「a ALD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A substrate loading stand 52 turnable with respect to an ALD chamber casing 51 is provided in a space 50a of a chamber in an ALD chamber 50 of the film deposition apparatus.例文帳に追加

成膜装置のＡＬＤ室５０のチャンバー内空間５０ａには、ＡＬＤ室ケーシング５１に対して回転可能な基板載置台５２が設けられている。 - 特許庁

An ALD reactor 10 having a single reactive space 12 is prepared.例文帳に追加

単一反応空間１２を有するＡＬＤ反応器１０を用意する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film by using an atomic layer deposition(ALD).例文帳に追加

原子層蒸着（ＡＬＤ）を利用して薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The film deposition apparatus 1 comprises an ALD chamber 40, a heating and etching chamber 30 provided separately from the ALD chamber 40.例文帳に追加

成膜装置１は、ＡＬＤ室４０と、ＡＬＤ室４０とは別個に設けられた加熱＋エッチング室３０とＡＬＤ室４０とを備える。 - 特許庁

To provide a system approach that will effectively address and overcome the current limitations of ALD technology, leading to commercial viability for ALD (atomic layer deposition) systems.例文帳に追加

ＡＬＤ技術の現在の制限を効率的に解決および解消して、ＡＬＤシステムを商業上実現可能にするシステムアプローチを教示する。 - 特許庁

To solve the problem that impurities are easy to remain in an oxide thin film deposited as a demerit by an ALD process while having the most of the merits therein.例文帳に追加

ALD法の長所をそのまま活かしつつ、その短所である、生成した酸化物膜に不純物が残留しやすいという問題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for depositing an oxide thin film on a base material by an ALD type method.例文帳に追加

ＡＬＤ式方法によって基材上に酸化物薄膜を製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus capable of reducing plasma processing time in an ALD method.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置において、ＡＬＤ法プラズマ処理の処理時間を短くする。 - 特許庁

To provide a method for correctly controlling film formation conditions of ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層堆積）の成膜条件を適正に制御する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a thin film on a substrate by an ALD process.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスによって基板上に薄膜を成長させるための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a structure of selective ALD of ZnO and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。 - 特許庁

To provide an ALD thin-film vapor deposition apparatus which effectively forms a high-quality thin film.例文帳に追加

高品質な薄膜を効率的に形成するＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a unique combination of solution stabilization and delivery technologies with a special ALD operation mode for using low volatility solid ALD (atomic layer deposition) precursors dissolved in solvents.例文帳に追加

溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。 - 特許庁

A first film is formed by ALD method first and thereafter, a second film is formed by MOCVD method.例文帳に追加

初めにＡＬＤ法により第１の膜を形成し、その後でＭＯＣＶＤ法により第２の膜を形成する。 - 特許庁

A wide range of low volatility solid ALD precursors are used as dissolved in solvents such as THF.例文帳に追加

ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。 - 特許庁

The phase change layer can be formed by using a MOCVD method, cyclic-CVD method or an ALD method.例文帳に追加

相変化層は、ＭＯＣＶＤ、サイクリック−ＣＶＤ及びＡＬＤのうちいずれか一方式で形成しうる。 - 特許庁

A wide range of the low volatility solid ALD precursors dissolved in the solvents, such as THF, are used.例文帳に追加

ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。 - 特許庁

To provide an atomic layer growth method (ALD method) for improving chemical characteristics and electric characteristics of a deposited layer.例文帳に追加

堆積層の化学的特性及び電気的特性を改善するためのＡＬＤ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

When the sufficient ALD exists, all the MBTH is converted to the azine not to form a blue color.例文帳に追加

十分なＡＬＤが存在する場合は、全ＭＢＴＨがアジンに変換されて青色が形成されない。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the processor starts ALD operation and outputs a control voltage enough to provide a predetermined fixed attenuation level to a VAT controller.例文帳に追加

そして、ＡＬＤ動作を開始して、所定の固定減衰量となるような制御電圧をＶＡＴ制御部に出力する。 - 特許庁

To provide a novel combination of solution stabilization and delivery technologies with special ALD operational modes that allows the use of low-volatility solid ALD precursors dissolved in solvents.例文帳に追加

溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film wherein oxygen shortage scarcely occurs when an oxide film is formed by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To improve uniformity and reproducibility when a film layer is deposited by using an ALD reactor or a CVD reactor.例文帳に追加

ＡＬＤ反応器またはＣＶＤ反応器で膜層を堆積させる場合の均一性と再現性を改良する。 - 特許庁

A method for depositing thin film, such as by ALD or CVD, using such a compound, is also provided.例文帳に追加

かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 - 特許庁

The second barrier metal film 7 is deposited by at least one method of a CVD method and an ALD method.例文帳に追加

第２のバリアメタル膜７は、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法の少なくとも一方の方法により成膜される。 - 特許庁

When an oxidant and the MBTH are mixed before the ALD is added, a pale green to green/blue color is generated.例文帳に追加

酸化剤とＭＢＴＨをＡＬＤの添加の前に混合すると薄い緑色乃至緑／青色が生じる。 - 特許庁

To provide a precursor containing no chlorine for CVD or ALD of metal silicate or oxide.例文帳に追加

金属ケイ酸塩又は酸化物のＣＶＤ又はＡＬＤのための塩素を含まない前躯体を提供する。 - 特許庁

The method comprises a process that contacts an exposed copper surface with a gaseous compound comprising a noble metal, and a process that selectively forms a noble metal layer on the exposed copper surface by a copper substitution reaction or a noble metal selective depositing (for example, ALD or CVD).例文帳に追加

当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 - 特許庁

To provide a method and a structure for feeding a vaporized reactant to a vapor phase deposition reactor such as an atomic layer deposition (ALD) reactor from a liquid source.例文帳に追加

液体ソースから原子層堆積（ＡＬＤ）反応炉などの気相堆積反応炉に気化反応物を供給する方法および構造を提供すること。 - 特許庁

In formation of a capacity extending over a capacity part, a capacity contact part, and a cell contact part, a sputtering device using the ALD method, for example, should preferably be used.例文帳に追加

なお、容量部、容量コンタクト部およびセルコンタクト部にまたがる容量の形成には、ＡＬＤ法などによるスパッタ装置を用いることが好ましい。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method wherein an ALD gives superior conformality, film formation speed, and uniformity in comparison with a CVD.例文帳に追加

ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a film deposition method which can deposit a silicon nitride film with better film quality than in the past by ALD.例文帳に追加

ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

Using a vacuum flow rate control valve dealing with ALD composed of the main valve 1 for operating the opening and closing of a valve member 15 via a valve shaft 20 by a valve driving mechanism part 4 and a butterfly valve 2 fitted to the main port 11 of the main valve, a film deposition operation by ALD is performed.例文帳に追加

弁駆動機構部４により弁シャフト２０を介して弁部材１５を開閉操作する主弁１と、主弁のメインポート１１に付設したバタフライ弁２によって構成されたＡＬＤ対応真空流量調整バルブを用いて、ＡＬＤによる成膜操作を行う。 - 特許庁

To provide a precursor which can deposit at low temperature via CVD, ALD or other processes for forming films containing silicon oxide or silicon nitride.例文帳に追加

酸化ケイ素又は窒化ケイ素をＣＶＤやＡＬＤなどのプロセスにより、低温で堆積できる前駆体を提供する。 - 特許庁

A plurality of cycles of a second ALD process is sequentially conducted to deposit a layer of a second material on the layer of the first material in the deposition chamber.例文帳に追加

第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

When a silicon dioxide film is formed using the ALD method, a siloxane compound substituted with a halogen element or -NCO radical is used as a Si source.例文帳に追加

ＡＬＤ法により二酸化シリコン膜を形成するにあたってハロゲン元素または−ＮＣＯ基に置換されたシロキサン化合物をＳｉソースとして使用する。 - 特許庁

To provide a substrate useful for a semiconductor process, having a layer deposited by an ALD (atomic layer deposition) on a dielectric layer formed with an organic material-containing material.例文帳に追加

有機物含有材料でつくられている誘電体層上にＡＬＤにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。 - 特許庁

To improve a film forming speed while maintaining good film quality and uniformity, when using an ALD method as a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法としてＡＬＤ法を用いる際に、良好な膜質、均一性を維持しつつ、成膜速度を向上させる。 - 特許庁