「Tr」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A pulse repetition time PRT is increased in accordance with the increase of the sound ray period Tr.例文帳に追加

音線周期Ｔｒの増大に応じてパルス繰り返し時間ＰＲＴを増大する。 - 特許庁

In an output buffer circuit provided with a tolerant circuit the tolerant circuit is connected between an output PMOS transistor (TR) for an output buffer cell and a signal output node PI to be applied to the PMOS TR 52, a pull-up resistor 60 is connected to the gate of the PMOS TR 52 and the PMOS TR 52 is turned off at the time of terminal floating.例文帳に追加

トレラント回路を備えた出力バッファ回路において、出力用バッファセルの出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２とこの出力用ＰＭＯＳトランジスタに与える信号出力ノードＰＩとの間に、トレラント回路が設けられるとともに、前記出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２のゲートにプルアップ抵抗６０を接続し、端子フローティング時に前記出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２をオフする。 - 特許庁

Then, the transistor Tr is turned off to break the power to the Hall element 14.例文帳に追加

そして、トランジスタＴｒもオフとなってホール素子１４への電源が遮断される。 - 特許庁

The connected position of a current source may be between the base of the TR Q1 and a ground level point.例文帳に追加

電流源の接続位置は、トランジスタＱ１のベースとグランド電位との間であってもよい。 - 特許庁

When the collector level of the TR Q24 is rapidly decreased attending a voltage drop of the transmission line 23, a current flows through a power lie 27 via the TR Q26 and the capacitor C21, and a compensation current with the same current value as the flowing current flows to a base-emitter junction capacitance of the TR Q24 from the TR Q27 via the common base line 29.例文帳に追加

伝送線２３の電圧低下に伴ってトランジスタＱ２４のコレクタ電位が急峻に低下すると、電源線２７からトランジスタＱ２６およびコンデンサＣ２１を介して電流が流れ、その電流と同じ大きさの補償電流が、トランジスタＱ２７から共通ベース線２９を介してトランジスタＱ２４のベース・エミッタ間接合容量に流れ込む。 - 特許庁

When a trailing part of a pulse signal T is given to a base of the 2nd TR 4, the 2nd TR 4 is nonconductive and a voltage having been charged in the capacitor 14 is discharged in a direction from a base of the 3rd TR 11 to its emitter, a 2nd resistor 3 and the capacitor 14, and the 3rd TR 11 is conductive.例文帳に追加

第２のトランジスタ４のベースにパルス信号Ｔの立ち下がりが入力すると、第２のトランジスタ４がＯＦＦし、コンデンサ１４に充電されていた電圧は、第３のトランジスタ１１のベースからエミッタ、第２の抵抗３、コンデンサ１４の方向に放電を行い、第３のトランジスタ１１がＯＮする。 - 特許庁

The base terminal of a first amplification transistor(TR) 41 is coupled to the emitter terminal of a first emitter follower TR 11, and the base terminal of a second amplification TR 42 is coupled to the emitter terminal of a second emitter follower TR 12, and the emitter terminals of first and second amplification TRs 41 and 42 are coupled with a first emitter impedance between them.例文帳に追加

第1の増幅トランジスタのベース端子は第1のエミッタフォロワトランジスタのエミッタ端子に結合され、第2の増幅トランジスタのベース端子は第2のエミッタフォロワ・トランジスタのエミッタ端子に結合され、第1及び第2の増幅トランジスタのエミッタ端子は第1のエミッタ・インピーダンスを介して結合される。 - 特許庁

To prevent the sound ray number of a package from being reduced even when a sound ray period Tr is increased.例文帳に追加

音線周期Ｔｒが増大した場合でもパッケージの音線数を削減しないようにする。 - 特許庁

The body voltage control means 102 includes a 1st transistor(TR) Q1 with a terminal 1-8 for electric coupling with a logic circuit and the TR Q1 has a body connecting point 112 connected electrically to the input control signal SL1 to reduce a threshold voltage of the TR Q1 when the TR Q1 is active.例文帳に追加

ボディ電圧制御段は、論理回路に電気的に結合するための端子１０８を備えた第１のトランジスタＱ１を含み、トランジスタＱ１は、トランジスタＱ１が活動状態になるときにトランジスタＱ１の閾値電圧が低減されるように入力制御信号ＳＬ１に電気的に結合されるボディ接点１１２を有する。 - 特許庁

Sensor data acquired from a sensor node (TR) are rearranged into time series data.例文帳に追加

センサノード（ＴＲ）から取得したセンサデータの時系列データへの並び替えを行なう。 - 特許庁

An ECU 13 changes the correction quantity Tr' by the outside temperature detected by an outside temperature sensor 52.例文帳に追加

ＥＣＵ１３は、外気温センサ５２が検知する外気温度により補正量Ｔｒ’を可変する。 - 特許庁

Selected one of a plurality of slide trays TR is mounted in the apparatus body 30.例文帳に追加

複数のスライドトレイＴＲのうち選択された１つを装置本体３０に装着する。 - 特許庁

Sequence repeating time TR for one scan is set to be twice that of the other scan.例文帳に追加

１つのスキャンのシーケンス繰り返し時間ＴＲは他のスキャンのそれの２倍とされる。 - 特許庁

The control signal is given to the transistor Tr 6 in a latch connection form as a gate voltage.例文帳に追加

制御信号は、たすきがけされた形でトランジスタＴｒ６のゲート電圧にされる。 - 特許庁

As the temperature rises, the base-emitter voltage of the TR Qp31 drops.例文帳に追加

温度が上昇すると、トランジスタＱｐ３１のベース−エミッタ間電圧が低下する。 - 特許庁

To provide a trimming circuit that utilizes a Zener zap transistor(TR) so as to effectively set a setting switch.例文帳に追加

ツェナーザップトランジスタを利用して設定トランジスタを効果的にセットする。 - 特許庁

Each pixel Px has a transmissive region Tr to display in a transmissive mode.例文帳に追加

各絵素Ｐｘは透過モードで表示を行う透過領域Ｔｒを有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a bottom gate and bottom contact type organic thin film transistor Tr.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを有するものである。 - 特許庁

The assembled structure is annealed at the bonded interface strengthening temperature (Tr) less than 450°C.例文帳に追加

組み立てられた構造を４５０℃未満の結合界面強化温度（Ｔｒ）でアニーリングする。 - 特許庁

Namely, a gate insulating film of the second transistor Tr 2 is reverse biased.例文帳に追加

すなわち、第２トランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜には逆バイアスがかかる。 - 特許庁

Gain setting resistors R1, R2 are connected to the base of the TR Q3.例文帳に追加

トランジスタＱ３のベースには利得設定用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を接続しておく。 - 特許庁

When the switching element Q is off, the primary capacitor C1 is charged by the transformer Tr.例文帳に追加

スイッチング素子Ｑがオフのとき、トランスＴｒにより一次コンデンサＣ１が充電される。 - 特許庁

A main injection amount increase fundamental value Δqf0 is set according to a lubrication oil temperature Tr (120).例文帳に追加

潤滑油温Ｔｒに応じて主噴射量増量基本値ΔＱｆ０を設定する（１２０）。 - 特許庁

The sensitivity of this circuit is determined by the resistance value of the return resistor 14 and the hfe of the Tr 12.例文帳に追加

この回路の感度は、帰還抵抗１４の抵抗値と、Ｔｒ１２のｈ_feで決まる。 - 特許庁

When an NMOS TR is employed for a TR 2, a potential is given to a terminal 13 and a potential higher than the potential given to the terminal 13 is given to a terminal 12 so as to bring the gate-source voltage of the TR 2 to a threshold value or below it, thereby bringing the TR 2 to an off state or a deep accumulation state.例文帳に追加

そして、トランジスタ２がＮＭＯＳトランジスタであれば、端子１３にある電位を与え、端子１２に端子１３に与える電位よりも高い電位を与えることにより、トランジスタ２のゲート−ソース間電圧を閾値以下にして、トランジスタをオフ状態又は深いアキュミュレーション状態にする。 - 特許庁

A target torque calculation part 71a calculates target torque without assist Tr_non and maximum assist torque Tr_max at a target torque calculation part 71.例文帳に追加

目標トルク算出部７１において、基準トルク算出部７１ａは、アシスト無目標トルクＴｒ＿non及び最大アシストトルクＴｒ＿maxを算出する。 - 特許庁

Then, torque (reaction force reduction torque) Td for reducing the reaction force torque Tr by the reaction force reduction actuator 2 is calculated based on the reaction force torque Tr.例文帳に追加

そして、反力トルクＴｒに基づき、反力低減アクチュエータ２により反力トルクＴｒを低減させるトルク（反力低減トルク）Ｔｄを算出する。 - 特許庁

Normal rotational torque Tr, or two values of torque limiter return force TA (=Tr×RS) and torque limiter return force of zero, now act on the reverse roller 1.例文帳に追加

これにより、本来の回転トルクＴｒ、つまりトルクリミッタ戻し力ＴＡ（＝Ｔｒ×ＲＳ）と、トルクリミッタ戻し力が「ゼロ」との二値が、リバースローラ１に対して作用するようになる。 - 特許庁

Between an alternate current power supply AC and a load L, a triac TR is connected, and a contact RC of a relay RY is connected in parallel with that triac TR.例文帳に追加

交流電源ＡＣと負荷Ｌとの間には、トライアックＴＲが接続され、そのトライアックＴＲにはリレーＲＹの接点ＲＣが並列に接続されている。 - 特許庁

The level shifter is provided with an input transistor(TR) for receiving the signal with the low voltage and generates an output signal of the level shifter in response to an ON/OFF state of the input TR.例文帳に追加

このレベルシフタは、低電圧の信号が入力される入力用トランジスタを備え、この入力用トランジスタのオン／オフの状態に応じてレベルシフタの出力信号を発生するものである。 - 特許庁

And a reaction force control part 60 turns the steering wheel 11 to the direction of a neutral position with a returning reaction force torque Tm obtained by multiplying the reaction torque Tz and the torque coefficient Tr.例文帳に追加

そして、反力制御部６０は、反力トルクTzとトルク係数Trとを乗算した戻り反力トルクTmで操舵ハンドル１１を中立位置方向へ回動する。 - 特許庁

At this point, when the resistance value of the resistive element TR is small, one portion Izap2 of the zapping current Izap0 flows into the resistive element TR for preventing zapping from being made efficiently.例文帳に追加

このとき、抵抗素子ＴＲの抵抗値が小さければ、ザッピング電流Ｉｚａｐ０の一部Ｉｚａｐ２が抵抗素子ＴＲに流れ込み、効率良くザッピングを行なうことができない。 - 特許庁

Current flowing through a TR 4 from its collector to its emitter activates a drive circuit 5 to apply a voltage across a Zener diode 6 to apply a constant voltage to the emitter of the TR 4.例文帳に追加

トランジスタ４のコレクタからエミッタに電流が流れた場合、駆動回路５が動作しツェナーダイオード６に電圧をかけトランジスタ４のエミッタ側を定電圧にする。 - 特許庁

The drain of the mirror TR 32 receives an input signal (BDATA) and the source of the mirror TR 32 provides an output signal (CLPBDATA).例文帳に追加

入力信号（ＢＤＡＴＡ）がミラー・トランジスタ３２のドレインにおいて受取られ、ミラー・トランジスタ３２のソースで出力信号（ＣＬＰＢＤＡＴＡ）が生ずる。 - 特許庁

A voltage regulating resistor R0 for limiting the collector-emitter power loss of the power transistor TR below a rated level is connected in series between the battery 3 and the power transistor TR.例文帳に追加

バッテリ３及びパワートランジスタＴＲ間には、同パワートランジスタＴＲのコレクタ−エミッタ間の電力損失を定格に抑える電圧調整抵抗Ｒ０が直列接続されている。 - 特許庁

Accordingly, the rise in the source potential reduces a gate-source voltage Vgs of the transistor Tr to turn off the transistor Tr and reduce the drain current.例文帳に追加

従って、ソース電位が上昇すると、トランジスタＴｒのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低下し、トランジスタＴｒはオフして、ドレイン電流が減少する。 - 特許庁

Further, a collector current of a connection transistor TR 2 supplying the base current to the constant current transistor TR 3 is extracted from the lower point of the resistor R3 by two current mirrors.例文帳に追加

また、定電流トランジスタＴｒ３のベース電流を供給する接続トランジスタＴｒ２の電流を２つのカレントミラーによって、抵抗Ｒ３の下側から引く抜く。 - 特許庁

A word line is connected to the gate electrode of the cell Tr of the corresponding cell, and a bit line is connected to the 1st impurity diffusion area of the corresponding cell Tr.例文帳に追加

ワードラインが、対応するセルのセルＴｒのゲート電極に接続され、ビットラインが、対応するセルＴｒの第１の不純物拡散領域に接続される。 - 特許庁

The average thickness tf of the conductive layer on the base film formed in the flexible region and the average thickness tR of the conductive layer on the base film formed in the rigid region satisfies the relation of tf<tR.例文帳に追加

フレキシブル領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔｆと該リジッド領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔＲとは、ｔｆ＜ｔＲの関係を満たす。 - 特許庁

On the transistor Nch-Tr and metal capacity, an interlayer nitride film 16 is formed in the gate oxide film of the transistor Nch-Tr for preventing the entrance of hydrogen.例文帳に追加

Ｎｃｈ−Ｔｒ及びメタル容量上には、トランジスタのゲート酸化膜中に、水素が侵入するのを防止するための層間窒化膜１６が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, when the level of the oscillated signal is decreased, the collector current of the oscillation TR 1 is increased to increase the current amplification factor of the oscillation TR 1.例文帳に追加

一方、発振信号のレベルが小さくなったときには、発振トランジスタ１のコレクタ電流を増大させ、発振トランジスタ１の電流増幅率を増大させる。 - 特許庁

Therefore, when stain is adhered to the photo transistor (Tr) 33 or a light emitting diode (LED) 32, the light receiving quantity of the photo transistor (Tr) 33 decreases and the sensor level Vin thereof increases.例文帳に追加

このため、フォトトランジスタ（Ｔｒ）３３または発光ダイオード（ＬＥＤ）３２に汚れが付着すると、フォトトランジスタ（Ｔｒ）３３の受光量が減り、フォトトランジスタ（Ｔｒ）３３のセンサレベルＶｉｎが増大する。 - 特許庁

When the ambient temperature around the oscillation circuit rises, the on voltage of an NPN type TR 13 in the inverter 11 will not rise as high as the on voltage of an NPN type TR 10.例文帳に追加

発振回路の周辺温度が上昇した場合、インバータ１１内部のＮＰＮ型トランジスタ１３のオン電圧はコレクタ抵抗が小さいことに伴いＮＰＮ型トランジスタ１０のオン電圧ほど上昇することはない。 - 特許庁

On the other hand, the gate potential of the transistor Tr is held to a Zener voltage by a Zener diode Zd connected to a gate of the transistor Tr.例文帳に追加

一方、トランジスタＴｒのゲートに接続されたツェナーダイオードＺｄによって、トランジスタＴｒのゲート電位はツェナー電圧に保持される。 - 特許庁

Furthermore, the peak detection circuit is provided with an output level shifter (buffer) consisting of a TR Q3 and a current source 13 and with an output level shifter (buffer) consisting of a TR Q4 and a current source 14.例文帳に追加

さらに、トランジスタＱ３と電流源Ｉ３とにより構成される出力用レベルシフタ（バッファ）を備えるとともに、トランジスタＱ４と電流源Ｉ４とにより構成される出力レベルシフタ（バッファ）とを備えている。 - 特許庁