「Tr」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A transistor(TR) 31 amplifies an electric signal produced in a sensor section 11a when a user wears the headphone 10 and the TR 31, a resistor 32 and a capacitor 33 or the like are used to convert the signal into a signal with a DC level to drive a TR 35.例文帳に追加

ヘッドホン１０が装着されたときにセンサ部１１aに生じた電気信号をトランジスタ３１で増幅すると共に、トランジスタ３１、抵抗器３２、コンデンサ３３等によって直流レベルの信号に変換してトランジスタ３５を駆動する。 - 特許庁

A second Tr chip (4) having the second Tr and a first D chip (3) having the first FD are arranged onto the output potential surface, at least two sides of the output potential surface are put adjacent to a negative potential surface (7), and the second Tr chip and the first D chip are connected to the negative potential surface through conductors (10, 11).例文帳に追加

第２Ｔｒを持つ第２Ｔｒチップ（４）と、第１ＦＤを持つ第１Ｄチップ（３）を出力電位面上に配置し、出力電位面の少なくとも２つの側辺を負電位面（７）に隣接させ、第２Ｔｒチップと第１Ｄチップを導線（１０、１１）で負電位面と接続する。 - 特許庁

In this configuration, the thickness of the resin layer is set to be ≥40 μm, When a limit peeling temperature obtained by performing a predetermined peeling test is defined as Tr(°C) and the temperature of the fixing roller when fixing processing is executed is defined as Tc (°C), Tr≥Tc+60 or Tr≥Tc+75 is satisfied.例文帳に追加

この構成において、樹脂層の厚みを４０μｍ以上にし、所定のピーリング試験を行うことによって得られる限界剥離温度をＴｒ（℃）、定着処理が実行される時の上記定着ローラの温度をＴｃ（℃）とする場合、Ｔｒ≧Ｔｃ＋６０またはＴｒ≧Ｔｃ＋７５が満たされる。 - 特許庁

After taking the upside trays Tr supported by the support plate 163 out from a designated taking in and out opening, the spacer 5 is removed and the table 16 is raised to arrange the rest of the trays Tr at height corresponding to the taking in and out opening, and the rest of the tray Tr is taken out from the taking in and out opening.例文帳に追加

そして、支持板１６３に支持された上側のトレイＴｒを所定の出し入れ口から引き出した後、スペーサ５を取り除き、さらにテーブル１６を上昇させて残りのトレイＴｒを前記出し入れ口に対応する高さ位置に配置して前記出し入れ口から引き出すようにした。 - 特許庁

Whether those terminals TRs belong to the same group or not is judged by extracting the amount of features whose directivity is weak and by which surrounding environmental information can be sensed, such as sound, from among the terminals TRs belonging the initial group by individual feature extraction ASIF, and by obtaining correlation with terminals TRs which do not belong to the group.例文帳に追加

初期グループに属した端末（TR）の中から、音など指向性が弱く、周囲の環境情報がセンシングできる特徴量を個別特徴抽出（ASIF）により抽出し、グループに属していない端末（TR）との相関を求めることにより、それらの端末（TR）が同じグループに属しているか否かを判断する。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, a signal ϕVPS to be applied to the source of a MOS transistor(TR) T1 is set up as 1st voltage, a MOS TR T3 is turned off and the MOS TR T1 is driven in a subthreshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに与える信号φＶPSを第１電圧にするとともにＭＯＳトランジスタＴ３をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ１をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

When parts are picked up from the uppermost tray Tr to leave the tray Tr vacant, the vacant tray is transferred out by the head 23, and the table 16 is lifted to position the next uppermost tray Tr in a given part pickup height position.例文帳に追加

そして、最上位のトレイＴｒから部品を取出しつつ、これに伴い該トレイＴｒが空になると、ヘッド２３により該空トレイを搬出するとともに、テーブル１６を上昇させて次ぎに最上位となるトレイＴｒを所定の部品取出し高さ位置に位置決めするようにした。 - 特許庁

A current level final conversion circuit 30 is composed of a first driver transistor (TR) Qd and a first current supply TR Qc having a gain factor greater by a factor of k than the gain factor of the first driver TR Qdg.例文帳に追加

第１駆動用トランジスタＱｄと、前記第１駆動用トランジスタＱｄの利得係数よりｋ倍大きい利得係数を有する第１電流供給用トランジスタＱｃとで電流レベル最終変換回路３０を構成した。 - 特許庁

The on-resistance of a P-channel MOS TR TP and an N-channel MOS TR TN of the TR switch is controlled on the basis of signals A, B obtained by comparing a signal equivalent to an analog output signal OUT with an analog reference signal that is a target of the signal OUT.例文帳に追加

アナログ出力信号ＯＵＴと同等の信号を、該信号の目標とするアナログ値の基準信号と比較して得られた信号Ａ及びＢに基づいて、トランジスタ・スイッチのＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰやＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮのオン抵抗値を制御する。 - 特許庁

The TR MP1, therefore, operates as a constant-current source whose current value is determined by its threshold voltage and gain constant and the drain and gate voltages of the TR NM2 are determined by the mentioned current value and the threshold voltage and gain constant of the TR MN2.例文帳に追加

従ってトランジスタＭＰ１は、そのしきい値電圧及び利得定数によって電流値が決定される定電流源として動作し、トランジスタＭＮ２のドレインおよびゲート電位は上記電流値とトランジスタＭＮ２のしきい値電圧及び利得定数により決定される。 - 特許庁

An output stage power amplification transistor(TR) 1-8 receives a signal to which distortion is given in the amplitude of an input signal by using a TR manufactured by the same semiconductor process as that for at least the power amplification TR.例文帳に追加

少なくとも一つの電力増幅用トランジスタと同じ半導体プロセスにて形成されたトランジスタを用いて入力信号の振幅に歪みを与えた信号を、出力段の電力増幅用トランジスタに入力するように構成される。 - 特許庁

In this case, when a voltage of an audio input B is higher than Vcc/2, a TR Q1 of the amplifier 3 is operated and a current in response to the voltage flows through a power supply Vcc, the TR Q1, a speaker 4, a TR Q4 and ground.例文帳に追加

この場合にオーディオ入力Ｂの電圧がＶＣＣ／２より大きければ増巾器３のトランジスタＱ１が動作し、この電圧に応じた電流が電源ＶＣＣ、トランジスタＱ１、スピーカ４、トランジスタＱ４、グランドへと流れる。 - 特許庁

In order to apply offset voltage to an N channel type switching TR, an input signal of low amplitude is directly inputted to the gate of the switching TR and an output from the source-follower circuit is inputted to the source of the switching TR.例文帳に追加

ここでＮチャネル型スイッチングトランジスタにオフセット電圧を付加するために、低振幅入力信号を直接スイッチングトランジスタのゲ−トに入力し、ソ−スフォロワ回路の出力をスイッチングトランジスタのソ−スに入力する。 - 特許庁

A reference voltage terminal 2 of a reference power supply section 4 is connected to an emitter of a 1st NPN transistor(TR) Q1, and a base and a collector of the 1st NPN TR Q1, a base of a 2nd NPN TR Q2 and one terminal of a 1st resistor R1 are connected together.例文帳に追加

基準電源部４の基準電圧端子２と第１のＮＰＮ型トランジスタＱ１のエミッタを接続して、さらに第１のＮＰＮ型トランジスタＱ１のベースとコレクタおよび第２のＮＰＮ型トランジスタＱ２のベース、並びに第１の抵抗Ｒ１の一端とを接続する。 - 特許庁

The current mirror circuit is provided with an N type MOS transistor(TR) Q1 for inputting an input current i1 and an N type MOS TR Q2 connecting its gate to the gate of the TR Q1 and capable of outputting a current i2 mirroring the input current i1.例文帳に追加

このカレントミラー回路は、入力電流ｉ１が入力されるＮ型のＭＯＳトランジスタＱ１と、ゲートがＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと接続され、入力電流ｉ１をミラーする電流ｉ２を出力するＮ型のＭＯＳトランジスタＱ２とを備えている。 - 特許庁

When the feedback control is conducted, the microcomputer 1 stops updating a learning value when the transistor Tr is turned off, and also forcedly turns off the transistor Tr when the transistor Tr is not turned off and the voltage difference between the both ends of the current detection resistance R1 becomes zero.例文帳に追加

このフィードバック制御時においてマイコン１は、トランジスタＴｒがオフ状態のときには、学習値の更新を中止し、またトランジスタＴｒがオフ状態でなく、電流検出抵抗Ｒ１の両端の電圧差が０となったときには、トランジスタＴｒを強制的にオフ状態とする。 - 特許庁

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。 - 特許庁

More specifically, the additional reaction force Ta is calculated according to the correction quantity Δθ (Step S24), the steering reaction force Tr is reduction-corrected according to the additional reaction force Ta (Step S25), and the final steering reaction force Tr is generated by adding the additional reaction force Ta to the steering reaction force Tr (Step S26).例文帳に追加

具体的には、修正量Δθに応じて付加反力Ｔａを算出し（ステップＳ２４）、この付加反力Ｔａに応じて操舵反力Ｔｒを減少補正し（ステップＳ２５）、この操舵反力Ｔｒに付加反力Ｔａを加算することで（ステップＳ２６）、最終的な操舵反力Ｔｒを生成する。 - 特許庁

A MOS transistor(TR), M101 and a MOS TR M102 configure a current mirror circuit and the drain-source resistance of the MOS TR M102 is changed so that the current i101 is equal to the current i102.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタＭ１０１およびＭＯＳ型トランジスタＭ１０２はカレントミラー回路を構成しており、電流ｉ１０１と電流ｉ１０２が等しくなるようにＭＯＳ型トランジスタＭ１０２のドレイン−ソース抵抗が変化する。 - 特許庁

OTC derivative contracts should be reported to trade repositories (TRs). 例文帳に追加

店頭デリバティブ契約は，取引情報蓄積機関(TR)に報告されるべきである。 - 財務省

At this time, the potential of a control line 20 becomes high and a third transistor Tr 3 becomes on state.例文帳に追加

このとき、制御線２０の電位がハイになり第３トランジスタＴｒ３がオン状態になる。 - 特許庁

Torque based on the requested torque Tr* can be output to a driving shaft for traveling as a matter of course.例文帳に追加

もとより、要求トルクＴｒ＊に基づくトルクを駆動軸に出力して走行することができる。 - 特許庁

A transistor(TR) 4 is inserted between the drain electrode of the MOSFET 3 and the gate electrode of the MOSFET 1.例文帳に追加

MOSFET３のドレイン電極とMOSFET１のゲート電極との間には、トランジスタ４が介挿されている。 - 特許庁

A groove TR is formed at the side of the silicon substrate SB where the silicon nitride film ST1 is formed.例文帳に追加

シリコン基板ＳＢのシリコン窒化膜ＳＴ１が形成された側に溝部ＴＲが形成される。 - 特許庁

A retarder torque reduction(TR) value is also generated as a function of FRS value.例文帳に追加

リターダトルク減少（ＴＲ）値も又、ＦＲＳ値の関数として発生させる。 - 特許庁

The pulse transformer TR performs pulse operation according to a clock signal CLK.例文帳に追加

またパルストランスＴＲは、クロック信号ＣＬＫに応じてパルス動作する。 - 特許庁

A control device 40 optimally controls the motor by the correction driving force Tr.例文帳に追加

この補正駆動力Ｔｒにより、制御装置４０は原動機を最適に制御することができる。 - 特許庁

A reset voltage is written in each pixel electrode during a reset period Tr.例文帳に追加

リセット期間Ｔｒにあっては、各画素電極にリセット電圧を書き込む。 - 特許庁

The sensor level Vin of the photo transistor (Tr) 33 increases as light receiving quantity decreases.例文帳に追加

フォトトランジスタ（Ｔｒ）３３のセンサレベルＶｉｎは、受光量が減るに従い増大する。 - 特許庁

When the first layer is in the recorded state, the transmissivity TR is high and I_topR in 12r is high.例文帳に追加

第１層目が記録状態では透過率Ｔ_R が高く、１２ｒにおけるＩ_topRが高い。 - 特許庁

The charging voltage of the capacitor C1 charges a capacitor C2 via a TR T2.例文帳に追加

キャパシタＣ_1の充電電圧はトランジスタＴ_2を介してキャパシタＣ_2にも充電される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a varactor area Va and a transistor area Tr.例文帳に追加

半導体装置は、バラクタ領域Ｖａとトランジスタ領域Ｔｒとを有している。 - 特許庁

Next, a desired retarder torque command(TC) is generated as a function of DT value and TR value.例文帳に追加

次に、所望のリターダトルクコマンド（ＴＣ）をＤＴ値及びＴＲ値の関数として発生させる。 - 特許庁

The semiconductor substrate SUB includes a main surface, and a trench TR in the main surface.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢは、主表面を有し、かつその主表面に溝ＴＲを有している。 - 特許庁

The request torque Tr* is thereby reliably output by a drive shaft to perform the traveling.例文帳に追加

これにより、要求トルクＴｒ＊を駆動軸により確実に出力して走行することができる。 - 特許庁

Next, a loading torque Tr applied to a retarder is calculated from the calculated Tc and V.例文帳に追加

次に、求められたＴc及びＶから、減速機にかかる負荷トルクＴrを求める。 - 特許庁

A deep N-well 4 is formed in a memory cell Tr 50 region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1のメモリセルTr50領域には、ディーフ゜Nウェル4が形成されている。 - 特許庁

A voltage of 2.7 V is outputted to a logic circuit 15 from the TR 33 (the emitter terminal thereof).例文帳に追加

ＴＲ３３（のエミッタ端子）からロジック回路１５に2.7Vの電圧が出力される。 - 特許庁

In this state, the threshold voltage (Vth) of the transistor Tr 1 is written into the capacitor C 2.例文帳に追加

この状態で、コンデンサＣ2 にはトランジスタＴr1のスレッショルド電圧（Ｖth）が書き込まれる。 - 特許庁

The TR 179 receiving the control signal to apply processing of connecting a resistor 2(178) to GND.例文帳に追加

トランジスタ179は、前記制御信号により、抵抗２(178)をＧＮＤに接続する処理を行う。 - 特許庁

A transistor Tr is formed in the surface region of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

トランジスタＴｒは半導体基板１１の表面領域に形成されている。 - 特許庁

A resistor 10 is inserted between the base of the TR 8 and the microcomputer 7.例文帳に追加

トランジスタ８のベースとマイコン７との間に、抵抗１０が挿入される。 - 特許庁

On the other hand, an inverter circuit is constituted by comprising a switching element Tr of semiconductor module.例文帳に追加

また、半導体モジュールによるスイッチ素子Ｔｒを含んでインバータ回路を構成する。 - 特許庁

The voltage of a source electrode of a second transistor Tr 2 is made higher by capacity coupling.例文帳に追加

容量カップリングにより、第２トランジスタＴｒ２のソース電極の電圧が高くなる。 - 特許庁

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region.例文帳に追加

一方、負電圧NMOSTr50は、周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されている。 - 特許庁