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Trを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2207



例文

The average thickness tf of the conductive layer on the base film formed in the flexible region and the average thickness tR of the conductive layer on the base film formed in the rigid region satisfies the relation of tf<tR.例文帳に追加

フレキシブル領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みtfと該リジッド領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みtRとは、tf<tRの関係を満たす。 - 特許庁

On the transistor Nch-Tr and metal capacity, an interlayer nitride film 16 is formed in the gate oxide film of the transistor Nch-Tr for preventing the entrance of hydrogen.例文帳に追加

Nch−Tr及びメタル容量上には、トランジスタのゲート酸化膜中に、水素が侵入するのを防止するための層間窒化膜16が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, when the level of the oscillated signal is decreased, the collector current of the oscillation TR 1 is increased to increase the current amplification factor of the oscillation TR 1.例文帳に追加

一方、発振信号のレベルが小さくなったときには、発振トランジスタ1のコレクタ電流を増大させ、発振トランジスタ1の電流増幅率を増大させる。 - 特許庁

Therefore, when stain is adhered to the photo transistor (Tr) 33 or a light emitting diode (LED) 32, the light receiving quantity of the photo transistor (Tr) 33 decreases and the sensor level Vin thereof increases.例文帳に追加

このため、フォトトランジスタ(Tr)33または発光ダイオード(LED)32に汚れが付着すると、フォトトランジスタ(Tr)33の受光量が減り、フォトトランジスタ(Tr)33のセンサレベルVinが増大する。 - 特許庁

例文

When the ambient temperature around the oscillation circuit rises, the on voltage of an NPN type TR 13 in the inverter 11 will not rise as high as the on voltage of an NPN type TR 10.例文帳に追加

発振回路の周辺温度が上昇した場合、インバータ11内部のNPN型トランジスタ13のオン電圧はコレクタ抵抗が小さいことに伴いNPN型トランジスタ10のオン電圧ほど上昇することはない。 - 特許庁


例文

On the other hand, the gate potential of the transistor Tr is held to a Zener voltage by a Zener diode Zd connected to a gate of the transistor Tr.例文帳に追加

一方、トランジスタTrのゲートに接続されたツェナーダイオードZdによって、トランジスタTrのゲート電位はツェナー電圧に保持される。 - 特許庁

Furthermore, the peak detection circuit is provided with an output level shifter (buffer) consisting of a TR Q3 and a current source 13 and with an output level shifter (buffer) consisting of a TR Q4 and a current source 14.例文帳に追加

さらに、トランジスタQ3と電流源I3とにより構成される出力用レベルシフタ(バッファ)を備えるとともに、トランジスタQ4と電流源I4とにより構成される出力レベルシフタ(バッファ)とを備えている。 - 特許庁

Thus, without reducing the lengths of tr and tf (i.e., without making the gradients of the rising/falling of pulse waveforms steep), the intervals of sustaining pulses to be applied to the pair of display electrodes are made short.例文帳に追加

これにより、tr、tfを短くせずに(すなわちパルス波形の立ち上がり・立ち下がりの勾配を急にせずに)一対の表示電極に印加する維持パルスの間隔を短くする。 - 特許庁

When the disk lid is opened, a detecting switch 4 turns off, thereby impressing an L level through a diode D1 and a resistor R2 to the base of a TR 11 and the TR 11 goes off.例文帳に追加

ディスク蓋が開けられると、検出スイッチ4がオフ状態となることによって、Lレベルが、ダイオードD_1および抵抗R_2を介して、トランジスタ11のベースに印加され、トランジスタ11はオフ状態となる。 - 特許庁

例文

The threshold voltage of the comparator can be selected by supplying one or a plurality of control signals to one or a plurality of concerned gates of the 2nd TR of each TR pair respectively.例文帳に追加

比較器のしきい値電圧は、制御信号の1つまたは複数のものをそれぞれ、各トランジスタ対の第2トランジスタの1つまたは複数の対応するものに供給することによって選択できる。 - 特許庁

例文

An emitter follower circuit has the collector of a transistor(TR) Q1 connected to a source voltage VCC, and the emitter of this TR is connected to an emitter load 1.例文帳に追加

トランジスタQ1のコレクタが、電源電圧VCCに接続され、また、該トランジスタのエミッタがエミッタ負荷1に接続されたエミッタフォロワ回路に関する発明である。 - 特許庁

An additional resistor R is connected between a source electrode and a gate electrode of the 3rd MOS TR 6 and an additional capacitor C is connected between a drain electrode and the gate electrode of the 3rd MOS TR 6.例文帳に追加

この第3のMOSトランジスタの前記ソース電極およびゲート電極間には付加抵抗が接続され、前記ドレイン電極およびゲート電極間には付加容量が接続されている。 - 特許庁

When the signal RBEWQ is held at the low level, the P type TR P2 and N type TR N2 turn off and the read bus line RB is held at the intermediate potential level.例文帳に追加

そして信号RBEWQをロウにすると、P型トランジスタP2およびN型トランジスタN2はオフし、リードバス線RBは中間電位レベルを保持する。 - 特許庁

The case 1 has a body part 1A to accommodate the tape roll TR and a tape guide part 1B to thread the tape T pulled out of the tape roll TR.例文帳に追加

ケース1は、テープロールTRを収容するケース本体部1Aと、テープロールTRから引き出されたテープTを通すテープガイド部1Bとを有する。 - 特許庁

The constant voltage circuit 4 comprises a power transistor TR connected in series with a 36 V battery 3, and a constant voltage diode D2 connected with the base of the power transistor TR.例文帳に追加

定電圧回路4は、36Vのバッテリ3に直列接続されたパワートランジスタTRと、パワートランジスタTRのベースに接続された定電圧ダイオードD2とを有する。 - 特許庁

After finishing photographing, with respect to the echo signal for every photographing, a signal attenuation value caused by consecutive photographing is estimate from a T1 value and TR stored in the memory to correct an echo signal quantity (106).例文帳に追加

撮影終了後、各撮影毎のエコー信号について、上記T1値とメモリに記憶されたTRから、連続撮影に起困する信号減衰量を推定し、エコー信号量の補正を行なう。 - 特許庁

A parasitic PNP-Tr 5 and a speed-up diode (SUD) 22 are connected to a base contact for an NPN-Tr 5 for the transistor with the built-in diode.例文帳に追加

ダイオード内蔵トランジスタのNPN-Tr5のベースコンタクトには、寄生PNP-Tr5とスピードアップダイオード(SUD)22とが接続される。 - 特許庁

Thus, a collector- emitter voltage of the output TR 36 is always a VF (about 0.7 V) or over and the output TR 36 is active only in an active region so as to suppress production of waveform distortion accompanying saturation.例文帳に追加

これにより、出力トランジスタ36のコレクタ・エミッタ間電圧は常にVF(約0.7V)以上となり、出力トランジスタ36は能動領域でのみ動作し、飽和に伴う波形歪みの発生を抑える。 - 特許庁

A MOS TR 11 and a MOS TR 12 are n channel MOS TRs and form a current mirror circuit CT2 and the current ratio is 1:A when the gate voltages are equal.例文帳に追加

MOSトランジスタ11とMOSトランジスタ12とは、nチャンネル型のMOSトランジスタであり、カレントミラー回路CT2を形成しており、同一ゲート電圧の場合の電流比は1:Aである。 - 特許庁

Furthermore, a TR Q12 is connected to the common emitter of the differential TR pair 13 to configure part of a current mirror circuit 14.例文帳に追加

さらに、差動トランジスタ対11の共通エミッタに、カレントミラー回路14の一部を構成するようにトランジスタQ12を接続する構成となっている。 - 特許庁

When setting the trace line TR, contraction operation of the boom is performed together with falling-down operation of the boom to lower and move the tip part of the boom along the trace line TR.例文帳に追加

そして、トレース線TRを設定しているとき、ブームの倒伏作動に併せてブームの収縮作動を行わせることにより、ブームの先端部をトレース線TRに沿って下降移動させる。 - 特許庁

Then a control circuit 50 corrects the control voltage given to the gates of a load driving MOS TR 11 and the current mirror MOS TR 13, on the basis of the result of comparison by the comparator circuit.例文帳に追加

そして制御回路50が負荷駆動用MOSトランジスタ11とカレントミラーMOSトランジスタ13とのゲートへの制御電圧をこの比較回路による比較結果に基づいて補正する。 - 特許庁

When the output of a drive circuit 33 rises to high level, the drive TR T2 is turned on and the drive TR T1 enters reverse recovering operation.例文帳に追加

駆動回路33の出力がハイレベルになると、駆動用トランジスタT2がターンオンして駆動用トランジスタT1が逆回復動作に移行する。 - 特許庁

Furthermore, a switching TR is inserted corresponding to a row selection TR to enhance the symmetry of the differential amplifier circuit.例文帳に追加

また、行選択トランジスタに対応してスイッチングトランジスタを挿入することにより、差動増幅回路における回路の対称性を向上させることが出来る。 - 特許庁

Therefore, in zapping, the island voltage V1 is increased for setting the pn junction formed in the resistive element TR to be in a high-potential backward bias state, the resistance of the resistive element TR is increased, and the loss of the zapping current is reduced.例文帳に追加

そこで、ザッピング時には、島電圧V1を増加して抵抗素子TRに形成されるPN接合を高電位の逆バイアス状態とし、抵抗素子TRを高抵抗化して、ザッピング電流のロスを低減する。 - 特許庁

The peripheral NMOS Tr 52 region and the peripheral PMOS Tr 53 region are provided via a gate oxide film 3 on the semiconductor substrate 1 of this peripheral region, and these are coated with a first interlayer insulating film 11.例文帳に追加

この周辺領域の半導体基板1上には、ゲート酸化膜3を介して周辺NMOSTr52と周辺PMOSTr53とが設けられ、これらは第1の層間絶縁膜11で覆われている。 - 特許庁

Then TRs P101 (or P102) and P105 (or P106) connected in series are interposed in parallel with the TR P101 (or P102) between the power terminal and the drain of the TR N101 (N102).例文帳に追加

そして、トランジスタP101(またはP102)と並列に、直列に接続したトランジスタP103(またはP104)及びP105(またはP106)が電源端子とトランジスタN101(またはN102)のドレインとの間に介挿されている。 - 特許庁

When the voltage of the Vin exceeds the Vb, the 2nd MOS TR M2 is turned off, the 5th TR M5 turns on, and the 1st and 6th TRs M1 and M6 are still kept on.例文帳に追加

Vinの電圧がVbを超える場合、第2のトランジスタM2はオフし、第5のトランジスタM5はオンし、第1と第6のトランジスタM1とM6はオンのままである。 - 特許庁

A transistor detection circuit 15 provided with a transistor(TR) 15a receives a reception signal by a reception antenna 13 through a preamplifier circuit 14 employing a TR 14a for its amplifier element.例文帳に追加

トランジスタ15aを備えたトランジスタ検波回路15には、受信アンテナ13による受信信号が、トランジスタ14aを増幅要素とした前置増幅回路14を通じて与えられる。 - 特許庁

A tr and tf variable means 13 outputs a modulation signal 35 formed by changing the rising tr and the falling tf of the input signal 34 according to the sine wave 30.例文帳に追加

tr,tf 可変手段13は、入力信号34の立ち上がりtrおよび立ち下がりtfを正弦波30に従って変化させた変調信号35を出力する。 - 特許庁

Further, the emitter current of the 1st TR Q1 is set smaller than the emitter current of the 2nd TR Q2 and then the current consumption is made small without lowering the limit precision of the voltage limiter circuit 1.例文帳に追加

また、第1トランジスタQ1のエミッタ電流が、第2トランジスタQ2のエミッタ電流よりも小さくなるよう設定することで、電圧リミッタ回路1のリミット精度を低下させることなく消費電流を小さくしている。 - 特許庁

A voltage source 2 capable of optionally changing voltage in order to correct the temperature characteristics of a current mirror ratio i2/i1 is connected between the gates of the TR Q1 and the TR Q2.例文帳に追加

そして、MOSトランジスタQ1のゲートとMOSトランジスタQ2のゲートとの間に、カレントミラー比i2/i1の温度特性を補正するために、電圧が可変自在な電圧源2を設けるようにした。 - 特許庁

To provide a magnetic resonance imaging apparatus that obtains a plurality of images of the same subject within a short time; the images include various different parameters such as TR and TE.例文帳に追加

同一の被検体についてTRやTE等のパラメータ値が異なる複数の画像をより短時間で取得することが可能な磁気共鳴イメージング装置を提供することである。 - 特許庁

This TR technique is combined with DH multiple access technique, therewith, the UWB communication system having a larger multiple access capacity than the capacity which the UWB TR technique has in itself is found out.例文帳に追加

このTR手法をDH多元接続手法と組み合わせて、UWB TR手法がそれ自体で有していたものよりも大きい多元接続収容力を有するUWB通信方式を案出する。 - 特許庁

The gate electrode of the read transistor TR is made of a semiconductor material having an opposite conductivity to that of a channel, namely p+ polysilicon, when the read transistor TR is, for example, an nMOSFET.例文帳に追加

この読み出しトランジスタTRのゲート電極が、チャネルの導電型と逆の導電型を有する半導体材料、たとえば読み出しトランジスタTRがnMOSFETの場合にp^+ ポリシリコンからなる。 - 特許庁

The integrated circuit 10 is provided with a circuit part C, a heat transmission sheet TR arranged on the circuit part C and a heat radiation plate RD arranged on the heat transmission sheet TR.例文帳に追加

集積回路10は、回路部Cと、回路部C上に配置された熱伝シートTRと、熱伝シートTR上に配置された放熱板RDと、を有している。 - 特許庁

The circuit 13 turns back the base current of the TR Q2, amplifies the base current to n times, and then supplies the amplified current as a base current of an output TR Q8 arranged on the final stage.例文帳に追加

そして、このカレントミラー回路13により、上記トランジスタQ2のベース電流を折り返し、n倍に増幅した後、最終段の出力用トランジスタQ8のベース電流として供給する。 - 特許庁

When a temperature difference tf-tr between a temperature tf by a second exhaust temperature sensor and a temperature tr by a third exhaust temperature sensor becomes not more than a reference temperature difference Δt, an injection mode is changed to a regeneration later state mode.例文帳に追加

そして、第2排気温センサによる温度tfと第3排気温センサによる温度trとの温度差tf−trが基準温度差Δt以下になると、噴射態様を再生後期モードへ変更する。 - 特許庁

TRs Q3, Q4 configure a current mirror, an emitter of the TR Q3 is connected to the node ND1, and an emitter of the TR Q4 is connected to ground via a resistive reception R3.例文帳に追加

トランジスタQ3とQ4によりカレントミラーを構成し、トランジスタQ3のエミッタはノードND1に接続し、トランジスタQ4のエミッタは抵抗素子R3を介して接地する。 - 特許庁

A MOS TR 9 and a MOS TR 10 are p channel MOS TRs having exactly the same gate length and gate width and form a current mirror circuit CT1.例文帳に追加

MOSトランジスタ9とMOSトランジスタ10とは、ゲート長及びゲート幅が同一の全く同様な、pチャンネル型のMOSトランジスタであり、カレントミラー回路CT1を形成している。 - 特許庁

A control terminal 2 inputting an address signal for ON/OFF control over the switching TR 6 is connected to the gate of the switching TR 6.例文帳に追加

そして、スイッチ用トランジスタ6のゲートには、スイッチ用トランジスタ6の導通/遮断の制御を行うためのアドレス信号が入力される制御端子2が接続されている。 - 特許庁

Then, a TR 7 connected to the base with the collector of the TR 12 goes off as well and a device 8 for laser control is put into the state of disabling the irradiation with the laser beam by an optical pickup 3.例文帳に追加

従って、そのベースに、トランジスタ12のコレクタが接続されているトランジスタ7もオフ状態となり、レーザ制御用デバイス8は、光ピックアップ3によるレーザ光の照射を不可の状態とする。 - 特許庁

When the charging voltage of a capacitor Cb exceeds an on-threshold voltage with a transistor Tr off, the transistor Tr is turned on and input voltage Vin is applied to primary winding Np on the primary side.例文帳に追加

トランジスタTrのOFF時にコンデンサCbの充電電圧がON閾値電圧を上回るとトランジスタTrがONし、1次側の1次巻線Npに入力電圧Vinが印加される。 - 特許庁

Further, the connection switch TR 23 is turned off at a head of a signal level at reading to be capable of initializing the signal level capacitor 32 to a channel potential of the amplifier TR 12.例文帳に追加

また、信号レベルの読み出し時の先頭で接続スイッチTr23をオフすることにより、信号レベル用キャパシタ32を増幅Tr12のチャネルポテンシャルに初期化できる。 - 特許庁

According to this embodiment, fire alarm is reported by all the fire alarms TR in occurrence of fire, so that safety is improved because opportunity in which a user perceives the fire alarm (listens to the alarm sound) increases.例文帳に追加

本実施形態によれば、火災発生時には全ての火災警報器TRで火災警報が報知されるので、利用者が火災警報を知覚する(警報音を聞く)機会が増えるために安全性を向上することができる。 - 特許庁

Since the drain current of the MOS TR T3 is determined by a current flowing from the constant current source 9, the gate voltage of the MOS TR T1 is reset so as to be a value corresponding to the drain current.例文帳に追加

このとき、MOSトランジスタT3のドレイン電流が定電流源9から流れる電流によって決まるため、MOSトランジスタT1のゲート電圧がこのドレイン電流に応じた値となるようにリセットされる。 - 特許庁

Corresponding to the operation of the switch part, a second control part 47 phase-controls a triac Tr in accordance with the operation of the switch part to control an electric blower 2 in a prescribed driving state without malfunction.例文帳に追加

補正後の電流値に対応して第2の制御部47がスイッチ部35〜38の操作に対応してトライアックTrを位相制御し、電動送風機2を誤作動なく所定の駆動状態に制御できる。 - 特許庁

As the method for optimization, from an approximate related equation on the area of an optimized fat suppressing pulse to the effective TR obtd. by an experiment, the optimum pulse area in accordance with the effective TR is calculated.例文帳に追加

最適化の方法としては、実験によって得られた実効TRに対する最適な脂肪抑制パルスの面積を近似した関係式から、実効TR応じた最適のパルス面積を算出する。 - 特許庁

When it is discriminated that the bus request is related with the asynchronous TR, the bus request is processed (508), and in the other case, a bus request related with an isochronous TR is processed (506).例文帳に追加

非同期TRのバス要求の場合には、該バス要求を処理し(508)、そうでない場合には、等時性TRのバス要求を処理する(506)。 - 特許庁

例文

Further, a rise time/fall time adjusting means is provided, and a goods waveform is obtained by adjusting tR/tF of the internal signal so that the internal signal has the prescribed tR/tF.例文帳に追加

更に、立上り時間/立下り時間調整手段を設けて、内部信号が所定のtR/tFを有するように、該内部信号のtR/tFを調整することにより、良好な波形が得られる。 - 特許庁

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