| 例文 |
ag2を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 24件
Assist gate electrodes AG1 and AG2 of the assist gate transistor are electrically independent.例文帳に追加
アシストゲートトランジスタのアシストゲート電極AG1,AG2は、電気的に独立である。 - 特許庁
In this case, it is indicated by U={A_1, A_2, A_3, A_4}, AG1={A_1, A_2, A_3}, AG2={A_2, A_3, A_4}: (1).例文帳に追加
U={A_1 ,A_2 ,A_3 ,A_4 },AG1={A_1 ,A_2 ,A_3 },AG2={A_2 ,A_3 ,A_4 }. …(1) - 特許庁
By contacting nitric acid solution containing Ag2+ with U, Pu and Np having adhered to a filter in a reaction tank 1, these elements are solved in the nitric acid solution by the Ag2+ effects.例文帳に追加
反応槽1内でAg^2+を含む硝酸溶液とフィルタに付着したU,Pu及びNpとを接触させて、Ag^2+の作用によりこれら元素を硝酸溶液に溶解させる。 - 特許庁
Thus, in the artist map 1 after the editing, the artist AT4 is included in artist groups AG2 and AG3, and the artist AT4 has links with the artists AT2, AT3 and AT5.例文帳に追加
これにより、編集後のアーティストリンクマップ1において、アーティストAT4は、アーティストグループAG2とアーティストグループAG3に含まれることになり、アーティストAT4は、アーティストAT2、アーティストAT3、およびアーティストAT5とつながりを持つことになる。 - 特許庁
The scatterer forming thin film 24 is, for example, a multiplayer film of ZnS-SiO2/Ag2/ZnS-SiO2.例文帳に追加
散乱体形成薄膜24は例えばZnS−SiO_2/Ag_2O/ZnS−SiO_2の多層膜である。 - 特許庁
In an artist link map ALM 1 before editing, an Artist AT4 included in an artist group AG3, and having a link with only an artist AT5 is added to an artist group AG2 including artists AT2 and AT3.例文帳に追加
編集前のアーティストリンクマップALM1において、アーティストグループAG3に含まれるため、アーティストAT5とだけつながりを持っているアーティストAT4を、アーティストAT2、およびアーティストAT3が含まれるアーティストグループAG2に追加する編集を行う。 - 特許庁
Ag+ at the irradiation spot is transformed to Ag2+ and Ag0, and thus the light-emitting center emitting fluorescent light by ultraviolet rays, is formed.例文帳に追加
照射位置にあるAg^+はAg^2+およびAg^0に変換されて、紫外線により蛍光を発する発光中心が形成される。 - 特許庁
In an anode chamber 6 wherein an anode 8 of the main electrolysis tank 2 is placed, the Ag+ contained in the nitric acid solution is oxidized to Ag2+.例文帳に追加
主電解槽2の陽極8が設置された陽極室6内で、硝酸溶液に含まれるAg^+ をAg^2+に酸化させる。 - 特許庁
To provide a processing method for radioactive waste using electrolyte containing Ag2+ which can reduce the amount of spent ion exchanger material.例文帳に追加
使用済イオン交換物質の量を低減できる、Ag^2+を含む電解液を用いた放射性廃棄物の処理方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, the transistors P1, P2, N3, and N4 are turned off without fail during the duration, in which they should be turned off, in relation to the voltages of terminals AG1 and AG2.例文帳に追加
したがって、各トランジスタP1、P2、N3、N4は、端子AG1、AG2の電圧との関係でオフになるべき期間で、必ずオフする。 - 特許庁
In wring operation to a memory cell which is thus constituted, a negative voltage is applied to auxiliary gate electrodes AG1, AG2 of an non-selected cell.例文帳に追加
このように構成されているメモリセルの書き込み動作時において、非選択セルの補助ゲート電極AG1、AG2に負電圧を印加する。 - 特許庁
Next, the polysilazane is removed and a TEOS oxide film 12 is formed in conditions of poor embedding property, to thereby form gaps AG1, AG2.例文帳に追加
この後、ポリシラザンを除去し、埋め込み性の悪い条件でTEOS酸化膜12を形成することで、空隙部AG1、AG2を形成する。 - 特許庁
On side walls on both sides of the memory gate electrode MG, auxiliary gate electrodes AG1, AG2 are formed via silicon oxide films OX3.例文帳に追加
そして、このメモリゲート電極MGの両側の側壁に酸化シリコン膜OX3を介して補助ゲート電極AG1、AG2が形成されている。 - 特許庁
In a cathode chamber 7 wherein a cathode 9 of the main electrolysis tank 2 is placed, the Ag2+ in nitric acid solution containing the solved elements is reduced to Ag+.例文帳に追加
主電解槽2の陰極9が設置された陰極室7内で、溶解された元素を含む硝酸溶液中のAg^2+をAg^+ に還元する。 - 特許庁
A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加
補助ゲート電極AG1、AG2の直下にある半導体基板1S内には浅いn型低濃度不純物拡散領域EX1が形成されている。 - 特許庁
Also, since the second arm group AG2 is provided with two carrying arms 45b and 45c, the substrate is smoothly exchanged in the bake unit 3C and the high throughput is obtained.例文帳に追加
また、第2アーム群AG2が2本の搬送アーム45b,45cを有しているため、ベークユニット3Cにおいてスムースに基板交換を行うことができ、高いスループットを得ることができる。 - 特許庁
As removal amount of Ag2+ by the ion exchanger material can be drastically reduced, the life of ion exchanger material is extended and thus the generation amount of spent ion exchanger material is drastically reduced.例文帳に追加
イオン交換物質によるAg^2+の除去量を著しく低減できるので、イオン交換物質の寿命が延びて使用済イオン交換物質の発生量が著しく減少する。 - 特許庁
In a detail area AG2 provided on a display face of a display part, commodity details of a commodity specified by a commodity code input from an input part are list-displayed.例文帳に追加
表示部の表示面に設けられた明細エリアAG2には、入力部から入力された商品コードによって特定される商品の商品明細が一覧表示される。 - 特許庁
When set discount conclusion is decided based on a set discount definition, set discount conclusion commodity icons SS wherein a form varies in each concluded set discount are displayed in the detail area AG2 about target commodities of the concluded set discount.例文帳に追加
そして、セット値引定義に基づいてセット値引成立が判定された場合には、成立したセット値引の対象商品について、成立したセット値引毎に形態が相違するセット値引成立商品アイコンSSが明細エリアAG2に表示されるようにした。 - 特許庁
The substrate W is carried by a first arm group AG1 (carrying arm 45a) in the route before cleaning in the carrying route and the substrate W is carried by a second arm group AG2 (carrying arms 45b and 45c) in the route after cleaning.例文帳に追加
当該搬送経路のうちの洗浄処理前の経路では第1アーム群AG1(搬送アーム45a)によって基板Wを搬送し、洗浄処理後の経路では第2アーム群AG2(搬送アーム45b,45c)によって基板Wを搬送している。 - 特許庁
Since what an operator should do is only piercing the bioptic needle to a depth shown by the length D along the guide line GL and the mark MP in a direction shown by the displayed angles AG1, AG2, he can speedily pierce the bioptic needle or the injection needle to the examinee along the secure piercing route.例文帳に追加
術者は、生検針を表示角度AG1,AG2の示す向きで、ガイドラインGLや交点マークMPに沿って長さDの示す深さまで差し込めばよいだけであるので、生検針や注入針を的確な刺入経路に沿って被検体Mに速やかに刺し込むことができる。 - 特許庁
A source side selection transistor includes a source side post-like semiconductor layer 44a extending upward from the upper surface of the post like part, and a source side conductive layer 41a which is formed so as to enclose the side surface through an gap Ag2 and functions as a control electrode of the source side selection transistor.例文帳に追加
ソース側選択トランジスタは、柱状部の上面から上方に延びるソース側柱状半導体層44aと、その側面を取り囲むように空隙Ag2を介して形成され、ソース側選択トランジスタの制御電極として機能すソース側導電層41aとを備える。 - 特許庁
When the chopper voltage generated at a chopper terminal AG2 of the coil 37 becomes a predetermined chopper reference voltage or lower, a sub-capacitor C1 is charged, while when the chopper voltage generated at the other terminal AG1 of the coil 37 becomes a predetermined chopper reference voltage or lower, a sub-capacitor C2 is charged.例文帳に追加
そして、発電コイル37の一方の端子AG2に発生したチョッパ電圧が予め定められたチョッパ基準電圧以下になった場合は、サブコンデンサC1を充電し、発電コイル37の他方の端子AG1に発生したチョッパ電圧が予め定められたチョッパ基準電圧以下になった場合は、サブコンデンサC2を充電する。 - 特許庁
When the processing result in an application server AP1 of a moving destination is completely acquired, the agent is moved to an application server AP1 of the next moving destination as an agent AG2 an makes a copy agent AG1, which is the copy of the agent itself, having acquired the processing result at that point of time, wait in the relevant application server AP1.例文帳に追加
エージェントは、移動先のアプリケーションサーバAP1における処理結果の取得が完了すると、次の移動先のアプリケーションサーバAP2にエージェントAG2として移動すると共に、その時点における処理結果を取得した自己の複製であるコピーエージェントAG1を当該アプリケーションサーバAP1に待機させる。 - 特許庁
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