「Tr」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The data writing transistors Tr 12 and Tr 13 are alternately operated to be turned on, by which the gate potential of the driving transistor Tr 11 is rewritten at every light period based on the γ correction curve.例文帳に追加

前記データ書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 は交互にオン動作されて、γ補正カーブに基づいた点灯期間ごとに駆動トランジスタＴr11 のゲート電位が書き換えられる。 - 特許庁

This invention provides the differential amplifier circuit that is provided with a configuration employing a depletion MOS transistor(TR) for a differential input TR and can be operated independently of the input voltage because the differential input TR is always in operation.例文帳に追加

差動入力トランジスタにデプレッションＭＯＳトランジスタを用いた構成を備えることにより差動入力トランジスタが常に動作するため入力電圧によらず動作する差動増幅回路を提供するものである。 - 特許庁

After that, when a switching regulator 3 is turned on, a voltage of 3.3 V is outputted from the switching regulator 3 through a TR 39, and then when a voltage of Vbe of the TR 33 is not 0.6 V, the TR 33 comes out of continuity.例文帳に追加

その後、スイッチングレギュレータ３が立ち上がると、スイッチングレギュレータ３からＴＲ３９を通じて3.3Vの電圧が出力され、それによりＴＲ３３のVbeが0.6Vでなくなると、ＴＲ３３は非導通になる。 - 特許庁

A collector current IC2 of the TR P2 is equal to a base current of the TR Q2 and depends on a current amplification factor of the TR Q2 and a current I2 of a current source IS2.例文帳に追加

トランジスタＰ２のコレクタ電流Ｉ_C2はトランジスタＱ２のベース電流と等しく、トランジスタＱ２の電流増幅率および電流源ＩＳ２の電流Ｉ_2 で設定される。 - 特許庁

When each pixel makes an image pickup operation, a MOS transistor(TR) T1 is turned on and a MOS TR T5 is turned off to activate a MOS TR T2 in a sub-threshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＮにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

When a differential transistor(TR) Q11 is conductive, the voltage at a point A being the base of a differential TR Q12 reaches a voltage of V1-R11*I12, and when a differential TR Q11 is conductive, the voltage at the point A reaches a voltage of V1-R11*(I11+I12).例文帳に追加

差動トランジスタＱ１１がオンの際に、差動トランジスタＱ１２のベースであるＡ点電圧は、Ｖ１−Ｒ１１＊Ｉ１２となり、差動トランジスタＱ１１がオンのときＡ点電圧は、Ｖ１−Ｒ１１＊（Ｉ１１＋Ｉ１２）になる。 - 特許庁

When the ON- resistance of a transistor(TR) Qn_1 or Qn_2 fluctuates caused by a manufacturing factor, an RC series circuit 2 or 3 controls the TR Qn_1 or Qn_2 to suppress fluctuations in the drive capability of the TR Qn_1 or Qn_2.例文帳に追加

ＲＣ直列回路２又は３は、製造要因によりトランジスタＱn1又はＱn2のオン抵抗が変動すると、駆動能力の変動分を抑えるように制御する。 - 特許庁

If a column in T_2 is denoted as Tr and a corresponding column in Ξ is denoted as Ξr, then the construction and population of Ξ is defined as Ξr=Tr/(||Tr||)^2, and the inverse of T_2 is estimated as the transpose of Ξ, wherein || || in the expression represents norm symbol.例文帳に追加

Ｔ_2の列をＴｒで示し、Ξの対応列をΞｒで示した場合、Ξの構造および入力はΞｒ＝Ｔｒ／（‖Ｔｒ‖）^2と定義され、Ｔ_2の逆はΞの数学的転置であると推定される。 - 特許庁

A 1st transistor(TR) Q1 and a 2nd TR Q2 of diode-connection constitution constitute a differential pair and the 1st and 2nd TR Q1 and Q2 are set nearly equal in emitter current density to each other.例文帳に追加

第１トランジスタＱ１と、ダイオード接続構成の第２トランジスタＱ２とが差動対を構成し、第１トランジスタＱ１と第２トランジスタＱ２の各エミッタ電流密度を互いにほぼ等しく設定する。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

A constant current of a constant current circuit CC1 is supplied to a transistor TR 1 and to a constant current transistor TR 3 configuring a current mirror with the TR 1.例文帳に追加

定電流回路ＣＣ１の定電流をトランジスタＴｒ１に流し、これとカレントミラーを構成する定電流トランジスタＴｒ３に流す。 - 特許庁

A TR P2 sets a base voltage of a TR Q2 in response to a signal of an output node ND1 of a differential circuit so as to set an emitter voltage of the TR Q2 to have nearly the same level as a reference voltage Vref.例文帳に追加

トランジスタＰ２により差動回路の出力ノードＮＤ１の信号に応じてトランジスタＱ２のベース電圧を設定し、トランジスタＱ２のエミッタ電圧をほぼ基準電圧Ｖ_ref と同レベルに設定する。 - 特許庁

A TR Q9 generating a bias current of the differential TR pair 13 is connected to a connecting point between resistors RE1, RE2 connected in series with emitters of the differential TR pair 13.例文帳に追加

また、差動トランジスタ対１３のエミッタ間に直列に接続された抵抗ＲＥ１，ＲＥ２の接続点に、差動トランジスタ対１３のバイアス電流を発生するトランジスタＱ９を接続する。 - 特許庁

When a bit line BL_-2 is selected out of bit lines BL_-1, BL_-2, BL_-3 arranged in parallel in a SRAM, a transistor Tr_-2 is turned on and transistors Tr_-1, Tr_-3 are turned off based on column selecting signals CSL_-1, CSL_-2, CSL_-3.例文帳に追加

ＳＲＡＭにおいて、並行して配設されたビット線ＢＬ＿１，ＢＬ＿２，ＢＬ＿３のうち、ビット線ＢＬ＿２を選択する場合に、列選択信号ＣＳＬ＿１，ＣＳＬ＿２，ＣＳＬ＿３に基づいて、トランジスタＴｒ＿２をオン、トランジスタＴｒ＿１，Ｔｒ＿３をオフにする。 - 特許庁

The comparator is provided with transistors (TRs) N1, N2 forming a differential pair, current mirror loads (P1, P2), an output stage TR P3, and a path for feeding back an output of the TR P3 as a base bias of the TR N1.例文帳に追加

差動対をなすトランジスタＮ１，Ｎ２と、カレントミラー負荷（Ｐ１，Ｐ２）と、出力段トランジスタＰ３と、トランジスタＰ３の出力を、トランジスタＮ１の基板バイアスとして帰還させる経路と、を設ける。 - 特許庁

When a drain-source voltage VDS of the TR T4 is fluctuated, a drain-source current IDS of the TR T4 is slightly and linearly changed and the TR T4 acts like a resistor with a high resistance.例文帳に追加

トランジスタＴ４のドレイン−ソース間電圧Ｖ_DSに変動があった場合には、トランジスタＴ４のドレイン−ソース間電流Ｉ_DSが線形特性でわずかに変動し、トランジスタＴ４が大きな値の抵抗として機能する。 - 特許庁

The source of an N-MOS TR (switch means) M5 is connected to the drain of the TR M4, the drain is connected to the gate of the TR M4 and the gate is connected to one terminal of the resistor R1.例文帳に追加

Ｎ−ＭＯＳトランジスタ（スイッチ手段）Ｍ５のソースはトランジスタＭ４のドレインに、それのドレインはトランジスタＭ４のゲートに、それのゲートは抵抗Ｒ１の一端に、それぞれ接続されている。 - 特許庁

The output of the low power supply voltage operation inverter INV4, a source of the NMOS TR NT6, and the gate of the PMOS TR PT3 are connected, and the input of the high power supply voltage operation inverter INV5, the drain of the NMOS TR NT6, and sources of the NMOS TR NT5 and the PMOS TR PT3 are connected.例文帳に追加

低電源電圧動作インバータＩＮＶ４の出力とＮＭＯＳトランジスタＮＴ６のソース、及びＰＭＯＳトランジスタＰＴ３のゲートが接続され、高電源電圧動作インバータＩＮＶ５の入力と、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ６のドレイン、及びＮＭＯＳトランジスタＮＴ５、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ３のソースが接続されている。 - 特許庁

In the case that a current drive capability of a transistor(TR) 6 is small due to manufacturing tolerance of the process, since a high level outputted from a TR 8 decreases and a high level given to a gate of a TR 14 decreases, the TR 14 is conductive strongly to correct deficient of current supply by a TR 6 via TRs 13, 14.例文帳に追加

トランジスタ６の電流駆動能力がプロセスの製造ばらつきなどによって小さい場合、トランジスタ８から出力されるハイレベルが下がり、トランジスタ１４のゲートに入力されるハイレベルも下がるのでトランジスタ１４はより強くＯＮし、トランジスタ１３，１４を介してトランジスタ６における電流供給の不足分が補正される。 - 特許庁

This output circuit comprises P channel transistors(TR) 3, 4, and 5 and N channel TRs 6, 7, and 8; and the gates and drains of the P channel TR 4 and N channel TR 7 are connected and signals are inputted to the P channel TR 5 and N channel TR 8 through a delay circuit 9 and a delay circuit 10 respectively.例文帳に追加

Ｐチャネルトランジスタ３，４，５およびＮチャネルトランジスタ６，７，８から成る出力回路において、Ｐチャネルトランジスタ４およびＮチャネルトランジスタ７についてそのゲートとドレインとが接続され、Ｐチャネルトランジスタ５およびＮチャネルトランジスタ８にはそれぞれ遅延回路９および遅延回路１０を介して信号が入力される。 - 特許庁

An overvoltage detection protective circuit 6 serving, as the protective circuit of the output transistor Tr turns off the output transistor Tr for an overvoltage applied to a drain D while monitoring the drain voltage V_D of the output transistor Tr.例文帳に追加

出力トランジスタＴｒの保護回路として、出力トランジスタＴｒのドレイン電圧Ｖ_Ｄを監視し、ドレインＤに過電圧が印加されたときに出力トランジスタＴｒをＯＦＦにする過電圧検出保護回路６を用いる。 - 特許庁

Then collector current Ic of the input TR is decreased by decreasing a base voltage of the output TR 33 in response to a gain control signal to reduce the gain of the amplifier and to operate the shunt TR 70 like a shunt.例文帳に追加

出力トランジスタ３３のベース電圧をゲイン制御信号に応じて下げることにより、入力トランジスタのコレクタ電流Ｉｃを減じて、アンプのゲインを低下せしめると同時に、シャント用トランジスタ７０をシャント動作させる。 - 特許庁

The control TR 21a is connected in parallel with an emitter bias resistor 9 and when the level of the oscillated signal is increased, the collector current of the oscillation TR 1 is decreased to decrease a current amplification factor of the oscillation TR 1.例文帳に追加

制御トランジスタ２１ａは、エミッタバイアス抵抗９と並列に接続されており、発振信号のレベルが大きくなったときには、発振トランジスタ１のコレクタ電流を減少させ、発振トランジスタ１の電流増幅率を減少させる。 - 特許庁

The drain electrode of a transistor(TR) MP1 is connected to the gate electrode and drain electrode of an MN2, the source electrode and gate electrode of the TR MP1 are connected to a source voltage VDD, and the source electrode of the TR MN2 is grounded.例文帳に追加

トランジスタＭＰ１のドレイン電極とＭＮ２のゲート電極及びドレイン電極を接続し、トランジスタＭＰ１のソース電極及びゲート電極を電源電圧Ｖ_DDに接続し、トランジスタＭＮ２のソース電極を接地電位に接続している。 - 特許庁

When a voltage ϕ VPS applied to a source of the MO TR T1 is adjusted to activate the MOS TR T1 in a sub threshold region which is less than a threshold, the current flowing through the MOS TR T2 changes with the optical current natural logarithmically.例文帳に追加

このとき、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに印加する電圧φＶPSを調整して、ＭＯＳトランジスタＴ１が閾値以下のサブスレッショルド領域で動作するとき、ＭＯＳトランジスタＴ２を流れる電流が前記光電流に対して自然対数的に変化する。 - 特許庁

The plurality of transistors Tr is divided into two groups, with transistors Tr belonging to a first group arranged on a first edge side that forms the semiconductor substrate, while transistors Tr belonging to a second group are arranged on a second edge side opposing the first edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

複数のトランジスタＴｒをふたつのグループに分割したときに、第１グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板を形成する第１辺の側に設置されつつ、第２グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板のうち、第１辺に対向した第２辺の側に設置される。 - 特許庁

When a colored state of the test area TR is read as a gray value, a similarity between template information TP representing the colored state of the test area TR stored in a pattern storage means 23 and the test area TR read by a reading means 21 is calculated.例文帳に追加

テスト領域ＴＲの呈色状態が濃淡値として読み取られた際、パターン記憶手段２３に記憶したテスト領域ＴＲが呈色した状態を表したテンプレート情報ＴＰと読取手段２１により読み取られたテスト領域ＴＲとの類似度が算出される。 - 特許庁

Assuming a height in the tire radial direction TR of the central land part 410 as H1, a height in the tire radial direction TR of the outer end land part 420 as H2 and a height in the tire radial direction TR of the central land part 410 as H3, the relationship of H1<H2<H3 is satisfied.例文帳に追加

中央陸部４１０のタイヤ径方向ＴＲに沿った高さをＨ１とし、外端陸部４２０のタイヤ径方向ＴＲに沿った高さをＨ２とし、中央陸部４１０のタイヤ径方向ＴＲに沿った高さをＨ３とした場合、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３の関係を満たす。 - 特許庁

Accordingly, the fire alarm to be notified, in conjunction with all fire alarm devices TR can be alternatively selected, whether it is stopped by all the fire alarm devices TR including the fire source or it is stopped by all of the other fire alarm devices TR, except for the fire source.例文帳に追加

故に、全ての火災警報器ＴＲが連動して報知する火災警報を、火元を含む全ての火災警報器ＴＲで停止するか、火元を除く他の全ての火災警報器ＴＲで停止するかを択一的に選択することができる。 - 特許庁

The thickness ratio tE/tR is set so as to satisfy a formula, tE/tR>0.1 wherein tE denotes the thickness of the connecting electrode, and tR denotes the thickness of the bonding electrode.例文帳に追加

抵抗器１００は、１１０に示す貴金属合金等から製造される抵抗体および１２１と１２２に示す高伝導性の接合用電極、１４１と１４２に示すボンディング電極から構成され、接合用電極の厚さｔ_Ｅと抵抗体の厚さｔ_Ｒの比は、ｔ_Ｅ／ｔ_Ｒ＞０．１に制御されている。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 18 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 18 is pulled up, an output of a 2-input NAND circuit 11 goes to an 'L' level to apply ON control to an output MOS TR 5.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１８も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１８のドレインの電位はプルアップされ、２入力ＮＡＮＤ回路１１の出力は“Ｌ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ５はＯＮ制御される。 - 特許庁

Furthermore, a MOS TR 23 is provided in series with a MOS TR 21 being a component of a source follower circuit of the buffer circuit and a voltage being a sum of an input signal voltage Vin and a fixed voltage is applied to the gate of the MOS TR 23 to enhance the linearity of the buffer circuit.例文帳に追加

また、バッファ回路のソースフォロア回路を構成するＭＯＳトランジスタ２１に直列にＭＯＳトランジスタ２３を設け、そのゲートに入力信号電圧Ｖｉｎに固定電圧を加算した電圧を印加することにより、バッファ回路の線形性を改善するものである。 - 特許庁

Also, a current level conversion circuit 40 is composed of a second driver TR Trd and a current supply second TR Trc having a gain factor greater by a factor of k than the gain factor of the second driver TR Trd.例文帳に追加

また、第２駆動用トランジスタＴｒｄと、前記第２駆動用トランジスタＴｒｄの利得係数よりｋ倍大きい利得係数を有する第２電流供給用トランジスタＴｒｃとで電流レベル変換回路４０を構成した。 - 特許庁

The conduction quantity of the TR Q41 is controlled by the circuit parts of TRs Q42, Q43 and a register R5 in accordance with a current passing the TR Q44 and the driving voltage is set to a value higher than the reference voltage by forward voltage between the base and emitter of the TR Q44.例文帳に追加

トランジスタＱ_４２、Ｑ_４３、抵抗Ｒ_５の回路部分により、トランジスタＱ_４４を通過した電流に応じてトランジスタＱ_４１の導通量を制御し、駆動電圧を、およそ基準電圧よりもトランジスタＱ_４４のベース、エミッタ間の順方向電圧の分だけ高い値に設定する。 - 特許庁

A power transistor(TR) T11 amplifies a voltage drop produced by flowing of a current through the TR T11 to generate a 1st voltage V15, and dividing a voltage at a power supply connection terminal of the power TR T11 generates a 2nd voltage V14.例文帳に追加

パワートランジスタＴ１１に電流が流れることにより発生する電圧降下量を増幅して第１の電圧Ｖ１５を生成し、パワートランジスタＴ１１の電源側の接続端子の電圧を分圧して、第２の電圧Ｖ１４を生成する。 - 特許庁

When a second operation unit 6b is operated in any one of the fire alarm devices TR, fire alarm (alarm sound) which is notified (sounded) from the alarm units 5 of all of the other fire alarm devices TR, except for the fire alarm device TR of the fire source, is stopped all at once.例文帳に追加

また、何れかの火災警報器ＴＲにおいて第２操作部６ｂが操作されると火元の火災警報器ＴＲを除く他の全ての火災警報器ＴＲの警報部５から報知（鳴動）されている火災警報（警報音）が一斉に停止する。 - 特許庁

Furthermore, a collector of a 2nd NPN TR Q2 and the other terminal of the 1st resistor R1 are connected to a power supply terminal 1, and an emitter of the 2nd NPN TR Q2 is connected to a drain of a 3rd N-channel TR Q3.例文帳に追加

また、第２のＮＰＮ型トランジスタＱ２のコレクタと第１の抵抗Ｒ１の他端を電源端子１に接続し、第２のＮＰＮ型トランジスタＱ２のエミッタと第３のＮｃｈ型トランジスタＱ３のドレインを接続する。 - 特許庁

When the vehicle is under regenerative braking (YES at S300), switching between the conducting state and the nonconducting state of the transistors TR (0) is performed at a predetermined period and switching between the conducting state and the nonconducting state of the transistors TR (1) and TR (2) is performed in the reverse phase (S400).例文帳に追加

車両が回生制動中である場合（Ｓ３００にてＹＥＳ）、トランジスタＴＲ（０）の通電状態と非通電状態との切換を予め定められた周期で行なうとともに、トランジスタＴＲ（１）およびトランジスタＴＲ（２）の通電状態と非通電状態との切換を逆位相で行なう（Ｓ４００）。 - 特許庁

Glitches caused by a parasitic capacitance of a transistor(TR) included in a selection means used to select a current source among current sources cancels effectively a glitch caused by that of the TR of the same conduction type as that of a TR.例文帳に追加

複数の電流源から電流源を選択する選択手段に含まれるトランジスタの寄生容量から生じるグリッチを、該トランジスタと同じ導電型のトランジスタの寄生容量から生じるグリッチで効果的に打ち消す。 - 特許庁

Extracting a current in response to an increase in the current flowing from the base to the emitter of the constant current transistor TR 3 from the resistor R3 when the constant current transistor TR 3 is saturated at the drop of the power supply voltage VCC ensures ON / OFF operations of the output transistor TR 6.例文帳に追加

電源電圧ＶＣＣの低下時において定電流トランジスタＴｒ３が飽和した際にそのベースからエミッタに抜ける電流の増加に応じた電流を抵抗Ｒ３から引き抜くことで、出力トランジスタＴｒ６のオンオフを確実の行う。 - 特許庁

When the plurality of transistors Tr are divided into two groups, transistors Tr belonging to a first group are arranged on a first side forming the semiconductor substrate and transistors Tr belonging to a second group are arranged on a second side opposing the first side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

複数のトランジスタＴｒをふたつのグループに分割したときに、第１グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板を形成する第１辺の側に設置されつつ、第２グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板のうち、第１辺に対向した第２辺の側に設置される。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 16 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 16 is pulled down, an output of a 2-input NOR circuit 12 goes to an 'H' level to apply ON control to an output MOS TR 6.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１６も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１６のドレインの電位はプルダウンされ、２入力ＮＯＲ回路１２の出力は“Ｈ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ６はＯＮ制御される。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute reset operation, the signal ϕVPS to be applied to the MOS TR T1 is set up as 2nd voltage, the MOS TR T3 is turned on and a constant current is allowed to flow from a constant current source 9 into the MOS TR T1.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１に与える信号φＶPSを第２電圧にするとともにＭＯＳトランジスタＴ３をＯＮにしてＭＯＳトランジスタＴ１に定電流源９から定電流を流す。 - 特許庁

When a second operation unit 6b is operated in any one of the fire alarm devices TR, the fire alarm (alarm sound) which is notified (sounded) from the alarm unit 5 of all of the other fire alarm devices TR, except for the fire alarm device TR of the fire source, is stopped all at once.例文帳に追加

また、何れかの火災警報器ＴＲにおいて第２操作部６ｂが操作されると火元の火災警報器ＴＲを除く他の全ての火災警報器ＴＲの警報部５から報知（鳴動）されている火災警報（警報音）が一斉に停止する。 - 特許庁

Accordingly, the fire alarm for notifying in conjunction with all the fire alarm devices TR can be alternatively selected, whether it is stopped in all of the fire alarm devices TR including the fire source or is stopped in all of the other fire alarm devices TR, except for the fire source.例文帳に追加

故に、全ての火災警報器ＴＲが連動して報知する火災警報を、火元を含む全ての火災警報器ＴＲで停止するか、火元を除く他の全ての火災警報器ＴＲで停止するかを択一的に選択することができる。 - 特許庁