「bottom-gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes a bottom gate and bottom contact type organic thin film transistor Tr.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを有するものである。 - 特許庁

The gate side insulating film has an opening for a gate in which the bottom of the gate electrode is filled.例文帳に追加

ゲート横絶縁膜には、ゲート電極の下端が充填されたゲート用開口が設けられている。 - 特許庁

To improve covering power of a gate insulating film's embedding to an edge portion of the gate groove bottom part in a damascene-type gate or replace-type gate.例文帳に追加

ダマシン型ゲートまたはリプレース型ゲートにおいて、ゲート溝底部のエッジ部に対するゲート絶縁膜埋め込みの被覆性を向上させる。 - 特許庁

BOTTOM GATE TYPE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ボトムゲート型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a bottom-sealing device of a rotary type gate which can retain a water-tight condition between the gate and the bottom of a water passage even when a door is bent because of water pressure.例文帳に追加

扉体が水圧により撓んでも水路底部との間の水密状態を保持できるようにする。 - 特許庁

The metal wiring 80a is served as the gate electrode of a bottom-gate thin film transistor 60.例文帳に追加

金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。 - 特許庁

The device is provided with a gate insulating film 12 for covering the face and the bottom face of a gate electrode 14.例文帳に追加

ゲート電極１４の側面および底面を覆うゲート絶縁膜１２を備える。 - 特許庁

The gate is then converted to a tapered gate and is given paths going through the bottom gate input(s) that are not timing critical.例文帳に追加

ゲートは次にテーパ付きゲートに変換され、タイミング・クリティカルでない底部ゲート入力を通る経路を与えられる。 - 特許庁

A gate insulating layer, at least at the bottom of the opening, is formed, and a gate electrode is formed on the gate insulating layer.例文帳に追加

この開口の少なくとも底部に、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

At the bottom in the trench 6, a bottom material to be embedded 17 that comes into contact with the gate insulating film 7 and the gate electrode 8 is embedded.例文帳に追加

トレンチ６内の底部には、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８に接する底部埋設体１７が埋設されている。 - 特許庁

A floating gate FG is formed on the bottom portion of the groove via a gate insulating film GI.例文帳に追加

溝の底部に第１のゲート絶縁膜ＧＩを介して浮遊ゲートＦＧが形成されている。 - 特許庁

A hatch gate lower garnish 1 is arranged across the whole width in the outside bottom end of a rear hatch gate glass 9.例文帳に追加

ハッチゲートロアガーニッシュ１がリアハッチゲートガラス９の外側下端全幅に渉って配設される。 - 特許庁

A lower gate trench having a smaller width than that of the upper gate trench is formed to overlap the upper gate trench at both ends so that the lower gate trench can be spaced apart from sidewalls of the upper gate trench by partially etching the bottom of the upper gate trench.例文帳に追加

そのトレンチの底面を部分エッチングして、そのトレンチと両端が重畳してそのトレンチの側壁と離隔されるようにそのトレンチより小さい幅を有する下部ゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

In a connection region 34 between the bottom gate 20 and interconnection 31, a step member 35 is provided which is disposed below the bottom gate electrode 20 and supports the bottom gate electrode 20.例文帳に追加

そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an influence of a step of a gate electrode of a bottom gate type transistor (bottom gate type TFT) is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ボトムゲート型トランジスタ（ボトムゲート型ＴＦＴ）において、ゲート電極の段差の影響を低減した半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The first depth corresponds to a depth of a bottom surface of a trench gate 52.例文帳に追加

第１深さは、トレンチゲート５２の底面の深さと一致している。 - 特許庁

A gate pattern is formed which fills the lower gate trench, covers the sidewall of the active region adjacent to the bottom and sidewall of the exposed lower gate trench, and partially covers the bottom of the upper gate trench so that the gate pattern can be spaced apart from the sidewall of the upper gate trench.例文帳に追加

下部ゲートトレンチを埋め込み、露出した下部ゲートトレンチの底面及び側壁に隣接する活性領域の側壁を覆うと共に、上部ゲートトレンチの側壁と離隔されるように、上部ゲートトレンチの底面を部分的に覆うゲートパターンを形成する。 - 特許庁

A bottom part of the upper gate (3) is connectable to an apex part of the lower gate (4) in the separable form.例文帳に追加

上側ゲート（３）の底部は、下側ゲート（４）の頂部に分離可能な様態で接続可能である。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The gate insulating film 110 functions as a gate insulating film of the bottom gate type TFT 200, and further functions as a base film for top gate type TFTs 300 and 350.例文帳に追加

このゲイト絶縁膜１１０はボトムゲイト型ＴＦＴ２００のゲイト絶縁膜として機能すると共に、トップゲイト型ＴＦＴ３００、３５０の下地膜としても機能する。 - 特許庁

Subsequently, gate oxidation is performed and a gate insulation film 5a is formed on the sidewall of the trench 4 and a gate insulation film 5b thicker than the gate insulation film 5a is formed on the bottom face of the trench 4.例文帳に追加

その後、ゲート酸化を行い、トレンチ４の側壁にゲート絶縁膜５ａを、トレンチ４の底面にゲート絶縁膜５ａより厚いゲート絶縁膜５ｂを形成する。 - 特許庁

The gate insulating layer includes a central gate insulating layer disposed under central portion of a gate electrode, an edge gate insulating layer disposed under an edge of the gate electrode to have a bottom surface level with a bottom of the central insulating layer, and an upper surface protruding to be higher than an upper surface of the central gate insulating layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、ゲート電極の中央下部に位置する中央ゲート絶縁膜とゲート電極のエッジ下部に位置して底が中央ゲート絶縁膜の底と同じレベルであるが、上部面が中央ゲート絶縁膜の上部面より高く突出されたエッジゲート絶縁膜を含む。 - 特許庁

BOTTOM GATE THIN-FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ETCHING DEVICE, AND NITRIDING DEVICE例文帳に追加

ボトムゲート薄膜トランジスタとその製造方法およびエッチング装置と窒化装置 - 特許庁

The right and left bottom horizontal rods 9 and right and left gate plates are provided with snap locks composed of lock hooks and key levers for fixing the right and left bottom horizontal rods 9 and right and left gate plates.例文帳に追加

また、左右の底部横架杆９及び左右側部あおり板にはこれらを固定する錠フックと鍵レバーとからなるパッチン錠が設けられている。 - 特許庁

To reduce off current of a bottom gate thin film transistor in which a semiconductor layer is shielded from light by a gate electrode.例文帳に追加

半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。 - 特許庁

To make uniform an anodic oxide by anodizing the gate electrode of a bottom gate type TFT.例文帳に追加

ボトムゲイト型ＴＦＴのゲイト電極を陽極酸化することによって、陽極酸化物を均一に形成させる。 - 特許庁

The solid imaging device 3 has a simple matrix structure, a plurality of bottom gate lines 41 arranged in parallel are arranged on a transparent substrate 17, a plurality of top gate lines 41 are arranged orthogonally to the bottom gate lines 41 in the plan view, and double gate transistors 20 are disposed at respective intersections of the bottom gate lines 41 and top gate lines 44.例文帳に追加

この固体撮像デバイス３は単純マトリクス構造であり、互いに平行に配列された複数のボトムゲートライン４１が透明基板１７上に配列され、複数のトップゲートライン４４が平面視してボトムゲートライン４１に対して直交するよう配列され、ボトムゲートライン４１とトップゲートライン４４の各交差部にダブルゲートトランジスタ２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a folding door type navigation gate, in which a lower part of a door protrudes from a U-shaped gate frame when the gate is opened, and the lower part is brought into contact with a lake bottom or a dam bottom when the gate is used at the time of a low water level, thereby preventing the door from being related to damage.例文帳に追加

ゲートを開いた時扉の下部がＵ字状のゲートフレームより突出し、低水位時において使用する場合には、扉の下部が湖底ないしダムの底に接触し、扉の損傷に繋がるのを防止する。 - 特許庁

A bottom gate thin film transistor is formed using the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

A gate part 7 which penetrates the bottom mold 6 and the second foot part mold 5 is formed, and the tip of the gate passage 7a of the gate part 7 is arranged in a part corresponding to the bottom part 14 of the container main body 11.例文帳に追加

底型６と第２脚部型５を貫通してゲート部７が設けられ、ゲート部７のゲート通路７ａ先端は容器本体１１の底部１４に対応する部分に配置されている。 - 特許庁

Bottom gate type TFTs each comprising a gate electrode, a gate insulation film and a semiconductor thin film are formed on a predetermined substrate 1 formed of a transparent glass substrate.例文帳に追加

透明ガラス基板からなる所定の基板１上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜および半導体薄膜からなるボトムゲート型のＴＦＴが形成される。 - 特許庁

The transistor TR1 has a top gate structure where a gate G1 is positioned above a semiconductor layer 14A, and the transistor TR2 has a bottom gate structure where a gate G2 is positioned below a semiconductor layer 14B.例文帳に追加

トランジスタＴR1は、ゲートＧ1が半導体層１４Aの上方に位置するトップゲート構造であり、トランジスタＴR2は、ゲートＧ2が半導体層１４Bの下方に位置するボトムゲート構造である。 - 特許庁

An interpoly insulation film is interposed between the floating-gate and the top, bottom and the side faces of the control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと、制御ゲートの上面、下面および内側面との間には、インターポリ絶縁膜が介在配置されている。 - 特許庁

The gate insulation film 104 is formed over from the lower part of a bottom surface of the gate electrode 105 to the upper part of a side face.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０４は、ゲート電極１０５の底面下から側面上にまで亘って形成されている。 - 特許庁

The cooling passage 19 is zigzag provided to the periphery of the cavity gate 18 provided to the bottom part 12 of a cavity mold over the inside and outside of the bottom part 12 so as to be turned toward the cavity gate 18.例文帳に追加

キャビティ型の底部１２に設けたキャビティゲート１８の周囲に、冷却路１９をキャビティゲート１８に向けて内外にわたりジグザグ状に設ける。 - 特許庁

The gate electrode 4 is formed into a tapered shape whose bottom is narrower than its top.例文帳に追加

ゲート電極４は、底部に行くに従って狭くなるテーパー形状となっている。 - 特許庁

To provide a high on-off ratio transistor in a bottom gate type thin film transistor.例文帳に追加

ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、オンオフ比の高いトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a bottom gate-bottom contact type thin film transistor which has a large ON current through an inexpensive printing process by burying a source and drain electrodes in a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜にソース・ドレイン電極を埋め込むことにより、オン電流が大きなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタを安価な印刷プロセスで提供する。 - 特許庁

A gate electrode 103 is formed thin and long in a longitudinal direction as a bottom layer.例文帳に追加

最下層には、ゲート電極１０３が縦方向に細長く形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film having a two-layered structure having different etching rates is formed on a ground 20, and a bottom portion side surface and a bottom portion of a gate contact hole processed and formed into the gate insulating film are curved surfaces which are convex toward the ground.例文帳に追加

下地２０上にエッチングレートの異なる二層構造のゲート絶縁膜を有し、ゲート絶縁膜に加工形成されたゲートコンタクトホールの底部側面及び底部が下地側に凸形状の曲面である。 - 特許庁

To improve gate voltage-drain current characteristics in a bottom gate type thin film transistor employing a crystalline semiconductor.例文帳に追加

結晶性半導体を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、そのゲート電圧−ドレイン電流特性を向上させる。 - 特許庁

To flatten irregularities due to gate wiring in a bottom-gate type TFT, using a crystalline semiconductor film as an active layer.例文帳に追加

結晶性半導体膜を活性層に用いたボトムゲート型のＴＦＴにおいて、ゲート配線による凹凸を平坦化する。 - 特許庁

A top gate driver or a bottom gate driver of an image pickup device is constituted by connecting stages consisting of TFT 21-26, 33, 34.例文帳に追加

撮像装置のトップゲートドライバ又はボトムゲートドライバは、ＴＦＴ２１〜２６，３３，３４からなる段が連結して構成されている。 - 特許庁

The double gate transistor is formed by laminating in the order of a bottom gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor film, a BL insulating film, a contact layer, a drain electrode, a source electrode, a gate insulating film, a top gate electrode, and an insulation protective film.例文帳に追加

ダブルゲートトランジスタは、ボトムゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ＢＬ絶縁膜、コンタクト層、ドレイン電極及びソース電極、ゲート絶縁膜、トップゲート電極、並びに絶縁保護膜が順に積層されて形成される。 - 特許庁

To rationalize a manufacturing process, without deteriorating the characteristics of a bottom gate thin-film transistor.例文帳に追加

ボトムゲート型の薄膜トランジスタの特性を悪化させることなく製造工程を合理化する。 - 特許庁