「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To keep high speed synchronous read-out even when data are read out over a memory cell of the other group.例文帳に追加

他のグループのメモリセルに跨ってデータ読み出しをする場合にも、高速シンクロナス読み出しを維持する。 - 特許庁

The nonvolatile memory in which data is stored depending of a difference in threshold voltage has the core-side cell transistor C-MC to which an electric charge is injected depending on stored data and the reference-side cell transistors RA-MC and RB-MC supplying a reference level when reading data from the core-side cell transistor.例文帳に追加

閾値電圧の違いによりデータが記憶される不揮発性メモリにおいて、記憶データに依存して電荷が注入されるコア側のセルトランジスタＣ−ＭＣと、コア側のセルトランジスタからデータを読み出すときに基準レベルを供給するレファレンス側のセルトランジスタＲＡ−ＭＣ、ＲＢ−ＭＣとを有する。 - 特許庁

The receiving unit includes a polar coordinate signal generation section, a signal processing section, and a six-dimensional cell data processing section.例文帳に追加

受信装置は、極座標信号生成部と、信号処理部と、６次元セルデータ処理部とを備える。 - 特許庁

A memory cell array operates at a low frequency being one-eighth of an actual data output frequency.例文帳に追加

メモリセルアレイの動作としては、実際のデータ出力周波数の８分の１の低い周波数で動作する。 - 特許庁

As a result, destruction of data held in the unprogrammed memory cell is prevented by a simple circuit.例文帳に追加

この結果、プログラムされないメモリセルに保持されているデータが破壊されることを、簡易な回路で防止できる。 - 特許庁

To detect exactly data holding defect of a memory cell accelerating noise caused in operation of SR (self-refresh).例文帳に追加

ＳＲの動作で発生するノイズを加速しながら、メモリセルのデータ保持不良を確実に検出すること。 - 特許庁

The memory cell has a pair of floating gates and the data of 2 bits or more can be rewritably held.例文帳に追加

メモリセルは、１対のフローティングゲートを有し、２ビット以上のデータを書き替え自在に保持することができる。 - 特許庁

Therefore, only data of a memory cell corresponding to eight work lines made 'L' levels can be erased.例文帳に追加

したがって、“Ｌ”レベルにされた８本のワード線に対応するメモリセルのデータのみを消去することができる。 - 特許庁

The second inverter is responsive to a second data signal provided by the memory cell over the second bit line.例文帳に追加

第２インバータは、第２ビット線に亘ってメモリセルによって提供された第２データ信号に応答する。 - 特許庁

The first inverter is responsive to a first data signal provided by the memory cell over the first bit line.例文帳に追加

第１インバータは、第１ビット線に亘ってメモリセルによって提供された第１データ信号に応答する。 - 特許庁

To achieve multi-coloring and reduction of a cell for recording electronic data with a two-dimensional color code with high density.例文帳に追加

電子データを２次元カラーコードに高密度で記録するためのセルの多色化と縮小を図る。 - 特許庁

Next the data of a page size recorded at a prescribed address of a memory cell array 221 is read to a sense amplifier 223.例文帳に追加

次にメモリセルアレイ２２１の所定のアドレスに記録されたページ単位のデータをセンスアンプ２２３に読み出す。 - 特許庁

One embodiment of this invention is a computer implemented method for automatically completing mathematical formula cell data.例文帳に追加

本発明の一態様は、数式セルデータを自動的に完成させるためのコンピュータ実装方法である。 - 特許庁

Although sense magnetic fields (550, 552) set the direction of a soft standard layer (214), they do not change data stored in the cell (202).例文帳に追加

センス磁界(550,552)は軟基準層(214)の向きを設定するが、セル(202)内に格納されたデータを変更しない。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device superior in a data holding characteristic even if a cell area is reduced.例文帳に追加

セル面積を縮小してもデータ保持特性の優れた半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

To increase data input/output speed under environment in which speed of a memory cell array access clock is restricted.例文帳に追加

メモリセルアレイアクセスクロックの速度が制限される環境下でデータ入出力速度を増加させること。 - 特許庁

Data are written in a memory cell of this word line by supplying write-in voltage to a word line WL 3.例文帳に追加

ワード線ＷＬ３に書込電圧を供給することにより、このワード線のメモリセルにデータを書込む。 - 特許庁

The memory cell MC stores two or more data with a threshold voltage of n values (n is a natural number of 1 or larger).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ｎ値（ｎは１以上の自然数）の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

The semiconductor memory apparatus is provided with a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged and a sense amplifier circuit for reading out data of the memory cell array, exclusive OR operation processing is performed between read-out data of the memory cell array and expected value data supplied from the outside in the sense amplifier circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うためのセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路内で、前記メモリセルアレイの読み出しデータと外部から供給された期待値データとの間で排他的論理和演算処理が行われる。 - 特許庁

To provide a memory which can suppress a disturb phenomenon which deletes data on an unselected memory cell.例文帳に追加

非選択メモリセルのデータが消失するディスターブ現象を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To quickly and completely erase data in a group of memory cells in a semiconductor storage that uniformly executes data erasure until an entire cell threshold is set to standard value or less with the group of memory cells, and replenishes, the memory cell with electric change where the cell threshold is set to the minimum one or less in the group of memory cells where data has been erased.例文帳に追加

データ消去を全部のセル閾値が基準以下となるまで一群のメモリセルで一様に実行し、データ消去した一群のメモリセルのうちセル閾値が下限閾値以下のものには電荷を補充する半導体記憶装置において、一群のメモリセルでのデータ消去を迅速に完了できるようにする。 - 特許庁

The error correction circuit corrects the error of holding data of the memory cell detected by the sense amplifier.例文帳に追加

誤り訂正回路は、前記センスアンプにより検知された前記メモリセルの保持データの誤りを訂正する。 - 特許庁

Data are thereafter written to the selected MLC memory cell in relation to the selected non-sequential encoding scheme.例文帳に追加

その後、選択された非連続エンコーディングスキームに関して、選択されたＭＬＣメモリセルにデータが書込まれる。 - 特許庁

To provide a means for accurately calibrating a sense amplifier for reading data of a memory cell on a chip.例文帳に追加

メモリセルのデータ読み出し用のセンス増幅器をチップ上で正確に較正する手段を提供する。 - 特許庁

The redundancy data storage circuit of the semiconductor memory includes: a memory cell array; a write driver configured to write redundancy data in the memory cell array in response to a test signal; and a sense amplifier configured to detect and output the redundancy data recorded on the memory cell in response to a read signal.例文帳に追加

本発明に係る半導体メモリのリダンダンシデータ格納回路は、メモリセルアレイと、テスト信号に応じてリダンダンシデータをメモリセルアレイに記録するように構成された書き込みドライバと、読み出し信号に応じて、前記メモリセルに記録されたリダンダンシデータを感知して出力するように構成されたセンスアンプとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of surely reading data from a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルから確実にデータを読み出すことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A readout circuit discriminates whether the data of the real memory cell are erased or not by the impression of the erase pulse.例文帳に追加

読み出し回路は、消去パルスの印加によりリアルメモリセルのデータが消去されたか否かを判定する。 - 特許庁

The replacement data cell array 2 is provided with a plurality of first storage sections 28 and a plurality of second storage sections 29.例文帳に追加

置換データ用セルアレイ２は複数の第１格納部２８と複数の第２格納部２９とを備える。 - 特許庁

A distribution part 4 distributes the image data to cell kind memories 5a, 5b relative to each kind of the inspection pattern.例文帳に追加

分配部４は被検査パターンの種類毎に画像データをセル種メモリ５ａおよび５ｂに分配する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE EMPLOYING OPEN BIT LINE CELL ARCHITECTURE FOR PROVIDING IDENTICAL DATA TOPOLOGY ON REPAIR, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

リペアーの際同一のデータトポロジーを有するオープンビットラインセル構造のメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁

Next, data write-in operation is made easy by coupling the memory cell to a pair of complementary bit lines BL, BR.例文帳に追加

次に、メモリセルを１対の相補ビットラインＢＬ，ＢＲに結合して、データ書込み動作を容易にする。 - 特許庁

The rewritable non-volatile memory cell 1 has a selection transistor 10 and a data storage element 20.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセル１は、選択トランジスタ１０とデータ記憶素子２０とを備えている。 - 特許庁

Each cell generates a partial syndrome based on data blocks and one or more redundancy blocks.例文帳に追加

各セルは、データブロックおよび１つまたは複数の冗長ブロックに基づいて部分シンドロームを生成する。 - 特許庁

The substrate pattern is generated by combining a plurality of substrate pattern data each having at least one pattern cell.例文帳に追加

少なくとも１つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて基板パターンを作成する。 - 特許庁

To eliminate transmission delay by reading out data from a memory cell and writing it again without passing through a cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリを通さずにデータをメモリセルから読み出し、また書き込むことで、伝送遅延を解消する。 - 特許庁

The selected cell is turned to a peak locus and the analysis data of the corresponding peak point in the peak locus are stored.例文帳に追加

選択されたセルをピーク軌跡とし、ピーク軌跡中の対応するピーク点の分析データを記憶する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of surely reading data from a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルから確実にデータを読み出すことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for writing data bits to a memory cell without requiring an additional power source.例文帳に追加

追加電源を必要とすることなくメモリセルにデータビットを書き込む方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To store a data pattern even in semiconductor memory cell array having complex shape at high speed and highly efficiently.例文帳に追加

複雑な形状を持つ半導体メモリ記憶セル・アレイにもデータ・パターンを高速かつ高効率で記憶する。 - 特許庁

That is, part of write-in data generated by the pattern generating circuit is written directly in a parity cell array.例文帳に追加

すなわち、パターン生成回路が生成する書き込みデータの一部がパリティセルアレイに直接書き込まれる。 - 特許庁

A memory cell array 102 has data cells for x bits and redundant cells for y bits for every word.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０２はワードごとにｘビット分のデータセルとｙビット分の冗長セルとを有している。 - 特許庁

Consequently, the restoration time of memory cell data becomes longer in the standby state and sufficient restore is achieved.例文帳に追加

従って、スタンバイ状態の時にはメモリセルデータのリストア時間が長くなり十分なリストアがなされる。 - 特許庁

A data output circuit is provided in a boundary scan cell for internal-connecting the fellow chips, out of the boundary scan cells in the midway positioned in an output terminal side of the boundary scan path in its one side, and a data input circuit is provided in the boundary scan cell internal-connected to the boundary scan cell provided with the data output circuit.例文帳に追加

また、一方のバウンダリスキャンパスの出力端側に位置する途中のバウンダリスキャンセルのうちで、チップどうしを内部接続するバウンダリスキャンセルにデータ出力回路を設けるとともに、このデータ出力回路を設けたバウンダリスキャンセルと内部接続したバウンダリスキャンセルにデータ入力回路を設けた。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which deterioration in data of a non-selection cell can be suppressed.例文帳に追加

非選択セルのデータ劣化を抑制することを可能とした強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

According to this method, "0" disturb can be controlled so as not to be generated and data destruction in the neighbored cell is avoided.例文帳に追加

これにより、“０”ディスターブが発生しないようにすることができ、隣接セルのデータ破壊を回避できる。 - 特許庁