ流れる電流を制限する。 - 特許庁

In a noise elimination circuit 4, a transistor(TR) Q6 is made conductive at application of power, and a TR Q5 is nonconductive.例文帳に追加

ノイズ除去回路4は、電源がオン状態のときには、トランジスタQ6がオン状態となり、トランジスタQ5はオフ状態となる。 - 特許庁

The 1st control TR outputs a 1st source and the 2nd control TR outputs a 2nd source.例文帳に追加

第1の制御トランジスタは第1の源を出力し、一方、第2の制御トランジスタは第2の源を出力する。 - 特許庁

The ratio (Tr/Tc) of the thickness Tr of the reinforcing layer to the thickness Tc of the cover is ≥0.005 and ≤3.0.例文帳に追加

カバーの厚みTcに対する補強層の厚みTrの比(Tr/Tc)は、0.005以上3.0以下である。 - 特許庁

A resistor R2 is connected between a base and a collector of a transistor(TR) Q5, and a 4th TR Q10 is provided.例文帳に追加

Q5のベースとコレクタとの間に抵抗R2を接続し、さらに、第4のトランジスタであるトランジスタQ10が設けられている。 - 特許庁

To set a rise time tr and a fall time tf of a driving current pulse for generating laser beams to be ≤1.0 nsec.例文帳に追加

レーザ光発生のための駆動電流パルスの立ち上がり時間tr、立ち下がり時間tfを1.0nsec以下とする。 - 特許庁

In a high voltage mode, however, the TR N508 is activated after the TR N500 is activated.例文帳に追加

出力駆動回路のdi/dtが高くなる高電圧動作モードでは、標準予備駆動回路の所定の遅延の後、整相予備駆動回路を作動する。 - 特許庁

Thereby, current of the cascade Tr 11, 12 is restricted and pull-in performance to Vss by the Tr 13, 14 is reduced.例文帳に追加

こうして、カスケードTr11,12の電流を制限してTr13,14によるVssへの引き込み能力を低くする。 - 特許庁

The signal current flowing to a 2nd TR 46 controls other output TR 56 in a push-pull output stage of an RF buffer 10.例文帳に追加

第2トランジスタ(46)を流れる信号電流は、RFバッファ(10)のプッシュプル出力段内の他の出力トランジスタ(56)を制御する。 - 特許庁

Consequently the base current of the TR Q27 is reduced and an output current Iout flowing through a TR Q30 is limited.例文帳に追加

トランジスタQ27のベース電流が減少し、トランジスタQ30を介して流れ込む出力電流Iout が制限される。 - 特許庁

A transistor TR Q2 as a switch is connected in parallel to a capacitor C1 connected to the base of a TR Q1.例文帳に追加

トランジスタQ1のベースに接続されたコンデンサC1に対して、スイッチとしてのトランジスタQ2を並列に接続する。 - 特許庁

A TR direction load detecting section 17 detects the load in a TR direction by the section 3a.例文帳に追加

TR方向負荷検出部17は、磁界形成ヘッド部3aによるTR方向の負荷を検出する。 - 特許庁

Moreover, a gate of the TR M1 is connected to a drain of the TR M2 via a capacitor Cc2.例文帳に追加

またトランジスタM1のゲートとトランジスタM2のドレインとはコンデンサCc_2を介して接続されている。 - 特許庁

A shunt TR 70 is connected between a base of the input TR 32 and one line of a power supply.例文帳に追加

シャント用トランジスタ70を、入力トランジスタ32のベースと、電源の一端との間に接続する。 - 特許庁

A pixel switching element consists of a n-channel MOS transistor(TR) 6 formed with a pair and a p-channel MOS transistor(TR) 7.例文帳に追加

画素スイッチング素子が対をなすnチャネルMOSトランジスタ6及びpチャネルMOSトランジスタ7からなる。 - 特許庁

The PMOS TR T11 is connected to a power supply voltage point VCC via a PMOS TR T13.例文帳に追加

PMOSトランジスタT11はPMOSトランジスタT13に直列に電源電圧Vccに接続される。 - 特許庁

A P-channel transistor(TR) P4 and an N-channel TR N4 are connected in parallel between analog input/output terminals.例文帳に追加

アナログ入出力端子間にPch型トランジスタP4とNch型トランジスタN4とが並列接続されている。 - 特許庁

The base width 9 of the parasitic PNP-Tr 5 is set in a width in an extent that the Ieb leakage of the NPN-Tr 5 is not increased.例文帳に追加

寄生PNP-Tr5のベース幅9は、NPN-Tr5のIebリークが大きくならない程度の幅に設定される。 - 特許庁

The switching TR 32 is driven by a drive TR 39 that receives an output voltage delayed through a delay circuit 37 at its base.例文帳に追加

このスイッチングトランジスタ32は、出力電圧の遅延回路37を介して遅延させ、駆動トランジスタ39にて駆動される。 - 特許庁

The oscillator circuit is characterized in that a resistive element 15 is provided between the emitter of a transistor(TR) Q1 and the collector of a TR Q2.例文帳に追加

トランジスタQ1のエミッタとトランジスタQ2のコレクタとの間に抵抗素子15を設けることを特徴としている。 - 特許庁

The NMOS TR T12 is connected to a ground level point Vss via an NMOS TR T14.例文帳に追加

NMOSトランジスタT12もNMOSトランジスタT14に直列に接地電位Vssに接続される。 - 特許庁

In case of TrTf, floor heating is put in an OFF state (step S105), and in case of Tr<Tf, floor heating is put in an ON state (step S104).例文帳に追加

Tr≧Tfのときは床暖房はOFF状態となり(ステップS105)、Tr<Tfのときは床暖房はON状態となる(ステップS104)。 - 特許庁

It also determines a cylindrical space with a radius tr and a height Lm-Ln as a selection space area when the maximum value of the distance from the axis L is tr.例文帳に追加

また、L軸からの距離の最大値trを決めて半径tr、高さLm−Lnの円柱空間を選択空間領域とする。 - 特許庁

The ratio (Tr/Tc) of the thickness Tr of the reinforcing layer to the nominal thickness Tc of the cover is ≥0.005 and ≤3.0.例文帳に追加

カバーの公称厚みTcに対する補強層の厚みTrの比(Tr/Tc)は、0.005以上3.0以下である。 - 特許庁

When the user wears the headphone 10, the TR 35 is conductive and when the user takes off the headphone 10, the TR 35 is nonconductive.例文帳に追加

ヘッドホン10が装着されたときにはトランジスタ35はオン状態となり、ヘッドホン10が外されたときにはオフ状態となる。 - 特許庁

Alternatively you can use the tr(1) command: 例文帳に追加

これらを理解するツール、すなわち dump(8) や tar(1) 等を使う必要があります。 - FreeBSD

A common use of tr is to convert lowercase characters to uppercase. 例文帳に追加

の良くある使い方としては、英小文字の大文字への変換があげられる。 - JM

The diode 5 and the NMOS transistor 6 make the TR switch.例文帳に追加

ダイオード5とNMOSトランジスタ6でTRスイッチを構成する。 - 特許庁

A groove TR is formed on the main surface of a semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体基板SBの主表面に溝TRが形成される。 - 特許庁

As this result, the current amount flowing into the triac TR becomes less.例文帳に追加

この結果、トライアックTRに流れる電流量が少なくなる。 - 特許庁

例文

The asynchronous TR is given priority until the present frame time is ended.例文帳に追加

非同期TRは、現在のフレーム時間が終了するまで、優先される。 - 特許庁

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