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capacitance potential deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 30件
ELECTRIC POTENTIAL MEASURING DEVICE, CAPACITANCE MEASURING DEVICE, ELECTRIC POTENTIAL MEASURING METHOD, AND CAPACITANCE MEASURING METHOD例文帳に追加
電位測定装置、静電容量測定装置、電位測定方法及び静電容量測定方法 - 特許庁
When a pixel capacitance, an auxiliary capacitance and a parasitic capacitance are defined respectively as Clc, Cs and Cgs in this color liquid crystal display device and when a gate pulse is turned OFF, a level-shifted voltage ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs) is generated on the potential of a pixel electrode.例文帳に追加
画素容量をClcとし、補助容量をCsとし、寄生容量をCgsとすると、ゲートパルスがオフするときに、画素電極電位にレベルシフト電圧ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs)が生じる。 - 特許庁
To provide a driving circuit to drive an electro-optic device having a capacitance line, where the capacitance line is made to have a predetermined potential when ending the data-writing in a pixel electrode.例文帳に追加
容量線を有する電気光学装置を駆動する駆動回路にあって、画素電極へのデータの書き込みが終了したときの容量線を所定電位にする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of being used as a capacitor exhibiting a stable capacitance value with respect to a change in potential of an input signal.例文帳に追加
入力信号の電位の変動に対して安定した容量値を示すコンデンサとして利用可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
In a CC drive liquid crystal display device for controlling a potential V_cs to be applied to an auxiliary capacitance line 4, a period during which a TFT 1 is off is provided with an overshoot period 23 during which the potential V_cs overshoots a prescribed potential or an undershoot period 25 during which it undershoots the prescribed potential.例文帳に追加
補助容量線4に印加する電位V_csを制御するCC駆動液晶表示装置において、TFT1がオフしている期間に、電位V_csが所定の電位よりもオーバーシュートするオーバーシュート期間23又は所定の電位よりもアンダーシュートするアンダーシュート期間25を設ける。 - 特許庁
For this substrate for the electro-optical device, storage capacitance 70-1 provided with a capacitance electrode 302 connected to a pixel electrode 9a and a capacitance line 300 arranged in face to face with the capacitance electrode 302 via a dielectric film 301 and turned to a fixed potential is laminated above the TFT 30.例文帳に追加
本発明の電気光学装置用基板は、TFT30の上方に、画素電極9aに接続された容量電極302と、誘電体膜301を介して容量電極302と対向配置され固定電位とされた容量線300とを有してなる蓄積容量70-1が積層されている。 - 特許庁
Further, the optoelectronic device is equipped with a relay layer 71, connected with the pixel electrode 9a and constituting a storage capacitance 70, and a capacitance line 300, facing the relay layer 71 through a dielectric film 75 and including a stationary potential side capacitor electrode constituting the storage capacitance.例文帳に追加
更に、画素電極に接続されており蓄積容量(70)を構成する中継層(71)と、これに誘電体膜(75)を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線(300)とを備える。 - 特許庁
The optoelectronic device is equipped with: a relay layer (71) which is connected with the pixel electrode and constitutes a storage capacitance (70); and a capacitance line (300) which faces the relay layer through a dielectric film (75) and includes a stationary potential side capacitor electrode constituting a storage capacitance.例文帳に追加
更に、画素電極に接続されており蓄積容量(70)を構成する中継層(71)と、これに誘電体膜(75)を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線(300)とを備える。 - 特許庁
To obtain satisfactory display quality by reducing display unevenness in a scanning-line direction due to the fluctuation of potential of auxiliary capacitance, in a drive circuit incorporated type liquid crystal display device.例文帳に追加
駆動回路一体型液晶表示装置において、補助容量電位の変動による走査線方向の表示ムラを低減して、良好な表示品位を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method for reducing parasitic capacitance, reducing element area and lowering the resistance of a terminal part for extracting a body potential.例文帳に追加
寄生容量の低減、素子面積の縮小およびボディ電位取り出し用の端子部分の低抵抗化が可能である半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To lay separate circuit elements of a semiconductor device and wirings on an upper layer, without giving the potential influence on lower layer circuit elements through capacitance coupling.例文帳に追加
半導体装置において、下層の回路素子に容量結合を介して電位的な影響を及ぼすことなく、別の回路素子や配線を上層側に配置する。 - 特許庁
Also, a capacitor 21 is connected in parallel to the rectifying device 20 to increase the capacitance of the cleaning brush 15 and to prevent the potential of the cleaning brush 15 from exceeding the threshold voltage of the rectifying device 20.例文帳に追加
また、整流素子20に並列にコンデンサ21を接続して、クリーニングブラシ15の静電容量を大きくし、クリーニングブラシ15の電位が整流素子20の閾値電圧を超えないようにしている。 - 特許庁
To provide an image display device in which an accurate potential can be recorded in both end electrodes of a capacitance holding voltage between a gate and a source of a (n) type drive TFT by a simple image circuit.例文帳に追加
簡単な画素回路でn型駆動TFTのゲート−ソース間電圧を保持する静電容量の両端電極に正確な電位を記録できる画像表示装置を提供する。 - 特許庁
To obtain high yield and high reliability of a contact portion for applying a potential to an upper electrode of a semiconductor memory device having a capacitance element with a three-dimensional structure.例文帳に追加
立体構造を持つ容量素子を有する半導体記憶装置において、上部電極に電位を与えるコンタクト部に高い歩留まりと高い信頼性とを得られるようにする。 - 特許庁
The device is equipped with an electrostatic plate having a first capacitor and a second capacitor having a capacitance larger than that of the first capacitor and connected to the first capacitor so as to be capable of switching; and a surface potential measuring part for measuring the surface potential of the electrostatic plate.例文帳に追加
第1のコンデンサと、第1のコンデンサより静電容量が大きく、第1のコンデンサと入り切り可能に接続される第2のコンデンサとを有する静電プレートと、該静電プレートの表面電位を測定する表面電位測定部とを備えた装置とする。 - 特許庁
Since the potential difference higher than the threshold value is maintained across both ends of the pixel capacitance 24 even though the auxiliary capacitance leaks, the pixel is always prevented from being a brought defect, and this prevents the active matrix liquid crystal display device 19 from being faulty and a yield is improved.例文帳に追加
補助容量25にリークが生じても、画素容量24の両端には液晶の閾値以上の電位差が保たれるので、その画素が常に輝点となることを防ぎ、アクティブマトリクス型液晶表示装置19として不良となることを防いで、良品率を高めることができる。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device capable of performing uniform display by reducing the deviation in the potential variance of a source line due to the parasitic capacitance existing between an adjacent source line and a pixel transistor.例文帳に追加
隣接するソース線と画素トランジスタとの間に存在する寄生容量に起因するソース線の電位変化量のずれを低減し、均一な表示を行うことができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
During the calibration of the internal resistance measurement device 3 using the reference resistor 5, a capacitance change caused by the potential application to the capacitor 6 satisfies a measurement condition for real internal resistance measurement of the charge element using the internal resistance device 3.例文帳に追加
このため、基準抵抗器5を用いた内部抵抗計測器3の校正時、コンデンサ6への印加電位による静電容量変化は、内部抵抗計測器3を用いた蓄電素子の実際の内部抵抗計測時の計測条件と同等となる。 - 特許庁
The charged voltage measuring device 12 is arranged on a substrate holding table 4, and is provided with a electrode 14 for measurement for forming capacitance C_s with the substrate 6, a capacitor 18 for measurement of capacitance C_m connected between the electrode 14 and a ground potential part, a voltmeter 20 for measuring a measured voltage V_m on both ends, and a computing unit 22.例文帳に追加
この帯電電圧計測装置12は、基板保持台4上に配置されていて基板6との間に静電容量C_s を形成する計測用電極14と、それと接地電位部との間に接続された静電容量C_m の計測用コンデンサ18と、その両端の計測電圧V_m を計測する電圧計20と、演算器22とを備えている。 - 特許庁
The distance between the detection electrodes 111, 112 and an electric potential measuring object face is changed by the rocking device to thereby change the capacitance between them, and thereby an output signal appearing on the detection electrodes 111, 112 is detected by the signal detection means.例文帳に追加
検知電極111、112と電位測定対象面の距離を揺動装置により変化させてこれらの間の静電容量を変化させることで、検出電極111、112に現れる出力信号を信号検出手段が検出する。 - 特許庁
A detection device detects the shape of the surface of an object according to the potential of a connection point N between an electrode 51 for detection that opposes the object and forms a capacitor 50 for detection and a reference capacitor having capacitance CR.例文帳に追加
検出装置は、対象物と対向して検出用容量50を形成する検出用電極51と、静電容量CRを有する基準容量素子との接続点Nの電位に応じて対象物の表面の形状を検出する。 - 特許庁
Since parasitic capacitance due to a dielectric interposed between an inductance element and the ground potential can be eliminated by removing a ground plate directly under the inductance element and providing a gap, a high frequency semiconductor device having good characteristics can be obtained.例文帳に追加
インダクタンス素子直下の接地プレートを除去して間隙部を設けることによって接地電位との間に介在する誘電体による寄生容量を解消することができ、特性の良好な高周波半導体装置を得ることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which enables a semiconductor substrate to be reduced in area by utilizing the parasitic capacitance in the semiconductor region where a memory cell array is formed as a stabilizing capacitor used for controlling and making the output potential of a step-up circuit constant.例文帳に追加
昇圧回路の出力電位を一定に制御するために用いる安定化容量に、メモリセルアレイが形成された半導体領域の寄生容量を利用することにより、半導体基板面積を削減できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL.例文帳に追加
ドライブトランジスタTr2は、ゲートGが保持容量C1に保持された信号電位によってソースS基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース/ドレイン間に流れる電流Idsで負荷素子ELに通電する。 - 特許庁
The liquid crystal display device is arranged so a to modulate a gamma correction voltage or a compensation potential difference Vepp in capacitance coupling driving by a vertical cycle control voltage generated according to the temperature of at least one point in the liquid crystal device and the expected temperature distribution in the vertical direction of the liquid crystal panel.例文帳に追加
液晶表示装置内の少なくとも1ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて作成された垂直周期の制御電圧により、ガンマ補正用電圧もしくは容量結合駆動における補償電位差Veppを変調するようにした。 - 特許庁
To eliminate stray capacitance and stray inductance due to the lead pin, case body and internal component of an optical device, such as LD and PD, to suppress the fluctuation of an LD case body (GND) potential generated at high-frequency drive, and to substantially suppress electric crosstalks between transmission and reception in an optical transmission / reception module.例文帳に追加
光送受信モジュールにおいて、LD及びPD等の光デバイスのリードピン・筐体・内部の部品による浮遊容量及び浮遊インダクタンスを除去して、高周波駆動時に生じるLD筐体(GND)電位の揺れを抑圧し、送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧できるようにする。 - 特許庁
As shown in Fig. 6, the driving device is constituted so that driving switches Sa1 to Sam in a data driver 2 and scanning switches Sk1 to Skn in a scanning driver 3 are connected to the ground which is a reference potential point, while the reset operation for removing charges stored in a parasitic capacitance of organic electroluminescence elements E11 to Emn is performed.例文帳に追加
有機EL素子E11〜Emnの寄生容量に蓄積された電荷を除去するリセット動作時には、データドライバ2におけるドライブスイッチSa1〜Samおよび走査ドライバ3における走査スイッチSk1〜Sknは基準電位点であるグランドに接続される。 - 特許庁
The plasma display device includes a plurality of display cells and has a first sustain electrode, a second sustain electrode which is connected to a reference potential and which carries out sustain discharge with the first sustain electrode through a discharge space, and an address electrode, wherein electric capacitance between the second sustain electrode and the discharge space is controlled to be larger than electric capacitance between the first sustain electrode and the discharge space.例文帳に追加
複数の表示セルを含むプラズマディスプレイ装置であって、第1の維持電極と、この第1の維持電極との間で、放電空間を通じて維持放電を行う電極であって、基準電位に接続された第2の維持電極と、アドレス電極と、を備え、第2の維持電極と放電空間との間の電気容量を、第1の維持電極と放電空間との電気的容量よりも大きくした。 - 特許庁
By using, for instance, a device equipped with: current collectors 4 and 5; a potential control part 8; a waveform function generation part 10; a current measurement part 9; and a measurement control computer part 11, the capacitance of a membrane-electrode joint body (MEA) 1 caught by the collectors 4 and 5, and the electrode performance is evaluated based on the measurement value.例文帳に追加
例えば集電体4,5と、電位制御部8と、波形関数発生部10と、電流測定部9と、計測制御コンピュータ部11を備えた装置を用いて、集電体4,5に挟持された膜−電極接合体(MEA)1の静電容量を測定し、測定値に基づいて電極性能を評価する。 - 特許庁
To provide a charged particle beam device capable of observing a sample surface by easily detecting potential contrast of the sample surface based on a capacitance difference of the sample by irradiating the sample with charged particles through a dielectric material, while the sample is arranged in the atmosphere; and to provide a sample observation method using the same.例文帳に追加
本発明は、試料を大気中に置きながらも、誘電体を介して荷電粒子を試料に照射することにより、その静電容量差から容易に試料表面の電位コントラストを検出し、試料表面の観測を可能とした荷電粒子線装置及びこれを用いた試料観測方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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