「Tr」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The second pixel separation part PS2 is formed by forming a trench TR and then burying a conductive material in the trench TR through CMP processing for film thinning, the conductive material being not easily polished as compared with a substrate 101.例文帳に追加

第２画素分離部ＰＳ２の形成においては、トレンチＴＲの形成後、薄膜化におけるＣＭＰ処理において、基板１０１よりも研磨されにくい導電性材料を、トレンチＴＲの内部に導電材料を埋め込む。 - 特許庁

The light emitting drive circuit DC includes a double-gate type transistor Tr 11 being a selecting transistor, a thin film transistor Tr 12 being a driving transistor, and a capacitor Cs.例文帳に追加

発光駆動回路ＤＣは、選択トランジスタであるダブルゲート型のトランジスタＴｒ１１と、駆動トランジスタである薄膜トランジスタＴｒ１２と、キャパシタＣｓと、を備えている。 - 特許庁

The circumferential groove 30 includes a recess 130 recessed inwardly in a tire radial direction tr and a protrusion 230 protruding outwardly of the recess 130 in the tire radial direction tr.例文帳に追加

周方向溝部３０は、タイヤ径方向ｔｒ内側に凹んだ凹部１３０と、凹部１３０よりもタイヤ径方向ｔｒ外側に隆起した凸部２３０とを有する。 - 特許庁

At this time, a collector/emitter voltage of the TR Q1 in turned-off state, equal to a gate/source voltage of a MOS TR M1 results in decreasing the output current I_1 and the current I_2.例文帳に追加

この時トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間電圧が、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧となり、出力電流Ｉ１、更に電流Ｉ２の電流値は小さくなる。 - 特許庁

The personal computer TR transmits the shared file DTK stored in the shared file storage part 2K2, to other personal computers TR which do not store the shared file DTK.例文帳に追加

そして、パーソナルコンピュータＴＲは、自らがネットワークから離脱しようとする際に、共有データ保存部２Ｋ２に保存されている共有ファイルＤＴＫを、それを保存していない他のパーソナルコンピュータＴＲに送信する。 - 特許庁

The ventilator/drier 2 detects the temperature Tr in the bathroom 1 by means of its internal room temperature sensor 3 and the detected temperature Tr is sent to the heat source machine 4 through the communication line 7.例文帳に追加

浴室換気乾燥機２は、内部の室温センサ３によって浴室１内の温度Ｔｒを検知しており、検知した室温Ｔｒは通信線７を通じて給湯熱源機４へ送られる。 - 特許庁

A through-current component of a current IP flowing through the output TR P5 is a current I0 flowing to a constant current source 23 and is decided independently of a maximum value of a current IN flowing to the output TR N6 and the current IP.例文帳に追加

出力トランジスタＰ５を流れる電流ＩＰの貫通電流成分は定電流源２３を流れる電流Ｉ０となり、電流ＩＰ及び出力トランジスタＮ６を流れる電流ＩＮの最大値と無関係に定められる。 - 特許庁

That is, the matching circuit is realized, where the fluctuations in the electric characteristic of the TR due to the fluctuations in the MIM insulation film thickness L around the TR caused by manufacturing tolerance are automatically absorbed.例文帳に追加

すなわち、製造上のバラツキから生じるトランジスタ周囲のＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動によるトランジスタの電気特性変動を自動的に吸収する整合回路を実現することができる。 - 特許庁

This constant current control circuit is provided with a control transistor TR, a resistor R0 for current detection, a comparator circuit 10, a timer part 20 and a current control part 30, etc., and turns ON/OFF the transistor TR by using a timer.例文帳に追加

定電流制御回路は、制御トランジスタＴＲ、電流検出用抵抗Ｒ０、比較回路１０、タイマ部２０、及び電流制御部３０等を備え、タイマを使用してトランジスタＴＲをＯＮ・ＯＦＦさせる。 - 特許庁

A switch SW is switched to a transistor TR side for turning on the transistor TR to impress 5 V voltage to a capacitor C of a low pass filter (S16).例文帳に追加

スイッチＳＷをトランジスタＴＲ側へ切り替え、トランジスタＴＲをオンさせて、ローパスフィルタのコンデンサＣに５Ｖの電位を印加する（Ｓ１６）。 - 特許庁

A PMOS transistor (TR) T11 and an NMOS TR T12 of a buffer section of a selection switch section SW 11 are connected and led to an output terminal N100.例文帳に追加

選択スイッチ部ＳＷ１１のバッファ部は、ＰＭＯＳトランジスタＴ１１とＮＭＯＳトランジスタＴ１２とを接続して出力端子Ｎ１００とする。 - 特許庁

When the voltage of the input signal Vin is lower than the clip voltage Vb, a 2nd MOS transistor(TR) M2 is turned on, a 5th MOS TR is turned off, and 1st and 6th MOS TRs M1 and T6 are still kept on.例文帳に追加

入力信号Ｖｉｎの電圧がクリップ電圧Ｖｂ未満の場合、第２のＭＯＳトランジスタＭ２はオンし、第５のＭＯＳトランジスタはオフし、第１と第６のＭＯＳトランジスタＭ１とＭ６はオンのままである。 - 特許庁

To surely prevent a through-current at application of power by adding a P-channel transistor(TR) in series to an output TR circuit.例文帳に追加

出力トランジスタ回路に直列にＰチャネルトランジスタを追加することで、電源投入時の貫通電流を確実に防止することができるようにする。 - 特許庁

The memory cell 2 is provided at the position where the bit line pair 4/5 intersect the word line 3 and includes a first transistor (first Tr) 6, a second transistor (second Tr) 16 and a magnetic resistance element 7.例文帳に追加

メモリセル２は、ビット線対４・５とワード線３とが交差する位置に設けられ、第１トランジスタ（第１Ｔｒ）６と第２トランジスタ（第２Ｔｒ）１６と磁気抵抗素子７とを含む。 - 特許庁

Thereby, the secondary side of the transformer Tr is opened and a voltage is generated across primary-side terminals of the transformer Tr in a direction for negating remaining magnetic flux.例文帳に追加

これにより、トランスＴｒの２次側が開放され、トランスＴｒの１次側の端子には、残っている磁束を打ち消す方向に電圧が発生する。 - 特許庁

To improve noise reduction without increasing tr/tf time by enhancing the tr/tf time, without decreasing noise reduction in an output buffer circuit of a CMOS configuration.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構成の出力バッファ回路において、ノイズ低減度を下げることなくｔｒ／ｔｆ時間を改善すること、ｔｒ／ｔｆ時間を大きくすることなくノイズ低減度を向上させること。 - 特許庁

A CMOS buffer circuit is configured with a 1st conductivity type 1st CMOS transistor(TR) 1 and a 2nd conductivity type 2nd CMOS TR 2 connected in series between a power supply and ground.例文帳に追加

電源とグランド間に直列に接続された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタおよび第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタによりＣＭＯＳバッファ回路が構成される。 - 特許庁

A comparison means 50 for comparing the acquired information with threshold information, corresponding to deterioration of the TR limiter 11, is provided, and the deterioration of the TR limiter 11 is determined, on the basis of the comparison result by the comparison means 50.例文帳に追加

取得された情報とＴＲリミッタ１１の劣化に対応する閾値情報とを比較する比較手段５０を備え、この比較手段５０による比較結果に基づき前記ＴＲリミッタ１１の劣化を判定する。 - 特許庁

First and second inductive steering circuits are respectively inserted between the first logic gate and the first TR switch and between the second logic gate and the second TR switch.例文帳に追加

第１と第２の誘導性操作回路は、第１の論理ゲートと第１のトランジスタスイッチ間及び第２の論理ゲートと第２のトランジスタスイッチ間に挿入される。 - 特許庁

Current, flowing to the base terminal of the drive TR T1, is limited by the impedance of the diodes 11 and 12, and then electric charges accumulated in the drive TR T1 are small, so that it is turned off in a short time.例文帳に追加

ダイオード１１および１２のインピーダンスにより駆動用トランジスタＴ１のベース端子に流れる電流が制限された結果、駆動用トランジスタＴ１に蓄積されている電荷が少ないので短時間でターンオフする。 - 特許庁

Thereby a 1st standard auxiliary drive TR N500 and the TR N508 are activated in a low voltage mode.例文帳に追加

出力駆動回路が引き込む電流の速度（ｄｉ／ｄｔ）が低下する低電圧動作モードでは、標準および整相予備駆動回路が相互に機能し各予備駆動ノードを駆動する。 - 特許庁

The CMOS output circuit is configured with switches to select setting of the VDD level or the VSS level to gates of a PMOS transistor(TR) and an NMOS TR that decide the output voltage at shut-down.例文帳に追加

シャットダウン時の出力電圧を決定するＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのゲートをＶＤＤもしくはＶＳＳを選択できるようなスイッチを用いた構成とする。 - 特許庁

A main current path of a 3rd TR 213 of the same conductivity type and whose gate is connected to the 1st signal line 301 is connected to a gate of the 1st TR 211.例文帳に追加

第１のトランジスタ２１１のゲートには、同じ導電型でゲートが第１の信号ライン３０１に接続された第３のトランジスタ２１３の主電流路を接続する。 - 特許庁

A gate of a P-channel MOS transistor (TR) 3 and a gate of an N-channel MOS TR 4 are respectively connected to the output terminal of the output CMOS inverter 2.例文帳に追加

出力ＣＭＯＳインバータ２の出力端子には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４のゲートがそれぞれ接続されている。 - 特許庁

When a first operation unit 6a is operated in any one of fire alarm devices TR, irrespective of whether it is a fire source, fire alarm (alarm sound) which is notified (sounded) from an alarm unit 5 of all fire alarm devices TR is stopped, all at once.例文帳に追加

火元か否かに関わらず、何れかの火災警報器ＴＲにおいて第１操作部６ａが操作されると全ての火災警報器ＴＲの警報部５から報知（鳴動）されている火災警報（警報音）を一斉に停止する。 - 特許庁

A series connection circuit of current control P-channel MOS TR 13 and an N-channel MOS TR 14 is connected between the TRs 11, 12 and an output CH is extracted from a connecting point between the TRs 13, 14.例文帳に追加

これらのトランジスタ１１、１２の間に、電流制御用のＰチャンネル型ＭＯＳトランジスタ１３及びＮチャンネル型ＭＯＳトランジスタ１４を直列に接続し、その間の接続点から出力ＣＨを取り出す。 - 特許庁

An N-MOS TR 4 is turned off when the level of the input signal is the power supply level, and the TR 4 acts like a discharge current source that is controlled by a discharge current control circuit 2 when the input signal is at a ground GND level.例文帳に追加

一方、N-MOSトランジスタ４は、入力信号が電源レベルの時はオフになり、GNDレベルの時、放電電流制御回路２により制御される放電電流源として動作する。 - 特許庁

In addition, the light shielding film is used as the gate electrode of an amplifier TR 212 by extending the film and the potential fluctuation of the FD 216 is transmitted to the gate of the amplifier Tr 212.例文帳に追加

また、この遮光膜を延長して増幅Ｔｒ２１２のゲート電極として用い、ＦＤ２１６の電位変動を増幅Ｔｒ２１２のゲートに伝える。 - 特許庁

Meanwhile, in the case of T1≥Tr instead of T1<Tr as the comparison result, the temperature T_L is determined to be unattainable, and progression to step S6 is performed, and the cooling temperature is set at the temperature T_H.例文帳に追加

一方、比較の結果、Ｔ１＜Ｔｒでない場合すなわちＴ１≧Ｔｒである場合には、温度Ｔ＿Ｌが達成不可能と判定し、ステップＳ６へ進み、冷却温度を温度Ｔ＿Ｈに設定する。 - 特許庁

When the voltage of any one of the +B power supplies 1 exceeds required voltage, the emitter voltage of the TR 3 is boosted, so that the TR 3 is turned on and the output 12 is turned to high voltage.例文帳に追加

次に＋Ｂ電源１のいずれかの電圧が所要電圧を上回った時、トランジスタ３のエミッタ電圧が上昇するためトランジスタ３がＯＮし、出力12がＨＩＧＨ電圧になる。 - 特許庁

After resetting a capacitor Ce by a TR M1, a charge transfer TR M5 is conductive to transfer charges obtained by photoelectric conversion at a photo diode PD to the capacitor Ce, where the charges are stored.例文帳に追加

トランジスタＭ１によるコンデンサＣｅのリセット後に、電荷転送用トランジスタＭ５をオンとしてフォトダイオードＰＤで光電変換された電荷をコンデンサＣｅに転送して蓄積させる。 - 特許庁

The switch SW1 supplies the charging energy of the capacitor C1 for charging to the base terminal B of the transistor TR at the time of the conducting of the transistor TR by the control circuit 3.例文帳に追加

スイッチＳＷ１は制御回路３によるトランジスタＴｒの導通時に充電用コンデンサＣ１の充電エネルギをトランジスタＴｒのベース端子Ｂに供給する。 - 特許庁

On a circuit board (6), each Tr chip is arranged adjacent to a D chip arranged on the same potential plane, and is arranged opposite to a D chip having an FD that is not on the plane and attached to the Tr chip.例文帳に追加

回路基板（６）上で、各Ｔｒチップを同電位面上に配置したＤチップに隣接配置すると共に、該面上になく且つＴｒチップに付属するＦＤを持つＤチップに対向配置する。 - 特許庁

A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加

セルトランジスタＴｒの拡散層１５およびトレンチキャパシタＣの第３の導電層１１の間に介在するように、セルトランジスタＴｒの拡散層１５側にＧｅの導入部１４を形成する。 - 特許庁

Each of personal computers TR other than the personal computer TR1 transfers transmitted or transferred data DTK for checking to the other neighboring personal computer TR.例文帳に追加

パーソナルコンピュータＴＲ１以外の各パーソナルコンピュータＴＲは、送信されまたは転送されてきた検査用データＤＴＫを、隣の他のパーソナルコンピュータＴＲへ転送する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a depletion type MOS transistor and an enhancement type MOS transistor, which provides a reference voltage circuit having an enhanced temperature characteristic or analog characteristic without increasing an area of the semiconductor device through addition of a circuit.例文帳に追加

Depletion型MOS TrとEnhance型MOS Trによって形成される半導体装置において、回路的な付加によって半導体装置の面積を増大させることなく、温度特性やアナログ特性を向上させた基準電圧回路を提供する。 - 特許庁

A voltage signal whose voltage results from dividing a power supply voltage by a voltage division circuit 13 is given to a gate of the 1st PMOS TR 1 and a voltage signal at a ground level is given to a gate of the 2nd PMOS TR 20.例文帳に追加

第１のＰＭＯＳ型トランジスタ１のゲートには、電源電圧を分圧回路１３により分圧した電圧信号が与えられ、第２のＰＭＯＳ型トランジスタ２０のゲートには、グランド電位レベルの電圧信号が与えられる。 - 特許庁

Furthermore, since the TR T4 is a component of the current mirror circuit, the TR T4 has immunity against a characteristic fluctuation due to a temperature change and can be formed in the semiconductor chip without much increasing its area.例文帳に追加

また、カレントミラー回路であるので、温度変化による特性の変動に対する耐性があり、また、それほど面積を増大させることなく半導体チップ内に形成することができる。 - 特許庁

When the output of a drive circuit 33 decreases to low level, while a drive TR T1 is off, a drive TR T2 turns off and an inductive load L1 generates a counterelectromotive force.例文帳に追加

駆動用トランジスタＴ１がオフしている状態で駆動回路３３の出力がローレベルになると、駆動用トランジスタＴ２がオフして誘導性負荷Ｌ１から逆起電力が発生される。 - 特許庁

To provide an oscillator that can reduce the number of electronic components on a current path of an oscillation transistor(TR) and a buffer amplifier TR through which a current flows.例文帳に追加

発振用トランジスタおよび緩衝増幅用トランジスタを流れる電流経路上の電子部品素子の数を減らすことができる発振器を提供する。 - 特許庁

After receiving light, the shutter TR is conductive to store a voltage (Vref+Vth+ΔV), [where ΔV is the voltage change through the light reception] of the light-receiving section 1 after the receiving of the light to a gate capacitance of the amplifier TR.例文帳に追加

受光後、シャッタトランジスタをオンにして、受光後の受光部１の電圧（Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈ＋ΔＶ）〔ΔＶは受光による電圧変化分〕を増幅トランジスタのゲート容量に保持する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which forming of a forbidden region in boundary can be controlled between a thin film Tr (transistor) region and a thick film Tr region.例文帳に追加

薄膜Ｔｒ領域と厚膜Ｔｒ領域との境界における禁止領域の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the current flowing to the TR Q4 depends on the hfe and similarly, the current flowing to the TR Q3 has dependence on its hfe.例文帳に追加

従って、トランジスタＱ４に流れる電流はｈｆｅに依存し、同様にして、トランジスタＱ３に流れる電流もｈｆｅ依存性を有することになる。 - 特許庁

In this ripple filter circuit, a connecting point between a resistor 4 and a capacitor 5 is connected to a base of an NPN transistor(TR) 6, and an emitter of the NPN TR 6 is connected to a constant current source 8 via a resistor 7.例文帳に追加

リップルフィルタ回路は、抵抗４とコンデンサ５の接続点とＮＰＮトランジスタ６のベースを接続し、ＮＰＮトランジスタ６のエミッタから抵抗７を介して定電流源８に接続する。 - 特許庁

An input signal Vin-P whose amplitude is VDD (power supply voltage)-VBp is given to the operating TR MP1 and an input signal Vin-N whose amplitude is VBb-GND (ground level) in the same as above is given to the operating TR MP2.例文帳に追加

動作トランジスタＭＰ１にはＶＤＤ（電源電圧）−ＶＢｐを振幅とする入力信号Ｖｉｎ＿Ｐを入力し、ＭＮ２にはこれと同位相のＶＢｎ−ＧＮＤ（接地電位）を振幅とする信号Ｖｉｎ＿Ｎを入力する。 - 特許庁