「Tr」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a bias level (Vbias 1) is supplied to the gate of the n-channel TR 13 for through-current control and a bias level (Vbias 2) is supplied to the gate of the p-channel TR 23 for through-current control.例文帳に追加

そして、貫通電流制御用のｎチャネルトランジスタ１３のゲートには、バイアス電位（Ｖｂｉａｓ１）が供給され、貫通電流制御用のｐチャネルトランジスタ２３のゲートには、バイアス電位（Ｖｂｉａｓ２）が供給される。 - 特許庁

Consequently, the output of an inverter I2 goes down to a low level, a P type TR P1 turns on, and an N-type TR N1 turns off, so that the potential of the read bus line RB varies from the low level to the high level.例文帳に追加

これによりインバータＩ２の出力はロウとなり、Ｐ型トランジスタＰ１はオン、Ｎ型トランジスタＮ１はオフし、リードバス線ＲＢの電位はロウからハイへと変動する。 - 特許庁

Consequently, at the time of transition to 'H' of an input signal 'in', even if the Tr 14 to be turned off is instantly turned on, its influence is slight, thus when a Tr 16 is turned on, an output signal 'out' rises quickly so that the delay time can be shortened.例文帳に追加

その結果、入力信号inの「Ｈ」への遷移時に、オフするＴr１４が瞬間的にオンになってもその影響は小さく、Ｔr１６がオンすると出力信号outは速やかに立ち上ることができ、遅延時間を短縮できる。 - 特許庁

At this time, a current of the same amount as that of the current flowing into a TR Q5 is allowed to flow into a TR Q9 and reference voltage impressed to the bases of the TRs Q3, Q5 is raised.例文帳に追加

このとき、トランジスタＱ９にトランジスタＱ５に流れる電流と同量の電流が流れて、トランジスタＱ３，Ｑ５のベースにかかる基準電圧が高くなる。 - 特許庁

To improve power efficiency of the power amplifier circuit in a wireless communication device which has a mode where an output transistor (TR) operates being saturated and a mode where the output TR makes linear operation.例文帳に追加

出力トランジスタが飽和動作するモードと線形動作するモードを備えた無線通信機用の電力増幅回路の電力効率を向上させる。 - 特許庁

A chemical liquid is locally supplied from nozzle 3 to the end portion (surface peripheral portion TR and circumferential end face EF continuing into the surface peripheral portion TR) of a substrate W which is rotary driven.例文帳に追加

ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。 - 特許庁

In the case of resetting, reset TRs 7, 8 and a shutter TR are conductive for applying a sum voltage of a constant voltage Vref and a thershold Vth of the amplifier TR to a light-receiving section 1 as a result voltage.例文帳に追加

リセット時、リセットトランジスタ７，８およびシャッタトランジスタをオンにして、定電圧Ｖｒｅｆと増幅トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈとの和の電圧をリセット電圧として受光部１に印加する。 - 特許庁

The initial temperature Tr is compared with a predetermined temperature in S14, and when the temperature Tr is lower, the mode is set to normal temperature mode, and the movable range of the magnification change frame is set in the normal zooming range in S15 to perform zooming/focusing operation in S16.例文帳に追加

Ｓ１４で初期温度Ｔｒを所定温度と比較し、温度Ｔｒが小さい場合は温度通常モードとし、Ｓ１５で変倍移動枠の可動範囲を通常のズーム域に設定し、Ｓ１６でズーム／フォーカス動作を実施する。 - 特許庁

A test mode input circuit 15 comprises an NOMS transistor(TR) 22, a PMOS TR 23, an inverter 24, and a current-limiting circuit 25.例文帳に追加

テストモード入力回路１５は、ＮＭＯＳのトランジスタ２２、ＰＭＯＳのトランジスタ２３、インバータ２４、および電流制限回路２５から構成される。 - 特許庁

Stored electric charges in a photo diode PD1 are outputted as a signal Sig via a current amplifier transistor(TR) 1 and a TR Ton1 and stored in a capacitor C providing a resulting voltage Vs via a switch SW.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１の蓄積電荷は電流増幅用トランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｏｎ１を経由して信号Ｓｉｇとして出力され、スイッチＳＷを通してコンデンサＣに電圧Ｖｓとして蓄積される。 - 特許庁

A drain of a transistor TR 5 is connected to a high level Vcc 3 higher than a threshold voltage of the transistor TR 4, a source is connected to the node D, and a gate is connected to the input node C.例文帳に追加

トランジスタＴｒ５は、ドレインがトランジスタＴｒ４の閾電圧より高い高電位Ｖｃｃ３に接続し、ソースがノードＤに接続し、ゲートが入力ノードＣに接続している。 - 特許庁

(3): At least one division display period of the display periods Tr_m corresponding to the m bits between the division display period of the display periods Tr_m+1 corresponding to the (m+1) bits and the division display period exists.例文帳に追加

（ｍ＋１）ビットに対応する表示期間Ｔｒ_m+1の分割表示期間と分割表示期間の間には、ｍビットに対応する表示期間Ｔｒ_mの分割表示期間が少なくとも１つ存在する。 - 特許庁

The amplifier circuit 5 amplifies further the signal V1 and the amplified signal as the signal with a higher amplitude is outputted from a connecting point between the 2nd load TR MP2 and the 2nd input TR MN2.例文帳に追加

信号Ｖ１は、増幅回路５で更に増幅され、高振幅信号として第２負荷トランジスタＭＰ２と第２入力トランジスタＭＮ２との接続点から出力される。 - 特許庁

In this manufacturing method, after an MOS type transistor TR is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, an interlayer insulating film 24 is formed covering the transistor TR.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にＭＯＳ型トランジスタＴＲを形成した後、トランジスタＴＲを覆って層間絶縁膜２４を形成する。 - 特許庁

A control signal /S(0,0) is applied to a gate of the PMOS TR T13 and an inverse of the control signal /S(0,0) is applied to a gate of the NMOS TR T14.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＴ１３のゲートには制御信号／Ｓ（０，０）が、ＮＭＯＳトランジスタＴ１４のゲートには制御信号／Ｓ（０，０）の反転信号が接続される。 - 特許庁

When a current i0 is outputted from a PD 10 in the incidence of a pulse light, the output current i0 of the PD 10 is amplified by a Tr 12, and a current of i0×hfe is carried to the corrector of the Tr 12.例文帳に追加

パルス光が入射したとき、ＰＤ１０から電流ｉ_O が出力されたとすると、このＰＤ１０の出力電流ｉ_O はＴｒ１２によって電流増幅され、Ｔｒ１２のコレクタには、ｉ_O×ｈ_feの電流が流れる。 - 特許庁

After the MOS TR T5 is turned off, and once a voltage of a connection node (a) is reset, a pulse signal ϕV is given to a MOS TR T4, from which an output is obtained.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタＴ５をＯＦＦにした後、接続ノードａの電圧を一旦リセットした後、パルス信号φＶをＭＯＳトランジスタＴ４に与えて出力を得る。 - 特許庁

The margin Tr should be calculated from Tr = the initial value Tr0 ×(1 - gain α × t1/2), where (t) is the elapsed time from the judgement about shifting.例文帳に追加

ここで、前記余裕代Ｔｒを、変速判断からの経過時間をｔとしたときに、Ｔｒ＝初期値Ｔr０×（１−ゲインα×ｔ^1/2）として算出する。 - 特許庁

For the main current path 1, an auxiliary current path 2 which has a current source PMOS TR QP4 connected to the PMOS TR QP3 in parallel and a resistance R3 connected to the resistance R2 in parallel is provided.例文帳に追加

主電流経路１に対して、ＰＭＯＳトランジスタＱP3と並列接続された電流源ＰＭＯＳトランジスタＱP4、及び抵抗Ｒ２と並列接続された抵抗Ｒ３を有する補助電流経路２を設ける。 - 特許庁

To reduce an area of a switching transistor(TR) occupied in a modulation circuit by using the switching TR with a small rated current so as to realize a large current load for an antenna coil.例文帳に追加

定格電流の小さいスイッチングトランジスタで、アンテナコイルに対して大きな電流負荷を実現し、該スイッチングトランジスタの変調回路に占める面積を小さくする。 - 特許庁

In a writing period P2, the gate voltage Vg is set as "Vdata+Vth_TR" by connecting a data line 15 (voltage Vdata) with a drain of the drive transistor Tdr and simultaneously connecting a source and the gate of the drive transistor Tdr.例文帳に追加

書込期間Ｐ2では、データ線１５（電圧Ｖdata）と駆動トランジスタＴdrのドレインとを接続するとともに駆動トランジスタＴdrのソースとゲートを接続することによって、ゲート電圧Ｖgを「Ｖdata＋Ｖth_TR」とする。 - 特許庁

A running guiding path sensor 22 mounted on a paper money carrier TR sequentially traces the running guiding path so as to enable the carrier TR to automatically travel and also can magnetically detect each position marker part 20.例文帳に追加

紙幣搬送車（ＴＲ）に搭載されている走行案内路センサ（２２）は、紙幣搬送車（ＴＲ）の自動走行を可能にするよう走行案内路を逐次トレースしながら、各位置マーカ部（２０）をも磁気的に検出することができる。 - 特許庁

The resistance of the NMOS TR 15 depends on a bias circuit 16 that supplies a bias voltage VB corresponding to selection control signals SC1-SCn to the gate of the NMOS TR 15.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１５の抵抗値は、選択制御信号ＳＣ１〜ＳＣｎに応じたバイアス電位ＶＢをＮＭＯＳトランジスタ１５のゲートに供給するバイアス回路１６により定まる。 - 特許庁

A transistor(TR) T4 of a current mirror circuit is used for a resistor of a microphone use filter FT 1 being a CR circuit and a differentiation resistance by the channel length modulation effect or the Early effect of the TR T4 is utilized.例文帳に追加

ＣＲ回路であるマイクロフォン用フィルタＦＴ１の抵抗にカレントミラー回路のトランジスタＴ４を用い、トランジスタＴ４のチャネル長変調効果またはアーリー効果による微分抵抗を利用する。 - 特許庁

The motor(-driven) travel is allowed with the proviso that other conditions are satisfied (S170) when the required torque Tr* is the threshold value Tref1 or less, and the motor travel is prohibited (S210) when the required torque Tr* is larger than the threshold value Tref1.例文帳に追加

そして、要求トルクＴｒ＊が閾値Ｔｒｅｆ１以下のときには他の条件が成立していることを条件にモータ走行を許可し（Ｓ１７０）、閾値Ｔｒｅｆ１よりも大きいときにはモータ走行を禁止する（Ｓ２１０）。 - 特許庁

One type of a MOS transistor is formed within the region of a thin film Tr, and the other type of the MOS transistor is formed within the region of a thick film Tr.例文帳に追加

一方の種類のＭＯＳトランジスタは、薄膜Ｔｒ領域内に形成され、他方の種類のＭＯＳトランジスタは、厚膜Ｔｒ領域内に形成される。 - 特許庁

The mirror TR 32 reflects the bias current IBIAS to limit pull-up drive of the mirror TR 32 in the case of pulling up the output signal (CLPBDATA).例文帳に追加

出力（ＣＬＰＢＤＡＴＡ）をプル・アップする際にミラー・トランジスタ３２のプル・アップ駆動を制限するために、バイアス電流Ｉ_BIASはミラー・トランジスタ３２によって鏡映される。 - 特許庁

Since dispersion in a current flowing through the fixed resistor R11 and the 3rd MOS TR Q21 is small, dispersion in the current through the 2nd MOS load TR Q15 is decreased to ensure a wide operating margin.例文帳に追加

固定抵抗Ｒ11と第３ＭＯＳトランジスタＱ21を流れる電流ばらつきが小さいので、負荷用第２ＭＯＳトランジスタＱ15の電流ばらつきを小さくでき、広い動作マージンを確保できる。 - 特許庁

This device comprises an on-train device 20 mounted in a traveling train TR on a railroad line composed of a series of closed sections T, T..., and an information giving device 30 in the train TR connected to the on-train device 20.例文帳に追加

本装置１０は、一連の閉塞区間Ｔ，Ｔ…からなる鉄道路線の走行列車ＴＲ内に搭載した車上装置２０と、これに接続した列車ＴＲ内の情報提供装置３０とからなる。 - 特許庁

Since the emitter and the base of the 1st TR 1 are terminated by a low impedance, a delay in an interrupting current due to a storage effect of the 1st TR 1 can considerably be improved.例文帳に追加

これにより、第１のトランジスタ１のエミッタ、ベース間が低インピーダンスで終端した形となるため、第１のトランジスタ１の蓄積効果による遮断電流の遅延が大幅に改善される。 - 特許庁

When a first operation part 6a is operated by the fire alarm TR regardless of whether or not it is an origin of a fire, the fire alarms (alarm sounds) reported (rung) from alarm parts 5 of all the fire alarms TR are simultaneously stopped.例文帳に追加

火元か否かに関わらず、何れかの火災警報器ＴＲにおいて第１操作部６ａが操作されると全ての火災警報器ＴＲの警報部５から報知（鳴動）されている火災警報（警報音）を一斉に停止する。 - 特許庁

Using the ON resistance of the nMOS TR 321 reduces the current flowing to the nMOS TR 321, so a pull-down element with low driving capability can be formed without wasting the area.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタ３２３のＯＮ抵抗を利用することで、ｎＭＯＳトランジスタ３２１に流れる電流を小さくできるので、弱いドライブ能力を持つプルダウン素子を、面積を無駄にすることなく作成することができる。 - 特許庁

The trench TR includes angular portions CP1A, CP2A which are located between the main surface of at least either of the one wall surface FS and the other wall surface SS and a bottom portion BT of the trench TR.例文帳に追加

溝ＴＲは、一方壁面ＦＳおよび他方壁面ＳＳの少なくともいずれかの壁面の主表面と溝ＴＲの底部ＢＴとの間に位置する角部ＣＰ１Ａ、ＣＰ２Ａを有している。 - 特許庁

The thickness Ta of the absorber pattern and a reference value Tr are compared (s5), and when the relationship: Ta≥Tr is satisfied, the thickness Ta is adopted, and the reflection-type exposure masks are manufactured (s6).例文帳に追加

そして、吸収体パターンの厚さＴａと基準値Ｔｒとを比較し（ｓ５）、Ｔａ≧Ｔｒである場合、厚さＴａを採用して反射型露光マスクを製造する（ｓ６）。 - 特許庁

To suppress deterioration over aging while maintaining a function capable of attaining the flow of a large current in a driving thin film transistor (TR) 21 for a thin film TR driven light emitting display device.例文帳に追加

本発明の目的は、薄膜トランジスタ駆動発光表示装置のドライビング薄膜トランジスタ２１において、大きな電流を流すことができる機能は維持しながら、経時劣化を抑制することである。 - 特許庁

Further, the current driving force of the P-channel MOS TR 6 is set about 1/10 time as large as that of an N-channel MOS TR 10 for discharging the node N6.例文帳に追加

また、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ６の電流駆動力をノードＮ６を放電するためのＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０の電流駆動力の１／１０程度にする。 - 特許庁

The noninverting buffer has an N-channel MOS transistor(TR) and a P-channel MOS TR, and source of the TRs are connected in common.例文帳に追加

同相バッファは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタとＰチャネルＭＯＳトランジスタとを有し、相互のトランジスタのソースが共通に接続されている。 - 特許庁

To avoid consumption of useless power and to prevent overheat of a transistor(TR) when a DC voltage at an input terminal is comparatively high by eliminating a delay in an interrupting current of the TR that amplifies a current.例文帳に追加

電流増幅するトランジスタの遮断電流の遅延をなくすることにより、無駄な電力の消費をなくすることができ、入力端子の直流電圧が比較的高い場合におけるこのトランジスタの過熱を防止できること。 - 特許庁

The current flowing through the MOS TR T2 is changed linearly with respect the optical current, by setting the ϕ VPS applied to the source of the MOS TR T1 nearly equal to a DC voltage ϕ VPD.例文帳に追加

又、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに印加する電圧φＶPSを直流電圧φＶPDと略等しくすることによって、ＭＯＳトランジスタＴ２を流れる電流が前記光電流に対して線形的に変化する。 - 特許庁

To make slow the turn-on speed of a drive transistor(TR) which is to be turned on, while the other drive TR is turned on reversely.例文帳に追加

駆動用トランジスタの一方が逆方向にオンされている状態で他方の駆動用トランジスタをターンオンさせるとき、他方の駆動用トランジスタのターンオン速度を遅くする。 - 特許庁

A correction current generating means 11 generates a correction current ic, to correct a current (i) drawn to a base B of a transistor(TR) Q, when the TR Q is conductive.例文帳に追加

補正電流生成手段１１は、トランジスタＱのオン時に、トランジスタＱのベースＢに引き込まれる電流ｉを補正する補正電流ｉｃを生成する。 - 特許庁

According to the window opening/closing switch, a drenching detection element 25 which is conducted upon being drenched is connected to a base of a transistor Tr having normally closed terminals 21a, 22b connected to a collector thereof, and an emitter of the transistor Tr is connected to the power source line LV.例文帳に追加

水濡れにより導通する水濡れ検知素子２５を、常閉端子２１ａ、２１ｂがコレクタに接続されたトランジスタＴｒのベースに、接続し、このトランジスタＴｒのエミッタを電源ラインＬＶに接続している。 - 特許庁

Furthermore, the main current path of a 4-th TR 214 of the same conductivity type and whose gate is connected to the 2nd signal line 302 is connected to a gate of the 2nd TR 212.例文帳に追加

また、第２のトランジスタ２１２のゲートには、同じ導電型でゲートが第２の信号ライン３０２に接続された第４のトランジスタ２１４の主電流路を接続する。 - 特許庁

When the soybean curd liquid Tr is charged into the molding box body 10 and pressurized with the pressure lid 40, the water is drained from the soybean curd liquid Tr through the water permeation holes at the drainage surfaces 27, 37, 57, and the soybean curd liquid is coagulated inside to form a soybean curd.例文帳に追加

型箱本体１０内に豆腐液Ｔｒが充填されて押し蓋４０で圧縮すると、豆腐液Ｔｒから水切り面２７，３７，５７の透水孔を通って水抜きされ、内部で凝固して豆腐が成形される。 - 特許庁

Then both the channel potential which is provided when the discharge Tr 215 is turned on and the channel potential which is provided when the transfer Tr 211 is turned on are set as to be higher than the completely depleted potential of the PD 219.例文帳に追加

そして、この排出Ｔｒ２１５をＯＮしたときのチャネル電位と、転送Ｔｒ２１１をＯＮしたときのチャネル電位の両方をＰＤ２１９の完全空乏化電位よりも高くなるように設定する。 - 特許庁