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compound patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 916件
RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND POLYMER COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、高分子化合物及びその製造方法 - 特許庁
POLYMERIZABLE MONOMER, POLYMER COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST MATERIAL, AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
重合性モノマー、高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 - 特許庁
ADDITIVE, METHOD FOR PREPARING COMPOUND, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
添加剤、化合物の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子 - 特許庁
The α-crystal form of the compound represented by formula (I) shows a characteristic powder X-ray diffraction pattern.例文帳に追加
その粉末X線回折パターンを特徴とする、式(I)の化合物のα結晶型。 - 特許庁
FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, FLUORINE-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, TOPCOAT COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、レジスト組成物、トップコート組成物及びパターン形成方法 - 特許庁
(METH)ACRYLATE COMPOUND HAVING LACTONE STRUCTURE, POLYMER THEREOF, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート化合物、その重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
POLYMER COMPOUND HAVING REPEATING UNIT OF SULFONIUM SALT, RESIST MATERIAL, AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
スルホニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION AND COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION例文帳に追加
感光性組成物、該組成物を用いたパターン形成方法及び該組成物に用いる化合物 - 特許庁
A taste generation part 110 has a molecular compound generating an electric pattern signal of each the taste.例文帳に追加
味発生部110は、各味の電気パターン信号を発生させる分子化合物を備える。 - 特許庁
The method for forming a resist pattern is characterized in that after a resist pattern is formed, a resist pattern thickening material containing a resin, a crosslinking agent and a nitrogen-containing compound is applied so as to cover the surface of the resist pattern.例文帳に追加
本発明のレジストパターンの製造方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a fluorine-containing acrylate compound of a new fluorine-containing polymerizable monomer; to provide a macromolecular compound and a resist material using the compound; and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加
本発明は、新規な含フッ素重合性単量体である含フッ素アクリレート化合物、これを用いた高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁
POLYMERIC COMPOUND FOR PHOTORESIST, MONOMERIC COMPOUND, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC PARTS例文帳に追加
フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 - 特許庁
For the polyisocyanate compound (12), an isophorone diisocyanate compound is preferable, and the pattern formation layer (13) is composed of ink using a polyurethane resin as a binder.例文帳に追加
ポリイソシアネート化合物(12)はイソホロンジイソシアネート化合物が良く、絵柄形成層(13)はポリウレタン樹脂をバインダーとするインキから形成される。 - 特許庁
FLUORINE-BASED CYCLIC COMPOUND, FLUORINE-BASED POLYMERIZABLE MONOMER, FLUORINE-BASED MACROMOLECULAR COMPOUND, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND PATTERN-FORMING METHOD例文帳に追加
フッ素系環状化合物、フッ素系重合性単量体、フッ素系高分子化合物並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION CONTAINING NOVEL SULFONIUM COMPOUND, PATTERN-FORMING METHOD USING THE POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND NOVEL SULFONIUM COMPOUND例文帳に追加
新規なスルホニウム化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び新規なスルホニウム化合物 - 特許庁
A decorative bulk molding compound containing a decorative pattern material (decorative BMC containing a decorative pattern material) is preferable as the surface material 21.例文帳に追加
表面材21としては、加飾用柄材を含有する加飾用バルクモールディングコンパウンド(加飾用柄材入りの加飾用BMC)が好ましい。 - 特許庁
ZEOLITE HAVING NES-STRUCTURAL-PATTERN AND CATALYST INCLUDING ZEOLITE HAVING EUO-STRUCTURAL-PATTERN AND USE FOR ISOMERIZATION OF C8 AROMATIC COMPOUND例文帳に追加
NES構造型を有するゼオライトとEUO構造型を有するゼオライトとを含む触媒およびC8芳香族化合物の異性化における使用 - 特許庁
To provide a resist composition and a method for forming a resist pattern, by which a fine resist pattern can be formed with favorable lithographic characteristics, and to provide a new polymeric compound useful for the resist composition, and a compound useful as a monomer of the polymeric compound.例文帳に追加
微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物を提供する。 - 特許庁
POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, POLYMER COMPOUND FOR USE IN THE POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD OF THE POLYMER COMPOUND, COMPOUND FOR USE IN MANUFACTURE OF THE POLYMER COMPOUND, AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION例文帳に追加
ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法、該高分子化合物の製造に使用される化合物及びそのポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁
To provide an apparatus for synthesizing an organic compound, dealing with the change of a sequence pattern of the organic compound promptly, providing the synthesized organic compound having excellent uniformity, and having a miniaturized size, and to provide a method for synthesizing the organic compound.例文帳に追加
有機化合物の配列パターンの変更に即座に対応可能で、合成される有機化合物の均一性にも優れ、小型化を図ることが可能な有機化合物合成装置および有機化合物合成方法を提供する。 - 特許庁
NEW COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ACID-GENERATING AGENT, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
NEW MULTIBRANCHED COMPOUND, NEGATIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME例文帳に追加
新規な多分岐化合物、並びにネガ型感光性組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁
NOVEL COMPOUND, PREPARATION METHOD THEREOF, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法 - 特許庁
ALICYCLIC COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COMPOSITION CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE COMPOSITION例文帳に追加
脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁
NEW COMPOUND AND ITS PRODUCTION METHOD, ACID-GENERATING AGENT, RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD例文帳に追加
新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
POLYMER FOR RESIST, RESIST COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND STARTING COMPOUND FOR RESIST POLYMER例文帳に追加
レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターン製造方法、並びにレジスト用重合体用原料化合物 - 特許庁
POLYMERIZABLE ESTER COMPOUND HAVING SULFONAMIDE STRUCTURE, POLYMER OF THE SAME, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
スルホンアミド構造を有する重合性エステル化合物、その重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
RESIST COMPOSITION, COMPOUND FOR USE IN THE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE RESIST COMPOSITION例文帳に追加
レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁
RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME, AND FLUORINE-CONTAINING COMPOUND例文帳に追加
液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素化合物 - 特許庁
SULFONIUM SALT HAVING POLYMERIZABLE ANION AND POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR PATTERN FORMATION例文帳に追加
重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
TERTIARY (METH)ACRYLATE COMPOUND HAVING LACTONE STRUCTURE, ITS POLYMER, RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
ラクトン構造を有する三級(メタ)アクリレート化合物、その重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
NOVEL COMPOUND AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern.例文帳に追加
ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うnチャネルMOSトランジスタにおいて、pチャネルMOSトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記nチャネルMOSトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。 - 特許庁
HEXAARYLBIIMIDAZOLE COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION USING THE SAME AND PRODUCTION OF PATTERN AND ELECTRONIC PART例文帳に追加
ヘキサアリールビイミダゾール化合物、これを用いた感光性組成物及びパターンの製造法並びに電子部品 - 特許庁
NEW SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUND, PHOTO ACID GENERATOR, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。 - 特許庁
UNDERLYING RESIST COMPOSITION, NOVEL COMPOUND USEFUL FOR THE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION例文帳に追加
下層レジスト組成物、該組成物に有用な新規化合物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD USING SAME, AND COMPOUND IN SAME例文帳に追加
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物 - 特許庁
FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, FLUORINE-CONTAINING POLYMER, NEGATIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME例文帳に追加
含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
To obtain a polymeric compound for use in photoresist that has excellent etching resistance and can form a fine pattern precisely.例文帳に追加
耐エッチング性に優れ、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。 - 特許庁
This surface treatment agent for forming the resist pattern contains a compound having a carbodiimide group.例文帳に追加
カルボジイミド基を有する化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 - 特許庁
The surface treatment agent for resist pattern formation contains a compound having an oxazoline group.例文帳に追加
オキサゾリン基を有する化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 - 特許庁
PATTERN MATERIAL FOR DECORATION, MOLDING COMPOUND FOR DECORATION AND DECORATIVE MOLDING PRODUCT USING THE SAME例文帳に追加
加飾用柄材及びそれを用いた加飾用モールディングコンパウンド並びにそれを用いた加飾成形品 - 特許庁
RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ACID GENERATOR例文帳に追加
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤 - 特許庁
The material of the uneven pattern forming part of the mold is silicon, quartz, glass, diamond, a silicon compound, a metal, a metallic compound, or a ceramic substance.例文帳に追加
また、前記モールドの凹凸状パターン形成部材料が、シリコン、石英、ガラス、ダイヤモンド、シリコン化合物、金属、金属化合物、セラミックの何れかである。 - 特許庁
As shown at (4), a compression head 7 is laid on the compound film 6 such that the rib pattern 7b thereof abuts against the surface of the compound film 6.例文帳に追加
次に、(4)の通り、圧着ヘッド7をそのリブパターン7bが複合フィルム6の表面に当接するようにして複合フィルム6に重ね合わせる。 - 特許庁
To provide a new high molecular compound, a positive resist composition containing the high molecular compound, and a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加
新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
FLUORINE-CONTAINING POLYMERIZABLE COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, POLYMERIC COMPOUND OBTAINED FROM THE SAME, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加
含フッ素重合性化合物、その製造方法、この化合物から得られる高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
FLUORINE-BASED CYCLIC COMPOUND, FLUORINE-BASED POLYMERIZABLE MONOMER, FLUORINE-BASED POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
フッ素系環状化合物、フッ素系重合性単量体、フッ素系高分子化合物、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁
To provide a pattern formation method capable of preventing the occurrence of pattern defects even when there is a liquid residue of an alicyclic saturated hydrocarbon compound.例文帳に追加
脂環式飽和炭化水素化合物の液残りがあってもパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁
The hydrophilic/hydrophobic pattern is made to adsorb an organic or inorganic compound according to the physical properties so as to obtain a functional pattern such as a visible image.例文帳に追加
該親/疎水性パターンのいずれかに物性に応じた有機又は無機化合物を吸着させて、可視画像などの機能性パターンを得ることができる。 - 特許庁
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