「"cobalt silicide"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A heat treatment conducted thereafter causes cobalt to react with silicon to form a cobalt silicide film.例文帳に追加

以後の熱処理によりコバルトがシリコンと反応してコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

The gate electrodes MG, SG and PG of a NAND flash memory include a cobalt silicide film 4.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリのゲート電極ＭＧ、ＳＧ、ＰＧにコバルトシリサイド膜４を設ける。 - 特許庁

Namely, for example, the whole upper electrode 22 is formed of a cobalt silicide film 31.例文帳に追加

すなわち、例えば、上部電極２２全体をコバルトシリサイド膜３１から形成する。 - 特許庁

After cobalt 17 is deposited over the entire surface, a heat treatment is carried out to form cobalt silicide.例文帳に追加

コバルト１７を全面に堆積した後、熱処理を行うことにより、コバルトシリサイドを形成する。 - 特許庁

A cobalt silicide film 13 is formed on the top surfaces of source/drain regions 10 and 11.例文帳に追加

また、ソース／ドレイン領域１０，１１の上面にコバルトシリサイド膜１３が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING COBALT SILICIDE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

コバルトシリサイド形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

COBALT SILICIDE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYERED FILM INTERMEDIATE STRUCTURE例文帳に追加

コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層膜中間構造体 - 特許庁

A capacitor 11 being electrically connected to the cobalt silicide film 9 is formed.例文帳に追加

そして、コバルトシリサイド膜９に電気的に接続されるキャパシタ１１を形成する。 - 特許庁

Then the cobalt silicide film 10a is changed to an amorphous cobalt silicide film 10b by implanting the ion of arsenic, silicon, etc., into the film 10a.例文帳に追加

次に、コバルトシリサイド膜１０ａ内に砒素やシリコンなどのイオンを注入して、コバルトシリサイド膜１０ａをアモルファス構造のコバルトシリサイド膜１０ｂに変える。 - 特許庁

The cobalt silicide film 59 in the logic forming region is formed so as to be thicker than the cobalt silicide film 9 in the memory forming region.例文帳に追加

そして、ロジック形成領域におけるコバルトシリサイド膜５９は、メモリ形成領域におけるコバルトシリサイド膜９よりも厚く形成されている。 - 特許庁

To suppress variation in the resistance of an interconnect line formed of cobalt silicide on a polysilicon film by evaluating and managing a first phase cobalt silicide film formed by first heat treatment.例文帳に追加

第１の熱処理によって形成される第１相のコバルトシリサイド膜を評価、管理し、ポリシリコン膜上にコバルトシリサイドを形成した配線抵抗のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide an improved method of forming cobalt silicide that forms a high-quality film of cobalt silicide and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

良質のコバルトシリサイド膜形成が可能な改善されたコバルトシリサイド形成方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, third shot time thermal treatment is performed, and the second cobalt silicide film 10b is changed to the third cobalt silicide film 10c (a mixture of CoSi_2 and Ti) of polycrystalline structure which is structurally stable.例文帳に追加

その後、第３の短時間熱処理を施して、第２のコバルトシリサイド膜１０ｂを構造的に安定な多結晶構造の第３のコバルトシリサイド膜１０ｃ（ＣｏＳｉ_2とＴｉの混合体）に変える。 - 特許庁

Thus, a gate electrode composed of a polycide film containing the cobalt silicide films 7a, 7b and polycrystalline silicon films 3a, 3b is formed.例文帳に追加

それにより、コバルトシリサイド膜７ａ，７ｂおよび多結晶シリコン膜３ａ，３ｂを含むポリサイド膜からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

A first polycrystalline cobalt silicide film 10a is selectively left on a gate electrode 4 and a high concentration source drain region 7.例文帳に追加

ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上に多結晶体の第１のコバルトシリサイド膜１０ａを選択的に残置させる。 - 特許庁

A cobalt film 19 is formed and a cobalt silicide film 20 is formed by using silicide technology.例文帳に追加

その後、コバルト膜１９を形成した後、シリサイド技術を用いて、コバルトシリサイド膜２０を形成する。 - 特許庁

The polycrystal silicon film 7 is exposed, and a cobalt film is formed and a cobalt silicide film 8 is formed by a silicide treatment.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７を露出させ、コバルト膜を成膜してシリサイド処理を行いコバルトシリサイド膜８を形成する。 - 特許庁

A cobalt silicide film 28 is formed in the surface of the gate electrode 16 and the surface of the trench 25 for bodies.例文帳に追加

ゲート電極１６の表面およびボディ用トレンチ２５の表面には、コバルトシリサイド膜２８が形成されている。 - 特許庁

The nitrogen can also be introduced to the silicified portion of the semiconductor layer before the cobalt silicide film 10a is formed.例文帳に追加

窒素は、コバルトシリサイド膜の形成前に、半導体層のうちシリサイド化される部分に導入してもよい。 - 特許庁

Furthermore, a high-melting metal silicide constituting a gate electrode 312 is formed of a cobalt silicide film 12.例文帳に追加

さらに、ゲート電極３１２を構成する高融点金属シリサイド膜が、コバルトシリサイド膜１２で形成されている。 - 特許庁

In addition, the amount of titanium solved in the cobalt silicide is reduced whereby the reduction of a sheet resistance is permitted.例文帳に追加

加えて、コバルトシリサイドに固溶するチタンの量を減らすことができるので、シート抵抗を低減させることが可能となる。 - 特許庁

When second heat treatment is performed thereafter, a polycrystalline cobalt silicide film 10c containing few aggregated crystal grains is obtained.例文帳に追加

第２の熱処理を行なうと、結晶粒の凝集がほとんどない多結晶構造のコバルトシリサイド膜１０ｃが得られる。 - 特許庁

Thereafter, in a silicide process, a cobalt silicide film is formed on the gate electrode 4 and the high concentration source/drain region 7.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスにより、ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上にコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicide film capable of uniformly forming the thickness of a cobalt silicide film.例文帳に追加

コバルトシリサイド膜の厚さを均一に形成することができるシリサイド膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A cobalt silicide film 21 is formed on the surface of diffusion region 4 and that of base taking-out electrode 16 which are exposed.例文帳に追加

そして、露出した拡散領域４表面及びベース取り出し電極１６表面にコバルトシリサイド膜２１を形成する。 - 特許庁

To form cobalt silicide which prevents the increase of leakage current in connection and has a sufficient resistance to heat and a low resistance.例文帳に追加

接合リーク電流の増加を防止し、充分な耐熱性をもち低抵抗なコバルトシリサイドを形成する。 - 特許庁

To make compatible both the lowering of the resistance of a gate electrode using a cobalt silicide and the stabilizing of memory cell transistor characteristics.例文帳に追加

コバルトシリサイドによるゲート電極の低抵抗化とメモリセルトランジスタ特性の安定化とを両立する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device, capable of completely levelling interface between cobalt silicide layer and silicon layer without preliminarily gaining the thickness of a cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の厚みを予め大きく設計しなくても、完成したコバルトシリサイド層とシリコン層との界面を十分に平坦化することができ、プロセスの再現性が良好なコバルトシリサイド電極が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the density of the first phase cobalt silicide film 7 is measured and after the crystallinity thereof is grasped from that density, second heat treatment is performed thus forming a cobalt silicide film 8 having a relatively uniform crystal state while suppressing variation in line resistance.例文帳に追加

その後、第１相のコバルトシリサイド膜７の密度を測定し、その密度から、第１の相のコバルトシリサイド膜7の結晶性を把握した上で第２の熱処理を施すことにより、結晶状態が比較的均一なコバルトシリサイド膜8を形成でき、配線抵抗のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

After a titanium film 12 is deposited on a semiconductor substrate 1, it is subjected to second short-time thermal treatment (RTA), titanium 12a is diffused in the crystal grain boundary of the first cobalt silicide film 10a, and a second cobalt silicide film 10b (mixture of Co_2Si, CoSi and Ti) is formed.例文帳に追加

その後、基板上にチタン膜１２を堆積した後、半導体基板１に第２の短時間熱処理（ＲＴＡ）を施して、第１のコバルトシリサイド膜１０ａの結晶粒界にチタン１２ａを拡散して、第２のコバルトシリサイド膜１０ｂ（Ｃｏ_2ＳｉとＣｏＳｉとＴｉの混合体）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes: a silicon substrate 1 that has monocrystaline silicon on at least one surface; a buffer layer 2 that is provided in the monocrystaline silicon and has one or more of cobalt silicide layers (2a, 2b, 2c) mainly composed of cobalt silicide; and the silicon carbide single crystal film 3 provided on the buffer layer 2.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of semiconductor device with the conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide comprises a process for forming and laminating a diffusion suppressing film consisting of silicon into which nitrogen is mixed, a process for forming and laminating the diffusion suppressing film and a cobalt film, and a process for forming the cobalt silicide by reacting silicon and cobalt.例文帳に追加

また、シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコンに窒素が混入した拡散抑制膜を積層形成する工程と、前記拡散抑制膜にコバルトの膜を積層形成する工程と、前記シリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイドを形成する工程とを有する。 - 特許庁

To carry out alloying like cobalt silicide after gate electrodes formation, and to prevent an increase in capacitance between gates even if a barrier insulating film is formed.例文帳に追加

ゲート電極形成後にコバルトシリサイドのような合金化をすると共に、バリア絶縁膜を設ける構成の場合でも、ゲート間容量の増大を防止する。 - 特許庁

Moreover, end portions of the cobalt silicide film 33 formed over the lower electrode 16 are formed to be spaced apart by a distance L2 from boundaries between the upper electrode 23 and the lower electrode 16.例文帳に追加

その上、下部電極１６に形成されるコバルトシリサイド膜３３の端部を、上部電極２３と下部電極１６の境界から距離Ｌ２だけ離間するように構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whose characteristics can be improved by forming a cobalt silicide film without losing the dopant.例文帳に追加

ドーパントの損失なしでコバルトシリサイド膜を形成することにより、素子の特性を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Basically, the lower electrode 16 and the upper electrode 23 are formed out of polysilicon films 14 and 20 and cobalt silicide films 33 formed over the surfaces of the polysilicon films 14 and 20, respectively.例文帳に追加

基本的に、下部電極１６と上部電極２３は、ポリシリコン膜１４、２０とこのポリシリコン膜１４、２０の表面に形成されたコバルトシリサイド膜３３から形成する。 - 特許庁

Successively, the cobalt silicide films 10a, 10b are formed through reaction of silicon and cobalt of the second silicon film 5a and high concentration source/drain area 9 with the heat treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により第２シリコン膜５ａ及び高濃度ソース・ドレイン領域９のシリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイド膜１０ａ、１０ｂを形成する。 - 特許庁

The metal silicide is selected from a group consisting of nickel-silicide, cobalt-silicide, titanium-silicide, palladium-silicide, platinum-silicide, erbium-silicide, and the combination thereof.例文帳に追加

金属シリサイドは、ニッケル・シリサイド、コバルト・シリサイド、チタン・シリサイド、パラジウム・シリサイド、プラチナ・シリサイド、エルビウム・シリサイド、およびこれらの組合せからなる群から選択される。 - 特許庁

Further, an upper wiring above the insulation film connecting with the contact hole is formed as a wiring containing the cobalt silicide by the same method together with the contact plug.例文帳に追加

また、前記コンタクト孔が接続する絶縁膜より上層の配線についても、同様な手法を用いてコバルトシリサイドを含む配線としてコンタクトプラグと同時に形成する。 - 特許庁

To reduce the difference in the etching rate between-various silicon oxide films to obtain excellent oxide removing efficiency, and to provide etching fluid useful on forming a cobalt silicide.例文帳に追加

各種酸化シリコン膜間のエッチング速度差が少なく、且つ酸化物の除去効率に優れ、特にコバルトシリサイドを形成する場合に有益なエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which a margin in temperature at heat treatment is widened for silicification of cobalt, by preventing oxygen surely from mingling into cobalt silicide.例文帳に追加

コバルトシリサイド中への酸素の混入を充分に防止することにより、コバルトをシリサイド化させる際の熱処理の温度マージンを広くとることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Due to the step, no excessive cobalt film (cobalt atom) is required to be supplied at the part, and abnormal growth of a cobalt silicide film 11B is suppressed under the side wall insulating film 8.例文帳に追加

そして、この段差部の存在によりこの部分での必要以上のコバルト膜（コバルト原子）の供給が無くなり、側壁絶縁膜８下でのコバルトシリサイド膜１１Ｂの異常成長が抑止される。 - 特許庁

A source / drain region 54 is formed inside the top face of the semiconductor substrate 1 in the logic forming region, and a cobalt silicide film 59 is formed inside the top face in the source / drain region 54.例文帳に追加

また、ロジック形成領域における半導体基板１の上面内にはソース・ドレイン領域５４が形成されており、そのソース・ドレイン領域５４の上面内にはコバルトシリサイド膜５９が形成されている。 - 特許庁

On a first source-drain region 113 and a first gate electrode 117 of a first transistor 114 in the DRAM region 104, a cobalt silicide layer 115 is prepared.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域１０４中の第一トランジスタ１１４の第一ソース・ドレイン領域１１３および第一ゲート電極１１７上にコバルトシリサイド層１１５が設けられている。 - 特許庁

In this case, end portions of the cobalt silicide film 33 formed over the upper electrode 23 are formed to be spaced apart by a distance L1 from end portions of the upper electrode 23.例文帳に追加

ここで、上部電極２３に形成されるコバルトシリサイド膜３３の端部を上部電極２３の端部から距離Ｌ１だけ離間するように構成する。 - 特許庁