「cobalt silicide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A heat treatment conducted thereafter causes cobalt to react with silicon to form a cobalt silicide film.例文帳に追加

以後の熱処理によりコバルトがシリコンと反応してコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

After cobalt 17 is deposited over the entire surface, a heat treatment is carried out to form cobalt silicide.例文帳に追加

コバルト１７を全面に堆積した後、熱処理を行うことにより、コバルトシリサイドを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide is formed, nitrogen is mixed into the cobalt silicide.例文帳に追加

シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層が形成された半導体装置において、前記コバルトシリサイドに、窒素が混入している。 - 特許庁

A cobalt film 19 is formed and a cobalt silicide film 20 is formed by using silicide technology.例文帳に追加

その後、コバルト膜１９を形成した後、シリサイド技術を用いて、コバルトシリサイド膜２０を形成する。 - 特許庁

The polycrystal silicon film 7 is exposed, and a cobalt film is formed and a cobalt silicide film 8 is formed by a silicide treatment.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７を露出させ、コバルト膜を成膜してシリサイド処理を行いコバルトシリサイド膜８を形成する。 - 特許庁

To remove remaining oxygen in a film which increases resistance in a cobalt silicide layer to form the lower resistive cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の抵抗を上昇させている膜中の残留酸素を除去して、低抵抗なコバルトシリサイド層の形成を図る。 - 特許庁

Furthermore, a high-melting metal silicide constituting a gate electrode 312 is formed of a cobalt silicide film 12.例文帳に追加

さらに、ゲート電極３１２を構成する高融点金属シリサイド膜が、コバルトシリサイド膜１２で形成されている。 - 特許庁

Thereafter, in a silicide process, a cobalt silicide film is formed on the gate electrode 4 and the high concentration source/drain region 7.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスにより、ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上にコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicide film capable of uniformly forming the thickness of a cobalt silicide film.例文帳に追加

コバルトシリサイド膜の厚さを均一に形成することができるシリサイド膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Here, metals included in the metal silicide layer may be selected from titanium, nickel, cobalt, or platinum.例文帳に追加

ここで、金属シリサイド層に含まれる金属がチタン、ニッケル、コバルトまたは白金とすることができる。 - 特許庁

The gate electrodes MG, SG and PG of a NAND flash memory include a cobalt silicide film 4.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリのゲート電極ＭＧ、ＳＧ、ＰＧにコバルトシリサイド膜４を設ける。 - 特許庁

Namely, for example, the whole upper electrode 22 is formed of a cobalt silicide film 31.例文帳に追加

すなわち、例えば、上部電極２２全体をコバルトシリサイド膜３１から形成する。 - 特許庁

A cobalt silicide film 13 is formed on the top surfaces of source/drain regions 10 and 11.例文帳に追加

また、ソース／ドレイン領域１０，１１の上面にコバルトシリサイド膜１３が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING COBALT SILICIDE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

コバルトシリサイド形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

COBALT SILICIDE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYERED FILM INTERMEDIATE STRUCTURE例文帳に追加

コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層膜中間構造体 - 特許庁

A capacitor 11 being electrically connected to the cobalt silicide film 9 is formed.例文帳に追加

そして、コバルトシリサイド膜９に電気的に接続されるキャパシタ１１を形成する。 - 特許庁

Related to a manufacturing process for a semiconductor device of a cobalt silicide process structure on a cobalt film 37 formed over a silicide formation region, an oxidation suppressing film (cobalt nitride film 38) comprising the same component as the cobalt film 37 is laminated, and then via the cobalt nitride film 38, a process is included in which the cobalt film 37 is thermally processed for siliciding.例文帳に追加

コバルトシリサイドプロセス構造の半導体装置の製造方法において、シリサイド形成領域上に形成したコバルト膜３７上にこのコバルト膜３７と同一成分を含む酸化抑止膜（窒化コバルト膜３８）を積層した後に、この窒化コバルト膜３８を介して前記コバルト膜３７を熱処理してシリサイド化する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Then the cobalt silicide film 10a is changed to an amorphous cobalt silicide film 10b by implanting the ion of arsenic, silicon, etc., into the film 10a.例文帳に追加

次に、コバルトシリサイド膜１０ａ内に砒素やシリコンなどのイオンを注入して、コバルトシリサイド膜１０ａをアモルファス構造のコバルトシリサイド膜１０ｂに変える。 - 特許庁

The cobalt silicide film 59 in the logic forming region is formed so as to be thicker than the cobalt silicide film 9 in the memory forming region.例文帳に追加

そして、ロジック形成領域におけるコバルトシリサイド膜５９は、メモリ形成領域におけるコバルトシリサイド膜９よりも厚く形成されている。 - 特許庁

To suppress variation in the resistance of an interconnect line formed of cobalt silicide on a polysilicon film by evaluating and managing a first phase cobalt silicide film formed by first heat treatment.例文帳に追加

第１の熱処理によって形成される第１相のコバルトシリサイド膜を評価、管理し、ポリシリコン膜上にコバルトシリサイドを形成した配線抵抗のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide an improved method of forming cobalt silicide that forms a high-quality film of cobalt silicide and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

良質のコバルトシリサイド膜形成が可能な改善されたコバルトシリサイド形成方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, third shot time thermal treatment is performed, and the second cobalt silicide film 10b is changed to the third cobalt silicide film 10c (a mixture of CoSi_2 and Ti) of polycrystalline structure which is structurally stable.例文帳に追加

その後、第３の短時間熱処理を施して、第２のコバルトシリサイド膜１０ｂを構造的に安定な多結晶構造の第３のコバルトシリサイド膜１０ｃ（ＣｏＳｉ_2とＴｉの混合体）に変える。 - 特許庁

A silicide film such as a cobalt silicide film 13 is formed on a diffusion layer such as a high-concentration source drain diffusion layer 10b, and then a metal film such as a titanium film 14 or the like is formed on the silicide film.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン拡散層１０ｂなどの拡散層の上に、コバルトシリサイド膜１３などのシリサイド膜を形成した後、シリサイド膜の上にチタン膜１４等の金属膜を形成する。 - 特許庁

A high-melting point metallic silicide, such as the tungsten silicide, cobalt silicide, etc., having a high light shielding property is used as the material of the upper gate wiring layer used as the light shielding film.例文帳に追加

遮光膜として用いる上層のゲート配線層の材料には、高融点金属シリサイド、例えばタングステンシリサイドやコバルトシリサイドなどの遮光性の高い材質を用いる。 - 特許庁

Due to the step, no excessive cobalt film (cobalt atom) is required to be supplied at the part, and abnormal growth of a cobalt silicide film 11B is suppressed under the side wall insulating film 8.例文帳に追加

そして、この段差部の存在によりこの部分での必要以上のコバルト膜（コバルト原子）の供給が無くなり、側壁絶縁膜８下でのコバルトシリサイド膜１１Ｂの異常成長が抑止される。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of semiconductor device with the conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide comprises a process for forming and laminating a diffusion suppressing film consisting of silicon into which nitrogen is mixed, a process for forming and laminating the diffusion suppressing film and a cobalt film, and a process for forming the cobalt silicide by reacting silicon and cobalt.例文帳に追加

また、シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコンに窒素が混入した拡散抑制膜を積層形成する工程と、前記拡散抑制膜にコバルトの膜を積層形成する工程と、前記シリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイドを形成する工程とを有する。 - 特許庁

Thus, a gate electrode composed of a polycide film containing the cobalt silicide films 7a, 7b and polycrystalline silicon films 3a, 3b is formed.例文帳に追加

それにより、コバルトシリサイド膜７ａ，７ｂおよび多結晶シリコン膜３ａ，３ｂを含むポリサイド膜からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

A first polycrystalline cobalt silicide film 10a is selectively left on a gate electrode 4 and a high concentration source drain region 7.例文帳に追加

ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上に多結晶体の第１のコバルトシリサイド膜１０ａを選択的に残置させる。 - 特許庁

A cobalt silicide film 28 is formed in the surface of the gate electrode 16 and the surface of the trench 25 for bodies.例文帳に追加

ゲート電極１６の表面およびボディ用トレンチ２５の表面には、コバルトシリサイド膜２８が形成されている。 - 特許庁

The nitrogen can also be introduced to the silicified portion of the semiconductor layer before the cobalt silicide film 10a is formed.例文帳に追加

窒素は、コバルトシリサイド膜の形成前に、半導体層のうちシリサイド化される部分に導入してもよい。 - 特許庁

After an insulation silicide wall 8 is formed on the side surface of the gate electrode 11, a cobalt film 10 is formed on the substrate.例文帳に追加

その後、ゲート電極部１１の側面上に絶縁性サイドウォール８を形成した後、基板上にコバルト膜１０を形成する。 - 特許庁

In addition, the amount of titanium solved in the cobalt silicide is reduced whereby the reduction of a sheet resistance is permitted.例文帳に追加

加えて、コバルトシリサイドに固溶するチタンの量を減らすことができるので、シート抵抗を低減させることが可能となる。 - 特許庁

When second heat treatment is performed thereafter, a polycrystalline cobalt silicide film 10c containing few aggregated crystal grains is obtained.例文帳に追加

第２の熱処理を行なうと、結晶粒の凝集がほとんどない多結晶構造のコバルトシリサイド膜１０ｃが得られる。 - 特許庁

A cobalt silicide film 21 is formed on the surface of diffusion region 4 and that of base taking-out electrode 16 which are exposed.例文帳に追加

そして、露出した拡散領域４表面及びベース取り出し電極１６表面にコバルトシリサイド膜２１を形成する。 - 特許庁

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。 - 特許庁

To form cobalt silicide which prevents the increase of leakage current in connection and has a sufficient resistance to heat and a low resistance.例文帳に追加

接合リーク電流の増加を防止し、充分な耐熱性をもち低抵抗なコバルトシリサイドを形成する。 - 特許庁

To make compatible both the lowering of the resistance of a gate electrode using a cobalt silicide and the stabilizing of memory cell transistor characteristics.例文帳に追加

コバルトシリサイドによるゲート電極の低抵抗化とメモリセルトランジスタ特性の安定化とを両立する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device, capable of completely levelling interface between cobalt silicide layer and silicon layer without preliminarily gaining the thickness of a cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の厚みを予め大きく設計しなくても、完成したコバルトシリサイド層とシリコン層との界面を十分に平坦化することができ、プロセスの再現性が良好なコバルトシリサイド電極が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicide structure is that the silicide structure is self-aligned and prevented from increasing in sheet resistance due to a reduction in a wire width by taking advantage of the specific characteristic of cobalt in which cobalt moves downward to react on silicon atoms.例文帳に追加

コバルトの下向きに移動してシリコン原子と反応する特有の特性を利用して線幅の微細化に起因するシート抵抗の増大の問題が防止された自己整列したシリサイド構造体の製造方法について開示する。 - 特許庁

Subsequently, the density of the first phase cobalt silicide film 7 is measured and after the crystallinity thereof is grasped from that density, second heat treatment is performed thus forming a cobalt silicide film 8 having a relatively uniform crystal state while suppressing variation in line resistance.例文帳に追加

その後、第１相のコバルトシリサイド膜７の密度を測定し、その密度から、第１の相のコバルトシリサイド膜7の結晶性を把握した上で第２の熱処理を施すことにより、結晶状態が比較的均一なコバルトシリサイド膜8を形成でき、配線抵抗のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

After a titanium film 12 is deposited on a semiconductor substrate 1, it is subjected to second short-time thermal treatment (RTA), titanium 12a is diffused in the crystal grain boundary of the first cobalt silicide film 10a, and a second cobalt silicide film 10b (mixture of Co_2Si, CoSi and Ti) is formed.例文帳に追加

その後、基板上にチタン膜１２を堆積した後、半導体基板１に第２の短時間熱処理（ＲＴＡ）を施して、第１のコバルトシリサイド膜１０ａの結晶粒界にチタン１２ａを拡散して、第２のコバルトシリサイド膜１０ｂ（Ｃｏ_2ＳｉとＣｏＳｉとＴｉの混合体）を形成する。 - 特許庁

Silicide layers 4 and 5 formed of cobalt silicide or the like are formed on the top surface of the polycrystalline silicon film 3 near its ends.例文帳に追加

抵抗素子を形成する多結晶シリコン膜３の両端部近傍においては、多結晶シリコン膜３の上面に、コバルトシリサイドなどからなるシリサイド層４およびシリサイド層５が形成されている。 - 特許庁

Successively, the cobalt silicide films 10a, 10b are formed through reaction of silicon and cobalt of the second silicon film 5a and high concentration source/drain area 9 with the heat treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により第２シリコン膜５ａ及び高濃度ソース・ドレイン領域９のシリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイド膜１０ａ、１０ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which a margin in temperature at heat treatment is widened for silicification of cobalt, by preventing oxygen surely from mingling into cobalt silicide.例文帳に追加

コバルトシリサイド中への酸素の混入を充分に防止することにより、コバルトをシリサイド化させる際の熱処理の温度マージンを広くとることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter a heat treatment is performed on a cobalt film deposited on the film 3 to form a cobalt silicide layer 15 on the surface part of the film 13, a barrier layer 17 is formed on the layer 15 to form a plug 18 consisting of the film 13 and the layers 15 and 17.例文帳に追加

コバルトシリサイド層１５の上にバリア層１７を形成して、ポリシリコン膜１３、コバルトシリサイド層１５及びバリア層１７からなるプラグ１８を形成する。 - 特許庁