「annealer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LASER ANNEALER, AND METHOD FOR LASER ANNEALING例文帳に追加

レーザアニール装置、レーザアニール方法 - 特許庁

LASER ANNEALER, LASER ANNEALING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To enhance throughput while assuring safety of a hydrogen annealer.例文帳に追加

水素アニール装置の安全性を確保しつつスループットを向上すること。 - 特許庁

AUTOMATIC POLISHING METHOD AND DEVICE FOR ELECTRIFICATION TYPE ANNEALER ELECTRODE SHIEVE例文帳に追加

通電式アニーラの電極シーブ自動研磨方法及び装置 - 特許庁

To ensure good annealing by improving a laser annealer.例文帳に追加

レーザーアニール装置を改良し、良好なレーザーアニールを可能ならしめる。 - 特許庁

LASER ANNEALER, ITS METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING POLYSILICON FILM例文帳に追加

レーザアニール装置及び方法、ポリシリコン膜の製造方法 - 特許庁

ANNEALER, PLATING SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

TANK FOR SUPPLYING PURE WATER TO HIGH PRESSURE ANNEALER例文帳に追加

高圧アニール装置へ対する純水供給用タンク装置 - 特許庁

MANUFACTURE OF THIN FILM TRANSISTOR AND LASER ANNEALER例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法およびレーザアニール装置 - 特許庁

IRRADIATOR AND IRRADIATION METHOD, ANNEALER AND ANNEALING METHOD例文帳に追加

照射装置及び照射方法、並びにアニール装置及びアニール方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND LASER ANNEALER例文帳に追加

液晶表示装置の製造方法およびレーザアニール装置 - 特許庁

To provide a laser annealer that can suppress the generation of ablation during annealing.例文帳に追加

アニール時のアブレーションの発生を低減できるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING SEAM POSITION OF ELECTRO-RESISTANCE-WELDED TUBE, AND METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING HEATING PIECE OF SEAM ANNEALER例文帳に追加

電縫管のシーム位置検出方法、装置、及び、シームアニーラの加熱子位置制御方法、装置 - 特許庁

METHOD FOR ACTIVATING IMPURITIES, LASER ANNEALER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加

不純物活性化方法、レーザアニール装置、半導体装置とその製造方法 - 特許庁

The parameters which set the operating state of the laser annealer are stored collectively in a plurality of kinds of storage sections, and the leaser annealer is made to perform a plurality of laser annealing treatments on one object to be treated corresponding to a plurality of operating states, while the operating state of the laser annealer is successively set to the plurality of operating states, based on the parameters.例文帳に追加

レーザアニール装置の動作状態を設定するパラメータを複数種類記憶部に一括して記憶して、このパラメータに基づきレーザアニール装置の動作状態を順次複数の動作状態に設定しながら、一枚の被処理物上に前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施する。 - 特許庁

Since total treatment time of hydrogen anneal can be shortened, throughput of the hydrogen annealer and the anneal step can be enhanced.例文帳に追加

水素アニールの総処理時間を短縮できるので、水素アニール装置および水素アニール工程のスループットを向上できる。 - 特許庁

To improve annealing accuracy of a laser annealer through suppressing the temperature rise of a condenser lens by interrupting the radiation heat from a substrate to toward the lens.例文帳に追加

処理基板から集光レンズに向かう輻射熱を遮ることでその温度上昇を抑制し、もって、アニーリング精度の向上を図る。 - 特許庁

OPTICAL ELEMENT, FOCUS ADJUSTMENT DEVICE USING THE SAME, FOCUS ADJUSTMENT METHOD, LASER ANNEALER, AND LASER ANNEALING METHOD例文帳に追加

光学素子及びこれを用いたピント調節装置、ピント調節方法、レーザアニール装置、レーザアニール方法 - 特許庁

The wafer W on which the ferroelectric film is formed is then heated by an annealer and the ferroelectric film is oxidized.例文帳に追加

強誘電体膜が形成されたウェハＷは，アニール装置において加熱され，強誘電体膜が酸化される。 - 特許庁

To detect precisely and quickly positioning error of a seam annealer of an electro-resistance-welded tube without requiring an additional large-scale facility.例文帳に追加

大幅な設備追加を必要とすることなく、電縫管のシームアニーラ位置ずれを的確且つ迅速に検出する。 - 特許庁

Since an abnormality, e.g. leakage, in the treatment chamber can be detected with high sensitivity, safety of the hydrogen annealer and the anneal step can be enhanced.例文帳に追加

処理室内のリーク等の異常を高感度で検知できるので、水素アニール装置および水素アニール工程の安全性を向上できる。 - 特許庁

To provide a laser annealer having a structure performing split irradiation to a substrate to be processed in a low temperature polysilicon (p-Si) TFT process in which split irradiation can be performed without increasing the size of the annealer and the costs of chamber windows can be reduced.例文帳に追加

低温ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴのプロセスにおいて、被処理基板に対してレーザ照射する際に分割照射する構造を有するレーザアニール装置において、分割照射を行うのに伴って装置が大きくならず、またチャンバウインドウにかかるコスト削減可能なレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

A laser annealer 30 provides amorphous silicon with an annealing treatment by irradiating the amorphous silicon film formed on a glass substrate with a CO_2 laser.例文帳に追加

レーザアニール装置３０は、ガラス基板上に成膜されたアモルファスシリコンにＣＯ_２レーザを照射することにより、当該アモルファスシリコンに対してアニール処理をする。 - 特許庁

To provide a laser annealing method and a laser annealer where isotropic and uniform crystal grains can be obtained while using a solid laser advantageous on the aspect of costs and that of maintenance, and where throughput is improved.例文帳に追加

コスト面及びメンテナンス面で有利な固体レーザを用いつつ、等方的で均一な結晶粒を得ることができ、且つ処理能力を高めることができるレーザアニール方法およびレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

The laser annealer is provided with an optical system 12 for a rectangular beam and another optical system 23 for a long beam for shaping the laser beam from a laser oscillator 11.例文帳に追加

レーザ発振器１１からのレーザビームを整形する光学系として、矩形ビーム用光学系１２と長尺ビーム用光学系１３とを設ける。 - 特許庁

To provide an annealer that can prevent even the minute contamination of an object to be treated and can uniformly anneal the object, and to provide a plating system and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

被処理体への微小な汚染も防止すること、およびが被処理体に均一にアニール処理を行うこと可能なアニール装置、メッキ処理システム、半導体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a continuous annealer for a cylindrical workpiece, wherein problems such as liability of the surface of the workpiece to scratches, limitation of the shape of the workpiece to a bottomed cylinder, and increased complicatedness of the structure of the apparatus are solved.例文帳に追加

円筒ワークの連続焼鈍装置において、ワークの表面にすり傷が生じやすいという問題、ワークの形状が有底筒体に限定されるという問題、装置の構造が複雑になるという問題などの解決を目的とする。 - 特許庁

A TEOS oxide film (SiO2) 6 is subjected to heat, which is an insulation film formed over the entire surface of a wafer before an emitter 9 is formed, by using a lamp annealer so as to apply heat uniformly over the entire surface of the wafer.例文帳に追加

エミッタ部９を形成する前の、ウエーハ全面に形成した絶縁膜であるＴＥＯＳ酸化膜（ＳｉＯ_2）６上にランプアニーラで熱処理を施すことにより、ウエーハ全面に均一な熱を加える。 - 特許庁

To realize cost reduction and foot print reduction by providing a laser annealer that can project two laser beams, having different shapes upon a substrate.例文帳に追加

形状の異なる2つのレーザビームを、処理基板に照射することができるレーザアニーリング装置を提供し、コスト低減及びフットプリント縮小を実現する。 - 特許庁

The pressure vessel of an annealer is provided with a drain pan 27 receiving condensation of steam used during annealing operation.例文帳に追加

アニール処理装置の圧力容器に、アニール処理に際して使用するスチームが漏洩した場合、それが結露してドレンとなって溜まるドレン溜２７を設けた。 - 特許庁

This laser annealer 10 has a laser oscillator 12, a variable attenuator 14, a laser beam adjusting mechanism 16, a homogenizer 18, and a laser beam detecting mechanism 20.例文帳に追加

レーザアニール装置１０は、レーザ発振器１２と、バリアブルアッテネータ１４と、レーザビーム調整機構１６と、ホモジナイザ１８と、レーザビーム検出機構２０とを有する。 - 特許庁

The device has also an intermediate cooling pipe 28 of such a shape which allows the passage of the small drops of the molten glass for the purpose of further cooling the drawn optical waveguide fiber and for coupling an annealer 26 to the cooling chamber 24.例文帳に追加

該装置は線引きされた光導波路ファイバを更に冷却するための及び冷却チャンバにアニーラーを結合するための、溶融ガラスの小滴が通過できるような形状の中間冷却管も有する。 - 特許庁

The energy density of the CO_2 laser that is given to the amorphous silicon by the laser annealer 30 is made between 0.040×t (J/cm^2) and 2.3 (J/cm^2) at the time when the film thickness of the amorphous silicon film is t (nm).例文帳に追加

レーザアニール装置３０は、アモルファスシリコン膜の膜圧をｔ（ｎｍ）としたときに、アモルファスシリコンに与えるＣＯ_２レーザのエネルギ密度を、０．０４０×ｔ（Ｊ／ｃｍ^２）以上、２．３（Ｊ／ｃｍ^^２）以下とする。 - 特許庁

To provide an irradiation unit of a flush lamp which can irradiate very short light without applying heat damage to an object to be irradiated, by using a flush lamp whose running cost is very low as compared with a laser annealer.例文帳に追加

レーザーアニール装置と比較してランニングコストが非常に安価なフラッシュランプを用い、被照射物に対して熱ダメージを与えることのない、ごく短い光を照射することが可能であるフラッシュランプの照射装置を提供すること。 - 特許庁

Since the channel part 37 is composed of coarse crystal grains 26, grown from the boundary face between the thin film part 16 and the thick film part 18, its performance, such as high mobility and low leakage current, can be easily realized by using a general laser annealer.例文帳に追加

薄膜部１６と厚膜部１８との界面から成長した粗大結晶粒２６によってチャネル部３７が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。 - 特許庁

To provide a laser annealing method in which fusion/recrystallization process is not saturated with regard to a crystal grain size, and the crystal grain can be developed into the desired crystal grain size depending on the irradiation frequency of the pulse laser beam; and to provide a laser annealer.例文帳に追加

溶融・再結晶化プロセスが結晶粒径に対して飽和することがなく、パルスレーザ光の照射回数に応じて所望の結晶粒径まで成長させることができるレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

In a hydrogen annealer equipped with a pipe 46 for supplying hydrogen gas to a treatment chamber 36 of a wafer 1, and a main exhaust line 40 connected with a vacuum pump 41 and exhausting the treatment chamber 36, the main exhaust line 40 is provided with a variable flow control valve 42 for controlling the flow rate of exhaust gas, and the treatment chamber 36 is provided with a nitrogen gas supply line 50.例文帳に追加

ウエハ１の処理室３６に水素ガスを供給する水素ガス供給管４６と、真空ポンプ４１に接続されて処理室３６を排気するメイン排気ライン４０とを備えた水素アニール装置において、メイン排気ライン４０に排気流量を制御する可変流量制御弁４２と、処理室３６に窒素ガスを供給する窒素ガス供給ライン５０とを設ける。 - 特許庁

In a hydrogen annealer equipped with a pipe 51 for supplying hydrogen gas to a treatment chamber 36 of a wafer 1, a main exhaust line 40 for exhausting the processing chamber 36, and a combustion exhaust line 47 connected with the main exhaust line 40, an oxygen analyzer 61 for detecting oxygen concentration in the treatment chamber 36 and transmitting the detection results to a controller 62 is provided.例文帳に追加

ウエハ１を処理する処理室３６に水素ガスを供給する水素ガス供給管５１と、処理室３６を排気するメイン排気ライン４０と、メイン排気ライン４０に接続された燃焼用排気ライン４７とを備えた水素アニール装置において、処理室３６の酸素濃度を検出してコントローラ６２に送信する酸素濃度計６１を設置する。 - 特許庁

An ingot of silicon single crystal is grown by Czochralski single crystal lift method and after a wafer is made by slicing that silicon single crystal ingot, surface layer of the wafer is annealed by means of a laser spike annealer for longer than 0.01 microseconds but shorter than 10 seconds under a temperature of 1,250-1,400°C at the wafer surface layer.例文帳に追加

チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶インゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が１２５０℃以上１４００℃以下で、０．０１マイクロ秒以上１０秒未満、アニールする。 - 特許庁